École Nationale des Sciences Université Abdelmalek

Appliquées de Tanger Essaadi

C ORRECTION TD N O 3 : Les Diodes à semi-conducteur

Eléments Électronique-AP2 2016-2017

Excercice 1:
À partir de la loi d’action de masse (n2i = n p):
 
1/2 EG
n=p=ni = (NC NV ) exp − (1)
2 kT
Avec:
  32   32
T −3 T
NC = 3.10 19
atomes/cm NV = 1019
atomes/cm−3
300 300

1. EG = 1.1eV et à T=300 K on trouve NC = 3.1019 et NV = 1019 alors que ni = 1, 0167.1010 cm−3

2. Pour déterminer la concentration des impureté introduites il chercher le volume,VSb occupé
par 5.1012 atomes d’antimoine (Sb)

5.1012
La masse de 5.1012 de Sb = .Masse atomique
NA
Soit = 2, 3322 10−10 g
Le volume de Sb rechércher = masse de 5.1012 de Sb/ masse volumique de Sb(g.cm−3 )
Soit ≈ 1, 001 10−10 cm3
1
la concentration du dopant est ND = = 1.1010 cm−3
1.10−10

L’antimoine (Sb) appartient à la 5ième colonne de tableau période; donc il s’agit d’un donneur.
Ainsi le semi-conducteur obtenu est de type N.

3. Pour établir les expressions générales donnant les concentrations n et p supposons le silicium
a subit un dopage de type N suivie d’un dopage de type P. Les concentrations des dopants
respectives sont ND et NA .
Après ces deux opérations, les populations en électrons et trous libres sont liés par la loi
d’action de masse:
n.p = n2i (2)
Outre la neutralité électrique du cristal conduit à la relation:

q(p + ND ) = q(n + NA ) (3)

 Les équations 2 et 3 permet d’obtenir l’équation de deuxième degré n en :

n2 − (ND − NA )n − n2i = 0 (4)

La résolution de 4 et le rejet de la solution négative permet:

q
(ND − NA ) + (ND − NA )2 + 4n2i
n= (5)
2
q
−(ND − NA ) + (ND − NA )2 + 4n2i
De mêmê: p= (6)
2
soit: n = 1, 6180 1010 cm−3 p = 6, 1803 109 cm−3

4. Il faut chercher T tel-que:

ni > 10 ND ⇒ n2i > 100 N2D

 
EG
(NC NV ) exp − > 100 N2D
kT
T 3
   
19 2 EG
soit 3 (10 ) exp − > 100 N2D
300 kT
 
EG
T exp − > 9, 65 10−4
3kT
EG EG
= 9, 6262 10−4 et pour T=333,4 K exp − 3kT = 9, 6660 10−4



Pour T=333,3 K T exp − 3kT
⇒ il faut chauffer le barreau à T>333,4 K.

Excercice 2:
Étude de la conductivité d’un semi-conducteur extrinsèque

1. L’Arsenic (As) appartient la 5ième colonne de tableau période; donc il s’agit d’un donneur.
Ainsi le semi-conducteur obtenu est de type N.
Un raisonnement pareil que celui de l’exercice 1 permet de trouver:
1 NA ρ
n0 ≈ ND = = = 4, 411 1016 cm−3
volume de Ge nG MA
n2i
n0 = = 1, 417 1010 cm−3
n0

2. La conductivité du cristal avec dopage est de:

σ = e(nµn + pµ p ) = 1, 6 10−19 .(4, 411 1016 .3900 + 1, 417 1010 .1900)

1
= 27, 525Ω−1 cm−1 ⇒ ρ = = 0, 0363 Ω cm
σ
La conductivité du cristal sans dopage est de:

σ = e(ni µn + ni µ p ) = 1, 6 10−19 .2, 5 1013 .(3900 + 1900)

1
= 0, 0232Ω−1 cm−1 ⇒ ρ = = 43, 1034 Ω cm
σ
La résistivité du semi-conducteur a complètement changer par l’introduction du dopant.

Page 2
 3. Le courant I est donné par:
V VS 0, 5.1, 2 10−2
I= = = = 0, 1271 A
R ρl 0, 0363.1, 3
Quant à la densité du courant:
I 0.1271
J= = = 9, 5 Acm−2
S 1, 2 10−2
Excercice 3:
On suppose que la diode est idéale (1ière approximation) voir figure 1:
1. Recherche de condition de blocage de la diode:
la diode bloquée ⇒ VD < 0 et ID = 0

ID R ID

V
Ve ~ D
E
VD

Figure 1: Tension et courant de la diode supposée idéale

La loi des maille: Ve = RID + VD + E

La diode étant bloquée ID=0 ⇒ Ve = VD + E et VD = Ve − E
L’autre condition de blocage VD<0 ⇒ Ve < E
Donc sous la condition Ve < E la diode est bloquée et le montage est équivalent à la figure 2
-a). Alors:
Vs = Ve
Recherche de condition de conduction de la diode:
La diode est passante ⇒ VD = 0 et ID ≥ 0

Toujour la loi des maille: Ve = RID + VD + E

Ve − E
La diode étant passante VD=0 ⇒ Ve = RID + E et ID =
R
L’autre condition de conduction ID≥0 ⇒ Ve ≥ E
Donc sous la condition Ve ≥ E la diode est passante et le montage est équivalent à la figure 2
-b). Alors:
Vs = E
D’après l’étude précédente on peut distinguer les cas suivants:
- EM < E la diode est toujours bloquée; la tension Vs = f(t) et la caractéristique de transfert
sont présentées sur la figure 3 a).
- EM ≥ E la tension Vs = f(t) et la caractéristique de transfert sont présentées sur la figure 3 b).

Page 3
 ID R ID R

V V
Ve ~ D Vs Ve ~ D Vs
E E

a) b)

Figure 2: Montage équivalent pour la diode bloquée a) et la diode passante b)

Ve Vs
E EM
Vs

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
a)

Ve Vs
D conduit
EM
Vs
E E

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
b)

Figure 3: La tension de sortie et la caractéristique de transfert a) EM < E et b) EM ≥ E

2. Étude sous l’hypothèse de diode (2ième approximation):

Recherche de condition de blocage de la diode:
la diode bloquée ⇒ VD < Vseuil et ID = 0

La loi des maille: Ve = RID + VD + E

La diode étant bloquée ID=0 ⇒ Ve = VD + E et VD = Ve − E
L’autre condition de blocage VD < Vseuil ⇒ Ve < E + Vseuil

Donc sous la condition Ve < E + Vseuil la diode est bloquée et elle est équivalent à un inter-

Page 4
 rupteur ouvert en série avec le générateur de tension Vseuil -voir figure 4 a)-alors:

Vs = Ve

Recherche de condition de conduction de la diode:

la diode conduit ⇒ VD = Vseuil et ID ≥ 0

La loi des maille: Ve = RID + VD + E

Ve − (E + Vseuil )
La diode étant passante VD=Vseuil ⇒ Ve = RID + Vseuil + E et ID =
R
L’autre condition de conduction ID≥0 ⇒ Ve ≥ E + Vseuil

Donc sous la condition Ve ≥ E + Vseuil la diode est passante et elle est équivalent à un inter-
rupteur fermé en série avec le générateur de tension Vseuil -voir figure 4- b) alors:

Vs = E + Vseuil

D’après l’étude précédente on peut distinguer les cas suivants:

ID R ID R

Vseuil Vseuil
Ve ~ Vs Ve ~ Vs

E E

a) b)

Figure 4: Montage équivalent (2ième approximation) D bloquée a) et D passante b)

- EM < E + Vseuil la diode est toujours bloquée; la tension Vs = f(t) et la caractéristique de

transfert sont présentées sur la figure 5 a).
- EM ≥ E + Vseuil la tension Vs = f(t) et la caractéristique de transfert sont présentées sur la
figure 5 b).

3. Étude sous l’hypothèse de diode (3ième approximation):

Recherche de condition de blocage de la diode:
la diode bloquée ⇒ VD < Vseuil et ID = 0

La loi des maille: Ve = RID + VD + E

La diode étant bloquée ID=0 ⇒ Ve = VD + E et VD = Ve − E
L’autre condition de blocage VD < Vseuil ⇒ Ve < E + Vseuil

Donc sous la condition Ve < E + Vseuil la diode est bloquée et le montage devient:-voir figure
6 a)-alors:
Vs = Ve
Recherche de condition de conduction de la diode:

Page 5
 Ve Vs
E+Vseuil EM
Vs

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
a)

Ve Vs
D conduit
EM
Vs
E+Vseuil E+Vseuil

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
b)

Figure 5: La tension de sortie et la caractéristique de transfert a) EM < E + Vseuil et b) EM ≥ E + Vseuil

ID R ID R

RD RD
Ve ~ Vseuil Ve ~ Vseuil
Vs Vs

E E

a) b)
Figure 6: Montage équivalent (3ième approximation) D bloquée a) et D passante b)

la diode conduit ⇒ VD ≥ Vseuil et ID ≥ 0

La loi des maille: Ve = RID + VD + E

Ve − (E + Vseuil )
La diode étant passante VD ≥ Vseuil ⇒ Ve ≥ RID + Vseuil + E et ID ≤
R
L’autre condition de conduction ID≥0 ⇒ Ve ≥ E + Vseuil

Donc sous la condition Ve ≥ E + Vseuil la diode est passante et le montage devient -voir figure

Page 6
 6- b) alors:

Vs = E + Vseuil + RD .ID
Ve − (E + Vseuil )
Avec: ID =
R + RD
RD Ve R(E + Vseuil )
Soit: Vs = +
R + RD R + RD
La tension Vs est sinusoïdale atténuée relativement à Vs plus une composante continue.
D’après l’étude précédente on peut distinguer les cas suivants:
- EM < E + Vseuil la diode est toujours bloquée; la tension Vs = f(t) et la caractéristique de
transfert sont présentées sur la figure 7 a).
- EM ≥ E + Vseuil la tension Vs = f(t) et la caractéristique de transfert sont présentées sur la
figure 7 b).

Ve Vs
E+Vseuil EM
Vs

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
a)

Ve Vs
D conduit
EM
Vs
E+Vseuil E+Vseuil

T t -EM EM Ve
-EM
-EM
b)

Figure 7: La tension de sortie et la caractéristique de transfert a) EM < E + Vseuil et b) EM ≥ E + Vseuil

Excercice 4:
La diode est insée dans le circuit de la figure 8 a)
1. Avant de trouver la droite de charge, on transforme le montage par son équivalent celui de la
figure 8 b). Ce dernier est obtenu on cherchant le générateur de Thévenin vue par la diode.
R1 .R2
Rth = R1 //R2 = = 80Ω
R1 + R2
E1 .R2
Eth = UAB = = 2.4 V
R + R2

Page 7
 R1 Rth
A Id I
d

E1 R2 Eth
V V
d d
B

a) b)
Figure 8: Le montage de Thévenin équivalent vue par la diode

La loi des mailles:

Eth − Vd
Eth = Rth .Id + Vd ⇒ Id =
Rth
Id = 0, 03 − 0, 0125.Vd

La droite de charge est de pente −1/Rth passant par les points:

Eth
A = (Id = , Vd = 0V) = (30mA, 0A)
Rth
B = (Id = 0A, Vd = Eth ) = (0A, 2.4V) se trouve à l’exterieur du graphe

L’intersection de la droite de charge (D) et la caractéristique de la diode - voir figure 9- permet

de trouver le point de fonctionnement P (Id0 = 20 mA, Vd0 = 0, 8V ).
Il est possible de trouver le point de fonctionnement P par calcul car l’approximation d’ordre

Id (mA)

30
P
Id0 = 20
10 (D)

0.6 0.8 V (V)

d
Vd0 = 0.8

Figure 9: Détermination graphique du point de fonctionnement

trois permet d’écrire la caractéristique suivante:

∆Id
Id = a.Vd + b a= = 0, 1Ω−1 b = −a.0, 6 = −0, 06
∆Vd
Soit Id (A) = 0, 1.Vd (V ) − 0, 06

0 si Vd < 0, 6
La caractéristique :
0, 1.Vd (V ) − 0, 06 sinon

Page 8
 L’égalité entre l’équation de la caractéristique et celle de la droite de charge au point de fonc-
tionnement permet:
0, 03 + 0, 06
0, 03 − 0, 0125.Vd0 = 0, 1.Vd0 − 0, 06 ⇒ Vd0 = = 0, 8 V et Id0 = 20mA
0, 1 + 0, 0125
Le régime dynamique est imposé par le générateur sinusoïdale E1m sin(2π f t). Pour obtenir
l’équation de variation de la droite de charge il suffit de remplacer, dans l’expression de Eth ,
E1 par e1 :
eth−vd R1 R2 R2 .e1
id = avec Rth = et eth =
Rth R1 + R2 R1 + R2
R2 .(E1 + E1m sin(2π f t))
eth = = 2, 4 + 0, 4 sin(2π f t)
R1 + R2
(2, 4 + 0, 4 sin(2π f t) − vd )
id = = (0, 03 + 0, 005 sin(100πt)) − 0, 0125vd
80
On remarque que toutes les droites de charges se déplacent d’une manière parallèle, puisque
elles possèdent la même pente (-0,0125) . Comme −1 ≤ sin(100πt) ≤ 1 , on aura donc deux
droites de charges limites Dmin et Dmax :

Pour sin(100πt) = −1 Dmin id = 2−v


80 = 0, 025 − 0, 0125vd
d

Pour sin(100πt) = 1 Dmax id = 2,8−v

80 = 0, 035 − 0, 0125vd
d

L’équation de variation de la droite de charge est donnée par:

(2, 4 + 0, 4 sin(2π f t) − vd )
id = = (0, 03 + 0, 005 sin(100πt)) − 0, 0125vd
80
Si on s’intéresse au variation de Id autour du point de repos -voir figure 10- :

Id = Id0 + id
Id = 0, 02 + 0, 005 sin(100πt)

De même pour Vd autour du point de repos -voir figure 10- :

Vd = Vd0 + vd
Vd = 0, 8 + 0, 05 sin(100πt)

2. Lors de la recherche de l’expression de la caractéristique de la diode on avait trouvé


0 si Vd < 0, 6
La caractéristique :
0, 1.Vd (V ) − 0, 06 sinon
1
Donc la diode est équivalente à celui de la figure 11: avec Vseuil = 0.6V et Rd = 0,1 = 10Ω.
Par application du thórème de Thv́enin entre A et B -voir figure 12 on transforme le montage
initial à celui b). Avec:

Rth = R5 + R4 //R3 ≈ 100 Ω

R4 .Ve
eth = = 13, 64 sin(100ωt)
R4 + R5
On considère que la diode est passante (i.e Vd ≥ Vseuil -voir figure 11- ) le circuit devient
équivalent à celui de la figure 13.
Calcul de iD :

Page 9
 Id (mA)

id (t) 30
Id0 = 20 (DMax )
10 (D)
(DMin )

0.6 0.8 V (V)

d
Vd0 = 0.8

vd (t)

Figure 10: Variation de la droite de charge, id et vd

RD RD
Vseuil Vseuil

Vd ≥ Vseuil
Vd < Vseuil
Figure 11: Schéma équivalent de la diode

R3 R5 Rth
A

v (t) R4 D e D
e ~ Ru v
s th ~ Ru vs
E E

B
a) b)

Figure 12: Le montage de Thv́enin alimentant la diode et RU

Page 10
 ith Rth

is
Vseuil
e VD
th ~ RD Ru Vs

E
iD

Figure 13: Le schéma équivalent lorsque la diode est passante

(E − Vseuil ) − VS
on a: VS = (E − Vseuil ) − RD .iD ⇒ iD =
RD
 
eth
+ (E−Vseuil ) (E − Vseuil ). R1th + R1u − Rethth
R RD
Millman : VS = 1th 1 1
⇒ iD =  
Rth + RD + Ru
1
1 + RD . Rth + Ru 1
 
Ve .R4
(E − Vseuil ). R1th + R1u − Rth .(R +R )
iD =   3 4
1 + RD . R1th + R1u

Calcul de VD :

VD = RD iD + Vseuil
 
1 Ve .R4
(E − Vseuil ). + R1u − Rth .(R
Rth +R )
VD = RD   3 4 + Vseuil
1 + RD . R1th + R1u

iD = 0 si la diode est bloquante c’est-à-dire:

VD < Vseuil ⇒ VD − Vseuil = RD .iD < 0

 
1 1 Ve .R4
Soit: (E − Vseuil ). + − <0
Rth Ru Rth .(R3 + R4 )
   
Rth R3
en fin: Ve > (E − Vseuil ). 1 + . 1+
Ru R4

La diode étant bloquée (iD = 0), le circuit de la figure 13 se réduit à une seul maille : générateur
de Thévenin en série avec Ru . Donc:
Ru Ru R4
Diviseur de tension:VS = eth = . .Ve = 0, 045Ve
Ru + Rth Ru + Rth R3 + R4

Excercice 5:
La diode Zener sert principalement à stabiliser la tension, après redressement et filtrage. Elle assure
cette fonction en polarisation inverse -voir figure 14 a)-.

1. Avant de calculer R1 , il faut connaitre l’état de la diode Zener pour Ve = 40 V .

La diode Zener en polarisation inverse peut prendre deux états:
- Polarisation inverse bloquante (I.B) - 1 : vz > −VZ = −45 V
- Polarisation inverse conductrice (I.C) - 2 : vz ≤ −VZ = −45 V

Page 11
 vz
R1
A
Vz iz v
e ~ Ru vs
1 B

2 a) b)
R1 Rth
i1

v e
e ~ Ru vs th ~

d) i1 R1 c)
iz iu
v vs
e ~ VZ Ru

e)
Figure 14: Figures de l’exercice 5

Pour connaitre l’état prise par la diode Zener pour Ve = 40 V , il faut chercher le générateur de
Thévenin vue par la diode voir figure 14 b) et c)-:
R1 .Ru
RTh = R1 //Ru =
R1 + Ru
Ru .Ve
eTh = UAB =
Ru + R1
La tension au borne de la diode Zener:
vz = eTh − RTh .iz
La diode est en état (I.B) si: vz > −VZ or iz = 0
Donc vz = eTh − RTh > −VZ
 
R1
Soit Ve > −VZ . 1 +
Ru
 
R1
Ve > −45. 1 +
Ru
Pour Ve = 40 V , quelque soit la valeur de R1 et Ru , la diode sera dans l’état (I.B) 1 . Alors le
circuit devient équivalent à celui de la figure 14 d). Donc:
Ve Ve
i1 = ⇒ R1 = − Ru = 200 Ω
R1 + Ru i1

Page 12
2. D’après l’étude précédente le seuil de régulation est lorsque:
 
R1
Ve = −VZ . 1 + = −50V
Ru

3. Pour −50V ≤ Ve ≤ −40V la diode est état (I.B) - 1 et :

Ru
VS = .Ve = 0, 9Ve
Ru + R1
   
La diode prend l’état (I.C) - 2 ⇒ −60V ≤ vz < −45V ⇒ −60 1 + RR1u ≤ ve < −45 1 + RR1u V .
Donc pour −66, 6V ≤ Ve < −50V la tension VS est régulée - Voir figure 14 e):

VS = VZ = 45V

4. L’intensité du courant dans la diode iz est:

 
Ve − VS VS Ve 1 1
iz = i1 − iu = − = − VZ . +
R1 Ru R1 R1 Ru
iz = 0, 05 A

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