Mécanismes de dégradations par

porteurs chauds des transistors

MOSFETs

Presenté par : Ayoub Faihe

ABAKAR Ibrahim

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Plan

● Definition porteurs chauds

● Phénomène d’ionisation par impact (IP)
● Mécanismes d’injections de porteurs chauds du canal (CHC)
● Differents mode d’injection
● Modèle de défaillance associé au porteurs chauds
● Conséquences de la dégradation
● Amelioration technologique
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DéFINITION PORTEURS CHAUDS

● Electrons et trous

● MOS est en régime saturé.

● Une forte différence de potentiel

entraîne la présence d’un champ
électrique latéral intense.

● Une forte énergie cinétique

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Phénomène d’ionisation par impact (IP)

● Vd important => Champ électrique élevé

● Collisions dans le canal
● Transfert d'énergie aux électrons du canal
● Ionisation des atomes du canal
● Création de porteurs chauds
● De ce fait, il existe un courant de substrat (fuite
de courant ).
● Effets sur les performances du NMOS

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Mécanismes d’injections des porteurs chauds du canal (CHC)

● Les porteurs peuvent entrer en collision et casser les

liaisons Si3 ≡ H à l’interface quand leur énergie
atteint 3,7 eV.

● Cette énergie correspond à la barrière d’oxyde +

l’énergie pour casse la liaison Si3≡H.

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Mécanismes d’injections des porteurs chauds du canal (CHC)

Tox>3nm 1,5 < Tox <3 nm

Pour Nmos : À haute tension VGS et VD, on a piégeage La majorité des porteurs atteignent la grille par effet
d’électrons . tunnel direct.

Seuil d’énergie= 3,7 eV Une conséquence notable est la persistance de la

dégradation CHC pour des tensions de drain faibles.
Pour Pmos : La dégradation est moins importante à
cause de la mobilité faible des trous .(μp ~ μn/3) Seuil d’energie < 3,7 eV

=> un seuil d'ionisation par impact élevé Φ= 4,8 eV

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Differents mode d’injection

● Injection de porteurs chauds du canal (Channel Hot Carrier CHC)

Condition VG = VD => IG max

Electrons chanceux (barriére Si/SiO2)

● Injection de porteurs chauds du substrat (Substrate Hot Carrier SHC).

Domine pour VD = 0V, VG > 0 et VB < 0,
Courant de fuite
Les Électrons gagnent suffisamment d’énergie dans la zone de déplétion
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Differents mode d’injection

● Injection de porteurs chauds en mode d’avalanche au drain (Drain

Avalanche Hot Carrier DAHC)
Ionisation par impact
L’injection des deux types de porteurs est mesurée au niveau de IG
VG << VD

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Modèle de Hu

● Porteur Chanceux :Le modèle repose sur le concept du "porteur chanceux", où un

porteur du canal (électron ou trou) acquiert suffisamment d'énergie pour créer des
paires électron-trou.

● Qualifiés de "chanceux" car ils conservent suffisamment d'énergie cinétique pour

éviter une perte totale lors de collisions avec les impuretés dopantes.

● Exclusion des Pièges dans le Volume

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Modèle de Hu(1)

Modélisation des défauts d'interface pour un NMOS .

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Modèle de Hu

La durée de vie

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 Modèle de Takeda
● Le modèle a été validé au milieu des années 80 sur des technologies 1 µm
– 0,5 µm
● Dégradation est provoquée par les états d’interface.
● le temps à la défaillance TTF s’exprime en fonction de la tension drain
source VDS.
● Ce modèle présente l’avantage d’être dépendant de la tension VDS qui est
une grandeur connue de l’utilisateur pour l’extrapolation à la tension
d’alimentation VDD

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Conséquence de la dégradation

La dégradation par porteurs chauds peut modifier les caractéristiques électriques du

transistor, telles que :
● la mobilité des porteurs de charge.
● la tension de seuil .
● la résistivité.
● Augmentation du courant de fuite.
● Effets sur la performance à haute fréquence.

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 Amelioration technologique

● Optimisation des paramètres de processus.

● Utilisation de matériaux isolants de haute qualité avec une
constante diélectrique κ plus élevée .
● Réduction des tensions d’alimentation => Champs électrique .

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SOI Technologie
Conclusion

En conclusion, la dégradation d'un MOSFET par porteurs chauds est un phénomène

complexe qui se manifeste dans des conditions de fonctionnement extrêmes. La réduction
continue de la taille des dispositifs CMOS a amplifié les effets de la génération de porteurs
chauds, impactant la fiabilité et la durée de vie des transistors.

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Source

(1)Mécanismes de dégradations par porteurs chauds des transistors MOSFETs

Marion CARMONA

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MERCI POUR VOTRE ATTENTION !

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