Electronique Analogique

Plan
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I. Notions sur les semi-conducteurs
II. Diode à jonction
III. Diode Zener
IV. Redressement, Filtrage et Stabilisation
V. Types des diodes
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I. NOTIONS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS
1. Structure de la matière
a) Les atomes
On sait qu’un atome est composé d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons. Le
noyau est composé de deux sortes de particules de masse égale: les protons et les neutrons. Tous
deux portent des charges électriques égales en valeur absolue (c’est-à-dire ne tenant pas compte
du signe). Le proton est chargé positivement alors que l’électron est chargé négativement. Le
neutron ne porte pas de charge. Charge du proton et de l’électron au signe prés est de
e=1,6coulomb (toutes charges connues sont des multiples entiers de e=1,6c).
Si on arrache un ou plusieurs électrons à un atome, il devient ion. Si la charge globale est
positive, il devient cation. Par contre, si on lui apporte des électrons, il devient un ion négative
ou anion.
Les électrons tournent autour du noyau atomique comme des satellites tournent autour de la
terre. La stabilité de leur orbite résulte d’un compromis entre la force d’attraction qu’exerce le
noyau et le force centrifuge due à leur rotation. Contrairement aux satellites, les électrons ne
peuvent évoluer que sur certains orbites correspondant a des niveaux d’énergie bien déterminés.
Tout niveau intermédiaire entre deux niveaux permis est un niveau interdit.

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Si on classe les matériaux selon leurs résistivités, on distingue 3 groupes différents : les
conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs.
➢ On appelle conducteur électrique, tout matériau capable de conduire le courant
électrique. Donc il doit contenir des porteurs de charge électrique mobiles.
➢ Un isolant est tout matériau qui ne peut en aucun cas conduire le courant électrique.
➢ Les semi-conducteurs sont des corps cristallins dont les propriétés de conductivités sont
intermédiaires entre celles des métaux et celles des isolants.

2. Le principe physique de fonctionnement des semi-conducteurs

Un semi-conducteur est un isolant parfait au zéro absolue (zéro absolue= zéro Calvin= -
273,15 degrés Celsius). Mais en augmentant la température, il peut y avoir une libération
des électrons, par conséquent le semi-conducteur (germanium ou silicium) deviendrait à ce
moment là un conducteur électrique.

b) Les semi-conducteurs
• Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.
• Ils possèdent une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des
isolants Ils se comportent comme des isolants aux basses températures lorsque
l’agitation thermique est faible et comme des conducteurs aux températures
élevées.
• La résistivité d’un semi-conducteur diminue quand la température augmente.
Les matériaux quadrivalents (germanium, silicium) sont largement utilisés pour la
réalisation des composants électronique tels que les diodes, les transistors, les thyristors, les
circuits intégrés...
Un corps quadrivalent a 4 électrons de valence dans sa couche périphérique : ce sont ces
électrons qui interviennent dans les propriétés électriques des éléments.

c) La structure cristalline
Lorsque des atomes d’un même élément sont proches, ils ont tendance à s’arranger en
formant une structure appelé structure cristalline.
La structure cristalline de silicium et de germanium est à la forme d’un cube. Chaque atome
s’arrange de manière à ce qu’il soit équidistant aux autres atomes en partageant ses quatre
électrons de valence. De cette manière, les électrons créent un pseudo couche périphérique
de 8 électrons. Les forces des liaisons portées par les électrons de valences sont
électrostatiques. On les appelle liaisons covalentes.

d) Electron libre et trou

Au zéro absolue, un cristal de germanium ou de silicium pur reste un isolant parfait. Tous
les électrons sont coincés dans leurs liaisons covalentes. Si on augmente la température, les
électrons se libéreront de leurs liaisons covalentes, ils se déplaceront en laissant derrière
eux des espaces vacants appelés trous.
Un trou se comporte comme une charge positive. Il attire et capture un électron voisin qui
va à son tour laisser un trou derrière lui.
Le trou, tout comme l’électron, est mobile. Le courant électrique à l’intérieur du cristal est
dû au déplacement des électrons et des trous.
Un flux d’électrons libres du pole négatif au pole positif et un flux des trous du pole positif
au pole négatif assurent la conductivité intrinsèque.

e) Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques

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Lorsque le corps est parfaitement pur, il est qualifié d’intrinsèque.
Exemples : Silicium (Si), Germanium (Ge), Sélénium (Se)

Le Silicium est un atome tétravalent : Il possède 4 électrons de valence qui vont se mettre
en commun avec d’autres atomes de Silicium pour avoir la forme cristalline.

A la température 0 K toutes les liaisons covalentes sont maintenues. C’est un bon isolant :
pas d’électrons libres.
Lorsque la température du cristal augmente, certains électrons de valence quittent leurs
places, certaines liaisons covalentes sont interrompues. On dit qu’il y a rupture de la liaison
covalente et par conséquent :
- libération de certains électrons qui vont se déplacer librement d’ou conduction du courant
électrique.
- il reste une liaison rompue (un ion Si +) d’ou naissance d’une paire de charge : électron
libre (charge négative) et trou (charge positive).

3. Dopage des semi-conducteurs

a) Les semi-conducteurs dopés ou extrinsèques
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de très faible quantité
d’un corps étranger appelé dopeur.
Pour les semi-conducteurs usuels (Si , Ge), les dopeurs utilisés sont :
- soit des éléments pentavalents : ayant 5 électrons périphériques.
Exemples : l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb), le Phosphore (P),…
- soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques.
Exemples : le Bore (B), le Gallium (Ga), l’Indium (In),…
Ces dopeurs sont introduits très faible dose (de l’ordre de 1 atome du dopeur pour 106
atomes du semi-conducteur).
Après le dopage, le semi-conducteur n’est plus intrinsèque mais extrinsèque.

Semi-conducteur extrinsèque type N

Le dopeur utilisé appartient à la famille des pentavalents (As, Sb, P,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires : le cinquième est donc en excès
et n’à pas de place pour lui.
On dit que le dopeur est un donneur (N) d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut
noter que cet électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à sa place un ion positif fixe.
La conductivité du matériau (conductivité extrinsèque) devient beaucoup plus supérieure à
celle du matériau pur grâce au dopage. Le dopeur (Arsenic par exemple) s’ionise
totalement, ses atomes ionisés sont appelés donneurs. Les électrons dans le cristal

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deviennent majoritaires, les trous minoritaires et les atomes ionisés positives. On dit qu’on
a un semi-conducteur de type N.

Semi-conducteur extrinsèque type P

Le dopeur utilisé appartient à la famille des trivalents (B, Ga , In ,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3, il
y a donc un trou disponible susceptible de recevoir un électron. Un électron d’un atome voisin
peut occuper ce trou.
Dans ce cas, les trous sont majoritaires, les électrons minoritaires, et les atomes ionisés des
accepteurs. Ce sont les trous qui assurent la conduction de type P. on dit qu’on a un semi-
conducteur de type P.
L’atome du dopeur devient un ion négatif fixe. L’atome quitté aura un trou et une charge
positive excédentaire. On dit que le dopeur est un accepteur (P) d’électrons.

4. Jonction P-N
L’union dans un même cristal d’un semi-conducteur type P et d’un semi-conducteur type N fait
apparaître à la limite des zones P et N, une zone de transition appelée : Jonction P-N

a) Jonction P-N non polarisée

Au niveau de la jonction P-N :
➢ les électrons libres de la partie N diffusent vers les trous disponibles de la partie P
➢ les trous disponibles de la partie P diffusent vers la partie N et piègent des électrons.
➢ Il y a recombinaison électron-trou.
Les parties P et N étant initialement neutres, la diffusion des électrons et des trous a pour effet
de charger positivement la partie N, négativement la partie P d’où la création d’un champ
électrique interne. Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrête la
diffusion.
Entre les deux parties P et N apparaît alors une d.d.p. appelée aussi barrière de potentiel de
l’ordre de 0,7 V pour le Silicium, 0,3 V pour le Germanium.

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b) Jonction P-N polarisée

Polarisation en direct
Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN > 0), la jonction
P-N est polarisée en direct. Cela revient à superposer au champ interne Ei, un champ externe E,
le champ résultant a pour effet de diminuer la hauteur de la barrière de potentiel et par
conséquent, le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la jonction augmente.

A partir d’un certain seuil de tension Uo de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium, les porteurs de
charge peuvent franchir librement la jonction P-N, celle-ci devient passante et un courant
direct s’établit.

Polarisation en inverse
Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN < 0), la jonction
P-N est polarisée en inverse. Le champ résultant a pour effet d’empêcher la circulation des
porteurs majoritaires. La jonction est bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.

II. DIODE A JONCTION

1. Définition :
Une diode à jonction est un composant électronique, constitué par la juxtaposition de deux
régions d’un même semi-conducteur (généralement monocristal) l’une dopé de type P (défaut
d’électrons) et l’autre de type N (excès d’électrons).
La zone de transition qui sépare les deux régions internes est appelé jonction.

Une diode est un dispositif actif et non-linéaire symbolisé par :

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L'électrode reliée à la région P est l'anode (A).

L'électrode reliée à la région N est la cathode (K).
Une jonction PN ne peut être conductrice que dans un seul sens. Une différence de potentiel
positive appliquée entre K et A ne fera déplacer que très peu d’électrons.
2. Polarisation de la diode

En polarisation directe, la tension appliquée (V > 0 ) permet le passage d’un courant électrique
de l’anode vers la cathode appelé courant direct.
En polarisation inverse, la tension appliquée (V < 0 ) empêche le passage du courant. Le
courant inverse est pratiquement nul.

3. Caractéristique statique courant-tension de la diode

Le principe de fonctionnement de la diode à jonction peut être expliqué en se basant sur la
caractéristique courant-tension.

Nous remarquons que pour une tension V supérieure à Vs, le courant traversant la diode est non
nul, par conséquent la diode est conductrice. Cependant, pour une tension V<Vs le courant

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traversant la diode est presque nul, donc la diode se comporte comme un circuit ouvert (Z→).
On dit que la diode est bloquée.
Vs : tension de seuil de la diode
Caractéristique directe
En dessous du seuil VS le courant est très faible. Au-delà, on montre que le courant diode est
lié au courant de saturation par :

Is : le courant de saturation, dépend de la température =courant inverse de jonction=courant de

fuite (de l’ordre de 10nA).
VT : la tension thermodynamique fonction de la température
K : constante de Boltzmann=1,38.10-23J/K
T : température en Kelvin
q : charge de l’électron=1,6.10-19C
A la température ambiante (26°C), on a VT26mV
Le courant IS est appelé courant inverse car si la diode est polarisée en inverse (V < 0) ID =- ISat.
Ce courant résulte du débit des charges (trous thermogénérés et électrons) qui traversent la
jonction sous l’action du champ électrique.

En direct, on peut écrire :

En inverse, on peut écrire : Id=-Is
L’équation de la caractéristique statique de la diode n’est pas très simple ni très pratique. On va
donc chercher à modéliser la diode.

5. Modélisation de la diode
D’après la caractéristique courant-tension, nous voyons que la diode est un dipôle non linéaire.
Nous savons que les théorèmes généraux sont valables uniquement pour les réseaux électriques
linéaires, or l’analyse d’un comportement non linéaire est assez difficile d’où la nécessité de
linéariser la diode.
Cette linéarisation consiste à remplacer la caractéristique exponentielle par une droite de pente
1/r pour V>Vs.

a) L’utilité des modèles

Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de la diode en vue de
faciliter l’analyse d’un phénomène ou l’étude d’un système.
Il y a différents modèles selon l’analyse ou l’étude souhaitée. Pour analyser un circuit électrique
qui fonctionne en régime continu (statique) on utilise :

b) Le modèle idéal
La représentation graphique du modèle idéal d’une diode à jonction PN est représentée à la
figure ci dessus (a). Il s’agit d’un interrupteur fermé en polarisation directe (b) et ouvert en
polarisation inverse (c).

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En direct, la diode est considérée comme un court-circuit : VD = 0 pour ID ≥0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD 0.
Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des estimations rapides et
pour des analyses de circuits complexes.

Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance.

c) Le modèle à seuil ou classique

On rajoute au modèle précédent la tension de seuil V0 qui représente la tension du coude de la
diode. Cette tension correspond à la barrière de potentiel à vaincre de la jonction PN, elle est
appelée aussi le potentiel de contact de la jonction PN.
En direct, on rajoute une force contre électromotrice V0 : VD = V0 pour ID ≥0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD  V0.

d) Le modèle linéarisé ou semi-réelle

Dans ce modèle, dès que la tension dépasse V0, on rajoute une résistance rD qui reflète une variation
linéaire du courant en fonction de la variation de la tension.

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En direct, on rajoute V0 et une résistance dynamique moyenne rD : VD = V0+rD ID pour ID
≥ 0.
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD  V0.
Nous pouvons ainsi écrire :
Si VV0 i=0 (Résistance infinie, modèle interrupteur ouvert)
Si V>V0  V=V0+r.ID : Cette équation permet d’envisager le circuit électrique équivalent (voir Fig (b)
et (c)).
V0=0,6 à 0,7V pour une diode au silicium
V0=0,3V pour une diode au Germanium
En polarisation directe et pour I > 0, la diode est équivalente à un récepteur de f.c.é.m Vo et de résistance
interne rD.
La résistance dynamique moyenne rD (de l’ordre de 10 Ω) est déterminée par la pente moyenne de la
partie utilisée de la caractéristique directe de la diode :

Ce dernier modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique d’une diode
réelle. Il est plus précis que le deuxième, mais plus complexe.

6. Point de fonctionnement d’une diode

• On appelle « point de fonctionnement » d’une diode les valeurs de Id et Vd lorsque
celle-ci est insérée dans un circuit. On parle de point de fonctionnement « statique »
lorsque les grandeurs électriques sont constantes par rapport au temps.
• Pour déterminer le point de fonctionnement d’une diode, il faut prendre en compte sa
caractéristique courant-tension ainsi que les lois de Kirchhoff (loi des nœuds et loi des
mailles) qui découlent essentiellement des lois de conservation de la charge et de
l’énergie.
• On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec la
caractéristique de la diode donne le point de fonctionnement.
• La caractéristique I =f(V) de la diode D étant non linéaire, le point de fonctionnement
peut être déterminé graphiquement. En traçant sur un même graphique la droite de
𝐸−𝑉
charge d’équation :𝐼 = 𝑅 (1)
𝑉
• et la caractéristique de la diode 𝐼 = 𝐼𝑠 . (exp (𝑉 ) − 1) (2)
𝑇
Le point de fonctionnement est l’intersection des deux courbes. Soit en résolvant le système
d’équations (1) et (2) non linéaire, on fait appel alors à des méthodes de résolution numérique
ou bien, si la caractéristique de la diode est linéaire, le point de fonctionnement peut être
déterminé analytiquement.

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Les coordonnées du point de fonctionnement (VM, IM) seront déterminées comme suit.
𝐸−𝑉𝑆
VM=E-R.IM =VS+rIM  𝐼𝑀 =
𝑅+𝑟
𝐸.𝑟+𝑉.𝑅
Or VM=E-R.IM  𝑉𝑀 =
𝑅+𝑟

III. DIODE ZENER

Définition
Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage inverse. La
tension de claquage est appelée tension Zener. La diode Zener est une diode qui a la particularité
de pouvoir conduire la diode dans le sens inverse. Cette diode est très utilisée pour la régulation
des tensions.
Une diode Zener peut être représentée par l’un des symboles suivants :

Une diode Zener est un dipôle non linéaire ayant la courbe caractéristique I=f(V) suivante :

En polarisation directe : la diode Zener se comporte comme une diode à jonction.

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En polarisation inverse : la diode Zener est de nouveau conductrice pour une tension|𝑉| ≥ 𝑉𝑍 .
De plus, quel que soit le courant I, la tension aux bornes de la diode est presque constante, d’où
l’intérêt de la diode Zener pour stabiliser une tension.

Tension Zener c’est la tension nécessaire à la conduction en sens inverse

La caractéristique linéarisé conduit à l’équation : V = Vz + rz.I

où rz est une résistance très faible.
En conduction inverse, la diode Zener peut être modélisée par le circuit suivant :

Pour une tension inferieure à Vz (en valeur absolue), la diode se comporte comme un
interrupteur ouvert.

Remarque:
Si la résistance dynamique Rz est négligée, la tension aux bornes de la diode lorsqu’elle conduit
en inverse est constante quelque soit le courant qui la traverse. La diode Zener est idéale.
Les diodes Zener sont utilisées dans le but d'avoir une tension variant peu avec le courant ;
on s'approche ainsi d'un générateur de tension continue.

IV. REDRESSEMENT, FILTRAGE ET STABILISATION

Les diodes (à jonction ou Zener) sont utilisées pour assurer les fonctions suivantes :
• Redressement
• Filtrage (Ecrêtage)
• Stabilisation (diode Zener)
1- Redressement
a)Définition
Le redressement consiste à transformer une tension alternatif (bidirectionnelle) en une tension
unidirectionnelle appelée tension redressée.
Le redressement s’effectue à l’aide des diodes à jonction.
Si on applique une tension alternative sur l’anode d’une diode, on ne retrouvera que les demies
ondes positives sur la cathode.

b) Redressement simple alternance

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La diode, présentant une résistance pratiquement infinie lorsqu’elle est polarisée en inverse,
peut être utilisée pour obtenir un courant unidirectionnel à partir d’un courant alternatif tel que
le courant sinusoïdal.

Schéma de montage :

Principe de fonctionnement:
Une des applications les plus répandues des diodes est leur utilisation pour générer des tensions
continues à partir d'une tension alternative.
On suppose que la diode est idéale.
Pendant l’alternance positive de la tension V (V > 0), la diode D est polarisée en direct donc
elle est passante ( i > 0 et V0 = 0 ) donc VR = V – V0 = V
Pendant l’alternance négative de la tension V (V < 0), la diode D est polarisée en inverse donc
elle est bloquée ( i = 0 et V0 < 0 ) donc VR = 0.

Redressement double alternance avec 2 diodes et transformateur à point milieu

Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant
deux enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions opposées
: u1 = V.sint et u2 = – u1. Le point commun aux deux enroulements sert de référence de
potentiel.
Schéma de montage :

Principe de fonctionnement:
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u :
• u1 est positive, D1 conduit donc uR = u1 =u/2
• u2 est négative, D2 bloquée
Pendant l’alternance négative de u :
• u2 est positive, D2 conduit donc uR = u2 = -u/2
• u1 est négative, D1 bloquée.

❖ Redressement double alternance à pont de Graetz (Avec 4 diodes)

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Principe de fonctionnement:
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u :
• D3 et D4 conduisent, D1 et D2 bloquées donc uR = u
Pendant l’alternance négative de u
• D1 et D2 conduisent, D3 et D4 bloquées donc uR = u
La tension au borne de la charge R est toujours positif
2. Filtrage
a) Définition
Le filtrage transforme une tension redressée en une tension aussi constante que possible (réduire
au maximum l’ondulation). Cette fonction peut être réalisée par un condensateur.
Plus la valeur du condensateur est grande, plus on obtient une tension de sortie proche d’une
continue
b) Schéma de montage et principe de fonctionnement
u : tension sinusoïdale de fréquence f

Dès la première alternance, le condensateur C se charge puis, dès que la tension à ses bornes
devient supérieure à la tension redressée, il se décharge à travers la résistance R.
4. Stabilisation
Malgré l’utilisation de la fonction filtrage, la tension obtenue n’est pas pratiquement continue.
Pour éviter cela, on utilise une fonction stabilisation ou régulation.
La fonction stabilisation est assurée soit par diode Zener ou par régulateur.
Stabilisation par diode Zener

• Schéma de montage et Principe de fonctionnement

•
On suppose que la résistance R déconnectée et que la résistance RZ de la diode Zener
est négligée ( RZ = 0 ),
• Si u > UZ alors uS = UZ
• Si u < UZ alors uS = u.
Il faut donc que u > UZ pour que la tension de sortie soit constante (stabilisée).

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V. TYPES DES DIODES

La liste suivante qui n’est pas limitative donne un aperçu des nombreuses applications des
diodes dans les montages électroniques.
DEL ou LED ‘Diode electroluminesence)

LED est une diode qui a la propriété d’émettre de la lumière quand elle est
parcourue par un courant (phénomène d’électroluminescence).
Les LED émettant dans le rayonnement visible trouvent leur application
dans l’affichage numérique 7 segments ou l’affichage alphanumérique, le
téléphone, l’appareil ménager et le jouet. Leur avantages par rapport aux
lampes à incandescence sont leur longue durée de vie (environ 20ans ), leur
tension de seuil très basse ( de 1 à 2 volts) et leur faible consommation.

Protection
Une LED supporte un faible courant (quelques dizaines de mA).
• Exemple : on alimente une LED à partir d’une source de tension continue de 12 V.
Calculons la valeur de la résistance de protection pour limiter le courant à 10 mA :

Diodes Schottky :
Les diodes Schottky, à jonction métal / semi-conducteur : cette jonction hétérogène est
caractérisée par l'absence de stockage des charges, elle est donc très rapide. Elle est très utilisée
dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky).

Diodes varicaps
La zone vide de porteurs d’une jonction polarisée en inverse voit son épaisseur augmenter si
on augmente la tension inverse. Cette zone joue le rôle du diélectrique d’un condensateur.

Si l’épaisseur de cette zone augmente la capacité diminue car C= .S/e. On obtient un

condensateur dont la capacité est fonction de la tension inverse appliquée selon une loi du type
:

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Si on insère une telle diode dans un circuit oscillant, on peut régler la fréquence de résonance
du circuit en agissant sur la tension de commande de la diode au lieu d’agir mécaniquement sur
un condensateur variable.

Diode Laser
Une diode laser est constituée par une jonction PN dont la partie active est une cavité
électromagnétique résonnante. La plus grande partie de l’énergie est concentré dans cette cavité
et la lumière est émise parallèlement à la jonction.

Diode réceptrice ou photodiode

Les photodiodes sont d’excellents détecteurs de lumière. Elles
trouvent leur application dans la mesure quantitative de la
lumière, la télécommande ou transmission à distance

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