Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz

Département de physique. (Fès)
SMP-S6- M36 : MATERIAUX POUR L’ENERGIE SOLAIRE-
Corrigé de l’examen –Session Normale- Juin 2016

Exercice 1 :
1)
n  N = 2  1014 cm − 3 
D
 
On a :  2 16 − 6 2 
n (1,1  10  10 )
p = i = = 6,05  10 5 cm − 3 
 n 2  1014 
On en déduit que p << ni et p << ND

1
2) On a =  =  n +  p = qn n + qp p alors  sc = 20,8cm

1
Or  métal = = 1,7 10 −7 cm
qn n
Donc  métal   sc
V V
3) On a J = E =  et I = JS alors I =  S
L L
VS 5  10 − 6
Donc I= AN : I= D’où I = 4,8 mA
L −3 −2
5  10  0,27  10

Exercice 2 :
1) Le Si est intrinsèque. Alors : p.n = ni2 d’où ni = p.n
A.N : ni= 7,07 1013 cm-3
1 ni2
1  = q ( n + p)
=  = q(n n + p p ) 
2) On a  
n
n
alors 
 p = ni
2
n 2 = n. p
 i  n
Alors q n n 2 − n + q p ni2 = 0 d’où  = 1 − 4  q  n  p ni
2 2 2

n = 2,21014 cm − 3 
1  1 − 4  2 q 2  n  p ni2
1
Donc n = alors  
2 q n n2 = 8,91011 cm − 3 
Or ni= 7,07 1013 cm-3 et le Si et dopé par le phosphore donc il est
de type n alors n>ni
D’où n1 = 2,21014 cm−3 est la bonne réponse.
La concentration des porteurs minoritaires est donnée par:
1
 p = 2,21013 cm −3
ni2
p= donc
n
Exercice 3
1
1/ Nous avons : 1= q (n1 n +p1 p) =
1
Le semiconducteur est de type P, alors 1 = p = q p1 p
 1
p1 = 1 donc p1 = A.N. p1= 9,92 1018 cm-3  1019 cm-3
q p 1q p
- La densité des porteurs majoritaires est : p1 10 cm-3
19

ni2
- La densité des porteurs minoritaires est : n1 =
p1
A.N. n1  10-6 m-3 d’où n1 = 1 cm -3

2/ L’équation de neutralité électrique est donnée par : n1 + N A = p1

Nous avons n1<<p1
donc p1  NA Donc NA  p1 = 1019 cm-3

3/ De la même manière qu’en 1/, nous avons :

1
n2 = Alors n2 = 5 1015 cm-3
 2 q p
ni2
p2 = Alors p2 = 2 103 cm-3
n2

4/ Nous avons: n2 = p2 + N D et p2<< n2

Donc ND  n2 = 5 1015 cm-3
NA 1019
On a = = 2.103 d’où NA >> ND
N D 5.1015
5/ Voir Polycopié du Cours.
La barrière de potentiel Vd1 de la jonction PN formée est donnée
par la relation :
KT N A N D
Vd1 = ln( ) A.N Vd1 = 0,9 V
q 2
ni
6/ 6a) Voir Polycopié du Cours.
La largeur de la zone de charge d’espace W1 est donnée par:
2 1 1
W1 = ( + )Vd1
q ND N A

2
 1 1 2
Comme NA >> ND (i.e  ) alors W1 = Vd1
ND NA qN D
A.N W1 = 0,47 m
6b) Nous avons montré que W1 = xn + xp et ND xn = NA xp
Ce qui nous donne :

1 1
xn = W1 et x p = W
ND NA 1
1+ 1+
NA ND

A.N. xn = 0,467 m  W1 et xp=2,3 10-4 m

x N
On a n = A = 2.10 3 alors xn >> xp donc la zone de charge d’espace
xp ND
s’étend du côté du semiconducteur de type N (moins dopé). Alors,
le canal va se rétrécir plutôt du côté du semiconducteur de type N
et la zone de charge d’espace sera située dans le canal N.

S L D
a
xn=W1 (ZCE)
2d Si
Si (N)
(N)

Si (P)