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Des Matériaux (3 édition) Corrigé des exercices

Chapitre 9 - Propriétés physiques

EXERCICE 9-9
a) Nombre N d’atomes de Si par unité de volume :
Le silicium ayant la même structure cristalline que le carbone (diamant), dont la maille élémentaire est
présentée à la figure 3.19 du livre, il est aisé d’en déduire le nombre d’atomes de Si appartenant en propre à
cette maille :
Sommets : 8x(1/8) = 1; Centre des faces : 6x(1/2) = 3; Intérieur maille : 4
Donc, un total de 8 atomes en propres par maille.
Le volume V de cette maille étant égal à a3, on en déduit la valeur N du nombre d’atomes de Si par
unité de volume :
N = 8/a3 = 8/(5,43x10-8 cm)3 = 4,997x1022 at/cm3 N ≈ 5x1022 at./cm3

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b) Nombre de porteur de charges (ne ou nt) par unité de volume (cm ) de Si intrinsèque :
Dans le silicium intrinsèque, à chaque fois qu’un atome de Si est « ionisé » quand un de ses électrons
de liaison passe dans la bande de conduction, il y a simultanément création d’un trou (ou lacune électronique)
dans la bande de valence (fig. 9.25 du livre « Des Matériaux »). Les nombres de porteurs de charges ne et nt
sont donc égaux à ni et on peut écrire l’équation 9.57 de cette façon :

σ = neeµe + nteµt = nie(µe + µt) (1)

Connaissant la valeur de la conductivité σ et celle des mobilités µe et µt à 20 °C (tableau 9.7 du livre),

on en déduit la valeur de ni , donc de ne et de nt :
ni = σ/[e(µe + µt)] = (4,3x10-4)/[1,6x10-19(0,14 + 0,04)]
ni = 1,493x1016 m-3 Æ ni = ne = nt = 1,493x1010 cm-3

c) Rapport r d’atomes de Si ionisés au nombre total d’atomes de Si à 20 °C :

Le nombre d’atomes de Si ionisés est égale à ni le nombre de porteurs de charge par unité de volume
(calculé à la question b) et le nombre N d’atomes de Si par unité de volume a été calculé à la question (a). Le
rapport r est donc égal à :
r = ni/N = (1,493x1010 cm-3)/( 4,997x1022) r = 3x10-13

Remarque : à 20 °C, il n’y a donc que 1/3 de millionième de millionième d’atomes de Si qui assurent la
conduction intrinsèque !!!

d) Rapport des conductivités intrinsèques à 1400 et à 20 °C:

Pour calculer ce rapport, il suffit d’utiliser l’équation 9.63 donnant la variation de la conductivité
intrinsèque en fonction de la température absolue T :

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 -E 
exp g 
σ2
=  2kT2  ln
σ2 Eg  1 1 
= -
σ1 2k  T1 T2 
Donc : (2)
σ1  -E 
exp g 
 2kT1 

Ici, T2 = 1673 K et T1 = 293 K et les autres grandeurs (Eg, k) sont connues. On obtient donc :

ln(σ2/σ1) = 17,94 Donc: σ1) = 6,027x107

σ2/σ
(σ

e) Type de semi-conducteur pour le Si dopé au phosphore:

Le phosphore étant un élément pentavalent, il introduit un excès d’électrons quand il dope le silicium.
Chaque atome de phosphore introduit un électron supplémentaire, libre de se déplacer plus aisément que les
électrons « intrinsèques » du Si (voir fig. 9.27b du livre). Les porteurs de charge majoritaires étant des électrons
chargés négativement, le silicium extrinsèque dopé au phosphore est donc de type n.

f) Concentration Cd en phosphore requise:

La conductivité extrinsèque σext à 20 °C doit être égale à la conductivité intrinsèque σint à 1400 °C. En
utilisant le résultat de la question (d), on peut donc écrire :

σext)20 °C = 6,027x107(σ
(σ σint)20 °C (3)
Dans le cas d’un semi-conducteur extrinsèque, la conductivité σext est assurée essentiellement par les
porteurs de charge introduits par le dopant (ici, des électrons) car le nombre nd de porteurs de charge
majoritaires est bien supérieur au nombre de porteurs de charge « intrinsèques » ne ou nt (nd >> ne = nt);
l’équation 9.57 appliquée à la conductivité extrinsèque s’écrit alors:

σext)20 °C = ndeµe
(σ (4)
En combinant les équations (3) et (4), on obtient le nombre nd de porteurs de charges majoritaires par
unité de volume :

(σext )20°C 6,027x107(σint )20°C

nd = = = 1,107x1018 cm-3
eµe eµe

Ce nombre nd est aussi égal au nombre d’atomes de phosphore qui a été ajouté par unité de volume de
silicium. La concentration atomique Cd requise pour le dopage est donc égale à :
Cd = nd/N = (1,107x1018)/(4,997x1022) = 2,215x10-5 = 22,15 ppm at.

Cd = 22,15 ppm at

Remarque : il suffit d’ajouter seulement 22 ppm at. de phosphore au silicium pour multiplier la conductivité de ce
dernier à 20 °C par 60 millions de fois !!!

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