1 Electronique Analogique - 1 - 1ere Année - ESTA

électronique analogique
ECOLE SUPERIEURE DES TECHNIQUES AVANCEES
ESTA
Option : 1ère année
SUPPORT DE COURS
UE : Electronique analogique 1 (L1)
Enseignant : COULIBALY Souleymane, tel : 70 75 88 39 ou 68 76 42 77
Année académique : 20…-20…
___________________________________________________________________________ 1
Ecole Supérieure des 1ère année Formateur
Techniques Avancées (ESTA) COULIBALY Souleymane (70758839)
FICHE DE DESCRIPTION DE L’UE

TITRE DE L’UE : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE 1
SEMESTRE : S1 COEFFICIENT : NOMBRE DE CREDITS :
ENSEIGNANT : Mr Souleymane COULIBALY
VOLUME CM TD TP TPE
HORAIRE : 38H 24 14 0 -
OBJECTIFS :
Les objectifs visés par ce cours sont :
- la maîtrise des lois et principes de l’électronique,
- l’étude des fonctions de base de l’électronique,
- l’analyse et le calcul des circuits électroniques,
- le câblage de montage électronique.
CONTENU :
1. Composants de l’électronique
 Composants à semi-conducteur
 Principe de fonctionnement
 Applications
 Recherches et exploitation de données constructeur, lecture d’un catalogue de
composants intégrés.
2. Sources de références
 Sources de tension :
- Rôles et caractéristiques ;
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés de
tension.
 Sources de courant :
- Miroirs de courant à transistors bipolaires, à MOSFET.
3. Amplification
 Amplification à transistor à un et à plusieurs étages
 Amplificateur opérationnel parfait (idéal) :
- Montages en fonctionnement linéaire ;
- Montages en fonctionnement non linéaire ;
 Amplificateur opérationnel réel :
- Défaut statiques ;
- Polarisation et alimentation non symétrique
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 Classes d’amplification
- Technologie et modélisation des transistors de puissance ;
- Technologie des amplificateurs de puissance intégrés, caractéristiques,
critères de choix, mise en œuvre ;
- Le dimensionnement des composants.
PREREQUIS :
Electricité générale, théorie des circuits électriques
BILBLIOGRAPHIE
[1] J-M Pointevin : "Composants discrets et méthode de calculs, Tome 1", Ed. Dunod, Paris
1995
[2] Thomas L. Floyd : "Electronique, composants et systèmes d’application", Ed. Dunod,
Paris 2000.
[3] Malvino Albert Paul, Bates David J. : '' Principes d'électronique''. Ed. Dunod, Paris, Mars
2008.
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Semi-conducteurs et jonction PN
Introduction
De par leurs propriétés électriques, les semi-conducteurs peuvent être assemblés pour constituer
des composants qui entrent dans la réalisation des fonctions électroniques. Parmi les applications de
base de l’électronique, l’assemblage de deux semi-conducteurs de type P et de type N permet de
créer la diode à jonction PN. Mais en observant les propriétés de ce composant, passif, on remarque
que plusieurs phénomènes peuvent être mis à profit pour constituer des diodes disposant de
fonctions particulières. De même l’assemblage des deux types de semi-conducteurs avec plus de
deux jonctions permet de créer d’autres composants tels que le transistor…
I. Diode à jonction PN
A K
1 N 4002
I.1. Constitution – Symbole
Une diode à jonction est un composant

constitué d’une jonction PN (Figure 1)
rendue accessible par deux contacts A K
électriques (obtenus par
métallisation). Son symbole et les
notations sont représentés à la Figure
2 (pour le retenir, noter que le sens
du courant est celui du triangle). Elle
ne conduit le courant que dans le sens Anode- Cathode à condition que sa tension de seuil soit
atteinte (elle est passante). Dans le sens Cathode-Anode, le courant est nul (elle est bloquée).
Diodes ordinaires (faible et moyenne Pont de Diodes

puissance)
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Diodes ordinaires (forte puissance)
I.2. Caractéristique statique tension–courant
Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le

courant: la caractéristique tension – courant. Elle est relevée dans les
quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schéma de la
Figure 3. Le résultat est décrit à la Figure 4.
Attention : ce relevé est obligatoirement attaché aux notations des
sens des tensions et courants.
L’observation de cette caractéristique permet de distinguer deux régimes de fonctionnement :
polarisation direct
• Dans le sens direct (iD et uD positifs), la diode est passante; la tension uD est faible (≈0,6V à
0,7V) et le courant croît très rapidement avec la tension E;
E – UD – URP = 0 (UD=0,7V)
polarisation inverse
• Dans le sens inverse (iD et uD négatifs), la diode est bloquée; le courant est faible quelque soit la
tension (courant de saturation). ID = 0 et UDinv = E= tension inverse. (Diode bloquée………circuit
ouvert)
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I.3. Influence de la température
La loi d’évolution du courant dans la diode est :
 Id = Is e(Vak /kT) où kT = 25millivolts à 25°C.

 Id = Is e(eV0 /kT) = Is eV0 /V avec V0 = 25 mV à température
ambiante. Is est de l’ordre de10-15A,
k = 1,38*10-23 J/K (constante de Boltzmann)
Le courant de saturation IS traduit l’existence des porteurs minoritaires et croît avec la

température.
La conséquence est que le courant direct croît plus vite : Pour une diode au silicium, il double environ
tous les 10 °C. La tension directe (donc de seuil) diminue pour une diode au silicium, elle décroît
linéairement de 2 mV par °C.
En inverse, le courant augmente avec T.
La modification résultante de la caractéristique apparaît à la Figure 5.
I.4. Caractéristiques statiques idéalisées
L’usage du modèle complet est rarement nécessaire. On simplifie la caractéristique par étapes
successives comme l’indique le Tableau 1.
Le premier modèle montre la conduction au-delà de la tension de seuil VD0 (source de tension
associée) et linéarise le fonctionnement en conduction par une résistance en série rD. Puis, peu à peu,
chacun des éléments est éliminé. On obtient finalement le modèle « deux segments » de la diode.
Modèle Diode parfaite Diode idéale

dynamique
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I.5. Notes sur le comportement dynamique
L’étude précédente met l’accent sur le fonctionnement statique, c’est à dire lorsque les grandeurs
tension et courant sont établies. Quand ces grandeurs évoluent dans le temps, la diode peut passer
d'un état à l'autre (par exemple de l’état bloqué, en inverse, à l’état passant, en direct). C’est le
fonctionnement en commutation.
Lors de la mise en conduction, le courant s’établit dans le circuit en apportant des charges qui sont
stockées au niveau de la jonction. Ceci procure une faible chute de tension en conduction. Mais en
contrepartie, leur évacuation ralentit la commutation lors de la phase de blocage. Ceci est
caractérisé par le temps de recouvrement trr.
I.6 fiche technique
Les fabricants de semi-conducteurs préparent des fiches techniques regroupées dans un manuel. Ces
fiches indiquent l’ensemble des caractéristiques des composants et comprennent généralement :
-une identification du composant (ex : diode 1N4002) ;
-une description du composant à l’aide d’un dessin coté ou d’une photographie ;
-les différentes caractéristiques électriques, thermiques et mécaniques présentées sous
forme de tableaux ou de courbes ;
-des schémas de quelques exemples typiques.
Les trois catégories de paramètres suivants sont bien définies :
-les limites absolues d’utilisation (maximum ratings)
-les caractéristiques électriques (electrical characteristics)
-les caractéristiques mécaniques (mechanical characteristics)
I.6.1 limites absolues d’utilisation
Ces paramètres difficilement mesurables par l’utilisateur doivent être considérés comme des
contraintes maximales d’utilisation dans un circuit.
-La tension inverse de crête répétitive VRRM : tension que peut supporter la diode à l’état
bloquée sans limitation de durée.
-La tension inverse de crête non répétitive VRSM : tension que peut supporter la diode à
l’état bloquée pendant un temps très court.
-Le courant direct moyen I0 : courant qui peut traverser la diode en permanence sans
limitation de durée.
-le courant direct de surcharge non répétitive IFSM : courant accidentel de très courte
durée qui peut traverser la diode.
-La température maximale de la jonction TJmax : température à laquelle une diode peut
fonctionner sans risque d’être détériorée.
I.6.2 Caractéristiques électriques
Les caractéristiques électriques peuvent être mesurées par l’utilisateur. Le fabricant peut donner :
-Les caractéristiques maximales ou minimales qui sont des limites garanties ;
-la caractéristique typique qui est une moyenne pour l’ensemble d’une même pièce.
En général on y trouve :
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-la chute de tension directe VF aux bornes de la diode lorsqu’elle est à l’état passant ;
-le courant direct maximum IF supporté par la diode en continu.
-la tension inverse maximale VRRM
-la résistance interne de la diode RD
-la puissance maximale Pmax
-le temps de recouvrement inverse (trr) et direct (tdt) : temps que met la diode pour passer
de l’état passant à l’état bloqué ou de l’état bloqué à l’état passant.
I.6.3 caractéristiques mécaniques

Les fabricants indiquent les dimensions de composants, la masse approximative, la température
maximale permise dans le cas de composants soudés, le couple maximum de serrage dans le cas de
composants vissés, les dissipateurs appropriés…
I.7. Applications des diodes à jonction PN
La première fonction de la diode est le redressement pour rendre une tension unidirectionnelle en
électronique « petits signaux », comme en électronique de puissance dans les convertisseurs
d’énergie. Elle est utilisée aussi pour la :
- protection des circuits
- commutation
- stabilisation
- démodulation
- optoélectronique
I.8 Diodes spéciales
A côté du principe redresseur des propriétés secondaires sont mises à profit pour donner lieu à
d’autres types de diodes.
I.8.1 Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zéner
La diode ZENER est une diode à jonction pour laquelle la tension de claquage (d’avalanche) est connue
avec précision et l’effet d’avalanche est contrôlé et est non destructeur. Après le claquage, la
tension à ses bornes reste constante. Cette tension s’appelle <<tension de ZENER>> notée U Z.
Celle-ci est destructive pour la plupart des diodes. Mais l’effet Zéner permet le contrôle des
porteurs pour limiter le courant et assurer la réversibilité du processus (fig.6).
Sens direct
A K
Iz
Sens
inverse
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Une diode Zener se polarise en inverse et présente à ses bornes, quel que soit le courant qui la
traverse, une tension quasiment constante appelée tension zener. Cette tension zener est toujours
marquée en clair sur son boîtier ( ex. BZX85C5V6). On y trouve des valeurs allant de quelques
dixièmes de volt à plusieurs dizaines voir centaines de volts.
URp
Iz
Rp
E
Dz Vz
Applications :
Les diodes Zener sont appréciées pour leur tension zener très stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associées aux fonctions : référence de tension ; écrêtage de tension ; stabilisation (alimentation
continue de faible puissance).
Cette propriété est très utilisée dans des montages régulateurs de tension où l’on l’exploite comme
référence de tension.
Caractéristiques limites
.Le courant IZ : Courant qui peut traverser la diode sans dommage.
.La tension UZ : tension aux bornes de la diode quand elle est traversée par I Z.
.La puissance PZ : puissance maximale que peut dissiper la diode ZENER : PZ = UZ*IZ
I.8.2 Création d’une jonction rapide : Diode Schottky
Plutôt que de réaliser la jonction avec

des semi-conducteurs de types
différents, on substitue une
couche métallique au semi-conducteur A K
P ou N. La caractéristique de la diode Id
obtenue est similaire à celle d’une
diode de redressement, mais avec une
tension directe plus faible (diminution
de la tension de seuil, (≈ 0,3 V)).
L’avantage essentiel provient de l’absence de charges stockées durant la conduction. Le temps de
recouvrement est diminué (trr < 500 ns) : la diode est plus rapide.
Ces diodes s’emploient dans les redresseurs rapides petits signaux (haute fréquence) et dans les
composants logiques rapides. Critère de choix : fréquence limite d’utilisation.
I.8.3 Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap
Quand la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de potentiel est renforcée. La
zone de charge d’espace apparaît comme un isolant entre les deux parties semi-conductrices : La
jonction se comporte comme un condensateur dont la capacité est fonction de la tension inverse.
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Les diodes varicap sont des diodes à capacité variable. Cette diode se comporte comme un
condensateur dont la capacité varie suivant la tension inverse. La capacité diminue quand la tension
inverse augmente.
Application : modulation de fréquence (MF ou FM).
Ce type de diode est employé en haute

fréquence dans les circuits oscillants
accordés qui prennent place dans les
oscillateurs commandés en tension
pour la radio.
I.8.4 Effet quantique : Diode tunnel
L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. Son principe repose sur la probabilité
non nulle pour un électron en mouvement de franchir une barrière de potentiel d’énergie supérieure à
son énergie cinétique.
Cet effet est obtenu avec une
jonction créée avec des semi-
conducteurs fortement dopés.
La conséquence s’apparente à un
effet d’avalanche en direct. Le
courant qui augmente
rapidement puis décroît et
reprend sa croissance
exponentielle (comme pour une
diode classique).
Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 12. La portion où le courant décroît en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de vallée Vv). On y
observe une conductance négative, linéarisée autour du point de repos (Vr, Ir). L’utilisation de la
zone autour de ce point nécessite une polarisation particulière qui permet de travailler en variations.
Cette résistance (ou conductance) dynamique est mise à profit dans les oscillateurs hautes
fréquences pour compenser la résistance d’un circuit LC due aux imperfections des éléments.
I.9 diode commandé : le thyristor
Symbole, propriétés électriques et fonctionnement
L’état conducteur ou bloqué est en général déterminé par une électrode de

commande référencée à la cathode.
Si Vak < 0, le thyristor est bloqué et I=0 (zone 1).
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Si Vak > 0 sans courant préalable dans la gâchette, le thyristor est bloqué (zone 2).
Si Vak > 0 et qu’un courant Ig apparaît (environ 100mA), la

tension Vak s’effondre et le thyristor s’amorce (passage
spontané de la zone 2 à la zone 3). Ensuite si I>Ih, le courant de
gâchette Ig peut s’annuler, la conduction entre anode et cathode
persiste. Quand I<Ih, le thyristor se bloque (passage en zone 1
ou 2).
Le thyristor peut s’amorcer dans plusieurs cas :
► Si Vak>0 et Vak = Vdrm avec Ig = 0 le thyristor s’amorce spontanément.

► Si Vak>0 et dvak/dt >(dvak/dt)maxi donné par le constructeur, le thyristor s’amorce
spontanément.
► Si Vak>0 et Ig>100mA, le thyristor s’amorce spontanément. C’est le fonctionnement normal pour
l’utilisateur car il peut maîtriser l’amorçage par une commande électronique.
Condition de blocage d’un thyristor :
Si I<Ih le thyristor se bloque mais il faut appliquer une tension Vak négative pendant le temps de
recouvrement (tq) du thyristor pour que Vak puisse redevenir positive sans provoquer la remise en
conduction.
Pendant tq le thyristor peut conduire en inverse.
Limites électriques :
► L’application de Vak<Vrrm détruit le composant.

► En conduction le thyristor dissipe une puissance qui tend à élever la température de jonction. A
partir de 180°C le thyristor est détruit.
► A l’amorçage si le di/dt est excessif, le thyristor est détruit.
Ordre de grandeur des paramètres pour les thyristors du commerce :
► Vrrm = Vak de 50V à 2000V.

► I de 100mA à 2000A.
► Courant de gâchette permettant l’amorçage de 10mA pour les thyristors sensibles à 500mA pour
les thyristors standards.
► (dvak/dt) maxi = 100V/µs.
► (di/dt) maxi = 100A/µs.
► Le temps de recouvrement tq = 100µs pour les thyristors de redressement à 2µs pour les
thyristors ultra-rapides.
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I.10 diode pour courant alternatif : le diac
Le diac (DIode for Alternating Current) n'est pas un composant

de puissance, c'est un semi-conducteur à seuil capable de
générer les impulsions nécessaires au triac.
Son symbole est le suivant :

Lorsque la tension (u) à ses bornes
est positive et reste inférieur à VBR,
VA2A1 vaut à peu près u car i = 0A.
Dès que u dépasse VBR le diac devient passant, sa tension VA2A1
diminue jusqu’à I = (U-Ve)/R ; c’est donc la valeur de la résistance
dans le montage qui détermine l’intensité du courant.
L’explication est similaire lorsque u est négative.
Générateur d'impulsions à diac
La tension uC est identique, avec un certain retard,

à celle de u. Lorsque Uc attint VBR le condensateur
se décharge dans R’ jusqu’à Uc=Ve ; le diac se
désamorce et le condensateur reprend sa charge,
….On obtient donc les impulsions des courbes ci-
contre. Ces impulsions peuvent commander un
composant (thyristor, triac….)
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I.11 Optoélectronique
I.11.1 Diodes électroluminescentes (DEL)
On utilise souvent l’abréviation LED (Light Emitting Diode) pour cet élément. Polarisées en direct,
ces diodes ont la propriété d’émettre un rayonnement visible (ou proche de cette bande) dont la
couleur dépend du matériau semi-conducteur utilisé (infra rouge pour l’arséniure de gallium –GaAs,
rouge, verte ou jaune pour le phosphure de gallium –GaP et bleue pour le nitrure de gallium –GaN). Si
la caractéristique tension-courant reste identique, on observe une tension de seuil plus élevée
(jusqu’à 2 V). Elles ne supportent pas les tensions inverses très élevées (jusqu’à 5 V).
DEL Tension de A
Méplat identifiant
polarisation
la cathode
Rouge 1.6V
jaune 2.2V Borne courte
K
vert 2.4V identifiant la cathode
bleu 3.0V symbole
Model physique
Caractéristiques
► Tension inverse maximale : 3V à 5V.
► I0 = 20 à 200 mA selon les models ; l’énergie lumineuse augmente linéairement avec l’intensité du
courant, à monter toujours avec une résistance de protection.
► Temps d’allumage et d’extinction presque instantanés, de 5ns à 1μs.
► Ne résiste pas aux choques, une chute d’un mètre peut être fatale.
► Tension de polarisation directe de la diode
Applications
o Voyants ou témoins lumineux
e
o Afficheurs 7 segments a
o Afficheurs alphanumériques a
f
Dans ce type d’afficheur chacun des segments f b
est associé à un DEL simple. Une combinaison de g b
g
ces segments permet d’obtenir un affichage
numérique ou alphanumérique. c
e c
d cathode
d
I.11.2 les diodes infrarouges
Les diodes à infrarouge ont la même présentation que les diodes électroluminescentes de couleur.
Elles se distinguent par leur boîtier transparent et incolore, souvent teinté en gris foncé.
Comme l’œil humain ne perçoit pas son rayonnement, seul une photodiode ou un phototransistor peut
témoigner de leur fonctionnement. La tension de polarisation en sens directe se situe à environ
1.35V. Tout comme les LED, une tension inverse supérieur à 4V provoque sa destruction. Comme son
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coût est assez élevé, on recommande fortement l’utilisation en série d’une diode de redressement
pour éliminer les courants inverses.
Les diodes à infrarouge servent non pas comme voyants, mais plutôt comme sources d’infrarouge
pour les dispositifs photo – électriques, de détection, de télécommande et même de transmission
de signaux.
Certains models haut de gamme sont pourvus d’une lentille de focalisation afin d’obtenir un faisceau
étroit de longue portée. L’avantage des commandes à infrarouge provient surtout de leur
indépendance vis-à-vis de la lumière ambiante.
Elles assurent la discrétion dans les applications comme les systèmes d’alarme.
I.11.3 les diodes laser
L’appellation provient des initiales de l’expression anglaise <<Light Amplification by Stimulated

Emission of Radiations>>.
Une diode laser est un dispositif amplificateur qui génère des radiations lumineuses d’un type
particulier. La lumière émise sous forme de photons possède les caractéristiques suivantes :
► monochromatique : toutes les ondes oscillent à la même longueur d’onde et ont la même couleur ;
► cohérente : les ondes ont toute la même amplitude et sont en phase l’une par rapport l’autre ;
► unidirectionnelle : les ondes se propagent dans une seule et même direction.
Comme les ondes se propagent tous dans le même temps et la même direction, le laser peut atteindre
une puissance et une précision inestimable ce qui explique son application dans de nombreux
domaines :
-mécanique de précision : percer ou découper des métaux avec une grande précision ;
-médecine ou microchirurgie ;
-l’enregistrement et lecture d’écriture de son et d’image : les mémoires optiques.
I.11.4 les photodiodes
La photodiode est une cellule photoconductrice à jonction. En mode de fonctionnement normal, elle
est polarisée en sens inverse. Dans l’obscurité, elle se comporte comme une diode de redressement
polarisée en sens inverse et bloque tout passage de courant. Au contraire lorsque la surface
photosensible devient éclairée, la résistance inverse de la photodiode diminue, ce qui se traduit par
le passage d’un courant appelé <<photo courant>>. Ce courant inverse réagit proportionnellement avec
l’intensité lumineuse.
i
symbole
R
DC D
En polarisation directe, la photodiode se comporte comme une diode à jonction ordinaire.

Application :
-détecteurs de fumée
-différentes sortes de capteurs : intrusion, lecteurs de barres imprimées, triage
automatique de courrier…
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I.12. Montages redresseurs, filtrage et stabilisation de tension

1) Mono alternance et Double alternances (transfo à point milieu, pont de Graetz)
Calcul valeur moyenne, ondulation et taux d’ondulation
2) Filtrage (valeur moyenne et taux d’ondulation)
3) Stabilisation par diode Zener
Exercices
E = 10V
1)
D: UD = 0.7V, I0 = 0.5A
Calculer RP dans E12
RP
E
D
2) Les diodes sont parfaites ; Calculer I dans les conditions suivantes : E =+6V et E = -6V
I
R1
120Ω D1
E R2
180Ω D2
3) Calculer l’intensité des courants IZ et IR2, pour UDZ=5,6V et PDZmax=1W.
IR2
U IZ
15V
DZ R2
R1 100
50
4) UDZ = 6,2V et PDZMAX = 1,3W

1-Déterminer le courant maximal qui peut traverser la diode.
2-On fixe RP = RC = 100 ; entre quelles limites peut varier E pour qu’il y ait stabilisation ?
3- On fixe E = 24V et RP = 100 ; entre quelles limites peut varier RC pour qu’il y ait
stabilisation ?
RP
IRC
IZ
I
RC URC
UDZ
E
5) Réaliser le schéma d’une simple alimentation stabilisée de 9V, 200mA.

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II – LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
II-1 Définition
Le transistor bipolaire est un des composants fondamentaux de l’électronique. Ses caractéristiques

et ses différents types de comportement le destinent à participer à de nombreuses fonctions
élémentaires dans les dispositifs tel que l’amplification, la commutation, la stabilisation…
II-2 Constitution et symbole
Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de deux jonctions PN. La zone centrale aux
deux jonctions peut être du type P ou du type N. Il en résulte l’existence de deux types de
transistors bipolaires : le transistor NPN et le transistor PNP. Les trois zones sont de dopage
différent et correspondent aux trois bornes du transistor : la Base (B), le Collecteur (C) et
l’Émetteur (E).
Le collecteur et l’émetteur sont du même type de semi-conducteur mais de dopage différent.
Les deux types de transistors bipolaires et leur symbole :
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Détermination des 3 électrodes et du type :
En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le suivant :
Il est possible de déterminer le type et

le brochage du transistor à l'aide d'un
ohm-mètre sur la position diode, sachant
que la paire C - E est bloquée dans les
deux sens.
II-3 Principe fonctionnement
Le principe fondamental du fonctionnement du transistor consiste à pouvoir contrôler la conduction

des électrons de l’émetteur vers le collecteur, par le flux d’électron issu de la base, dans le cas du
transistor NPN ou de contrôler la conduction des électrons du collecteur vers l’émetteur, par le flux
d’électron entrant dans la base, dans le cas du transistor PNP. On dit que ce type de transistor
bipolaire est commandé en courant.
II-4 Les grandeurs électriques
La flèche de l’émetteur indique le sens du courant et permet de différencier les deux types de
transistors. On peut associer six grandeurs électriques au transistor : trois courants (IB, IC et IE) et
trois tensions (VBE, VCE et VCB).
VCB IC -VCB IC
Avec IE = IB + IC et VCE = VCB + VBE IB IB
VCE
-VCE
VBE IE -VBE IE
II-5 Polarisation du transistor
Polariser un transistor, c’est l’alimenter de telle sorte à lui imposer un point de fonctionnement, en
régime continu, caractérisé par la définition des quatre grandeurs I B, IC, VBE et VCE. Le transistor
est alimenté par deux sources de courant continu :
 une source VBB alimente la jonction Base-Emetteur en direct ;

 une source VCC alimente la jonction Base-Collecteur en inverse.
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RC
RC
VCB IC
VCB IC
RB IB
RB IB -VCE
VCE -VCC
VCC
VBB -VBE
VBE -VBB
IE IE
Le point de polarisation ainsi défini peut se trouver :
 dans la zone linéaire d’une caractéristique IC = f(VCE); on dit que le transistor est en
fonctionnement linéaire. On admettra que VBE = 0,7V.
 dans la zone de saturation de la caractéristique IC = f(VCE) ; on dit que le transistor est
saturé et on a VCEsat = 0,2 à 0,3 V (voire VCEsat = 0). Ceci est causé par un courant de base
trop important.
 Dans la zone de blocage de la caractéristique, si la tension VBE est trop faible, Ic tend vers 0. Le
transistor est alors bloqué. Et VCE=VCC
II-5-1 L'effet transistor :
Considérons le montage ci-dessous : Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension V E à
travers une résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC circule
alors du collecteur vers l'émetteur (IE = IC + IB) en transitant la jonction BC en inverse : c’est l’effet
transistor. On dit que ce type de transistor bipolaire est commandé en courant.
Un courant IB faible (négligeable) donne lieu à un courant IC très

élevé : IC = hFE * IB
hFE = h21 = β est l'amplification en courant ou gain statique.
IC = βIB ; IC = α IE ; β = α /(1-α)
II-5-2 Etat du transistor
 Transistor bloqué : jonction BE en inverse ou jonction BE en direct mais V BE < 0,7V (tension
de seuil de la diode Base –Emetteur) alors IB = 0 ; IC = 0 et VCE = VCC. Le modèle équivalent
est un interrupteur ouvert.
 Transistor passant : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IB > 0 ; IC = βIB et VCE > 0. Le modèle
équivalent est un générateur de courant.
 Transistor saturé : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IBsat > 0 ; ICsat = βIBsat et VCE = VCEsat =
0,2V. Le modèle équivalent est un interrupteur fermé.
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IC
ICsat
IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q
IB
Fonctionnement Fonctionnement
bloqué Fonction. saturé
linéaire
II-5-3 Caractéristiques du transistor :
Le fonctionnement d’un transistor est décrit par les courbes caractéristiques qui lient les grandeurs
électriques précédemment définies.
a) Caractéristique d’entrée : IB = f(VBE) à VCE constante
La courbe IB = f(VBE) correspond au fonctionnement de la jonction

Base-Emetteur assimilable à une diode. C'est la caractéristique
d'une diode. Tension de seuil VBE = 0,7V.
b) Caractéristique de sortie IC = f(VCE) à IB constant
C'est un réseau de caractéristiques. Chaque courbe est

obtenue pour une valeur de IB.
c) Caractéristique de transfert en courant IC = f(IB) à VCE

constante.
C’est une droite définie par l’amplification β qui est la
caractéristique intrinsèque du transistor.
Courbes caractéristiques complètes
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II-6 Caractéristiques techniques
 VCEmax : tension collecteur-Emetteur maximale admissible

 ICmax : courant collecteur maximal
 IBmax : courant de base maximal
 VCEsat : tension collecteur-Emetteur lorsque le transistor est saturé
 β: gain en courant du transistor (appelé HFE)
 PD : puissance maximale dissipée par le transistor, permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est.
 T° : température maximale supportable
La puissance maximale que peut supporter le transistor,

est représentée par une hyperbole de puissance selon le
graphique. On a la relation : PTmax = VCE*IC
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie
est interdite.
___________________________________________________________________________ 20
Quelques considérations sur le transistor de puissance bipolaire...
Valeurs limites
VCE 150v
VBE 6v
IC 50A
IB 20A
PD 250W
TJ 200°C
La puissance que peut dissiper le transistor dépend de la

température de son boîtier.
La dissipation maximale est de 250 W si le boîtier est maintenu à

une température inférieure à 25°C. Elle n'est plus que de 145 W si la
température du boîtier monte à 100°C.
Pour TJ et VCE donnés,
le gain statique hFE est fonction du courant IC.
hFE = 10 pour IC = 50A
VCEsat augmente avec IC
0,4V pour 10A
1,2V pour 30A

___________________________________________________________________________ 21
Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A, le courant de base est
0,4A. Cela correspond à un gain statique de 30/0,4 = 75.
___________________________________________________________________________ 22
II-7 Le transistor en régime continu (statique) – polarisation
Polariser un transistor consiste à lui fixer un point de fonctionnement bien défini dans la zone
linéaire ou une région précise des courbes caractéristiques afin de l’utiliser comme amplificateur,
commutateur ou autre, grâce aux résistances de polarisation et sources d’alimentation.
Il y a différents procédés de polarisation.
RC
II-7-1 Point de repos
Le point de repos ou point de fonctionnement du transistor correspond à déterminer IC UA
VCE
les grandeurs IB, VBE, VCE et IC (notées aussi : IBo, VBEo, VCEo et ICo).
IB
UB RB
DC VBE
II-7-2 Droite d’attaque statique
La loi des mailles appliquée au circuit d’entrée donne :

VBE = UB - RB * IB
Dans le plan (IB, VBE) cette relation est l’équation d’une droite passant par les points :
IB = 0  VBE = UB
VBE = 0 IB = UB/RB
Cette droite qui représente le lieu des points de fonctionnement du circuit d’entrée est appelée
droite d’attaque statique.
II-7-3 Droite de charge statique
La loi des mailles appliquée au circuit de sortie donne : VCE = UC – RC * IC

Dans le plan (IC, VCE) cette relation est l’équation d’une droite passant par les points :
IC = 0  VCE = UC
VCE = 0 IC = UC/RC
Cette droite qui représente le lieu des points de fonctionnement du circuit de sortie est appelée
droite de charge statique.
IC(mA)
II-7-4 Détermination du point de repos

Caractéristique de UC/RC
transfert
Le point de repos E0 à l’entrée est situé à IC0 S0
T0
l’intersection de la droite d’attaque statique et du Droite de charge
réseau de la caractéristique d’entrée. Les statique
projections de E0 sur chacune des axes

UB/RB UC
fournissent les valeurs IB0 et VBE0 des courants et IB0
tension d’entrée. IB(μA) VCE0 VCE(v)

La valeur de IB0 dans le plan (IC IB) permet de
Droite d’attaque
connaître le point T0 de fonctionnement sur la statique
VBE0
E0
caractéristique de transfert en charge. UB
L’ordonnée de T0 nous donne la valeur IC0 du
VBE(v)
courant de sortie et déduit par projection le
point de repos S0 dans le réseau de sortie. L’abscisse de S0 nous donne la valeur VCE0 de la tension de
sortie.
___________________________________________________________________________ 23
II-8 Montage émetteur suiveur : Transistor Darlington
C’est l’ensemble de deux transistors montés tel que ci-contre, de façon à avoir une amplification
élevée et une puissance élevée. Déterminer l’amplification de l’ensemble.
IC T2 IE
C C
E
B T1: β1 élevée et Pt1 faible T1
T1 T1 = PNP de puissance
T2: β2 faible et Pt2 élevée
T2 = NPN avec β2 élevé
T2 Ic ≈ β1 β2 IB IB
Ic ≈ β1 β2 IB
B
E
II-9 Catégories de transistors
Il existe un très grand nombre de types

différents de transistors ainsi que de boîtiers. Catégories Boîtiers
On distingue cependant 3 catégories suivant la Petite signaux Plastique ou métallique de
puissance qu’ils peuvent dissiper. petite dimensions types
TO-72, X-55,…
Dans chacune des catégories de puissance on Moyenne Dimensions moyenne
trouve : puissance types TO-39, T0-126, …
- des transistors à usage général. Très forte Grandes dimensions types
Utilisables en continu ou en basse fréquence puissance TO-3, TO-220,…
(audiofréquences).
- des transistors spécialement adaptés à des conditions particulières de fonctionnement.
Exemples :
Transistors pour radiofréquences : faible capacité parasite de jonction et une amplification élevée
en haute fréquence.
Transistors de commutation : pouvant passer très rapidement de la saturation au blocage et
inversement. Utilisés dans les dispositifs d’interruption rapide.
Transistors à faible bruit : petit signaux seulement.
Par ailleurs il faut distinguer 3 catégories de qualité et de fiabilité :

Séries grand publique : produits de bonne qualité mais de prix réduits permettant une large
diffusion. Leurs caractéristiques présentent une grande dispersion.
Séries professionnelles : produits de très bonne qualité et fiabilité destinés à équiper des
outils professionnels. Ils sont chers et moins disponibles.
Séries militaires : qualité et fiabilité maximales ; prix très élevé ; peuvent subir des
contraintes mécaniques, thermiques et électriques au-delà de leurs conditions de
fonctionnement normal.
___________________________________________________________________________ 24
PHOTOTRANSISTORS ET OPTO-COUPLEURS
Le comportement électrique d’un phototransistor ressemble à celui d’un transistor bipolaire

conventionnel à l’exception que le courant de base I B est remplacé par des radiations lumineuses. Une
fois la base éclairée un courant de base est généré et commande à son tour le courant de collecteur
IC en fonction du gain du transistor.
C
IC RC Les applications des
phototransistors sont les mêmes que
les photodiodes mais ces derniers
possèdent l’avantage d’avoir des
VCC
capacités amplificateurs de courant.
B
Symbole Circuit à phototransistor
Un opto-coupleur, aussi appelé coupleur optoélectronique ou coupleur optique est un dispositif
composé d’un élément photoémetteur et photo détecteur. Ces deux éléments sont réunis dans un
boîtier possédant quatre bornes, dont deux pour l’entrée et deux pour la sortie. Seule la lumière
établit le lien entre l’entrée et la sortie. Grâce à son isolation de point de vue électrique, le coupleur
optique est le seul composant idéal pour assurer la liaison entre deux circuits que leur polarisation
oblige à demeurer indépendants l’un de l’autre.
Principe de fonctionnement
Un courant électrique généré par un circuit de commande est injecte à l’entrée du coupleur optique
pour subir une transformation en énergie rayonnante par l’intermédiaire de l’élément photoémetteur.
Cette énergie rayonnante est ensuite captée par l’élément photo-détecteur qui génère à son tour un
courant électrique dont l’intensité varie proportionnellement avec la quantité rayonnante reçue.
Le photoémetteur est une diode à infrarouge. L’élément photo-détecteur peut être une photodiode
ou un phototransistor.
photo- photo
Entrée émetteur détecteur Sortie
Différents boîtiers
Il existe deux sortes de boîtiers pour les coupleurs optiques : les circuits intégrés parfaitement
hermétiques et les autres dont le rayon lumineux est obstrué ou réfléchi par un objet quelconque.
Boîtiers hermétiques
sortie
entrée entrée
sortie
___________________________________________________________________________ 25
Boîtiers ouverts
diode
électrolumescente
fibre optique
phototransistor
émetteur récepteur
exemple de transmission de donées par fibbre optique
II-10 Exercices RC
Exemple 1 : IC
UB = 5V
UC = 10V RB IB
VBE = 0,7V VCE
ß = 80 UC
RB = 1,2K VBE
UB IE
RC = 22
Calculer IB , Ic , VCE et la puissance
dissipée dans le transistor
Exemple 2 : type de l’utilisation des schémas équivalents

Soit le montage ci – dessus :
UCC = tension d'alimentation = 12V

B = h21 = 200
RB RC r = h11 = 1K
h22 = 0 --> = infini
DC
UBE0 = 0,7V
UCC
1- calculer RB pour que UCE = 8V avec RC = 2,2K

2- calculer UCE pour RB = 1M (les autres valeurs
UCE
restent inchangées)
3- tirer une conclusion
___________________________________________________________________________ 26
II-11 Le transistor en commutation
Le transistor fonctionne en commutation si les deux seuls états de fonctionnement sont l’état saturé
et l’état bloqué. Il fonctionne comme un interrupteur. On dit que le transistor fonctionne en « tout
ou rien». Ce mode de fonctionnement est aussi appelé digital ou binaire. Par sa capacité
d’amplification le transistor peut commander une puissance importante en ayant recours seulement à
une faible quantité d’énergie de commande (dissiper moins de puissance).
Le générateur de commande délivre des signaux en créneaux qui saturent et bloquent
périodiquement le transistor.
IC
Transistor bloqué : IC = 0, VCE = UA RC
Transistor saturé : IC = ICsat, = (UA-VCesat)/RC UA

ICsat = ß IBsat
R IB
B
Bilan des puissances VCE
Etat bloqué : Pe = VBE * IB = 0 VB
Ps = RC * IC2 = 0 U E
Etat saturé PE = VBE * IB E
Ps = RC * IC2 UE
= RC (UA / RC)2
= UA2 / RC VBE
La puissance dissipée dans le transistor :
Pt =VCesat * ICsat ≈ 0 car VCesat ≈ 0
VCE = UA
Le transistor en commutation est appelé
interrupteur commandé.
URC = UA
C
C
IB= IBsat Exemple1
IB=0
B B
E E R1
Transistor bloqué Transistor saturé
VCC
R2 18V
Exemple 2 : bascule Astable
R3
US
UA Ue
Les transistors sont supposés parfaits (VCesat = 0V)

RC1 RB1 RB2 RC2 et fonctionnent en commutation.
CI C2 Déduire US si Ue = 0v et Ue= 5v
Une bascule Astable (multivibrateur) est un dispositif qui

UC1 T1 T2 UC2
change d’état spontanément sans qu’il soit nécessaire de lui
0,7V 0,7V
appliquer une impulsion de commande. Il est généralement utilisé
en générateur de signaux rectangulaires.
___________________________________________________________________________ 27
II-12 Le transistor en régime variable (dynamique) : amplification
II-12-1 Définition
Un système amplificateur est un montage électronique qui délivre à sa sortie le même signal qu’à
l’entrée avec une puissance plus élevée.
Le signal de sortie Vs a même fréquence que le signal
Système
Ve Vs d’entrée Ve ; Vs ne doit pas être déformée (distorsion)
amplificateur
Le transistor est un amplificateur puis que le courant d’entrée Ib est amplifié en un courant Ic, β
fois.
L’un des principaux intérêts du transistor bipolaire consiste à faire varier ses différents paramètres
électriques autour du point de fonctionnement ; on parle alors de fonctionnement dynamique.
II-12-2 schéma de principe

Source d’énergie externe
Le dipôle actif :
Il peut être une source quelconque de
signaux constants ou variables : tête de
magnétophone, microphone, antenne… Dipôle actif Amplificateur Charge
La charge :
C’est un dipôle passif c’est à dire un
dipôle qui absorbe de l’énergie électrique. Il peut être une ampoule, un moteur, un relais, un haut-
parleur, un autre amplificateur…
II-12-3 le régime de petits signaux

Considérons un transistor bipolaire polarisé en un point correspondant aux grandeurs I Bo, VBEo, VCEo
et ICo. Si on fait varier le courant de base autour de la valeur IBo on peut écrire :
iB(t) = IBo + i(t).
Une variation du courant de base induit inévitablement une variation du courant collecteur i C, de la
tension base-émetteur et de la tension VCE. De petites variations de iB engendrent de grandes
variations de iC.
Ainsi une variation sinusoïdale de VBE se traduit par des variations sinusoïdales des autres grandeurs.
NB : voir les classes

d’amplification
___________________________________________________________________________ 28
II-12-4 Modélisation du transistor bipolaire
a. Modèle petits signaux, basses fréquences

 Modèle π hybride
C’est le modèle le plus utilisé en basses fréquences, petits signaux car la réalisation est plus facile.
iB iC
iC
iB C h11
B
vCE + h21.ib h22 vCE
vBE vBE
 h12.vCE
-
E
 v BE   h11e h12e   i B  v  h11e  i B  h12e  vCE

          BE
 iC   h21e h22e   vCE  iC  h21e  i B  h22e  vCE
v V V
h11e  BE vCE  0 ; h12e  T   T
iB IB IC
iC 1 I I C
h22e  i B  0 ; h22e   E  I B  cste
vCE rCE VE VCE
; h21e  
v BE
h12e  iB  0 ; IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q
vCE
Sur les fiches signalétiques, les chiffres sont remplacés par des lettres :
11  i(input); 21  f(forward)
 hie hre 
22  o(output); 12  r(reverse) D’où hije      .
e: common emitter  h fe hoe 
h11= r : résistance d’entrée
h12 : très faible (= 0)
h21= β : gain en courant
h22= 1/ρ très faible d’où ρ (résistance de
sortie) très élevée
si l’on néglige h12 et h22 on obtient le schéma équivalent simple
ib ic
B βib C
r
vbe
uce
___________________________________________________________________________ 29
b- Modèle petits signaux hautes fréquences

 Modèle Giacolleto-Johnson
CB’C
B rBB’ B’ C iC
C
’
VB ' E
gm = ib    g mVB 'E ;
rB’C rB 'E
rB’E CB’E
gmVB’E rCE   I  I
gm    C  ; gm  C
rB 'E  VBE VCE cons tan te VT
E
rBB’ = résistance intrinsèque de la base. gm = transconductance.
c- Autres modèles du transistor bipolaire

 Modèle d’Ebers-Moll
Ce modèle récapitule tous les régimes de fonctionnement possible du transistor.
 Les paramètres Y
Ce modèle est aussi bien utilisé en basse fréquence comme en haute fréquence.
II-12-5 Schéma équivalent et paramètres dynamiques d’un amplificateur :

a- Description :
La figure (VI-1) représente le schéma synoptique d’un amplificateur. C’est un circuit
électronique à transistors destiné à amplifier la puissance d’un signal. Le signal est appliqué à
l’entrée d’un amplificateur par une source représentée par un générateur de tension eg ayant une
résistance interne Rg. La source peut être, par exemple, une antenne, un capteur ou un circuit
électronique qui fournit un signal analogique. Le générateur d’entrée (eg, Rg) est appelé
générateur de commande ou générateur d’attaque.
La charge est représentée par la résistance Ru (résistance de charge ou d’utilisation). Elle peut
être, par exemple, un haut-parleur, un système de déviation du faisceau d’électrons d’un
oscilloscope ou un circuit électronique.
L’amplification est nécessaire quand la puissance du générateur d’entrée n’est pas suffisante pour
inciter la charge. Elle peut être réalisée en amplifiant la tension d’entrée Ve ou le courant d’entrée
ie ou les deux.
L’amplification est une fonction linéaire. En augmentant l’amplitude du signal, il faut conserver
sa forme, si non, il y a distorsion de l’information portée par le signal. La distorsion est due à la
non linéarité des caractéristiques des transistors. Pour la réduire à un niveau raisonnable, il faut
utiliser les parties linéaires des caractéristiques des transistors.
b- Schéma équivalent :
L’amplificateur est donc un circuit linéaire qui fonctionne en régime de petits signaux. C’est un
quadripôle linéaire qui, par analogie avec le transistor, peut être substitué par un schéma
équivalent. Figure VI-2 et figure VI-3.
___________________________________________________________________________ 30
___________________________________________________________________________ 31
___________________________________________________________________________ 32
___________________________________________________________________________ 33
___________________________________________________________________________ 34
II-12-6 Types de montages amplificateurs à transistors

On distingue trois types de configuration : l’émetteur commun, le collecteur commun et la
base commune.
a- Configuration émetteur commun

Schéma + VCC
R1 RC
C2
C1
RL
Rg
R2 CE
eg RE
Schémas en dynamique
Rg Rg ib ic
RC io
RL 1/hoe
eg RB hie β.ib RC RL vo
eg vi
R2//R1
Circuit en dynamique Circuit électrique équivalent en modèle π-hybride
Caractéristiques de l’amplificateur à émetteur commun

- Gain en tension :
; ; avec
Gain en tension composite :
;
- Gain en courant :
;
Gain en courant composite:

- Impédance d’entrée : ; si
- Impédance de sortie : .
___________________________________________________________________________ 35
b- configuration en collecteur commun

+ VCC
R1
C1
C2
Rg Rg
vi R2 RE RL vi RB RE RL
eg vo eg vo
Schéma électrique équivalent en dynamique
ib Caractéristiques de l’amplificateur à colleur commun

- Gain en tension :
Rg hie
RB ; .
eg vi
βib
RE RL
vo .
Gain en courant :
; ;
.
- Impédance d’entrée : ;
c- Configuration base commune

+ VCC
R1 RC C2
En dynamique, la base est reliée à la
masseR
g
C1 Rg
RL
vo eg RE RC RL
CB
R2 RE
eg vi
___________________________________________________________________________ 36

βib
Rg
Caractéristiques de l’amplificateur à base
eg RE RC commune
vi hie 1/hoe RL vo
- Gain en tension :
ib
; avec .
Remarque : Le gain en tension est au signe près celui de l’émetteur commun.

- Gain en courant :
; ; ; ;
- Impédance d’entrée :
- Impédance de sortie :
Analyse graphique de l’amplification
Montage amplificateur à émetteur commun
On s’intéresse aux tensions sinusoïdales
___________________________________________________________________________ 37
___________________________________________________________________________ 38
II-12-7 Amplificateurs de puissance : Classes d’amplification

- Technologie et modélisation des transistors de puissance ;
- Technologie des amplificateurs de puissance intégrés, caractéristiques,
critères de choix, mise en œuvre ;
- Le dimensionnement des composants.
La finalité des amplificateurs est la commande des actionneurs (haut-parleurs, moteurs,

inductance, résistance, …)
Dans une chaîne d'appareils ou de circuits électroniques, toutes les modifications que doit
subir un signal sont effectuées dans les étages intermédiaires.
Les amplificateurs situés en milieu de chaîne, appelés les amplificateurs petits signaux ont
souvent pour tâche d'augmenter l'amplitude du signal ; ce qui explique pourquoi c'est le
gain en tension Av qui est déterminant et qui permet le suivi de signal à l'oscilloscope.
Les étages de puissance situés à la fin de la chaîne, apportent le gain supplémentaire en
courant. En d'autres termes, ce sont les amplificateurs de puissance qui produisent la
puissance désirée sur la résistance de charge. Cette puissance sera tirée de l'alimentation.
Généralement, un amplificateur de puissance amplifie le courant au lieu de la tension.
A- Caractéristiques d’un amplificateur de puissance

Bilan des puissances
Alimentation
Pf
Pe Ps
Entrée Ampli. de puissance Sortie
Pd
Pf : puissance fournie par l’alimentation,
Pe : puissance reçue à l’entrée de l’ampli.,
Ps : puissance restituée en sortie de l’amplificateur,
Pd : puissance perdue par échauffement dans les composants.
 Amplification en puissance :
 Gain en puissance :
 Conservation de puissance :
 Rendement : .
Le rendement est une caractéristique très importante de l’amplificateur de puissance. Les
puissances Ps et Pf ne doivent être trop différente.
Par convention le 0 dB correspond à une tension de 0,774V appliquée à une résistance de 600Ω
pour y développer une puissance de 1mW . (0 dB  1mW/600Ω)

___________________________________________________________________________ 39
B. les classes d’amplifications

B.1. Principe
La polarisation permet de fixer le point de repos de l’amplificateur. Le choix de position de ce
point de repos sur la droite de charge influence beaucoup le comportement du transistor lors de
son fonctionnement en amplificateur.
Les classes d'amplification sont définies par la façon dont il a été polarisé et donc d'avoir des
informations sur les caractéristiques de l'amplificateur global.
La classe de fonctionnement d'un étage amplificateur est déterminée par l'emplacement du point
de repos Q sur la droite de charge du transistor.
Soit un transistor et sa droite de charge. Selon la position du point de repos, on définit des classes
de fonctionnement différentes.
B.2. Représentation de la droite de charge, point de repos et classes
___________________________________________________________________________ 40
A : classe A
B : classe B
AB : classe AB
B.3. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur

De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur. Les points
importants étant :
− La puissance de sortie ;
− Le rendement ;
− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif ;
− Le gain (en tension, en puissance) ;
− La distorsion (très faible);
− La fréquence maximale de travail.
B.4. Les classes d’amplification
B.4.1 Amplificateurs de puissance classe A

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie ne comportant qu'un seul transistor. Le point de
repos se situe approximativement au milieu de la droite de charge. En fonction du signal à
amplifier, il peut donc se déplacer de part et d'autre de ce point le long de la droite de charge.
Les composants actifs conduisent pendant toute la période du signal d’entrée.
B.4.2 Amplificateurs de puissance classe B

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors complémentaires.
Le point de repos se situe à la limite du blocage de chaque transistor. Pour pouvoir amplifier les
deux alternances d'un signal sinusoïdal, il faut que l'un des transistors amplifie les alternances
positives et le second les alternances négatives. Les composants actifs conduisent durant une
demi-période du signal d’entrée.
B.4.3 : Amplificateurs de puissance classe AB

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors complémentaires.
C’est la structure de base de la sortie d’un amplificateur classe B, modifiée au niveau de la
polarisation.
Le point de repos se situe alors très proche de la limite du blocage des transistors. C'est-à-dire
entre la classe A est la classe B, mais plus proche de la classe B.
B.4.4 Amplificateurs de puissance classe C
L'étage de sortie est constitué d'un seul transistor. Le point de repos se situe largement dans la
région bloquée des caractéristiques de ce dernier. Seules les crêtes des alternances positives du
signal d'entrée feront apparaître un signal de sortie.
Les composants actifs conduisent durant moins d’une demi-période du signal d’entrée.
___________________________________________________________________________ 41
B.4.5 Amplificateurs de puissance classe D

L'étage de sortie fonctionne en commutation, c'est-à-dire entre deux niveaux de tension. La
fréquence de commutation est fixe mais le rapport cyclique de commutation est variable. Le
signal basse fréquence (BF) à amplifier est donc codé en modulation de largeurs d'impulsions
(MLI ou PWM). La fréquence de commutation est au moins d'un ordre de grandeur supérieur à la
fréquence maximum du signal BF. Ce signal est reconstitué par filtrage passe bas à la sortie.
B.5 STRUCTURE DE BASE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
B.5.1 La classe A avec une charge résistive

On considère le cas d’un montage émetteur commun et une charge purement ohmique. Lorsque le
fonctionnement est idéal, le point de repos se situe au milieu de la droite de charge, on aura :
Le courant de repos est IC = E/2.RC et la tension de repos est VCE = E/2.
___________________________________________________________________________ 42
___________________________________________________________________________ 43
___________________________________________________________________________ 44
___________________________________________________________________________ 45
Autre montage en classe A
Fig. 3 : Fonctionnement en classe A
Rendement : .
Pu = puissance utile de sortie
Pf = puissance fournie par la source continue
(ηmax = 0,5 en cas de couplage par transfo)

Puissance dissipée dans le transistor au repos : .
B.5.2 La classe B
B.5.2.1 principe de la classe B
___________________________________________________________________________ 46
___________________________________________________________________________ 47
B.5.2.2 Fonctionnement du push-pull
___________________________________________________________________________ 48
B.5.2.3 Rendement en classe B
B.5.2.4 Distorsion de croisement

B.5.2.4.1 Phénomène de distorsion
___________________________________________________________________________ 49
B.5.2.4.2 Correction de distorsion
___________________________________________________________________________ 50
___________________________________________________________________________ 51
B.5.2.4.3. Amplificateurs intégrés
___________________________________________________________________________ 52
___________________________________________________________________________ 53
Autres raisonnements
Fig. 6.14 : Fonctionnement en classe B
 Puissance maximale du signal de sortie :

 Puissance moyenne délivrée par la source :
 Rendement :
Calcul de la puissance dissipée dans un transistor :
si
Note : au repos.
___________________________________________________________________________ 54
B.5.3. Amplificateur de classe AB

La classe AB est un compromis entre la classe A et la classe B : le point de repos de
l'amplificateur se situe entre celui d'un amplificateur de classe A et celui d'un amplificateur
de classe B.
Fig. 6.17 : Fonctionnement en classe AB pour un seul transistor
Une telle méthode de polarisation permet à la classe AB de fonctionner en classe A pour les
signaux de faible amplitude puis de se comporter comme un amplificateur de classe B pour
les signaux de forte amplitude.
Tout comme pour les amplificateurs de classe B, les amplificateurs de classe AB sont
souvent utilisés en configuration push-pull afin de diminuer le taux de distorsion lors de
l'amplification de signaux de forte amplitude.
Le principal inconvénient des push-pull de classe AB survient lorsque l'on amplifie des
signaux de forte amplitude : une partie du signal est amplifiée par deux transistors (zone de
fonctionnement en classe A) tandis que le reste du signal est amplifié par un seul transistor
(zone de fonctionnement en classe B).
Ainsi, le gain en courant du montage n'est pas constant au cours d'un « cycle »
d'amplification. Cette variation du gain en courant engendre des distorsions hautes
fréquences lors du passage entre la zone où deux composants amplifient le signal et celle où
un seul composant l'amplifie.
B.5.4. Amplificateur de classe C

___________________________________________________________________________ 55
Les amplificateurs de classe C amplifient moins de 50 % du signal d’entrée. Le taux de

distorsion est important, mais leur rendement maximum théorique est compris entre
78,5 % et 100 % suivant l'angle de conduction de l'amplificateur.
Fig. 8 : Fonctionnement en classe C pour un transistor
Pour un montage à émetteur commun, une polarisation en classe C signifie que la tension de
repos a été choisie inférieure à la tension seuil de conduction du transistor. Ainsi, le signal
ne sera pas amplifié tant qu'il ne porte pas la tension base-émetteur du transistor au-dessus
de sa tension limite de conduction (voir figure ci-dessus).
Les amplificateurs de classe C sont plus couramment utilisés dans les émetteurs radio, où le
taux de distorsion peut être réduit grâce à l’utilisation d’une charge accordée dans
l’amplificateur. Le signal d’entrée est utilisé pour faire commuter le composant actif de
passant à bloqué. Cette tension pulsée crée un courant à travers un circuit accordé. Le
circuit accordé ne résonne que pour une gamme de fréquences, éliminant ainsi les
fréquences non désirées. Le signal désiré (une sinusoïde) est alors transmis à la charge
accordée. Si la gamme de fréquences à amplifier n’est pas très importante, ce genre de
système fonctionne correctement. Les derniers harmoniques résiduels peuvent être
éliminés à l’aide d’un filtre.
Les amplificateurs de classe C sont utilisés pour réaliser des amplificateurs ultrasoniques,
hautes fréquences sélectifs et micro-ondes ainsi que des oscillateurs hautes fréquences. Les
amplificateurs de classe C sont aussi utilisés pour réaliser des multiplicateurs de fréquence.
Tableau comparatif des différentes classes
Classe A B ou AB C D
Avantages - un seul transistor - 2 transistors - un seul - 2 ou 4 transistors
- distorsion quasi - rendement transistor fonctionnant en
nulle compris entre 0,6 - rendement > tout ou rien,
et 0,7 0,7 - rendement élevé >
0,9
Inconvénients - rendement très montage push utilisation bande - nécessite un filtre
faible pull avec étroite de sortie passif
- consommation distorsion et point élaboré
permanente de repos difficile à - distorsion non
stabiliser optimale
Applications ampli de faible - ampli audio, - ampli sélectif - ampli audio,
puissance (<1W) - étage de sortie - multiplieur de - pilotage de moteur
d'AOP fréquence
___________________________________________________________________________ 56
III- LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP: TEC

FIELD EFFECT TRANSISTOR: FET
III-1 Introduction
Les transistors bipolaires, bien que toujours très utiles, sont malgré tout caractérisés par un certain
nombre de défauts :
 impédance d’entrée moyenne,
 bruit de fond important,
 amplification en puissance limitée.
 Par ailleurs, leur principal comportement, qui fait d ‘eux des sources de courant commandés
par un courant, est parfois problématique.
Les transistors à effet de champ faisant partie des transistors unipolaires sont caractérisés par :
 une très grande impédance d’entrée,
 un faible bruit de fond,
 une amplification en puissance élevée
 un comportement que l’on peut assimiler à celui d’une source de courant contrôlée en tension.
Le TEC est essentiellement un barreau semi-conducteur dont la conductance est commandée par un
champ électrique. Le TEC utilise le principe de l’action d’un champ électrique sur un canal (N ou P)
semi-conducteur. On distingue deux types :
* les transistors à effet de champ à jonction (Junction Field Effect Transistor : JFET ou FET),
* les transistors à effet de champ à grille isolée (Metal Oxyd Semi-conducteur : MOSFET)
III-2 Le transistor à Effet de champ à jonctions (JFET).
III-2-1. Constitution
Un TEC à jonction est constitué d’un ‘’canal’’ de silicium, dopé N ou P et de deux zones dopées
différemment qui l’entourent. Les deux zones entourant le canal sont reliées ensemble et forment la
grille du TEC. On a deux types : TEC à canal N et TEC à canal P.
Le transistor à effet de champ à jonctions comporte trois électrode :
 une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source (source).
 une électrode qui recueille les porteurs : le drain (drain).
 une électrode ou est appliquée la tension de commande : la grille (gate).
JFET symétrique : à partir d'une épitaxie P+ N (la zone N sert de canal) et d'une diffusion P+, on
réalise un JFET symétrique à 2 grilles reliées électriquement.
III-2-2 Fonctionnement et symbole
___________________________________________________________________________ 57
TEC à canal N TEC à canal P
Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC) le courant est :
* créé par le déplacement d'un seul type de porteurs : les majoritaires (composant unipolaire)
* modifié par un champ électrique appliqué transversalement au sens de déplacement des porteurs.
La commande s'effectue par une tension et le courant traverse un canal 'N' ou 'P' du drain
vers la source.
JFET CANAL ' N ' : la grille de type P+. Les porteurs : électrons majoritaires d'un Semi-
conducteur 'N' traversent le canal de la source vers le drain. Le sens du courant : drain --->
source, donc le drain est à un potentiel positif par rapport à la source.
La jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel négatif par
rapport à la source.
JFET CANAL ' P ' : la grille de type N+. Les porteurs : trous majoritaires d'un Semi-conducteur 'P'
traversent le canal de la source vers le drain. Le sens du courant : source ---> drain, donc le drain
est à un potentiel négatif par rapport à la source.
La jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel positif par
rapport à la source.
Dans beaucoup de semi-conducteurs, la mobilité des électrons est plus grande que la mobilité des trous, le JFET 'N'
possède une meilleure conductance et une fréquence de coupure plus grande que le JFET 'P' de mêmes
caractéristiques. C'est pour cela, qu'en pratique, le JFET 'N' est le plus utilisé.
___________________________________________________________________________ 58
Le principe de fonctionnement du TEC canal N est le suivant : un courant de Drain ID est susceptible
de traverser le canal s’il est polarisé correctement. La jonction Grille-Source est polarisée
négativement (VGS < 0), cela crée un effet électrostatique dans le canal. Ainsi :
 Si VT ≤ VGS ≤ 0 le canal drain-source est conducteur et 0 ≤ VDS ≤ VP le canal se comporte

comme une résistance. Le courant ID est proportionnel à VDS. La valeur de cette résistance
dépend de VGS :
VT
VGS 2 RDS =
ID= IDss 1-
VT -2Idss 1 - VGS
VT
Pour VDS > VP le courant ID devient constant et indépendant de VDS. On dit qu’il y a pincement du
canal. C’est la zone linéaire du TEC. Les variations de ID sont proportionnelles à VGS.
La tension VP est appelée tension de pincement et vaut 2 à 3 V pour un JFET canal N.
 Si VGS =VT , le courant ID = 0. On dit que le canal est pincé. Cette tension VT aussi appelée
VGSoff est la tension du TEC pour laquelle aucun courant ID ne circule dans le canal.
 Si VGS ≤ VT le canal drain-source est bloqué.
Courbes
caractéristiques
Fonctionnement avec polarisation de grille.
La jonction grille-canal doit toujours être polarisée en inverse, donc pour un JFET canal 'N', la grille
doit être négative (VG < 0) par rapport à la source donc au drain (VD > VS ).
___________________________________________________________________________ 59
Le courant grille est toujours insignifiant (courant

traversant une jonction polarisée en inverse).
Pour les faibles valeurs de la tension drain source, la

zone désertée a la même épaisseur tout le long du canal,
ce dernier est de plus en plus étroit quand la tension
grille devient de plus en plus négative.
Les caractéristiques I(V) sont linéaires. La résistance

présentée par le composant devient de plus en plus
grande quand la grille est de plus en plus négative par
rapport à la source. Elle est égale à l'infini quand VG = - Vp .
Dans toute la gamme des tensions : VD faibles et 0 < VG <Vp

le JFET se comporte comme une résistance commandée
en tension.
Pour les tensions drain source plus importantes;

la jonction grille canal est de plus en plus
polarisée en inverse au fur et à mesure que l'on
se rapproche du drain. Les porteurs circulent
dans un canal de plus en plus étroit.
Dans ces conditions, le courant drain ID ne varie

plus linéairement en fonction de la tension VD.
Pour une tension VDS (tension de saturation) le
phénomène de pincement apparaît et le courant
atteint sa valeur de saturation IDS. Mais cette
valeur est inférieure à celle obtenue pour VG = 0
que l'on notera IDSS : courant de saturation
maximum.
Pour des tensions drain source notables, la

caractéristique I(V) n'est plus linéaire. Le phénomène
de saturation est obtenu de plus en plus rapidement
quand la tension grille est de plus en plus négative
___________________________________________________________________________ 60
Enfin pour VG = - Vp ou pour des valeurs plus

négatives, les deux ZCE se rejoignent sur toute la
partie du canal située sous la grille. Il n'y a plus aucun
courant : on dit que le JFET est bloqué.
La résistance entre la source et le drain est infinie et

le composant peut être considéré comme un circuit
ouvert.
En pratique, on utilise le JFET dans deux modes bien

distincts :
* en zone linéaire où il sert de résistance commandée en

tension.
* en zone de saturation où nous allons voir qu'il peut être

considéré comme un générateur de courant commandé par
une tension.
Caractéristique ID(VDS) et valeurs limites.
VG = -0,5 V
Caractéristique statique du JFET classique.

___________________________________________________________________________ 61
Valeurs limites :
Pour un fonctionnement fiable, les JFET ne doivent pas supporter des valeurs supérieures aux
limites fournies par le constructeur qui sont :
 ± VDmax : tension maximale drain-source (45 V.).

 IGmax : courant grille maximal en cas d'une polarisation directe de la jonction grille canal (très
exceptionnel : 10 mA).
 VGmax : tension maximale de grille (- 30 V).
 PMax : puissance maximale dissipable = V D ID (qq. 100 mW)
Zones linéaires de la caractéristique statique.
 ID varie linéairement en fonction de VD (région linéaire).

 ID = f(VG ), plus la tension grille devient négative, plus la conductance diminue. Le composant
se comporte comme une résistance commandée en tension.
 Quand Vp - VG = Vp0, la résistance drain-source est devenue infinie, le canal est fermé.
III-2-3 Polarisation d’un TEC à jonction
Polariser un TEC revient à l’inclure dans un montage de telle sorte que son point de fonctionnement,
en régime continu, soit situé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Il faut avoir VDS>VP. Si la
tension VGS est donnée, la caractéristique ID = f(VDS) est déterminée parmi toutes les courbes du
réseau.
ID
VDD VDD/RD zonelinéair
e
ID
VGS
IG = 0
VDS
VGS<0 VDS
0 Vp VDD
___________________________________________________________________________ 62
III-2-4 Modélisation des transistors à effet de champ

a- Petits signaux basse fréquence D
D G
G
vGS gmvGS
vGS gmvGS rDS
S
S
Modèle élaboré Modèle simplifié

I DSS  VGS 
Pente gm = 2 1  '  ; V P' = - VP
VP  VP 
b- Modèle petits signaux Haute fréquence

CGD
D
G
CGD
G D
CGS’ gmvGS rDS

vGS CGS gmvGS rDS
S’
vGS
S
rSS’
Modèle simplifié
S
Modèle élaboré
c- Ordres de grandeur de TEC à jonction

Paramètres gm rDS CGS, CGD CDS rDD’, rSS’
J-FET 0,1 à 10 mA/V 100 KΩ à 1 MΩ 1 pF à 10 pF < 1 pF 10 Ω
MOS - FET 0,1 à 20 mA/V 10 KΩ à 50 KΩ 1 pF à 10 pF < 1 pF 10 Ω
III-3 Le transistor à Effet de champ à grille isolée (MOSFET).
III-3-1 Définition
Le transistor MOS est le composant le plus employé de nos jours. La première description du
transistor IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transistor ) a été réalisée en 1926.
Le Transistor à Effet de Champ à Métal Oxyde Semi-conducteur (MOSFET : Metal Oxyde Semi-
conducteur Field Effect Transistor) a sa grille isolée du canal par une couche de dioxyde de silicium
(SiO2).
___________________________________________________________________________ 63
III-3-2 constitution et symbole
Le transistor MOS possède 4 électrodes : la Source (Source) S: point de départ des porteurs, le
Drain (Drain) D : point de collecte des porteurs, la Grille (Gate) G et le Substrat (Body) B sont les
électrodes de la capacité MOS qui contrôle le nombre de porteurs présents dans le canal.
Très souvent les électrodes de source et de substrat sont électriquement reliées, on retrouve un
composant à 3 électrodes dans lequel le courant entre le Drain et la source I DS est commandé par
une tension entre la grille et la source (potentiel de source = potentiel de substrat) : V GS.
Les deux types fondamentaux de MOSFET sont les MOSFET à appauvrissement (Depletion) D-
MOSFET (leur canal est conducteur si VGS=0), et les MOSFET à enrichissement (Enhancement)
E-MOSFET (leur canal est bloqué si VGS=0).
Dans chaque type de MOSFET, on peut distinguer le MOSFET canal N (le courant provient du
déplacement d'électrons) et le MOSFET canal P (le courant provient du déplacement de trous).
MOSFET à appauvrissement canal N (D-MOSFET)
Dans le cas du D-MOSFET canal N, si on applique une tension négative sur la grille par rapport au
substrat, les électrons sont repoussés et la conductivité du canal diminue.
MOSFET à appauvrissement canal P
Dans le cas du D-MOSFET canal P, si on applique une tension positive sur la grille par rapport au
substrat, les trous sont repoussés et la conductivité du canal diminue.
___________________________________________________________________________ 64
III-3-3 Fonctionnement
Les transistors MOS à appauvrissement sont passants sans tension de commande sur la grille
(NORMALLY ON), ils deviennent de moins en moins conducteurs au fur et à mesure que la tension de
commande augmente pour finalement se bloquer au-delà d'une tension de blocage VGSoff .
Canal N
canal P
___________________________________________________________________________ 65
Régime d'appauvrissement : Canal N : VGS < 0 ; Canal P : VGS >0
Peut travailler en régime d'enrichissement.
VGS commande IDS (courant commandé par une tension).
Blocage (IDS = 0) pour VGS = VGSoff .
IDSS est obtenu pour VGS = 0
Caractéristiques statiques assez semblables à celles du JFET sauf que l'on peut avoir IDS > IDSS .
Relations usuelles :
; transconductance
avec
III-4 Transistor à effet de champ en commutation
Les TEC peuvent fonctionner en commutation. Ils sont ainsi à la base de la réalisation de circuits
logiques, notamment les circuits CMOS et présentent un grand avantage par rapport aux transistors
bipolaires. Car ils ont une très grande impédance d’entrée et sont commandés en tension.
 En ce qui concerne le JFET canal N, on considérera que le transistor est bloqué si V GS = -5V
et qu’il est conducteur (court-circuit entre drain et source) si on a VGS = 0V.
 Pour le JFET canal P, on considérera que le transistor est bloqué si VGS = 5V et qu’il est
conducteur (court-circuit entre drain et source) si on a VGS = 0V.
 Le MOSFET canal N est bloqué pour VGS = 0V et conducteur pour VGS = 5V.
 Le MOSFET canal P est bloqué pour VGS = 0V et conducteur pour VGS = -5V.
Les TEC sont, par ailleurs, réputés plus lents, en terme de commutation que les transistors
bipolaires.
III-5 Modèle équivalent

D S
TEC bloqué interrupteur ouvert
D S
TEC Pincement Source de courant ID = gmVGS
D S
TEC saturé interrupteur fermé
D S
TEC résistif Résistance RDS RDS
___________________________________________________________________________ 66
III- 6 Caractéristiques techniques
VT : tension de pincement du transistor (parfois notée VGSth).

RDSon : Résistance minimale entre Drain et Source lorsque le TEC est saturé.
IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS = 0V.
VDSon : tension entre Drain et Source lorsque le TEC est saturé.
gm : Transconductance du TEC en siemens (S).
β : gain en courant du transistor TEC (aussi appelé HFE).
ton/toff : Temps de commutation (passage de bloqué à saturé et saturé à bloqué).
PD : Puissance maximale dissipée par le TEC (permet de dimensionner le dissipateur thermique si
besoin est).
VGSbr : Tension maximale entre Grille et Source.
Applications des TEC : Préamplificateur, Amplificateur de petits signaux, Modulateur tout ou rien, Commutateur
III- 7 AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS UNIPOLAIRES

a- Montage à source commune
+ VDD
RD C2
Rg C1 Rg G D
iin
RL vo eg RF RD
RL vout
eg vi RF RS vgs rds
CS iL
S
- gain en tension :
; ;
- gain composite en courant :
; . .
- Impédance d’entrée : .
___________________________________________________________________________ 67
b- Montage drain commun

+ VDD
Circuit équivalent en dynamique
C1
Rg G
Rg
C2
iin
eg vin vgs S
vin RF R S RL
eg
vout RF iL
RS RL vout
rds
D
Caractéristiques de l’amplificateur drain commun
- Gain en tension :
, avec .
; . .
- Gain en courant :
; . .
_ Impédance d’entrée : .
- Impédance de sortie :
c- Montage grille commune

+ VDD
RD C1 Circuit équivalent en dynamique

gmvgs
Rg S D
C2 Rg
RL vout eg RS vin vgs rds RL vout
RF RS RD
CG eg
G
Caractéristiques de l’amplificateur à grille commune

- Gain en tension :
; .
.
- Gain en courant : .;
;
- Impédance d’entrée : . - Impédance de sortie : .
___________________________________________________________________________ 68
Sources de références
V-1 Sources de tension :
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés de
tension.
1- Principe
Un générateur de tension constante débite une tension constante quel que soit la charge.
L’application la plus courante des circuits à diodes est l’alimentation.
Tout montage électronique nécessite une alimentation continue. Lorsque la puissance
nécessaire est faible, on peut utiliser des piles ou des accumulateurs. Au-delà de quelques
watts, il faut prélever l’énergie du secteur à l’aide d’un convertisseur alternatif-continu.
On distingue deux types d’alimentation :
- les alimentations à régulation linéaire,
- les alimentations à découpage.
Dans la suite, nous nous intéresserons aux alimentations à régulation linéaires.
a- Alimentation à régulation linéaire

La conversion de l’énergie électrique d’une forme sinusoïdale en une forme continue se
décompose en plusieurs étapes.
- Abaisser : permet de passer d'une tension sinusoïdale de valeur élevée à une tension de
même forme mais de valeur plus faible.
- Redresser : ne garde que la partie positive (ou négative) de la sinusoïde d'entrée.
- Lisser : cette fonction a pour rôle de maintenir la tension de sortie supérieure à une
certaine valeur.
- Réguler : La tension de sortie de cette fonction doit être constante quel que soit le courant
demandé.
b- Régulateur de tension fixe

Les régulateurs intégrés permettent de disposer d'une tension régulée à + ou - 5 % sous un
courant de 1A (en boîtier TO3), ceci en positif ou en négatif.
Elles disposent de nombreux avantages :
- limitation interne du courant de sortie, évitant la destruction par court-circuit,
- limitation en fonction de la température du circuit en cas de mauvais refroidissement,
- facilité d'emploi.
___________________________________________________________________________ 69
Il faudra prévoir en entrée du régulateur une tension UO tel que : UO supérieure ou égal à U
régulée + 2 à 3V. Les schémas de branchement sont donnés ci-dessous :
Le schéma des brochages est donné ci-dessous :
La diode branchée en parallèle inverse sur les régulateurs permet la décharge des
condensateurs à l'arrêt, sans passer par les circuits internes des régulateurs, qui pourraient
être endommagés sans cela.
c- Le LM 317
C'est un circuit intégré, régulateur de
tension positif ajustable de 1,2 V à 37
V avec un courant maximum de 1,5 A.
Il faudra simplement la tension
différentielle (entre l'entrée et la
sortie) qui devra être comprise entre
3 V mini et 40 V maxi.
Le brochage et le schéma de montage
sont donnés dans la figure ci-dessous
:
La tension de sortie sera donnée par la relation : ; avec Vref comprise

entre 1,2V et 1,3V. On prendra Vref typique =1,25V.
___________________________________________________________________________ 70
Exemple : En prenant R1=240 ohms et R2=5 kΩ, Us pourra varier entre 1,25V et 28V pour Ue
comprise entre 31 et 41V.
Le LM337 est identique au LM317 mais fournit une tension négative.
2- STABILISATION EN TENSION
Tension de sortie : US
US = UZ – VBE
UZ = constante IC IC + IB
 US = constante
IS
VBE = constante RP
VBE
IB
Courant de sortie : IS
RC
UA US
IS = IB + IC = IB + βIB = IB (1+β)
Uz
Puissance de sortie : PS
PS = US * IS
Puissance dissipée dans le transistor ballast :

VCE = UA - US
IC ≈ IS = PS /US  Pt = (UA - US)/US * PS
Pt = UCE * IC
IC IC +IB
β = 100
Application numérique IS
RP VBE
Calculer la puissance de sortie, la puissance 200 0.7V
dissipée dans le transistor et le rendement UΩA
IB
US
RC
30V 10V
Uz
10.7V
Conclusion
-La puissance dissipée dans le transistor est très élevée
-Le rendement est très faible
Pt = (US – UA) / IS  le seul moyen de diminuer la puissance Pt dissipée dans le transistor ballast est
de réduire l’écart (US – UA) mais (US – UA) doit être assez grand pour que ni les fluctuations du
secteur ni les crêtes minimales des ondulations ne puissent amener U S en dessous de la valeur
imposée.
MONTAGE EMETTEUR SUIVEUR : DARLINGTON
Les transistors de puissance ont un β faible et les transistors ayant un β élevé sont de faible
puissance. Or un ballast prévu pour une alimentation doit avoir à la fois un β élevé et une forte
puissance. Ces 2 conditions contradictoires sont réunies dans le montage DARLINGTON.
___________________________________________________________________________ 71
C IC IE E
T2 IC IE E
C
T1 IB
B
IB
B T1: β élevée et Pt faible
T2: β faible et Pt élevée
Ic = β1 β2 IB
Remarque : DARLINGTON à transistor complémentaire

Pour une alimentation négative on utilise un montage à DARLINGTON à transistor complémentaire
C IC IC
IE IE
T2 C E
E
T1 IB
T1 = PNP de puissance B
T1 = NPN avec β élevé
IB
Ic = β1 β2 IB
B
3- LIMITATION D’INTENSITE
Si la charge branchée à la sortie à une résistance inférieure à une certaine limite, P T augmente et
l’échauffement qui en résulte détruit le ballast. Cela devient évident si la sortie est court-circuitée.
PT = (UA – US)*IS
 PT =(UA – US)* √PS/RC
IS = √PS/RC
si RC √PS/RC  PT
Il faut alors limiter le courant I S, le schéma ci- dessus montre un moyen très simple pour limiter le
courant. r
IC IC + I B ≈ IS La résistance r est ajustée de telle
T2
IS manière que lorsque l’intensité
RP VBE2 VBE1
maximale est atteinte la tension à
IB
T1 RC
ses bornes soit juste supérieur à la
tension de seuil de la base de T1.
UA US
Uz VBE1 = ISmax * r
___________________________________________________________________________ 72
Si IS < Ismax , Ur = IS * r < VBE0 de T1  T1 est bloqué et T2 fonctionne normalement.

Si IS ≥ Ismax , Ur = IS * r ≥ VBE0 de T1  T1 conduit et prélève le
courant de base de T2 et IS diminue de β2 * (courant prélevé)
Exemple : avec un β2 = 800 et pour un courant prélevé de 1mA IS
US
diminue de 1mA * 800 = 800mA = 0,8A
Le système se stabilise lorsque la tension de sortie a
suffisamment baissé pour que le courant US/RC débité dans la
charge ne dépasse pas Ismax.
IL IS
Ce montage est appelé régulateur
Exemplede calcul : IS= 2A, VBE = 0.7V
Ur = 0.7V = r*Ismax  r = 0.7V/2A = 0.35Ω
Is < Ismax T1 bloqué  T2 fonctionne normalement
Is = Ismax  T1 conduit  IB  Is
4- LES REGULATEURS INTEGRES
Pour la conception des alimentations régulées simples on fait recourt aux régulateurs intégrés qui
offrent une facilité de montage. Ils sont munis de trois bornes :
E = entrée, S = sortie, R = référence.
LES REGULATEURS A TENSION DE SORTIE FIXE

C’est la série 78xx, 79xx
78XX = régulateur de tension positive 78XX
79XX = régulateur de tension négative
XX = tension de sortie US
Exemple : 7812 = régulateur de tension positive
positive de 12V
R
Exemple de montage avec les séries 78XX et 79XX E S
D2
78XX
-UE
-US
D1
UE
US
D1
79XX
D2
régulateur de tension régulateur de tension

positive négative
D1 = protection contre les charges inductives
D2 = protection contre les charges capacitives
___________________________________________________________________________ 73
Alimentation symétrique à régulateur intégré

D2
F
78XX
UE
US
D1
C1 C3 C5
INT
-UE
-US
D1
TR redresseur C2 C4 C6
79XX
D2
alimentation 12V avec régulateur à composants discrets

T2
12V
int fusible D1 D2 r
RP T1
C
US
220V
TR T3
D3 D4 DZ
0V
alimentation 12v avec regulateur intégré
7812
12V
int fusible D1 D2
C
US
220V
TR D3 D4
0V
___________________________________________________________________________ 74
V-2 Sources de courant :

- Miroirs de courant à transistors bipolaires, à MOSFET.
Un générateur de courant constant débite un courant constant quel que soit la charge.
Exemple 1 : source de courant constant

Supposons IB très faible donc négligeable :
UR2 = --------------------------------------
La tension aux bornes de RE est donc :
URE = -------------------------------
Le courant qui traverse RE est donc :
RC US
I0 = ---------------------------------
R1
UE et UBE sont constantes  I0 est constant
et est indépendant de RC IC = I0
UE
Application numérique. IB
UE = 12V ; UBE = 0,7V ; R1 = R2 = 10K ; RE = 1K.

I0 = --------------------------------- UBE
En réalité, lorsque RC augmente, US augmente. R2
Or UE = ----------------------------------------- RE
avec UEM et UE constantes.

Obligatoirement UCE va diminuer et atteindre VCEsat
(≈0,3V) : Le transistor est donc saturé. Si VCE diminue
au dessous de VCEsat le transistor se bloque. On peut alors écrire :
US = UE – URE - VCEsat = UE – REI0- VCEsat.
Soit pour l’exemple : US = -------------------------------------------------------------------------------
La valeur limite de RC est donc :
Rclim = US(quand T est saturé)/IO = ---------------------------------------------------------------------
Conclusion :
Exemple 2 : source de courant constant

Le schéma représente une source de courant constant ayant
une borne commune avec la masse et est construit avec un
transistor PNP. RE
URE = ---------------------------------- DZ
VBE
L’intensité régulée :
I0 =------------------------------------
La tension limite UE
IS = I0
UL = -----------------------------------
R
La charge limite
RCL =----------------------------------- RC US
Avantages de ce montage :
La diode Zéner stabilise mieux la tension de base du transistor
donc I0 est plus constant quand RC varie.
___________________________________________________________________________ 75
Exemple 3 : Miroir de courant à transistor

Les transistors T1 et T2 sont identiques et T1 joue le rôle d’une diode.
T1 et T2 sont identiques  VBE1 = VBE2 et
URE1 = URE2 donc : IS
RE1 * I1 = RE2 * I2  I2/I1 = RE2/RE1.
Les courants I1 et I2 sont dans un
rapport constant. RC
R
Le courant I2 peut être commandé par US
le courant I1 en modifiant R : on obtient

ainsi une source de courant commandé.
I1 I2
Si RE1 = RE2 alors I1 = I2 , le dispositif UE
s’appelle miroir de courant T1 T2
VBE1
VBE2
RE1 RE2
___________________________________________________________________________ 76

1 Electronique Analogique - 1 - 1ere Année - ESTA

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électronique analogique

ECOLE SUPERIEURE DES TECHNIQUES AVANCEES

Option : 1ère année

Enseignant : COULIBALY Souleymane, tel : 70 75 88 39 ou 68 76 42 77

Année académique : 20…-20…

FICHE DE DESCRIPTION DE L’UE

Une diode à jonction est un composant

Diodes ordinaires (faible et moyenne Pont de Diodes

Diodes ordinaires (forte puissance)

I.2. Caractéristique statique tension–courant

Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le

I.3. Influence de la température

La loi d’évolution du courant dans la diode est :

 Id = Is e(Vak /kT) où kT = 25millivolts à 25°C.

k = 1,38*10-23 J/K (constante de Boltzmann)

Le courant de saturation IS traduit l’existence des porteurs minoritaires et croît avec la

I.4. Caractéristiques statiques idéalisées

Modèle Diode parfaite Diode idéale

I.5. Notes sur le comportement dynamique

I.6 fiche technique

I.6.1 limites absolues d’utilisation

I.6.2 Caractéristiques électriques

I.6.3 caractéristiques mécaniques

I.7. Applications des diodes à jonction PN

I.8 Diodes spéciales

I.8.2 Création d’une jonction rapide : Diode Schottky

Plutôt que de réaliser la jonction avec

I.8.3 Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap

Ce type de diode est employé en haute

I.8.4 Effet quantique : Diode tunnel

I.9 diode commandé : le thyristor

Symbole, propriétés électriques et fonctionnement

L’état conducteur ou bloqué est en général déterminé par une électrode de

Si Vak < 0, le thyristor est bloqué et I=0 (zone 1).

Si Vak > 0 et qu’un courant Ig apparaît (environ 100mA), la

Le thyristor peut s’amorcer dans plusieurs cas :

► Si Vak>0 et Vak = Vdrm avec Ig = 0 le thyristor s’amorce spontanément.

Condition de blocage d’un thyristor :

► L’application de Vak<Vrrm détruit le composant.

Ordre de grandeur des paramètres pour les thyristors du commerce :

► Vrrm = Vak de 50V à 2000V.

I.10 diode pour courant alternatif : le diac

Le diac (DIode for Alternating Current) n'est pas un composant

Son symbole est le suivant :

L’explication est similaire lorsque u est négative.

Générateur d'impulsions à diac

La tension uC est identique, avec un certain retard,

I.11.1 Diodes électroluminescentes (DEL)

I.11.2 les diodes infrarouges

I.11.3 les diodes laser

L’appellation provient des initiales de l’expression anglaise <<Light Amplification by Stimulated

I.11.4 les photodiodes

En polarisation directe, la photodiode se comporte comme une diode à jonction ordinaire.

I.12. Montages redresseurs, filtrage et stabilisation de tension

3) Calculer l’intensité des courants IZ et IR2, pour UDZ=5,6V et PDZmax=1W.

4) UDZ = 6,2V et PDZMAX = 1,3W

5) Réaliser le schéma d’une simple alimentation stabilisée de 9V, 200mA.

Le transistor bipolaire est un des composants fondamentaux de l’électronique. Ses caractéristiques

II-2 Constitution et symbole

Le collecteur et l’émetteur sont du même type de semi-conducteur mais de dopage différent.

Les deux types de transistors bipolaires et leur symbole :

Détermination des 3 électrodes et du type :

En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le suivant :