Electronique de Base

Université de Maradi/IUT/GEI/UP électronique/cours électronique de base
CHAPITRE 1 : LES SEMI-CONDUCTEURS
1.1. Rappels sur la constitution de la matière

1.1.1. Molécules et atomes
Pour expliquer les phénomènes électroniques, les physiciens ont admis que la matière est
indivisible à l’infini. La plus petite quantité de la matière pouvant existée à l’état libre est
appelée molécule. On appelle molécule gramme d’un corps pur, la quantité représentée par sa
formule chimique. La masse correspondante est dite moléculaire. Chaque molécule gramme
d’un corps pur contient le même nombre N des molécules (N nombre d’Avogadro,
N=6,02.1023). Les molécules sont formées d’atomes. Un atome est une quantité de la matière
infiniment petite (masse de l’ordre de 10-26kg). Il est constitué d’électrons et d’un noyau
central.
Le noyau contient deux types de particules :
 les neutrons qui ne sont pas chargés ;
 les protons qui portent une charge électrique +q = 1,6.10-19 Coulombs.
Les électrons gravitent autour du noyau et portent une charge électrique -q. L’atome étant
électriquement neutre, le nombre de protons est égal au nombre d’électrons qui sont répartis
en couches successives. On distingue :
 les électrons internes qui occupent les couches internes et qui sont très fortement liés au
noyau ;
 les électrons périphériques qui occupent la couche la plus externe et qui sont peu liés au
noyau.
1.1.1.1. Structure atomique
La configuration de la structure d’un atome est représentée sous forme d’un noyau entouré
d’électrons en orbite (figure 1.1.a). Les couches orbitales que forment ces électrons sont
désignées par les lettres (K, L, M, N, O, P, Q). La première couche contient au plus 2 e -, la
deuxième 8 e-, nième 2n2 e-. La couche la plus éloignée du noyau est dite périphérique et le
nombre des électrons s’y trouvant forment la valence de l’élément. Chaque couche orbitale se
trouve à un niveau d’énergie bien déterminé (figure 1.1.b).
r3 3ièmeniveau d’énergie
r2 2ième niveau d’énergie
r1 1ier niveau d’énergie
Paroi du noyau
Figure 1.1.a électrons en orbite Figure 1.1.b niveaux d’énergie des électrons
Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

GONDA Moussa 1
d’un atome d’un atome
1.1.1.2. L’atome isolé
Le déplacement d’un électron n’est possible que sur certaines orbites permises. Il faut de
l’énergie pour déplacer un électron d’une petite orbite à une autre plus grande du fait de
l’attraction du noyau ; cette dernière est d’autant plus forte que l’orbite de l’électron est
petite. Un apport d’énergie externe peut permettre à un électron soit :
 de passer à un niveau d’énergie plus élevé donc, l’atome est excité ;
 d’être libéré : l’atome est ionisé.
Inversement, lorsqu’un électron de l’atome excité revient sur son niveau initial ou lorsqu’un
électron est capté par un ion positif, il y a libération d’énergie sous forme de radiation
électromagnétique. L’énergie d’excitation est plus faible que celle d’ionisation.
Les atomes existent très rarement à l’état isolé sauf certains gaz rares. Quand des atomes se
regroupent pour former un solide, ils se déplacent dans un réseau appelé cristal.
1.1.2. Liaison covalente
Afin de voir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4
électrons périphériques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal
de silicium la représentation de la figure 1.2.a.
C’est la mise en commun des électrons périphériques, appelée liaison de covalence, qui
assure la cohésion du cristal de silicium. Les électrons qui participent à ces liaisons sont
fortement liés aux atomes de silicium. Il n’apparaît donc aucune charge mobile susceptible
d’assurer la circulation d’un courant électrique.
Trou libre Electron libre
Figure 1.2.a Cristal du Silicium à T = 0°K Figure 1.2.b Cristal du Silicium à T >> 0°K

GONDA Moussa 2
L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus électriquement neutre : il est devenu un
ion positif. Ce phénomène n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de silicium (3 sur
1013 à la température de 300 °K). La liaison de covalence non satisfaite est appelée trou.
1.1.3. Bandes d’énergie
Dans un cristal, l’orbite d’un électron est influencée non seulement par les charges à
l’intérieur de son propre atome, mais aussi par les noyaux et les électrons de tous les atomes
du cristal. Comme chaque électron occupe une position différente à l’intérieur du cristal, il
n’y a pas des électrons qui ont exactement le même environnement de charge.
On obtient ainsi des bandes permises séparées par des bandes interdites. Deux bandes jouent
un rôle essentiel en ce qui concerne l’électronique : bande de valence et bande de conduction
(figure 1.3). Ces deux bandes sont séparées par une bande interdite. Dans la bande de valence,
on trouve des électrons qui assurent les liaisons covalentes. Dans la bande conduction, on
trouve les électrons libres. La relative mobilité de ces derniers va précisément permettre les
mécanismes de transport des charges qui créent les courants porteurs.
Figure 1.3 Hauteur de la bande interdite

La largeur de la bande interdite (E g) peut s’analyser comme la quantité minimum d’énergie
nécessaire pour rompre une liaison covalente et libérer un électron. On peut ainsi classer
approximativement les métaux en fonction de Eg.
NB : Isolant : Eg > 3 eV ; Semi-conducteur : Eg < 3 eV.
1.1.4. Conduction électrique
Du point de vue de leur conductivité électrique, les corps se subdivisent essentiellement en 3

groupes :
 les isolants : ne conduisent pas le courant électrique ;
 les conducteurs métalliques : conduisent bien le courant électrique, d’autant mieux que la
température est plus basse ;

GONDA Moussa 3
 les semi-conducteurs : conduisent le courant nettement moins bien que les métaux, mais
d’autant mieux que la température est plus élevée (exemples types : le silicium Si, le
germanium Ge).
1.1.4.1. Les isolants
L’isolant est un corps dont la bande de valence est saturée alors que celle de conduction est
entièrement vide. Ces deux bandes sont séparées par une bande d’énergie très large ce que
l’on appelle gap. Cela explique la non conductivité des isolants car il faut une énergie très
importante.
1.1.4.2. Les conducteurs
Les conducteurs (métaux) n’ont pas de bande interdite. Les bandes de valence et de
conduction se chevauchent parallèlement. A 25oC, les électrons de la valence passent à la
bande de conduction. Cela explique la réputation des conducteurs de permettre le passage
facile du courant électrique.
La conduction électrique dans un métal est due aux électrons libres que l’on qualifie des
porteurs de charge mobile. Les ions du réseau cristallin de charge +e sont appelés porteurs de
charge fixe. La concentration des porteurs de charge mobile joue un rôle fondamental dans la
conduction électrique qui s’exprime en nombre des porteurs par m 3. Dans un cristal
métallique, la concentration des porteurs de charge mobile est égale à celle des porteurs fixes
positifs (ions).
Déjà à la température ambiante, les porteurs mobiles sont très nombreux. Quand la
température augmente, les ions du réseau cristallin sont animés d’un mouvement de vibration
autour de leur position moyenne. Ce phénomène s’accélère avec l’augmentation de la
température : c’est l’agitation thermique.
En l’absence de l’énergie externe, il n’y a pas de déplacement des électrons de la position
moyenne par rapport au réseau cristallin. Si l’on crée un champ électrique externe ⃗
E , chaque
électron libre de charge −e est soumis à une force :
⃗
F =−e ⃗
E
Cette force entraîne un mouvement d’ensemble d’électrons en sens inverse du champ ⃗ E . Par
suite des chocs sur les ions, les porteurs mobiles sont en quelque sorte freinés, ils se déplacent
avec une vitesse moyenne :
v=μE
μ: mobilité en m2 /Vs.

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1.2. Les semi-conducteurs intrinsèques (SCI)
Les semi-conducteurs sont des solides cristallisés covalents. Un matériau semi-conducteur à

la particularité de posséder 4 électrons périphériques, soit exactement la moitié d'une couche
complètement saturée. Les plus utilisés sont des éléments de valence 4 dont les cristaux sont
constitués d’atomes de germanium ou de silicium.
Grâce à l'organisation cristalline (figure 1.4), chaque atome est entouré de quatre atomes
voisins qui vont combiner ensemble leurs électrons de valence de fait que chaque atome se
trouve entourer de huit électrons périphériques. Ce qui donne la propriété d'un isolant parfait.
Figure 1.4 Cristal du Silicium
1.2.1. Action de la température
A très basse température, au voisinage du zéro degré absolu (0° kelvin) le silicium pur est un
isolant parfait. Dès que la température augmente, l'agitation des atomes entre eux va
bousculer cet ordre établi et des électrons périphériques peuvent se retrouver arrachés à la
liaison cristalline des atomes (Figure 1.5). Ces électrons se retrouvent à une distance des
noyaux qui leur permet de se déplacer dans la plaquette de silicium.
Figure 1.5 Cristal Si T >> 0° K

Les électrons ainsi libérés ont chacun rompu une liaison cristalline du silicium. Ils ont donc
laissé derrière eux un emplacement vide, nous parlons d'un "trou". Ces électrons vont se
déplacer librement dans la plaquette jusqu'au moment où ils rencontrent un "trou" et se fixer à

GONDA Moussa 5
nouveau dans le réseau. Ce déplacement aléatoire d'électrons (dans n'importe quel sens)
correspond à un courant électrique aléatoire. Toutefois, ce courant est très très faible et nous
parlons de conduction intrinsèque. Cette conduction intrinsèque est pratiquement non
mesurable pour un technicien de maintenance. Ces courants, souvent indésirables, sont de
l'ordre du nanoampère et appelés courants de fuites. Même non mesurable, ils existent
néanmoins et deviennent trop important si la température n'est pas contrôlée.
1.2.2. Porteurs de charges mobiles
Dans un semi-conducteur, le courant électrique est assuré par deux types des porteurs de
charges mobiles :
 des porteurs négatifs qui sont des électrons libres se déplaçant à travers le réseau des
atomes ;
 des porteurs positifs qui sont des trous se déplaçant d’atome en atome.
Comme un électron libéré donne naissance à un trou, la concentration ≪ n ≫ des porteurs
négatifs est égale à ≪ p ≫, celle des porteurs positifs.
n=p=n i
ni :concentration intrinsèque.
1.2.3. Phénomène de recombinaison
Un électron libre, arrivant à proximité d’un ion positif peut être capté par ce dernier qui
devient un atome neutre. La liaison covalente est alors rétablie, c’est-à-dire que l’électron
libre et le trou disparaissent simultanément : on dit qu’il y a recombinaison. A la température
fixe, il y a équilibre entre les phénomènes d’ionisation thermique et de recombinaison. La
concentration intrinsèque ni en électron libre dépend de :
 l’énergie W i nécessaire pour ioniser un atome ;

 La température absolue T (en degré kelvin) du cristal suivant la loi :
3 −W i
2 2 KT
ni =A T e
K : constante de Boltzman ; 1 ,38. 10−23 j/oK ; A : caractéristique du semi-conducteur.
1.2.4. Mobilité des électrons et des atomes
En absence d’un champ extérieur, on n’a pas de déplacement d’électrons. Au cas échéant, si
on applique au cristal un champ externe E , les électrons se déplacent à la vitesse :
v=μE
Pour les électrons libres on a :

GONDA Moussa 6
v n=μn . E
Et pour les trous on a :

v p=μ p . E
1.2.5. Conductivité d’un semi-conducteur intrinsèque
Dans le cas d’un conducteur, la conductivité est :

σ =neμ
Pour les SCI, la conductivité est :

σ i=σ n + σ p
Avec :
σ n=n μn e ; σ p= p μ p e ⇒ σ i=ni ( μn + μ p ) . e
Ainsi la résistivité d’un SCI est :

1 1
ρi= =
σ i ni ¿ ¿
1.3. Les semi-conducteurs extrinsèques (SCE)
Afin d'améliorer la conduction d'un SCI, les fabricants injectent dans une plaquette semi-
conductrice des matériaux étrangers, ou impuretés, qui possèdent un nombre d'électrons
périphériques juste inférieur ou juste supérieur aux 4 électrons du semi-conducteur. C’est le
dopage. Une impureté augmente la conductivité en libérant, suivant sa nature :
 des électrons, ce qui donne un SCE de type N (porteurs négatifs) ;
 des trous, ce qui donne un SCE de type P (porteurs positifs).
1.3.1. Les semi-conducteurs extrinsèques de type N (SCE-N)
Le dopage N consiste à ajouter à un semi-conducteur intrinsèque des impuretés (des atomes

possédants 5 électrons périphériques) avec une très faible concentration N D devant celle des
atomes du cristal. Quatre de ces électrons vont participer à la structure cristalline, et un
électron supplémentaire va se retrouver libre et pouvoir se déplacer dans le cristal (figure
1.6.a). Nous parlons de porteurs de charges mobiles.

GONDA Moussa 7
Figure 1.6.a SCE-N à base de Si Figure 1.6.b Niveau d’énergie du donneur

L’agitation thermique crée des paires électrons-trous. Dans le cristal dopé, il existe :
 des porteurs positifs mobiles (trous) dûs seulement à l’ionisation thermique des atomes du
SC ;
 des électrons libres qui ont une double origine :
 ceux dus à l’ionisation thermique des atomes du SC de même concentration que les
trous ;
 Ceux qui proviennent des atomes donneurs (leur concentration est égale à celle des
impuretés ND).
La concentration totale des électrons est libres est :
n=N D + p ⇒ n> p
NB : les électrons sont qualifiés des porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs
minoritaires. On a toujours :
p ≪ N D → n≈ N D
1.3.2. Les semi-conducteurs extrinsèques de type P (SCE-P)
Le dopage P consiste à ajouter au semi-conducteur des impuretés (atomes possédants 3

électrons périphériques) à une très faible concentration N A par rapport à celles des SCI. Ces
trois électrons participent à la structure cristalline (figure 1.7.a) , mais un "trou" est créé par
chaque atome étranger puisqu'il lui manque un électron périphérique.
Figure 1.7.a SCE-P à base de Si Figure 1.7.b Niveau d’énergie du récepteur

Avec l’agitation thermique, le trou est facilement comblé par un électron libre. Les atomes
d’impuretés sont qualifiés d’atomes accepteurs ; ils deviennent des ions de charge négative.

GONDA Moussa 8
Au sein du SCE-P, il existe :

 des électrons libres dus à l’agitation thermique des atomes du SC ;
 des trous ayant double origines :
 ceux créés par l’ionisation thermique dont la concentration est la même que celle des
électrons ;
 ceux dus aux atomes accepteurs de concentration NA.
La concentration totale des électrons est libres est :

p=N A + p ⇒ p>n
NB : les trous sont qualifiés des porteurs majoritaires et les électrons sont des porteurs
minoritaires. On a toujours :
n≪N A⇒ p≈N A
1.3.3. Equilibre électron libre-trou dans un SCE
A une très faible quantité d’impuretés, la vitesse d’ionisation thermique des atomes de SCE
est pratiquement la même que pour un SCI. La vitesse de recombinaison est proportionnelle
au produit n . p .
2
ni =np=f (T ,W i)
Dans un SCE, np ne dépend que de la température et de l’énergie (ionisation/activation), donc

il est indépendant de la concentration des impuretés.
1.3.4. Expression de la conductivité et de la résistivité
La conductivité est donnée par :

1 1
σ =( n μn + p μ p ) . e ⇒ ρ= =
σ ( n μn+ p μ p). e
Pour les SCE-N on a :

1 1
p μ p ≪ n μn et n≈ N D ⇒ σ n=N D μ n e ⇒ ρn= =
σ n N D μn e
Pour les SCE-P on a :

1 1
n μn ≪ p μ p et p ≈ N A ⇒ σ p=N A μ p e ⇒ ρ p= =
σ p N A μp e
1.4. La jonction PN
La plupart des composants électroniques (diode, transistor, thyristor, circuits intégrés ….) sont
constitués d’un monocristal de SC comportant diverses zones dopées successivement P et N.

GONDA Moussa 9
Il est aisé de s'imaginer ce qui se passe lorsque deux zones de dopage P et N sont réalisées sur
une même plaquette (figure 1.8).
A la jonction (réunion) des deux zones, les porteurs de charges mobiles se combinent et il
apparait une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.
Jonction PN
Ions fixes négatives
P
Trous majoritaires
N
Electrons minoritaires
Ions fixes positives
Electrons majoritaires
Trous minoritaires
Figure 1.8 Jonction PN

1.4.1. Jonction PN non polarisée
A la jonction (réunion) des deux zones, les porteurs de charges mobiles se combinent et il
apparait une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante
(figure 1.9).
La région P est riche en porteurs positif alors la région N en contient en faible concentration,
inversement pour les électrons. Il se crée immédiatement un passage des porteurs de même
type d’un milieu à leur forte concentration vers l’autre de leur faible concentration jusqu’à ce
qu’il ait un certain équilibre : c’est le phénomène de diffusion. Il en résulte le courant de
diffusion ou courant des majoritaires. Les trous qui vont rencontrer à proximité de la jonction,
des électrons, ce qui donne lieu à des nombreuses recombinaisons, entrainant ainsi la
disparition totale des porteurs libres au voisinage de la jonction. Il ne va y rester que les ions
fixes chargés. Cette zone est appelée zone de charge d’espace (ZCE) ou zone déserte ou
encore zone de transition.
La double charge de ZCE crée un champ électrique interne ⃗ Ei . Ce champ va s’opposer au

passage des majoritaires IM. Donc la diffusion s’arrête (sauf certains porteurs animés par une
énergie suffisante. Par contre, il favorise le passage des minoritaires, donnant ainsi naissance

GONDA Moussa 10
au courant de saturation I S dans le sens contraire du courant I M . Le courant résultant est nul.
Le champ interne décroit, la ddp est :
V D=V N −V P =V 0
V 0 est la barrière de potentiel.
Largeur de la
Sens de passage jonction PN
courant des Sens de passage
VP ⃗
Ei
minoritaires IS VN
courant des
majoritaires IM
x
-xP w xN
J
Figure 1.9 Jonction PN non polarisée

L’expression du champ interne (figure 1.10) est :
 dans la région N :
e ND
E¿ (x)= (x−x N )
ε
 dans la région P :
−e N A
EiP ( x )=
ε
( x+ x P )
Ei (x )
-xP xN
x
−e N A −e N D
xP xN
ε ε
GONDA Moussa 11
Figure 1.10 allure du champ électrique dans la jonction PN non polarisée
L’expression du potentiel dans la ZCE (Figure 1.11) est :

 pour la ZCE région N :
−e N D 2
V N ( x )= ( x−x N ) +V N
2ε
 pour la ZCE région P :
eNA 2
V P ( x )= (x+ x P ) +V P
2ε
VN
V 0=V N −V P
−x P
xN x
VP
Figure 1.11 allure du potentiel dans la jonction PN non polarisée

La capacité d’une jonction est donnée par :
εS
C=
w
S: la section de la jonction ; w : largeur de la jonction ; ε : la perméabilité de la jonction.
1.4.2. La jonction PN polarisée
1.4.2.1. Polarisation directe
Une jonction est polarisée en directe si sa région P est reliée à la borne + de l’alimentation
(figure 1.12). La jonction sera soumise à un champ résultant Ei −E< Ei , la barrière de
potentiel diminue, sa valeur est : V 0−V . Cela veut dire que le nombre des majoritaires qui
traversent la jonction (courant IM ) va considérablement augmenter. La valeur de I S ne change
pas car ne dépendant pas de la barrière de potentiel.

GONDA Moussa 12
Quand V =0, on a :
−eV 0
KT
I M =I 0 e =I S
Quand V >0 , on a :
−e(V 0−V ) eV
KT KT
I M =I 0 e =I S e
Le courant résultant dit courant directe est :

eV eV
I D =I M −I S =I S (e KT −1)≈ I S e KT
⃗
Ei
VP V0 V
N
IS
P N
IM
⃗
E
+ -
Figure 1.12 Polarisation directe

1.4.2.2. Polarisation inverse
Une jonction est polarisée en inverse si sa région P est reliée à la borne - de l’alimentation
(figure 1.13). ⃗
Ei et ⃗
E sont dans le même sens, la barrière est donc soumise à un champ
électrique plus important, sa largeur augmente ( V 0 +V ) , ainsi le nombre des majoritaires qui
peuvent passer diminue alors que les minoritaires passent facilement. Il y aura donc plus des
recombinaisons et la ZCE s’élargie.
- +
⃗
E
⃗
Ei
GONDA Moussa 13
P N
Figure 1.13 Polarisation inverse

Le courant de majoritaire est :
−e(V 0+ V )
KT
I M =I 0 e
Le courant résultant dit courant inverse I inv est ainsi donné par :
−eV
KT
I inv=I S −I M =I S (1−e )≈ I S

GONDA Moussa 14
Chapitre 2 : Diodes à jonction

2.1. Introduction
La jonction PN est un élément fondamental de l’électronique. En modifiant certains

paramètres (concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc.) on obtient des
composants diversifiés utilisables dans de nombreux domaines.
L’une des applications de la jonction PN est la diode à semi-conducteurs. Elle a la propriété
de ne laisser passer le courant que dans un seul sens. Cette propriété lui ouvre un champ
d'applications assez vaste en électronique dont les plus courantes sont :
 Le redressement du courant alternatif issu du secteur ;
 La régulation de tension à l’aide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de
tension quasi idéale.
2.2. Diode simple

2.2.1. Symbole
La diode à jonction s’obtient par l’association sur un même cristal de deux SCE de types
respectivement N et P (figure 2.1.a). Son symbole électrique est représenté à la figure 2.1.b.
A K
A Région P Région N K
Jonction
Figure 2.1.a Structure d’une diode à jonction Figure 2.1.b Symbole électrique
2.2.2. Caractéristique courant/ tension
Pour une tension V AK =V A−V K négative, le courant est négligeable, ceci est vrai jusqu'à une
tension V C dite tension de claquage. Au dessus d'un certain seuil V 0 de tension V AK positive,
le courant direct croit très rapidement avec V D.
Le seuil V 0 (barrière de potentiel) dépend du semi conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium. La caractéristique est représentée
à la figure 2.2.
Chapitre 3 : ire 2016-2017 GONDA

Moussa 15
Figure 2.2 La caractéristique courant/tension

d’une diode
2.2.2.1. Caractéristique directe
La caractéristique courant/tension pour une diode polarisée en direct est d’écrite par :
e VD eV D
KT KT
I D =I S (e −1)≈ I S e
Cette équation permet de conclure que le courant croit exponentiellement avec la tension aux
bornes de la diode. Son allure est illustrée par la partie positive (V D >0) de la figure 2.2.
A partir de l’équation précédente, on peut déduire la relation suivante :
|
e V pol e V pol
dID e d V D KT
=I S e KT
→r d= = avec d ' ordre zéro de e KT
dV D V D=V pol KT d ID e I S
NB : V pol tension de polarisation de la diode et r d est la résistance interne de la diode.

2.2.2.2. Caractéristique inverse
La caractéristique courant/tension pour une diode polarisée en inverse est d’écrite par :
−e V D
KT
I inv=I S (1−e )≈ I S
Cette équation permet de conclure que le courant prend la valeur du courant de saturation
(courant de fuite). Son allure est illustrée par la partie négative ( V D <0 ) de la figure 3, mais il
faut remarquer qu’au-delà d’une valeur de V D (supérieure à la tension se claquage spécifiée
par le fabricant), la jonction se claque.
NB : Comme on vient de le voir, la diode en polarisation inverse ne laisse passer qu’un très
faible courant que l’on peut admettre nul. Si la tension V D inverse devient trop grande, le
Chapitre 3 : Transistor bipolaire 2016-2017

GONDA Moussa 16
champ électrique devient si très fort qu’il peut arracher des électrons du cristal SC et causer
par effet d’avalanche le claquage de la diode et sa destruction. La tension de claquage des
diodes redresseuses s’élèvent à plusieurs centaines de volts.
2.2.3. Modèles linéaires d’une diode simple
La connaissance de la caractéristique non linéaire d’une diode, fondamentale pour décrire son
comportement ne permet pas malheureusement de résoudre analytiquement même un circuit
comprenant simplement une source, une résistance et une diode (figure 2.3). L’équation
décrivant ce circuit est en effet non linéaire et ne peut pas être résolue analytiquement.
R ID
E VD
Figure 2.3 Simple montage à diode
KT ID
E=R I D−V D avec V D = ln ⁡( +1)
e IS
Seule la donnée de modèles linéaires approchant aussi bien que possible la caractéristique de
la diode permet de calculer le courant circulant dans le circuit.
La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique électrique réelle
I D =f (V D ) par des segments de droites. A chaque segment de droite correspond un schéma
électrique équivalent. Pour une diode simple, on a trois modèles électriques :
 diode idéale : ce modèle permet de considérer la diode comme étant un court-circuit
(figure 2.4.a) quand elle conduit ;
 diode avec seuil : ce modèle permet de considérer la diode comme étant un générateur
parfait (figure 2.4.b) de f.é.m. V0 quand elle conduit ;
 diode avec seuil et résistance : Ici, on prend en compte la résistance de la diode (figure
2.4.c). Ceci peut être utile si on utilise la diode en petits signaux alternatifs et qu'on a
besoin de sa résistance dynamique.

GONDA Moussa 17
ID ID ID
A
+ - + -
K A K A K
rD
V0 V0
ID ID ID
VAK VAK VAK
Figure 2.4.a modèle idéal Figure 2.4.b Modèle avec seuil Figure 2.4.c Modèle réel
NB : Quelque soit le modèle électrique considéré, la diode est équivalente à un interrupteur
ouvert (figure 2.5) lorsqu’elle est bloquée.
A K
Figure 2.5 schéma équivalent d’une diode bloquée

2.2.4. Point de fonctionnement
C’est l’intersection de la droite de charge du circuit où la diode est utilisée et sa

caractéristique courant-tension.
La droite de charge est l’équation permettant de mettre en relation le courant I D et la tension
V D en fonction des paramètres de polarisation extérieurs. Pour la figure 2.3, l’équation de la
droite de charge est :
−1
E=R I D +V D → I D =
R
( V D−E )
L’intersection de cette droite avec la caractéristique de la diode I D =f (V D ), (figure 2.6),

donne le point de fonctionnement du circuit ( I D 0 , V D 0 ¿.
ID
ID
0
Vinvm
VD
ax V0 VD0

GONDA Moussa 18
Figure 2.6 Point de fonctionnement

2.2.5. Méthodes d'étude de circuits à base de diodes
2.2.5.1. Détermination de l'état d'une diode
La diode devient passante si la tension à ses bornes ( V A −V K ¿ est supérieure à sa tension de

seuil V 0 . La diode devient bloquée si la tension à ses bornes ( V A −V K ¿ est inférieure à sa
tension de seuil V 0 .
2.2.5.2. Détermination de l'état d'un réseau de diodes à cathodes ou anodes

communes
Dans un montage de diodes à cathodes communes (exemple figure 2.7.a), c'est la diode dont
le potentiel d'anode est le plus haut qui devient l'unique diode passante.
Dans un montage de diodes à anodes communes (exemple figure 2.7.b), c'est la diode dont le
potentiel de cathode est le plus bas qui devient l'unique diode passante.
Figure 2.7.a diodes à cathodes communes Figure 2.7.b diodes à anodes communes
2.2.5.3. Détermination de l'état d'une diode dans un circuit complexe
Dans un circuit donné, la ou les diode(s) est ou sont forcément dans l’un des deux états. Lors
de l’étude de certains circuits, il est parfois impossible d'établir l’état d’une diode en vertus
des règles précédentes. Une dernière méthode consiste donc à supposer l’un des deux états
(généralement on suppose que la diode est bloquée) puis à vérifier que les conditions
associées sont vérifiées. Si elles ne le sont pas, alors la diode est dans l’autre état.
Exemple avec la diode de la figure 2.8 où la tension E2 est connue.
R1
D
R2 VS
E1
E2

GONDA Moussa 19
Figure 2.8 diode dans un circuit complexe

On suppose que la diode D est bloquée. Dans ce cas on a :
R2
V A= E et V K =E 2
R 1+ R 2 1
Donc la condition de conduction est :
V A −V K >V 0 ⇒ E1 > 1+
( )
R1
R2
(V 0 + E2 )
Et la condition de blocage est :
V A −V K <V 0 ⇒ E1 < 1+
( )
R1
R2
(V 0 + E2 )
2.3. Le groupement de diodes
Souvent, il peut être intéressant de recourir à des groupements de diodes.

2.3.1. Le groupement série
Ce type de groupement de diodes (figure 2.9) est utilisé pour le redressement de très hautes
tensions en augmentant la tension inverse supportée par l’ensemble (en respectant certaines
contraintes) et la tension directe dans certains cas de stabilisations de tensions.
D1 D2
I
VD1 VD2
VD
Vinv
Figure 2.9 diodes en série

Avantages : augmente la chute de tension directe et augmente la tension inverse maximale
admissible (pour le redressement des très hautes tensions), ainsi on a :
V D=V D +V D et V inv =V inv D +V invD
1 2 1 2
Contraintes : utilisation de diodes de même référence, même fabricant et même série (date de
fabrication).
2.3.2. Le groupement parallèle
Ce type de groupement de diodes (figure 2.10) est utilisé pour augmenter l’intensité du
courant redressé en minimisant la chute de tension dans les diodes (quelques dixièmes de

GONDA Moussa 20
millivolts en moins) et pour répartir la chaleur dissipée dans les composants. Ce type de
groupement est utilisé par quelques fabricants d’alimentation de puissance de postes.
Les précautions suivantes doivent être prises : n’utiliser que des diodes de même référence, du
même fabricant et de la même série (date de fabrication) pour minimiser la dispersion des
caractéristiques des diodes et égaliser le courant dans chaque diode.
VD
I1 D1
I I
I2 D2
Figure 2.10 Diodes en parallèle

Avantages : augmente le courant redressé (I = I1 + I2) et minimise la chute de tension dans
les diodes (qqs 10 mv), économise une diode de puissance, répartit la chaleur dégagée par les
diodes.
Contraintes : utilisation de diodes de même référence, même fabricant et même série (date de
fabrication).
2.4. Diode Zener
Si l'on diminue l'épaisseur de la jonction PN et que l'on renforce le dopage, on obtient des
diodes dont le courant inverse peut devenir très important au delà d'une valeur de tension
inverse VZ0 dite tension coude ou tension Zener. La diode Zener (symbole figure 2.11.a) a
donc pratiquement les mêmes caractéristiques qu’une diode normale, sauf qu’elle est
optimisée par la technologie pour fonctionner en inverse.
La diode Zener est utilisée dans le but d’avoir une tension variant très peu avec le courant.
2.4.1. Caractéristiques
Comme pour la diode simple, la caractéristique non linéaire (figure 2.11.c) de la diode Zener
permet de modéliser cette dernière par un modèle linéaire dont les paramètres sont la tension
de Zener V Z 0 et la résistance interne r Z (figure 2.11.b) dans la zone de fonctionnement Zener.
La tension à ses bornes dans cette zone, se calcule aisément puisqu’on a :
U Z =V Z 0 +r Z I Z
A
A
UZ rZ
UZ
V Z0
IZ IZ
K K

GONDA Moussa 21
Figure 2.11.a Symbole Figure 2.11.b Modèle linéaire
IZ
V Z0 UZ
Figure 2.11.c Caractéristique courant / tension d’une diode Zener

2.4.2. Equivalents
Si U Z > 0 , la diode Zener est équivalente à une diode simple pour V D >0.
Si V Z 0 <U Z <V 0 , le schéma équivalent de la diode Zener est un interrupteur ouvert. Donc dans
cet intervalle, elle est équivalente à une diode simple polarisée en inverse.
Si U Z < V Z 0 ,la diode Zener fonctionne dans la zone de stabilisation.
2.5. Application des diodes
2.5.1. Paramètres essentiels des diodes
En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes

plutôt qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes,
sauf les suivants qui sont incontournables :
 V F: tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné ;
 I F : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de
fonctionnement ;
 I FSM : courant temporaire de surcharge (régime impulsionnel). En général, pour un courant
de surcharge donné, le constructeur spécifie l'amplitude des impulsions, leur durée, le
rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions qu'on peut appliquer ;
 V R: c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche) ;
 I R : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour
plusieurs températures (généralement 25oC et T MAX ). Ce courant n'est pas seulement celui
dû aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites à la surface de la puce
(le silicium est passivé par oxydation, et il peut subsister des impuretés qui vont permettre

GONDA Moussa 22
le passage de faibles courants). Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium est aussi

source de fuites.
Ces symboles sont ceux généralement employés par les différents constructeurs, mais il peut y
avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter à la documentation du constructeur
pour savoir comment sont spécifiés les paramètres, et à quoi ils correspondent exactement.
2.5.2. Redressements et filtrage
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du

secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques (entre autres).
2.5.2.1. Redressement simple alternance
C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur
e ( t ) dépasse la tension de seuil de la diode (figure 2.12.a), celle-ci conduit, laissant passer le
courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge u(t ) (figure 2.12.b) est alors
égale à la tension aux bornes du transformateur moins la chute de tension aux bornes de R et
la tension directe V D de la diode.
u(t )
R D e (t)
t
e (t) u(t )
Ru
Figure 2.12.a Montage de redressement Figure 2.12.b Allure des tensions d’entrée et de
simple alternance sortie
e ( t )=E max sinωt ; U max =Emax −V 0−V Rmax
Généralement la chute de tension aux bornes de la résistance de protection R est négligeable

donc, quand la tension e (t) devient inférieure à la tension de seuil, la diode est bloquée, la
tension aux bornes de la diode est alors égale e ( t ) : il faudra choisir une diode avec une tension
inverse au minimum égale à la tension crête Emax .
T
2
1 U
U moy = ∫
T 0
U max sinωtdt = max ; T période de e (t)
π

GONDA Moussa 23
2.5.2.2. Redressement double alternance
A la différence du montage de redressement simple alternance, toutes les alternances sont ici
redressées. Il existe deux types des montages de redressement double alternances :
 Avec transfo double enroulement ou transformateur à point milieu (figure 2.13.a) : Les
diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui
ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de
transformateur, la tension aux bornes de la résistance. Au total, elle devra supporter une
tension inverse double de celle requise dans le montage à simple alternance, soit deux fois
la tension crête présente sur chacun des secondaires ;
 Avec pont de Graëtz (figure 2.13.b) : Il existe une autre manière de faire du redressement
double alternance, ne nécessitant pas un transformateur à double enroulement : on utilise 4
diodes montées en pont, dit « pont de Graëtz ». Lorsque la tension aux bornes du
transformateur est positive, D1 et D3 conduisent, et quand elle est négative, D2 et D4
conduisent. Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du
transformateur (contre deux fois pour le montage de la figure 2.13.a), mais en revanche, on
a deux tensions directes de diode en série. La puissance totale dissipée dans les diodes est
double par rapport à la solution précédente.
D2 D1
e 1(t )
e 2 (t)
Ru
u(t ) D3 D4 u(t )
Figure 2.13.a Montage de redressement Figure 2.13.b Montage pont de Graëtz

avec transfo à double
enroulement
Les allures des tensions d’entrée et de sortie d’un montage de redressement avec transfo à
double enroulement sont représentées à la figure 2.14.
u ( t )=e 2 (t)>0
u ( t )=e 1 (t)>0
U moy
e 2 (t)<0
Chapitre 3 : Transistor bipolaire e 1 (t)<0 2016-2017
GONDA Moussa 24
Figure 2.14 chronogramme des tensions de sortie et d’entrée

L’allure de la tension à la sortie d’un pont de Graëtz est identique à celle de la sortie d’un
montage de redressement avec transfo à double enroulement ou à point milieu. Elle a donc la
même valeur moyenne.
e 1 ( t )=E max sinωtdt ; e 2 ( t )=−e1 ( t )
T
2
2 2 U max
U moy = ∫
T 0
U max sinωtdt =
π
2.5.2.3. Courant efficace I eff
L’intensité efficace d’un courant est la valeur du courant constant qui fournirait à chaque
période T , la même énergie W T à une résistance R parcourue par ce courant. La loi joule
donne :
T T
1
W T =∫ R i dt =R I eff T → I eff = ∫ i2 dt
2 2 2
0 T 0
Pour le redressement simple alternance, on a :

T
2
1 I
I eff 2= ∫
T 0
I max 2 sin 2(t)dt → I eff = max
2
Pour le redressement double alternance, on a :

T
2
2 I
I eff 2= ∫
T 0
I max 2 sin 2(t)dt → I eff = max
√2
2.5.2.4. Facteur de forme et taux d’ondulation
Le taux d’ondulation τ ond d’une grandeur ondulée est donné par :

I effond
τ ond = ,I :valeur efficace de l ' ondulation
I moy effond
Le facteur de forme F d’une grandeur ondulée est donné par :

I eff
F=
I moy
2 2
I eff I ond
i (t )=I moy + ∑ i ond → I eff =I moy + I ond →
2 2 2 2 2
2
=1+ 2
→ F =1+ τ ond
I moy I moy

GONDA Moussa 25
2.5.2.5. Filtrage
Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées. Pour
obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle avec
la charge. Pour le montage filtrage du redressement simple alternance (figure 2.15.a), l’allure
du signal filtré u(t ) est la courbe rouge de la figure 2.15.b. La charge est absolument
quelconque, et peut être un montage électronique complexe ayant une consommation en
courant aléatoire.
R D
e (t) C Ru u(t )
Figure 2.15.a Montage de redressement filtrage simple

alternance
e (t)
u(t )
Figure 2.15.b Allure de la tension redressée et filtrée par un

Montage redressement filtrage simple alternance
Sur la figure 2.15.b, le courant de décharge du condensateur est linéaire : il correspond à
l'hypothèse de décharge à courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à
la tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode
conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant
de recharge du condensateur.
Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension
de coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge forme alors une
boucle isolée du transformateur.

GONDA Moussa 26
Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie

accumulée dans la phase précédente.
Calcul du condensateur : La décharge est exponentielle et le calcul inutilement compliqué. Ce
calcul est assez éloigné des besoins réels. Très souvent, ces alimentations redressées et
filtrées sont suivies d'un régulateur de tension. La charge est fréquemment un montage
complexe ayant une consommation variable au cours du temps. Pour faire le calcul du
condensateur, on prendra donc une décharge à courant constant, le courant servant au calcul
étant le maximum (moyenné sur une période du secteur) consommé par la charge.
Avec ces hypothèses, le calcul du condensateur devient très simple : On considère que le
condensateur C se décharge à courant I max constant pendant un temps ∆ T et que la chute de
sa tension est inférieure à ∆ V . On a alors la relation :
C ∆ V =I max ∆ T
Le temps ∆ T choisi va être la période du secteur. En pratique, le condensateur va se

décharger moins longtemps (Figure 2.15.b), le calcul effectué conduit donc à le
surdimensionner légèrement.
Pour un redressement simple alternance, on aura un ∆ T de 20ms, qui correspond à l'inverse
de la fréquence secteur 50 Hz. La valeur du condensateur est alors :
I max
C=
f ∆V
Pour le redressement double alternance, les hypothèses seront les mêmes que précédemment.
La seule différence viendra du temps ∆ T ; vu qu'on a un redressement double alternance, la
fréquence du courant redressé est double de celle du secteur. La formule de calcul du
condensateur devient donc :
I max
C=
2f ∆V
A chute de tension égale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le
redressement simple alternance, ce qui est intéressant, vu la taille importante de ces
composants.
2.5.3. Anti-retour
Les diodes peuvent servir de détrompeur dans un circuit où la polarité est indispensable au
bon fonctionnement en empêchant la circulation du courant dans le mauvais sens. Par
exemple, en cas de coupure de l'alimentation principale un accumulateur de sauvegarde prend
le relais grâce à la diode et alimente la charge (figure 2.16).

GONDA Moussa 27
Figure 2.16 Montage anti-retour
2.5.4. Ecrêteur
Un circuit dont la tension d'entrée doit impérativement rester en dessous d'une valeur seuil Vs,
peut être protégé par un jeu de diodes montées en antiparallèle. En cas de dépassement de la
tension seuil Vs, l'une des deux diodes se mettra alors à conduire et assurera ainsi une
protection du circuit aval (figure 2.17).
Figure 2.17 Montage écrêteur

2.5.5. Protection de contact
L'ouverture d'un circuit inductif pose le problème du courant de rupture qui dégrade les
contacts à cause de la création d'un arc entre ceux-ci. La diode montée en parallèle (figure
2.18) sur la bobine permet la dissipation de l'énergie emmagasinée dans celle-ci et protège
ainsi le contact.
Figure 2.18 Protection de contact

2.5.6. Le doubleur de tension
Ce type de circuit à diodes fournit une tension de sortie continue du double de la tension
alternative d’entrée. L’intensité fournie est peu élevée. Dans le circuit de la figure 2.19,
chaque alternance charge respectivement un des 2 condensateurs, ce qui donne une tension de
sortie double aux bornes des 2 condensateurs.

GONDA Moussa 28
Figure 2.19 Montage doubleur de tension

Remarque : ce type de groupement peut être monté en série et répété dans le cadre d’un
multiplicateur de tension pour obtenir une très haute tension (plusieurs Kilo volts) mais il faut
apporter un soin particulier aux choix des condensateurs et à l’isolement des diodes utilisées
quand à la tension inverse ou directe supportée.
2.5.7. Stabilisation par diode Zener
De par leurs caractéristiques de générateur de tension, les diodes Zener sont idéales pour
réguler des tensions continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas des
tensions redressées filtrées).
Pour que la Zener fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant I Z non nul
circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension
d'entrée E et de la charge Ru (figure 2.20). La résistance R assure donc le rôle de polarisation
de la Zener, et elle sera calculée pour que la condition énoncée ci-dessus soit remplie. Il
faudra aussi veiller à ce que le courant I Z ne dépasse pas le courant I Zmax , sous peine de
détruire le régulateur.
I Iu
E UZ Ru
DZ
IZ
Figure 2.20 Montage du circuit de stabilisation par

diode Zener
Si la diode Zener est réelle, le montage de stabilisation à la configuration telle que présentée à
la figure 2.21.
I Iu
R
RZ
E UZ Ru
VZ0
IZ

GONDA Moussa 29
Figure 2.21 schéma équivalent

On peut définir deux coefficients de stabilisation pour caractériser le montage régulateur de
tension. En effet, il est loin d'être parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension
d'entrée et / ou la charge vont varier. On distingue deux coefficients :
 Coefficient de stabilisation amont : ce coefficient est représentatif de la sensibilité du
montage aux variations de la tension non régulée, et ceci à charge constante . c’est le
rapport :
∆UZ ste
=C
∆E
 Coefficient de stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la
tension de sortie quand le courant dans la charge varie ( Ru varie de − ¿ ¿ ∆ ), et ceci à
+¿ R u ¿
tension d'entrée constante. C'est le rapport :

∆UZ ste
=C
∆ Iu
2.5.8. La diode en commutation
Du point de vue de l’électronique de puissance, la diode est un interrupteur non commandé.

La diode est en état passant, quand un courant positif passe de A (anode) vers K (cathode)
c'est-à-dire que V AK >V s (tension de seuil). La diode est en état bloqué si V AK <0 . La diode de
puissance utilise une jonction PIN (avec I comme intrinsèque) constituée d’un empilement
des zones semi-conductrices P+, N- et N+ (figure 2.22). La zone intermédiaire N- assure une
bonne tenue en tension.
P+
N-
N+
Figure 2.22 Technologie de la diode de puissance

Comme une diode simple, la diode de puissance a les caractéristiques suivantes :
 V inv : tension inverse d’avalanche en polarisation inverse, au-delà de laquelle il y a

destruction de la jonction ;

GONDA Moussa 30
 V s : la tension de seuil en polarisation directe, au-delà de laquelle la diode conduit (de 0,8
V à 2 V) ;
 I M : le courant direct maximal d’emploi ;
 r d : la résistance interne de la diode en polarisation directe (pente de la droite, de 10 à 100
mΩ).
2.5.8.1. Puissance dissipée
Quand une diode conduit, la puissance moyenne qu’elle consomme est donnée par :
T
1
P D= ∫ v AK i AK dt ; v AK =V s +r d i AK
T 0
T T T
1 1 1
P D= ∫ (V ¿ ¿ s+ r d i AK ) i AK dt= ∫ V s i AK dt+ ∫ r d i AK dt ¿
2
T 0 T 0 T 0
Vs T rd T
P D= ∫ i AK dt + ∫ i AK dt=V s I moy +r d I ef
2 2
T 0 T 0
I moy et I ef sont respectivement le courant moyen et le courant efficace dans la diode.
2.5.8.2. Courant maximal admissible
Dans l’expression de P D, V s I moy est largement plus important que r d I ef 2. On classe donc les
diodes par courant moyen maximal.
Le courant maximal admissible est celui qui permet à la température de jonction de ne pas
dépasser sa valeur maximale dans des conditions de refroidissement données.
2.5.8.3. Effet de la capacité parasite
Les capacités parasites de la diode à jonction PN non seulement limitent le fonctionnement en

régime dynamique petits signaux de la diode, mais elles limitent également le fonctionnement
en régime de commutation (figure 2.23), puisque la tension aux bornes d'une capacité ne peut
varier brusquement.

GONDA Moussa 31
Figure 2.23 régime dynamique de commutation

En considérant la diode idéale (voir figure 2.24), le courant i à travers le circuit serait nul dés
que la tension de commande serait négative (diode bloquée) et serait égal à E1/R dès que la
tension de commande serait positive (diode passante).
En réalité, l'établissement du courant n'est pas instantané lors du passage de la tension de
commande de -E2 à E1, à cause de la capacité de transition CT qui impose une constante de
temps au circuit égal à RCT.
De même, l'extinction du courant lors du passage de la tension de commande de E1 à -E2 n'est
pas instantanée. En effet la capacité de diffusion Cd (Cd >> CT) impose la conduction de la
diode tant qu'elle n'est pas déchargée. De ce fait le courant i à travers le circuit devient négatif
et égal à -E2/R, pendant un temps ts (appelé temps de stockage). Ensuite, le courant tend vers
zéro sous l'influence de la capacité de transition CT.
Figure 2.24 Allure du courant dans une diode en commutation

Pratiquement, la valeur du temps de stockage ts est bien supérieur à tous les autres temps de
commutation de la diode et limite l'emploi de la diode en commutation vers les fréquences
hautes.
2.6. Les diodes particulières
2.6.1. Diodes électroluminescentes (LED)
Ces diodes peuvent émettre de la lumière quand elles sont polarisées en direct. La longueur
d’onde de la lumière émise dépend du semi-conducteur utilisé dans la fabrication de la diode
(ie. Gap) et quelques fois de la tension appliquée sur la diode et/ou du courant. Son symbole
est donné à la figure 2.25.

GONDA Moussa 32
Figure 2.25 Symbole de la LED

On distingue généralement: les diodes infrarouges qui émettent dans l’infrarouge (longueur
d’onde autour de 1μm) et les diodes qui émettent de la lumière visible; lumière rouge, vert,
bleue). Les diodes émettant dans le visible sont largement utilisées dans les afficheurs
numériques des instruments de mesure ou des appareils domestiques: afficheur à 7 segments;
conversion d’un signal électrique en signal optique pour transmission par fibre optique par
exemple; télécommandes infrarouges. L'efficacité lumineuse des DEL blanches) de dernière
génération (limitée théoriquement à 300[lm/W] est supérieure à celle des lampes à
incandescence mais aussi à celle des lampes fluocompactes ou encore de certains modèles de
lampes à décharge. Le spectre de la lumière émise est presque intégralement contenu dans le
domaine du visible (les longueurs d'onde sont comprises entre 400 nm et 700 nm).
Contrairement aux lampes à incandescence et aux lampes à décharge, les DEL n'émettent
quasiment pas d'infrarouge.
2.6.2. Autre diodes
Il existe encore beaucoup d'autres variétés de diodes. Citons entres autres :

2.6.2.1. Photodiode
Lorsqu’une jonction PN polarisée en inverse est exposée à un rayonnement lumineux, celui-ci

peut générer un grand nombre de paires électron-trou en brisant des liens covalents. Les
photoporteurs libérés dans la région de déplétion et au voisinage direct de celle-ci sont
entraînés par le champ électrique de la jonction, ce qui donne lieu à un courant inverse
important, proportionnel à l’intensité lumineuse incidente. Ce principe est à la base du
fonctionnement des photodiodes et des cellules solaires.
2.6.2.2. La diode Schottky
Dans les diodes Shottky, la jonction p n est remplacée par la jonction d'un métal avec un
semi-conducteur peu dopé (de type n car porteurs plus mobiles). Si le métal (anode) est positif
par rapport à la zone n (cathode) la jonction est conductrice. Cette diode ne fait intervenir
qu'un seul type de porteur. Cette diode (figure 2.26) fonctionne comme une diode classique,
mais elle présente deux avantages : une tension de seuil Vs faible (Vs =0.3 V); un temps de
commutation (passage de l’état passante à l’état bloquée et inversement) très faible (de l’ordre
de10ns) et elle présente une capacité beaucoup plus faible. On l’appelle parfois "diodes
rapide". Elle est souvent utilisée dans les applications où le temps de commutation de la diode
est critique comme dans les applications hautes fréquences (à partir de 1 MHz).

GONDA Moussa 33
Figure 2.26 Symbole de la diode Schottky

2.6.2.3. Les diodes Varicap (ou varactor): diodes à capacité variable
Polarisée en inverse, la diode varicap (figure 2.27) est équivalente à une capacité C dont la
valeur est variable en fonction de la tension inverse appliquée. Grâce à ce type de diode, on
peut réaliser une capacité variable commandée par une tension. Avec la technologie actuelle,
la valeur de la capacité ne peut dépasser quelques 100 pF (pico farad = 10-12F). Ces diodes
sont utilisées à hautes fréquences (à partir de 100 MHz). On l'utilise par exemple pour régler
la fréquence de résonance d’un capteur (circuit RLC) de signaux radiofréquences de l’lRM
(Imagerie par Résonance Magnétique) en agissant sur la tension de commande. Les capteurs
de la dernière génération sont équipés de ce type de diode.
Figure 2.27 Symbole de la diode varicap

2.6.2.4. La diode Tunnel
Dans une diode tunnel (symbole figure 2.28.a), le dopage des couches N et P est plus
important qu’une diode standard ainsi la barrière de potentiel est d’une valeur différente ce
qui produit un comportement différent.
En sens inverse, la diode conduit. En sens direct, l’effet tunnel apparaît et à partir d’une
certaine tension on observe une décroissance de l’intensité (figure 2.28.b) ce qui correspond à
une résistance négative « virtuelle ».
Figure 2.28.a Symbole de la diode Figure 2.28.b Caractéristique courant/tension de la diode

Tunnel Tunnel

GONDA Moussa 34
NB : Il existe plusieurs d’autres types des diodes. On peut citer entre autre diode PIN, diode
laser, … etc.

GONDA Moussa 35
Chapitre 3 : Transistor bipolaire
3.1. Introduction à l'effet transistor
Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les porteurs
minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation thermique)
traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se recombiner
avec les porteurs opposés.
Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si on injecte dans la zone N
d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les électrons de la
zone N, ils vont traverser la jonction et créer un courant dans le circuit extérieur. Comme on
le voit à la figure 3.1, il y aura des recombinaisons (charges + et - encerclées), mais limitées,
et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I 2. A noter que les
recombinaisons correspondent au courant I1-I2.
Figure 3.1 illustration de l’effet transistor

3.1.1. Transistor réel
Ce que nous venons de décrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que le
moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient
faibles, pour que la majorité des trous passent dans la zone P.
3.1.2. Principe de fonctionnement
Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l'on va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage de la figure
3.1. Cette zone P qui injecte les trous est alors l'émetteur, et la zone N, faiblement dopée est la
base. Comme dans le schéma de la figure 3.1, la jonction NP est polarisée en inverse. La
deuxième zone P est le collecteur (voir Figure 2).
Chapitre 3 : ire 2016-2017 GONDA
Moussa 36
Figure 3.2 structure d’un transistor

Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se recombiner avec
les électrons de la base pour deux raisons :
 la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu
nombreux ;
 la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique collecteur-
base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires injectés par l'émetteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phénomène d'un point de vue différent : quand on injecte un électron dans
la base, l'émetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se
recombine avec l'électron émis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur.
En première approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au
nombre d'électrons injectés dans la base.
Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et s'appelle le gain en
courant β .
Il ne dépend que des caractéristiques physiques du transistor : il ne dépend ni de la tension
inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur.
3.2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor
Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de
trois SCE, respectivement de type N, P et N (transistor NPN) ou P, N et P (transistor PNP) à
l’aide de deux jonctions PN.
Figure 3.3 Structure et symbole d’un transistor

GONDA Moussa 37
La couche médiane est appelée base. La géométrie et la concentration en impuretés

distinguent les deux couches externes: émetteur et collecteur. Par extension, on appelle
également base, émetteur et collecteur les trois électrodes qui donnent accès aux trois couches
correspondantes.
Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux
régions entre lesquelles elles assurent la transition: on trouve, par conséquent, la jonction
base-émetteur (B-E) également dénommée jonction de commande et la jonction base-
collecteur (B-C).
Le sens de la flèche sur le symbole indique le sens de passage de la jonction Base-Emetteur ;
il repère en outre l’émetteur.
3.3. Principe de fonctionnement
Les divers cas de fonctionnement du transistor dépendent des valeurs des tensions aux
jonctions B-E et B-C. Si l’on considère l’état bloqué et l’état passant de chaque jonction, on
dénombre quatre modes de fonctionnement possibles :
 le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse ;
 le transistor est en fonctionnement normal lorsque la jonction de commande B-E est en
polarisation direct et que la jonction B-C est en polarisation inverse;
 le transistor est saturé lorsque ses deux jonctions sont en polarisation directe.
3.3.1. Blocage
Aucun courant ne circule dans un transistor bloqué puisque ses deux jonctions sont polarisées
en sens inverse. Le transistor se comporte comme un circuit ouvert de telle sorte que le
collecteur est isolé de l’émetteur.
3.3.2. Fonctionnement normal
On considère la figure 3.4. IE IC

N P N
K
IB
EB EC
Figure 3.4 schéma de principe de la

polarisation d’un transistor
 K ouvert, on a : I E =0 ; I C =I CB 0 très faible

 K fermé, on a : I E important, I C important et I B relativement faible
On aura donc :
I C =α I E + I CB 0 et I E =I B + I C ⇒ I C =α ( I B + I C ) + I CB0

GONDA Moussa 38
D’où, en posant :
α
β= et I CE 0=( β +1 ) I CB 0
1−α
On a : I C =β I B + ( β+1 ) I CB0=β I B + I CE0
NB : Le courant I CE0 (appelé courant de fuite) correspond au courant circulant dans le

collecteur lorsque I B=0. Il est dû à des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le
collecteur.
En pratique, aux températures ordinaires, ce courant de fuite sera négligé. On s'arrange pour
polariser les montages de telle manière que le point de polarisation soit quasiment
indépendant du courant de fuite.
3.3.3. Fonctionnement saturé
En fonctionnement saturé, I B ne contrôle plus I C. Toute augmentation de I B n’entraine plus

celle de I C (figure 3.5) ce qui justifie le terme de saturation.
IC
I Csat
IB
I Bsat
Figure 3.5 courbe de transfert en courant en commutation

3.4. Réseaux des caractéristiques
Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il faut déterminer six

grandeurs (voir figure 3.6) :
 I B , I C , I E et ,V BE ,V CB ,V CE . I B et V BE sont les variables du circuit d’entrée et I C et V CE sont

les variables du circuit de sortie.
V CB IC
IB
V CE EC
V BE
EB IE
Circuit d’entrée Circuit de sortie

GONDA Moussa 39
Figure 3.6 les différentes variables d’un transistor
3.4.1. Caractéristiques de sortie ( I C =f ( V CE ) à I B constant ¿
A chaque valeur de I B correspond une caractéristique I C =f ( V CE ) . Sur ces caractéristiques

(figure 3.7) on distingue deux zones :
 une zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette
caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très grande : en
première approche, on considérera que la sortie de ce montage à transistor est un
générateur de courant parfait ;
 la zone des faibles tensions V CE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est différente.
C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur diminue pour devenir très
faible. On a une caractéristique ohmique déterminée principalement par la résistivité du
silicium du collecteur. Les tensions de saturation sont toujours définies à un courant
collecteur donné : elles varient de 50mV pour des transistors de signal à des courants
d'environ 10mA, à 500mV pour les mêmes transistors utilisés au maximum de leurs
possibilités (100 à 300 mA), et atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des
courants de l'ordre de 10A.
Figure 3.7 Réseau des caractéristiques de sortie

Remarque
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien
déterminé (voir figure 3.8). Ce domaine sera limité par trois paramètres :
 le courant collecteur maxi I CMAX ;
 la tension de claquage V CEMAX ;
 la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être représentée par une
hyperbole sur le graphique.

GONDA Moussa 40
PTrMAX est donnée par la relation :
PTrMAX
PTrMAX =V CE . I C ⇒ I C =
V CE
Figure 3.8 Hyperbole de puissance d’un transistor

NB : Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Figure 8) est donc
interdite.
3.4.2. Caractéristique de transfert en courant I C =f (I B ) à V CE constante
Le réseau de transfert en courant est constitué par un ensemble des droites de pente β . Cette
dernière dépend légèrement de V CE . Ces droites sont généralement considérées confondues
(voir figure 3.10).
3.4.3. Caractéristiques de transfert en tension V BE=f ( V CE ) , I Bconstant
Ce sont des droites presque horizontales généralement considérées confondues (voir figure
3.10). Chacune d’elles s’obtiennent à un courant I Bconstant donné.
3.4.4 Réseau de caractéristiques d’entrée I B=f ( V BE ) ,V CE constante
Les allures des caractéristiques d’entrée sont semblables à la caractéristique courant/tension

d’une diode dont la tension de seuil est à peu près égale à 0,6 V pour un transistor au Si. Elles
sont pratiquement confondues (voir figure 3.9).
V CE =15 V
IB
V CE =5 V
Chapitre 3 : Transistor bipolaire V BE 2016-2017

GONDA Moussa 41
Figure 3.9 Réseau des caractéristiques d’entrée
3.4.5. Réseau des caractéristiques
Toutes les caractéristiques d’un transistor peuvent être vues à la figure 3.10.
Figure 3.10 Réseau des caractéristiques d’un transistor

3.5. Transistor bipolaire en régime statique (polarisation)
3.5.1. Point de repos
Soit le montage de la figure 3.11. E B , R B , E C et RC constituent les paramètres de polarisation

du transistor. Ils permettent de déterminer les coordonnées du point de repos ¿.
RC
V CB IC
IB RB
V CE EC
V BE
EB IE
Figure 3.11 circuit de polarisation d’un transistor

GONDA Moussa 42
3.5.1.1. Droite d’attaque statique
Elle est donnée par la relation qui lie les variables d’entrée. Ainsi la maille d’entrée du circuit
de la figure 3.11 permet d’écrire :
−1
∆ A ≡ I B= ( V −E B )
R B BE
∆ A est la droite d’attaque.
L’intersection de la droite d’attaque et la caractéristique d’entrée [ I B =f ( V BE ) ]détermine le

point de repos à l’entrée (V ¿ ¿ BE 0 , I B 0)¿ voir la figure 3.12.
3.5.1.2. Droite de charge statique
Elle est donnée par la relation qui lie les variables de sortie. Ainsi la maille de sortie du circuit
de la figure 3.11 permet d’écrire :
−1
∆ C ≡ IC = ( V −EC )
RC CE
∆ C est la droite de charge statique.
Le point de repos à la sortie (V ¿ ¿ CE 0 , I C 0 )¿ est déterminé par L’intersection de la droite

charge et la caractéristique de sortie [ I C =f ( V CE ) ] voir la figure 3.12.
I C (mA ) I B=I B 3
EC
I B=I B 2
RC
I B=I B 1
I B=I B 0
S0 ∆C
IC0
EB I B=I B−1
RB I B0
I B (μA) V CE (V )
V CE 0 EC
V BE 0
E0
EB
∆A
V BE (V )
Figure 3.12 Détermination des points de repos

GONDA Moussa 43
3.5.2. Circuits de polarisation du transistor bipolaire
Les principaux circuits de polarisation du transistor bipolaire sont :

 Polarisation par résistance de base (figure 3.13.a) ;
 Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 3.13.b) ;
 Polarisation par pont de résistances et résistance émetteur (figure 3.13.c).
Figure 3.13.a Figure 3.13.b Figure 3.13.c

3.5.3. Stabilisation thermique
Les éléments qui influent sur le point de repos sont les éléments de polarisation et les
caractéristiques du transistor. Si on suppose que les éléments de polarisation ne sont pas
susceptibles de varier, on ne peut pas négliger la variation des caractéristiques du transistor.
3.5.3.1. Influence de la température
Quand To ↗ ⇒IC ↗ ⇒P↗ ⇒ To ↗ de nouveau ⇒risque d’emballement thermique ⇒nécessité

de stabiliser le point de repos.
∆ V BE
VBE : Pour un même courant I B , ≃ 0 , 5 mV /¿oC.
∆T
3.5.3.2 Choix du point de repos
La température du transistor a deux origines :

 Température ambiante ;
 L’échauffement propre du transistor dû à la puissance qu’il dissipe :
P ≃ V CE I C
Application : soit le montage de la figure 3.13.a. Etudier la variation de la puissance en

fonction du courant I C. Conclure. Que dire si on choisit :
E E
V CE = et I C =
2 2 RC
3.5.4. Facteurs de stabilisation thermique
La variation du courant I C (∆ I C ) est due essentiellement à celle du I CB0 (∆ I CB 0) mais aussi aux
variations de V BE (∆ V BE) et β (∆ β ).

GONDA Moussa 44
∆ I C =S1 ∆ I CB0 + S 2 ∆ V BE +S 3 ∆ β
Les coefficients S1 , S 2 et S 3 sont appelés facteurs de stabilisation. On les définit de la manière

suivante :
S 1=
∆ IC
∆ I CB0 |β=C
V BE =C
st
st
; S 2=
∆ IC
∆ V BE |
I CB 0=C
β =C st
st ; S 3=
∆ IC
∆β |
I CB 0=C
st
V BE=C st
La stabilisation thermique sera d’autant meilleure que les facteurs de stabilisations ont des
valeurs absolues faibles.
Application : Faire l’analyse des différents montages de polarisation vus (figures 3.13.a,
3.13.b et 3.13.c).
3.5.5. Paramètres essentiels des transistors
Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètres suivants :
 Le V CEMAX que peut supporter le transistor ;

 Le courant de collecteur maxi I CMAX ;
 La puissance maxi que le transistor aura à dissiper (ne pas oublier le radiateur !) ;
 Le gain en courant β ou h FE;
 Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation V CEsatMAX sera un critère
de choix essentiel.
A titre d'exemple, voici ce qu'on peut trouver dans un catalogue de fabricant :
Type Package VCE max IC max PTOT hFE hFE max

number (V) (mA) (mW) min
2N3904 TO-92 40 200 500 100 300
2N3906 TO-92 40 200 500 100 300
BC337 TO-92 45 500 625 100 600
BC547 TO-92 45 100 500 110 800
BD135 TO-126 45 1500 8000 40 > 40
Package" signifie "boîtier": il existe de nombreuses formes de boîtier, qui sont codifiées. En
voici quelques exemples à la figure 3.14.

GONDA Moussa 45
Figure 3.14 Exemples des boîtiers d’un transistor bipolaire

S'agissant du brochage de tel modèle particulier, il est impératif de se reporter à sa « data
sheet » ou à un catalogue.
On notera que parmi les modèles représentés ci-dessus, les BD135, TIP140 et 2N3055 sont
des transistors dits "de puissance". Le 2N3055 peut dissiper 115 watts! En revanche, leur gain
en courant est limité. Le BC547 est sans doute l'un des transistors les plus répandus et il
remplace bien souvent, sans autre forme de procès, des modèles moins courants.
3.5.6. Modélisation du transistor en régime statique
On peut modéliser un transistor en régime statique par schéma électrique équivalent suivant
son état de fonctionnement (voir figure 3.15).
Figure 3.15 Modèles équivalent d’un transistor

3.6. Transistor bipolaire en régimes variables
Les différents régimes de fonctionnement d’un transistor bipolaire sont :

 Régime statique (polarisation) ;
 Régime de commutation (bloqué-saturé);
 Régime d’amplification.

GONDA Moussa 46
3.6.1. Transistor bipolaire en commutation

3.6.1.1. Principe
On considère le montage de la figure 3.16. Un inverseur permet de relier la résistance R B soit

au générateur (fonctionnement saturé) soit à la masse (fonctionnement bloqué).
Figure 3.16
Les équations des droites d’attaque et de charge pour le montage de la figure 18, sont :
−1 −1
I B=
RB
( V BE−e B ) ; I C = ( V −E ) ; e B=KE .
RC CE
On peut en déduire le point de fonctionnement du montage en fonction de l’intensité du

courant de base. Pour le régime de commutation, le transistor est polarisé de sorte qu’il soit
saturé lorsqu’il conduit.
3.6.1.2. Fonctionnement bloqué
Un transistor se bloque lorsque les jonctions B-E et B-C sont polarisées en inverse et le
courant de base négatif pour le NPN et positif pour le PNP.
Quand R B est relié à la masse (K =0)⇒e B =0 ⇒ I B ≤ 0 ⇒ transistor bloqué.
3.6.1.3. Fonctionnement saturé
En fonctionnement saturé, on a : V CE =V CEsat ≃ 0 , 3 V . Au départ I B= β I C mais très

rapidement I C atteint sa valeur de saturation donc, I B↗ mais I C reste à :
E−V CEsat E
I C =I Csat= ⇒ I Csat ≃
RC RC
Quand le transistor est saturé, on a :

I Csat E
I B> ⇒ I B>
β βRC
Lorsqu’on souhaite polariser un transistor en régime de commutation, on choisit les

I
paramètres de polarisation de sorte que I B > Csat lorsqu’il conduit.
β

GONDA Moussa 47
I Csat
NB : lorsque 0< I B < , le transistor fonctionne en régime d’amplification.
β
3.6.2. Régime d’amplification
En régime d’amplification (figure 3.17), une fois le point de fonctionnement (

I B 0 , I C 0 , V BE 0 , V CE0 ¿ fixé pour une amplification, on ajoute à I B 0 un courant alternatif i b (t) lié
au signal à amplifier. On obtient ainsi :
i B ( t )=I B 0 +i b ( t ) , v BE ( t )=V BE 0+ v be ( t ) ,i C ( t ) =I C 0 +i c (t ) et v CE ( t )=V CE 0+ v ce ( t )
{ {
I B =I B 0+ i b (t) I B =i B ( t )
I C =I C 0 +i c (t) I C =i C ( t )
avec
V BE =V BE 0 + v be (t) V BE=v BE ( t )
V CE =V CE 0+ v ce (t) V CE =i CE ( t )
Figure 3.17 Amplificateur à transistor bipolaire

NB : C1 et C2 sont des condensateurs de liaison. Ils se comportent comme des courts-circuits
en continu et des circuits ouverts pour les variations. Ils permettent d’éliminer les
composantes continues utilisées pour la polarisation.
On considère le signal d’entrée (figure 3.17) V e (t )=V + v e ( t ) avec v e ( t )=V emax sin ⁡( ωt)
Résumé
Le point de fonctionnement à l’entrée se déplace constamment entre les points (figure 3.18) :
 E1 qui correspond à v e ( t )=V emax ;
 E2 qui correspond à v e ( t )=−V emax .
Il passe par E0 lorsque v e ( t )=0.
Le courant i B ( t )=I B 0 + I bmax sin ( ωt ) et la tension v BE ( t )=V BE 0 +V bemax sin ( ωt ) ;
Comme i B varie avec le temps, le point de fonctionnement à la sortie se déplace constamment

entre S1 et S2 qui correspondent respectivement à
i B =I B 0 + I bmax
et à

GONDA Moussa 48
i B =I B 0−I bmax
Le courant
i C ( t )=I C 0 + I cmax sin ( ωt )
et la tension
v CE ( t ) =V CE0 −V cemax sin ( ωt )
i c (t)
i b (t) IC
S1
S0
S2
IB V CE
E2 v ce (t)
E1 E0
v be (t)
V BE
Figure 3.18
3.6.2.1. Droite de charge dynamique
Elle est obtenue comme la droite de charge statique mais faisant intervenir les éléments à
considérer en dynamique (figure 3.17).
Application : calculer la droite de charge dynamique du circuit représenté à la figure 3.17.
3.6.2.2. Influences des caractéristiques du transistor sur les signaux dynamiques
Si le signal v e ( t )=V emax sin ( ωt ) , i b (t ) ,i c ( t ) , v be ( t ) et v ce (t) sont normalement des sinusoïdes.

Mais la forme non rectiligne des caractéristiques d’entrée et de sortie fait que les signaux ci-
dessus peuvent être déformés par rapport à la forme sinusoïdale.

GONDA Moussa 49
Même si les grandeurs d’entrée sont exactement sinusoïdales, le fait que les caractéristiques
de sortie ne sont pas rigoureusement équidistantes entraine une déformation des grandeurs de
sortie.
3.6.2.3. Influence de R B sur la distorsion des signaux
Si R B est faible, c’est la commande en tension. L’équation de la droite d’attaque dynamique

−1 −1
pure est : i b= (v be −v e ). Cette droite a donc pour pente très importante ⇒
RB RB
R B i b ≪ v e ⇒ v be =v e .
Les points E1 et E2 ne sont plus symétriques par rapport à E0 (voir figure 3.18), il en résulte
une distorsion de i b ,i c et v ce.
ve
Quand R B très grande (commande en courant), on a : v be ≪ R B i b ⇒ i b ≃ . Les points E1 et E2
RB
sont symétriques par rapport à E0. Le signal i b est pratiquement sinusoïdal et les signaux v ce et
i c ne sont pas ou sont très peu déformés.
Conclusion : la commande en courant entraine un minimum de distorsion des signaux de

sortie pour le transistor bipolaire.
3.6.3. Régime des petits signaux en basses fréquences (audiofréquences)
3.6.3.1. Définition
Lorsque les variations d’une grandeur par rapport à sa valeur de repos, sont très faibles en
amplitude, on dit que c’est le régime des petits signaux.
i b ≪ I B 0 , i c ≪ I C 0 , v be ≪ V BE 0 , v ce ≪ V CE 0
Dans ces conditions, les parties décrites par les points de fonctionnements peuvent être
assimilées à des segments de droites passant les points de repos.
3.6.3.2. Schéma équivalent du transistor bipolaire en régime des petits signaux
Soit la figure 3.19 où les signaux sont en dynamique pur.
ic
ib
v ce
v be

GONDA Moussa 50
Figure 3.19 les signaux dynamiques purs

Pour établir les équations des caractéristiques de sortie en dynamique pur, on prend S 0 comme
origine du repère (i b=0 ) figure 3.18, l’équation de la droite qui y passe est de la forme :
d ic 1
y=ax ⇒ i c =a v ce et a= =
d v ce ρ
Toutes les caractéristiques ne passant pas par S0 (i b ≠ 0 ) ont des équations de la forme :
y=ax+ b ⇒ i c =a v ce + b ; v ce =0 ⇒ ic =b=β i b
ρ est la résistance de sortie et β le gain en courant du transistor.
On peut ainsi écrire :

1
i c = v ce + β i b
ρ
On peut modéliser la sortie du transistor de la figure 3.19 par le schéma de la figure 3.20.
ic
β ib ρ v ce
Figure 3.20 schéma équivalent à la sortie

d’un transistor bipolaire
Pour établir les équations des caractéristiques d’entrée en dynamique pur, on considère E 0 (
v be=0 ) comme origine du repère (figure 3.18). Donc la caractéristique d’entrée qui y passe a
une équation de la forme :
1
y=ax ⇒ i b =a v be ⇒ v be = i b=a ' i b
a
Pour les caractéristiques d’entrée ne passant pas par E0 ont des équations de la forme :
' '
y=a x +b ' ⇒ v be =a ib + b '
On détermine :
'
a=
d v be
d ib
'
et b =
d v be
d v ce | i b=0
=μ
r est la résistance d’entrée sortie en court-circuit et μest le coefficient de réaction interne du

transistor ( μ ≃ 0). On a donc :

GONDA Moussa 51
v be=r i b + μ v ce
On peut modéliser l’entrée du transistor de la figure 3.19 par le schéma de la figure 3.21.a. La
figure 3.21.b est le schéma équivalent d’un transistor bipolaire en régime de petits signaux
ib ib ic
r r
v be v be β ib ρ v ce
μ v ce μ v ce
E E
Figure 3.21.a Figure 3.21.b schéma équivalent

3.6.4. Les paramètres hybrides d’un transistor
3.6.4.1 Notion sur les quadripôles
On peut modéliser n’importe quel circuit à 4 pôles sous la forme de la figure 3.22. Ce modèle
s’appelle quadripôle.
Figure 3.22 schéma d’un quadripôle

On définit les paramètres d’un quadripôle selon les relations qui lient les grandeurs d’entrée
(U1, I1) aux grandeurs de sortie (U2, I2). Les paramètres hybrides notés hij sont les éléments de
la matrice hybride notée H tel que :
[ ] [ ]
U1
I2
I
U2
h h
[
= [ H ] 1 avec [ H ] = 11 12 ⇒ U 1=h11 I 1 +h12 U 2
h21 h22 I 2=h21 I 1+ h22 U 2 ]{
Ainsi on obtient :
h11 =
U1
I 1 U =0| '
:impédance d entré à sortie en CC
2
h21=
I2
I1 |
U 2=0
: gain en courant , sortie en CC
h12=
U1
U2 |
I 1=0
:gain inverse en tension , entré ouverte
h22=
I2
U2 |
I 1=0
:admittance de sortie , entré ouverte

GONDA Moussa 52
Le montage de la figure 3.23 est le schéma équivalent d’un quadripôle suivant les paramètres
hybrides.
h11
I1 I2
h21 I 1
+ U2
U1 h12 U 2 h22
−1
Figure 3.23 schéma équivalent d’un quadripôle

3.6.4.2. Montages base commune (BC), émetteur commun (EC) et collecteur commun
(CC)
On parle du montage base commune lorsque la base d’un transistor est en même temps
accessible à l’entrée et à la sortie (figure 3.24.a). On parle du montage collecteur commun
lorsque le collecteur d’un transistor est en même temps accessible à l’entrée et à la sortie
(figure 3.24.b). L’émetteur commun (figure 3.19) quant à lui permet d’avoir accès à
l’émetteur du transistor à l’entrée.
is
ie is ie
vs
ve ve
vs
Figure 3.24.a Montage base commune Figure 3.24.b Montage collecteur

commun
NB : Le montage EC est de loin le montage plus utilisé dans les circuits électroniques.
3.6.4.3. Les paramètres hybrides
Quelque soit le type de montage (BC, CC ou EC), un transistor peut être vu comme un
quadripôle. Ainsi, on peut déterminer ses paramètres hybrides. Pour les différencier selon le
type du montage adopté, on utilise les indices b (hijb) pour le montage BC, c (hijc) pour le
montage CC et e (hije) pour le montage EC.
NB : Les hij d’un type de montage à un autre ne sont pas identiques. Exemple : h11e ≠ h11b.
Quand l’indice n’est pas spécifié dans le schéma équivalent d’un transistor dans un montage,
il s’agit des hije. La quasi-totalité des schémas équivalents d’un transistor des les montages
utilise les hije.

GONDA Moussa 53
Il faut aussi noter qu’il n’y a pas de différences entre le schéma équivalent d’un transistor
NPN et celui d’un transistor PNP pour la simple raison que le sens du courant n’est pas
important.
Pour le montage EC, h11 est la pente de la caractéristique d’entrée autour du point de repos, h 12
est négligeable.
1
h21=β et h22=
ρ
A la température de 25 °C, on a :

GONDA Moussa 54
25 25 β
h11 e ( Ω )= = ; I ou I C de polarisationChapitre 4 : Transistor à effet de
I B ( mA ) I C (mA ) B
champ
4.1. Transistor à effet de champ à jonction (TEC à jonction)
Le TEC à jonction est un transistor unipolaire. Il fonctionne uniquement grâce aux porteurs
majoritaires. Son acronyme anglais est JFET (Jonction Field Effet Transistor). Contrairement
aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose deux types de porteurs les trous et les
électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de charges, les trous ou les
électrons.
4.1.1. Structure et symbole du TEC
Le nom effet de champ se rapporte à la couche de déplétion qui entoure chaque jonction PN
(figure 4.1). Les électrons qui circulent de la source au drain passent le canal réservé entre les
deux zones de déplétion. La largeur de ces zones détermine celle du canal. Plus la tension V GS
est négative, plus le canal devient étroit. Donc cette tension commande le courant.
La différence essentielle entre un TEC à jonction et un transistor bipolaire est que la grille est
soumise à une tension négative (VGS) alors que la base est soumise à une tension positive
(VBE). Le TEC à jonction est un dispositif commandé par la tension alors que le transistor
bipolaire est commandé par le courant.
Il existe deux types de TEC : TEC à canal N et TEC à canal P (figure 4.2).
Couches de déplétion
ID
D
N
G G
P P V DS
N
V GS
S
Figure 4.1 Structure d’un TEC
D D
VDS < 0
VDS > 0 G
G VGS > 0
VGS <0
S S
TEC à canal N TEC à canal P
Chapitre 4 : Transistor à effet de champ 2016-2017
GONDA Moussa 55
Figure 4.2 symboles du TEC

4.1.2. Réseaux de caractéristiques
On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage de la figure 4.3 En

fonctionnement normal la jonction grille–canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée I G
est très faible et les courants de drain et de source sont identiques.
Figure 4.3
4.1.3.1. Réseau d'entrée
Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des tensions V GS négatives et
inférieures à la tension de claquage inverse. La caractéristique d’entrée est celle d’une diode
polarisée en inverse. On a donc toujours : IG = 0.
4.1.3.2. Réseau de sortie
Dans le réseau des caractéristiques de sortie I D =f (V DS ) (figure 4.4), on observe quatre zones
différentes. Une zone linéaire dite résistive, une zone de coude, une zone de saturation (I D ≃
constant), et zone d’avalanche.
VGS = 0
IDSS
VGS = -1
VGS = -2
VGS =-VP
VDS
VP - 2 VP - 1 VP
Figure 4.4 réseau des caractéristiques de sortie

A partir de la caractéristique de sortie, pour l’interprétation du fonctionnement d’un TEC, on
a deux cas :

GONDA Moussa 56
 1ier cas : VGS = 0 :dans ce cas le fonctionnement d’un TEC passe par trois étapes distinctes
lorsque VDS augmente ;
 lorsque VDS est faible, le courant ID tend à augmenter avec VDS : donc le canal se
présente comme une résistance ohmique linéaire jusqu’à une valeur V DS = VP où VP est
la tension de pincement ou de coude (pinch of voltage) ;
 quand VDS > VP, deux phénomènes simultanés se produisent :
 le courant ID tend à augmenter avec VDS ;
 la jonction G-D est polarisée en inverse et présente une zone de transition
dépeuplée en porteurs libres ce qui étranglera le canal et le courant I D tend à
diminuer. Donc les deux phénomènes précédents font que le courant I D reste
constant. Cette zone est appelée zone de pincement.
 Quand VDS atteint une valeur limite, la jonction G-D atteint zone de claquage.
 2ième cas : VGS < 0 : si on maintient VGS négative, on accentue la polarisation inverse de la
jonction G-D. Donc la zone de pincement sera à partir de V DS =VGS + VP. Lorsque VDS = 0
⇒ VGS = -VP = VGSof et ID = 0.
NB : Le TEC est utilisé dans la zone de pincement.
4.1.3.3. Caractéristique de transfert I D =f (V GS)
La courbe I D =f (V GS) a pour expression :

2
V GS
I D =I DSS (1− )
V GSof
I DSS : courant mesuré lorsque V GS=0. I D =f (V GS) est une courbe quadratique voir figure 4.5.
C’est pour cela que les TEC sont souvent appelés des composants quadratiques.
VGS = 0
I D =f (V GS) IDSS
VGS = -1
VGS = -2
VGS =-VP
VGS VDS
VGSof
Figure 4.5 réseau des caractéristiques d’un TEC

Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des paramètres. Pour un
même type, le courant drain maximum I DSS et la tension VGS de pincement (VP) peuvent varier
d’un facteur 4 à 5.
La pente de la caractéristique de transfert au point de fonctionnement est appelée la
transconductance conductance mutuelle. On la note gm.

GONDA Moussa 57
gm [ Ω ] =
−1
d V GS
=
VP (
d I D 2 I DSS
1+
VP
=
)
V GS −2 I DSS
V GSof
1−
(
V GS
V GSof )
2 I DSS −2 I DSS
SiV GS=0⇒ gm 0= =
VP V GSof
SiV GS=V GSof ⇒ gmof =0
4.1.3. Influence de la température
La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit une croissance
du courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec la température. C’est le second
effet qui est prépondérant pour le courant drain élevé et il n’y a pas de risque d’emballement
thermique avec les transistors à effet de champ.
4.1.4. Polarisation des transistors à effet de champ
A cause de cette dispersion des paramètres, il est impossible de régler le point de

fonctionnement en imposant le potentiel de grille car I D peut varier de manière trop
importante pour une tension VGS donnée.
4.1.3.1. Polarisation automatique
La grille est reliée à la masse par une résistance R G de forte valeur (figure 4.5.a). Comme le
courant grille est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance
de source une chute de tension égale à R SID. La tension grille-source vaut donc : V GS = - RSID.
La grille est bien négative par rapport à la source.
 l’équation de la droite d’attaque est : VGS = - RSID ;
 et celle de la droite de charge est : E =VDS + (RS + RD)ID.
L'intersection de ID = -VGS /RS avec la caractéristique de transfert (voir figure 4.5.b) définit la
tension VGS et la valeur de ID au point de fonctionnement.
VGS = 0
RD
VGS = -1
E
VGS = -2
RG RS VGS = -VP
VGS
-VP VDS
Figure 4.5.a Figure 4.5.b

GONDA Moussa 58
L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique qui correspond à V GS donne la

valeur de VDS.
Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augmente ce qui
diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-réaction qui
stabilise le point de fonctionnement.
4.1.3.2. Polarisation centrée
On parle de la polarisation centrée lorsque :

I DSS V GSof
I D= et V GS =
2 4
On a :
2 2
V GS ID V GS
I D =I DSS (1+ )⇒ =(1+ )
VP I DSS VP
Si on pose :
V GS −V GS ID 2
x= = et y = ⇒ y=(1−x)
V GSof VP I DSS
On a ainsi les points suivant :
(1
( x=0 , y=1 ) x= , y=
4
9
16
1
)( 1 3
; x= , y = ; x= , y=
2 4 4
1
16 )(
; ( x=1 , y =0 ) )
A partir de ces points on obtient la caractéristique de transfert de la figure 4.6.
ID
I DSS
9
16
V GS 1
V GSof 1 3 1 1 16
4 2 4
Figure 4.6 caractéristique de transfert pour polarisation centré

NB : La courbe de la figure 4.6 est valable pour tous les TEC à jonction.

GONDA Moussa 59
On polarise un TEC près du milieu de sa gamme des courants utiles. Donc la caractéristique
normalisée, on le polarise à environ :
9 8 1 ID I DSS V GS 1 V GSof
≃ = = ⇒ I D= ce qui correspond à x= = ⇒V GS =
16 16 2 I DSS 2 V GSof 4 4
4.1.5. Schéma équivalent d’un TEC en basses fréquences
L’examen des caractéristiques d’un JFET polarisé dans la zone de saturation montre que les
équations qui régissent le fonctionnement sont :
i G=0 et i d=f (v gs , v gs )
∂i D ∂i D ∂ iD ∂ iD
iD = d vGS + d v DS ⇒ ∆ i D= ∆ v GS + ∆ v DS
∂ v GS ∂ v DS ∂ v GS ∂ v DS
∂ iD ∂ iD
∆ i D=i d ; d v GS =v gs ; ∆ v DS =v ds ; on a donc i d= v gs + v
∂ v GS ∂ v DS ds
Si on pose :
∂ iD 1 ∂ iD 1
gm = et = ⇒ i d =gm v gs+ v ds
∂ v GS ρ ∂ v DS ρ
Finalement, le schéma équivalent est représenté à la figure 4.7.
id
v gs gm v gs ρ v ds
Figure 4.7 schéma équivalent en dynamique

ρ est la résistance ent re le drain et la source. Elle est mesurée dans la zone de pincement. Elle
est très grande (de l’ordre 10 kΩ à 1 MΩ).
4.2. Transistor métal-oxyde à effet de champ
4.2.1. Description et symbole
MOSFET est un acronyme pour « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ». Les
MOSFET ou transistors MOS sont des transistors à effet de champ dont la grille métallique
est totalement isolée du canal par une mince couche isolante d’oxyde de silicium (S iO2)
d’épaisseur voisine de 0,1 µm (figure 4.8.a).
La grille, la couche de silice et le canal constituent un condensateur dont la polarisation peut
modifier la conductivité du canal. Le changement peut résulter soit d’une modification de la
concentration en porteurs majoritaires et l’on a des MOS à canal diffusé ou à déplétion soit

GONDA Moussa 60
d’une modification de la concentration en porteurs minoritaires et l’on a alors des MOS à

canal induit ou à enrichissement.
L’ensemble formé par la grille (G), l’oxyde et le canal N forment un condensateur où :
 la grille et le canal N sont des armatures ;
 l’oxyde comme le diélectrique.
On sait que les charges appliquées à une armature induisent des charges opposées sur l’autre
armature.
La principale différence entre un JFET et un MOSFET est que ce dernier, a une seule région P
appelée substrat (le canal est étranglé d’un seul côté). Son symbole est représenté à la figure
4.8.b.
G P Substrat
Oxyde S MOSFET canal N MOSFET canal P
Figure 4.8.a structure du MOSFET Figure 4.8.b symboles du MOSFET

Comme pour le JFET, la tension de grille contrôle la résistance du canal. La grille étant isolée,
on peut appliquer une tension positive ou négative. Ce qui donne naissance à deux types de
fonctionnement :
 régime de déplétion (d’appauvrissement), qui correspond à l’application d’une tension
négative à la grille (figure 4.9.a);
 régime d’enrichissement, qui correspond à l’application d’une tension positive à la grille
(figure 4.9.b)
D D
N N
G P Substrat G P Substrat
VDD VDD
VGG N N
VGG
S S
GONDA Moussa 61
Figure 4.9.a régime de déplétion Figure 4.9.b régime d’enrichissement

4.2.2. Régime de déplétion (d’appauvrissement)
A la figure 4.9.a, on a V GG < 0. Cette tension négative amènera des électrons sur la grille. Ces
charges repoussent des électrons libres dans canal N et laissent une couches d’ions positifs
dans une partie du canal, qui s’appauvrit ainsi en électrons libres donc le courant I D décroit.
Plus VGG devient négative, plus la déplétion augmente et plus le courant ID décroit.
4.2.3. Régime d’enrichissement
A la figure 4.9.b, on a VGG > 0. L’application de cette tension (charges positives) sur la grille
induit des charges négatives dans canal N qui s’enrichisse ainsi en électrons libre, donc le
courant ID croit. Plus VGG devient positive, plus le courant ID croit.
4.2.4. Caractéristiques d’un MOSFET
4.2.4.1. Caractéristiques de sortie I D =f (V DS )
Pour les tensions VGS positives, il y a un accroissement du nombre de porteurs libres dans le
canal (enrichissement) et pour les tensions VGS négatives, on a un appauvrissement (figure
4.10). L’expression du courant drain est comme pour un JFET mais cette fois V GS peut être
positif ou négatif. Elle est donnée par :
( )
2
V
I D =I DSS 1+ GS
VP
La polarisation de ce type de transistor est particulièrement simple car on peut le polariser

avec la grille à la masse (VGS = 0). On peut également utiliser les mêmes méthodes de
polarisation que pour les JFET. Les applications de ce type de transistor sont les mêmes que
celles des transistors à effet de champ à jonction.
VGS = 1
VGS = 0
V
VGS = -1 V
VGS = -2 V
VGS = VGSof
Figure 4.10 réseau des caractéristiques de sortie de MOSFET

GONDA Moussa 62
4.2.4.2. Caractéristique de transfert I D =f (V GS)
La caractéristique de transfert d’un MOSFET est représentée à la figure 4.11. En effet, on

peut utiliser ID = IDSS et VGS = 0 comme point de repos. Dans ce cas, on appelle le MOSFET
‘’TEC à grille isolée double régime’. Comme cette polarisation s’obtient à V GS = 0, on
l’appelle aussi TEC à grille isolée normalement fermé.
Remarque : Vue sa caractéristique de transfert, le MOSFET est plus facile à polariser que le
JFET.
ID
Régime de Régime
déplétion d’enrichissement
IDSS
VGSof
VGS
VGS < 0 VGS > 0
Figure 4.11 caractéristique de transfert d’un MOSFET

4.2.5. MOSFET en régime d’enrichissement seul
On l’appelle aussi TEC-E à grille isolée. Il ne fonctionne qu’en régime d’enrichissement. Ce

type de TEC est utilisé dans les circuits numériques. Son symbole est donné à la figure 4.12.a
et le montage de sa polarisation est représentée par la figure 4.12.b.
G P
Substrat VDD
VGG N
TEC-E canal N TEC-E canal P

S
Figure 4.12.a symboles Figure 4.12.b Circuit de polarisation de TEC-E
à grille isolée

GONDA Moussa 63
4.2.5.1. La couche d’inversion
Quand VGS = 0, VDD tend à attirer les électrons libres de la source vers le drain mais le substrat
P n’a que quelques électrons libres d’origine thermique. En dehors de ce courant, I D = 0. C’est
pourquoi le TEC-E s’appelle MOSFET normalement ouvert. Pour que le courant passe, il faut
appliquer une tension VGG suffisamment positive. Les charges positives de la grille induisent
des charges négatives dans le substrat. Ces charges sont des ions négatifs engendrés par des
électrons de valence se recombinant avec les trous du substrat P. Si on augmente V GG, les
charges positives augmentent sur la grille et peuvent attirer sur les orbites autour des ions
négatifs. Cela peut créer une mince couche d’électrons libres qui va de la source au drain.
Cette couche surajoutée d’électrons libres proche de la couche d’oxyde ne se comporte pas
comme un SCE de type P, mais comme un SCE de type N. Donc la couche du matériau en
contact avec l’oxyde est dite ‘’la couche d’inversion de type N’’.
4.2.5.1. Tension de seuil
La tension VGS minimale qui produit une couche d’inversion est la tension de seuil V GS(th)
(threshold voltage).
 quand VGS < VGS(th)⇒ID = 0 ;

 quand VGS > VGS(th) ⇒création de la couche d’inversion de type N, donc passage de ID.
4.2.5.2. Caractéristiques du TEC-E
Le réseau des caractéristiques de sortie est représenté à la 4.13.a et la transconductance est

représentée à la figure 4.13.b. L’équation de la transconductance I D =f (V GS) est :
2
I D =K [ V GS−V GS ( th ) ] ; K une constante
NB : les fiches signalétiques donnent : ID1 et VGS1 en plus VGS(th) ; on détermine ainsi :
I D1
K= 2
[ V GS −V GS (th ) ]
ID
VDS
VGS = 0
V ID1
VGS = -1 V
VGS = -2 V
VGS = VGSof
VGS
VGS(th VGS1
)

GONDA Moussa 64
Figure 4.13.a Réseau des caractéristiques de Figure 4.13.b La transconductance

sortie

GONDA Moussa 65

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CHAPITRE 1 : LES SEMI-CONDUCTEURS

1.1. Rappels sur la constitution de la matière

r2 2ième niveau d’énergie

r1 1ier niveau d’énergie

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

d’un atome d’un atome

1.1.1.2. L’atome isolé

Trou libre Electron libre

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Figure 1.3 Hauteur de la bande interdite

Du point de vue de leur conductivité électrique, les corps se subdivisent essentiellement en 3

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

1.2. Les semi-conducteurs intrinsèques (SCI)

Les semi-conducteurs sont des solides cristallisés covalents. Un matériau semi-conducteur à

Figure 1.4 Cristal du Silicium

1.2.1. Action de la température

Figure 1.5 Cristal Si T >> 0° K

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

1.2.3. Phénomène de recombinaison

 l’énergie W i nécessaire pour ioniser un atome ;

K : constante de Boltzman ; 1 ,38. 10−23 j/oK ; A : caractéristique du semi-conducteur.

1.2.4. Mobilité des électrons et des atomes

Pour les électrons libres on a :

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Et pour les trous on a :

1.2.5. Conductivité d’un semi-conducteur intrinsèque

Dans le cas d’un conducteur, la conductivité est :

Pour les SCI, la conductivité est :

Ainsi la résistivité d’un SCI est :

1.3. Les semi-conducteurs extrinsèques (SCE)

1.3.1. Les semi-conducteurs extrinsèques de type N (SCE-N)

Le dopage N consiste à ajouter à un semi-conducteur intrinsèque des impuretés (des atomes

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Figure 1.6.a SCE-N à base de Si Figure 1.6.b Niveau d’énergie du donneur

1.3.2. Les semi-conducteurs extrinsèques de type P (SCE-P)

Le dopage P consiste à ajouter au semi-conducteur des impuretés (atomes possédants 3

Figure 1.7.a SCE-P à base de Si Figure 1.7.b Niveau d’énergie du récepteur

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Au sein du SCE-P, il existe :

La concentration totale des électrons est libres est :

1.3.3. Equilibre électron libre-trou dans un SCE

Dans un SCE, np ne dépend que de la température et de l’énergie (ionisation/activation), donc

La conductivité est donnée par :

Pour les SCE-N on a :

Pour les SCE-P on a :

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Figure 1.8 Jonction PN

La double charge de ZCE crée un champ électrique interne ⃗ Ei . Ce champ va s’opposer au

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

V 0 est la barrière de potentiel.

Figure 1.9 Jonction PN non polarisée

Figure 1.10 allure du champ électrique dans la jonction PN non polarisée

L’expression du potentiel dans la ZCE (Figure 1.11) est :

Figure 1.11 allure du potentiel dans la jonction PN non polarisée

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Le courant résultant dit courant directe est :

Figure 1.12 Polarisation directe

Figure 1.13 Polarisation inverse

Chapitre 1 : les semi-conducteurs 2016-2017

Chapitre 2 : Diodes à jonction

La jonction PN est un élément fondamental de l’électronique. En modifiant certains