Cours Electroniue Complet

COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Electronique Analogique Pr. ZEDAK

COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Contenu du programme :
Chapitre I : Eléments de la physique des semi-conducteurs

Chapitre II : La jonction PN et Diode à jonction PN
Chapitre III : Circuits à diodes
Chapitre IV : :
Transistor bipolaire

ELEMENTS DE LA PHYSIQUE
DES SEMI CONDUCTEURS

ELEMENTS DE LA PHYSIQUE DES
SEMI-CONDUCTEURS
Nucléons
Introduction aux semi-conducteurs
1. Structure atomique et sa représentation
L’atome est constitué d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons.
Le noyau est composé de deux particules de masses égales: les protons et les neutrons.
Le proton est chargé positivement, l’électron est chargé négativement et le neutron est neutre.
A l’équilibre, l’atome est électriquement neutre (il comporte autant d’électrons que de protons).
D’un point de vue général, on distingue :
➢ Les électrons internes qui occupent les couches internes et qui sont fortement liés au
noyau. Couche de valence
➢ Les électrons de valence qui occupent la couche externe et qui sont susceptibles
d’intervenir dans l’établissement des liaisons chimiques entre différents atomes.
Exemple: électron de valence

L’atome de Silicium (Si) possède 14 e- répartis sur 3 couches :
2 e- sur la première, 8 sur la deuxième et 4 sur la dernière couche: couche de valence.
La dernière couche peut accueillir 4 supplémentaires (tous les atomes tendent à avoir 8
électrons sur la couche de valence).
4
SEMI-CONDUCTEURS
➢ Forme normale et forme réduite
Forme normale du Si Forme réduite du Si
Electronique Analogique Pr. ZEDAK 5

SEMI-CONDUCTEURS
2. Liaisons covalentes
Les forces qui maintiennent les atomes dans un cristal sont dites: liaisons covalentes. Ces liaisons peuvent être plus ou moins
fortes. À titre d’exemple, un atome Si a 4 e- sur sa couche de valence. De façon générale, les atomes se regroupent de telle
manière à avoir 8 e- sur la couche de valence. Chaque atome se place entre 4 autres atomes de Si. Chacun de ces 4 atomes
partage un électron avec l’atome central, qui, ainsi gagne 4 électrons. La mise en commun de ces électrons forme les liaisons
covalentes et assure le maintien du cristal Si.
Le cristal réel est tridimensionnel.

SEMI-CONDUCTEURS
3. Bandes d’énergies
Pour un atome isolé, les e- qui gravitent autour du noyau ne peuvent occuper que certains niveaux d’énergie autorisés, définis
par la mécanique quantique. Le remplissage des e- se fait par couche; sur chacune des couches, les e- sont très proches les uns
des autres. Dans la couche n, il existe 2n2 électrons.
Lorsque l’on rapproche une grande quantité d’atomes

pour former un monocristal, les niveaux d’énergie de
chaque atome se séparent en une multitude de niveaux
très rapprochés formant des bandes d’énergie. Les
bandes d’énergie permises ainsi obtenues sont séparées
par des bandes interdites, correspondant à des niveaux
d’énergie qu’aucun e- ne peut occuper.
7
SEMI-CONDUCTEURS
Les bandes d’énergie permettent de modéliser la faculté des électrons à se mobiliser

Bande de conduction
pour participer à un phénomène de conduction.
La mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas prendre des
Bande de valence
niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés. Il existe donc des
bandes interdites que le e- ne peuvent pas occuper. Entre la bande de valence et la
bande de conduction, il existe une bande interdite, appelée: Gap. Pour rendre un Deuxième bande
électron mobile, il faut impérativement apporter de l’énergie en quantité suffisante
pour franchir ce véritable fossé (le Gap).
Première bande
La valeur de l’énergie du Gap détermine la plus ou moins bonne conductivité du
matériau: plus le Gap est faible plus le matériau est conducteur. Elle permet donc de
distinguer les matériaux conducteurs, isolants et semi-conducteurs.

SEMI-CONDUCTEURS
a. Isolant
Un isolant est un matériau qui ne conduit pas de courant. Les électrons de valence sont fortement liés aux atomes.
Les corps isolants sont caractérisés par une énergie de Gap élevée qui empêche le passage des électrons de la BV vers la BC.
Par conséquent, la BV reste complète, alors que la BC reste vide d’électrons. Des exemples d’isolants sont le caoutchouc,
le plastique, le verre, etc.
b. Conducteur
Un conducteur est un matériau qui conduit facilement le courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont:
le cuivre (Cu), l’argent (Ag), l’or (Au), et l’aluminium (Al). Dans les conducteurs, la BV et la BC sont très proches l’une de
l’autre ou elles s’interpénètrent. De faibles quantités d’énergie sont suffisantes pour permettre à certains électrons de passer de
la BV à la BC. Les électrons de valence peuvent se détacher de leur atome et devenir des électrons libres.
c. Semi-conducteur
Un semi-conducteur à l’état pur (intrinsèque) n’est ni un bon conducteur ni un bon isolant, mais il devient progressivement
conducteur quand la température augmente. Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le Silicium (Si) et le Germanium (Ge).

SEMI-CONDUCTEURS
L’écart énergétique
c’est le Gap
Isolant Semi-conducteur Conducteur 10

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classiﬁcation périodique des éléments. Ce sont le
Germanium, et surtout le Silicium. Ils ont la caractéristique principale d’être tétravalents, c’est-à-dire que leur couche
extérieure comporte 4 électrons.

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
4.1. Semi-conducteur intrinsèque
12
SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
Un semi-conducteur à l’état pur est appelé semi-conducteur intrinsèque, il se caractérise par 4 électrons de valence. Dans un
réseau cristallin, les atomes ont une liaison covalente qui emploie tous les électrons ne laissant aucun libre. Il se comporte alors
comme un isolant en l’absence d’agitation thermique . L’agitation thermique permet à certains électrons de la BV de franchir le
Gap et de passer à la BC.
Que se passe-t-il lorsqu’un électron passe de la bande de valence vers la bande de conduction ?
Lorsqu’un électron franchit le Gap et se retrouve dans la bande de conduction, il quitte son atome et se déplace librement à
travers le réseau. Il se comporte donc comme un électron libre. L’absence des électrons dans leurs atomes a reçu le nom trou.
Sous l’action d’un champ électrique ou de la température, un électron de liaison voisin du trou va pouvoir le combler laissant à
sa place un nouveau trou qui pourra à son tour être comblé par un autre e-, etc. Tout se passe donc comme si le trou progresse
dans le sens du champ électrique et participe à la conduction dans le semi-conducteur, au même titre que l’e- libre. On définit
donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est bien sûr fictif, et seul est réel le déplacement des e-.

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
Génération d’un
trou
Recombinaison
d’un électron avec
un trou
Electrons libres et trous dans un

cristal Si

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Concentration intrinsèque
Dans un semi-conducteur pur, soumis à l’agitation thermique, il apparaît par unité de volume n électrons et p trous tel que :
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
La concentration en électrons libres 𝑛 (le nombre d’électrons libres par m3) et en trous libres 𝑝 sont donc égales et valent la
concentration intrinsèque 𝑛𝑖 . Donc :
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
La concentration intrinsèque peut être exprimée comme suit :
−𝐸𝐺 C’est la loi d’action de masse

𝑛i2 = Nc NV exp
𝑘𝑇
𝑁𝑐 et 𝑁𝑉 sont les densités d'états effectives respectives des électrons dans la bande de conduction et des trous dans la bande de
valence. k𝑇 est l’énergie thermique produit de la constante de Boltzmann 𝑘 (1.38 × 10−23 𝐽/𝐾) et de la température 𝑇. 𝐸𝐺 est
la largeur de la bande interdite exprimée comme suit: 𝐸𝐺 = 𝐸𝐶 − 𝐸𝑉
3/2 3/2
2π 𝑚𝑛 𝐾𝑇 2π𝑚𝑝 𝐾𝑇
𝑁𝑐 = 2 ; 𝑁𝑉 = 2
ℎ3 ℎ3
𝑚𝑛 et 𝑚𝑝 représentent la masse apparente de l’électron et du trou, respectivement et ℎ est la constante de Planck (h = 6.62 ×
10−34 𝐽/𝐻𝑧).
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SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
La concentration intrinsèque de porteurs à l’équilibre thermodynamique peut être donc exprimée en fonction de la température,
comme suit:
−𝐸𝐺
𝑛𝑖 = 𝐴. 𝑇 3/2 . 𝑒𝑥𝑝 [𝑐𝑚−3 ]
2𝐾𝑇
A est une constante spécifique au matériau [cm-3/K3/2].

La loi d’action de masse est toujours vérifiée pour un cristal à l’équilibre thermique (qu’il soit intrinsèque ou non).

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Quelques valeurs numériques pour le Silicium et le Germanium
Grandeurs Germanium Silicium

𝐸𝐺 0.72 𝑒𝑉 1.12 𝑒𝑉
𝑛𝑖 2.4 1013 /𝑐𝑚3 1.5 1020 /𝑐𝑚3
𝑚𝑛 0.5 𝑚 1.1 𝑚
𝑚𝑝 0.5 𝑚 0.55 𝑚
𝑚 est la masse de l’électron 𝑚 = 9.1 × 10−31 𝑘𝑔

eV= électron-Volt (énergie)

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Conductivité intrinsèque
La conductivité d’un semi-conducteur σ (Ω-1m-1 ou S/m) peut être définie comme :
σ = σ𝑛 + σ𝑝 = 𝑞(𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝 )
Pour un semi-conducteur intrinsèque, 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 . La conductivité devient alors :
σ𝑖 = σ𝑛 + σ𝑝 = 𝑞 𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝 = 𝑞𝑛𝑖 (μ𝑛 + μ𝑝 )
➢ Résistivité
La résistivité 𝜌 (Ω.m ) est inversement proportionnelle à la conductivité :
1
𝜌= 19
σ
SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
4.2. Semi-conducteur extrinsèque
Dans un semi-conducteur intrinsèque, il existe peu d’électrons libres donc les semi-conducteurs intrinsèques ne sont pas très
utiles à cet état. Par conséquent, on procède au dopage qui consiste à implanter des atomes correctement sélectionnés
(nommés impuretés) à l’intérieur du semi-conducteur intrinsèque afin d’en contrôler ses propriétés électriques. Dans ce cas,
le semi-conducteur s’appelle semi-conducteur extrinsèque.
La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l’intérieur du semi-conducteur.

➢ Si elle augmente la densité des électrons, il s’agit d’un dopage de type N.
➢ Si elle augmente la densité des trous, c’est le dopage de type P.

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
4.3. Semi-conducteur type N
Afin d’augmenter le nombre d’électrons libres, des atomes pentavalents sont ajoutés. Ce sont des atomes avec 5 électrons de
valence, comme le Phosphore, l’Antimoine et l’Arsenic et sont connus sous le nom d’atomes donneurs, car ils fournissent
un électron supplémentaire au Silicium.
Chaque atome de Phosphore ou d’Antimoine forme des liaisons covalentes Électron libre
avec 4 atomes de Silicium adjacents. Quatre des électrons de valence de venant de l’atome
l’atome Antimoine sont utilisés pour former des liaisons covalentes avec 4 Antimoine
électrons de Silicium, laissant un électron supplémentaire.
Cet électron est un électron libre car il n’est pas attaché à son atome.
Le nombre d’électrons libres est égal au nombre d’atomes pentavalents. Un

tel semi-conducteur est appelé de type N car les porteurs de charge
majoritaires sont des électrons libres. Atome Antimoine
Electronique Analogique Dopage N (excès d’e-) 21

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Concentration des porteurs
Un semi-conducteur intrinsèque est électriquement neutre. L'addition d'impuretés de type N ou de type P ne change rien à
cela. Pour énoncer cela mathématiquement, soit 𝑁𝐷 la densité des atomes donneurs par m3 et 𝑁𝐴 la densité des atomes
accepteurs par m3. D’après la neutralité électrique du système, on a:
𝑁𝐴 + 𝑛 = 𝑝 + 𝑁𝐷
Un semi-conducteur dopé N a une densité d'électrons 𝑛 plus élevée et une densité de trous 𝑝 plus faible. On dit alors que les
électrons sont les porteurs majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires. Dans ce cas, 𝑛 >> 𝑝 et 𝑁𝐴 = 0. Les densités de
porteurs pour un semi-conducteur de type N sont alors:
𝑛 = 𝑝 + 𝑁𝐷 ≈ 𝑁𝐷
𝑛𝑖2
𝑝≈ 22
𝑁𝐷
SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Conductivité
La conductivité électrique est définie comme :
σ = 𝑞 𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝
La conductivité σ𝑒𝑥𝑡.𝑁 dans le cas d’un semi-conducteur dopé type N est donc exprimée comme suit:
σ𝑒𝑥𝑡.𝑁 = 𝑞 𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝 ≈ 𝑞𝑛μ𝑛 𝑛≫𝑝
σ𝑒𝑥𝑡.𝑁 ≈ 𝑞𝑁𝐷 μ𝑛

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
4.4. Semi-conducteur type P
Afin d’augmenter le nombre de trous dans le Silicium intrinsèque, des atomes trivalents sont ajoutés. Se sont des atomes avec
trois électrons de valence, tels que le Bore et le Gallium et sont connus sous le nom d’atomes accepteurs car ils laissent un
trou dans la structure cristalline du semi-conducteur.
Chaque atome de Bore forme des liaisons covalentes avec 4 atomes de

Trou venant de
Silicium. Les trois électrons de valence de l’atome de Bore sont utilisés l’atome Bore
dans ces liaisons. Etant donné que 4 électrons sont nécessaires, un trou est
formé dans chaque atome de Bore.
Le nombre de trous est égal à celui d’atomes trivalents.

Un tel semi-conducteur est dit de type P car les porteurs de charge
majoritaires sont des trous.
L’atome de Bore
Dopage P (excès de trous) 24

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Concentration des porteurs
Un semi-conducteur dopé P a une densité d'électrons 𝑛 plus faible et une densité de trous 𝑝 plus élevée. On dit alors que les
électrons sont les porteurs minoritaires et les trous sont les porteurs majoritaires. Pour les semi-conducteurs extrinsèques, la
densité de dopant (atome accepteur) est toujours très supérieure à la densité de porteurs intrinsèques 𝑁𝐴 >> 𝑛𝑖.
Les densités de porteurs pour un semi-conducteur de type P sont :
𝑝 = 𝑛 + 𝑁𝐴 ≈ 𝑁𝐴 (𝑝 ≫ 𝑛 𝑒𝑡 𝑁𝐷 = 0)
𝑛𝑖2
𝑛≈
𝑁𝐴

SEMI-CONDUCTEURS
4. Semi-conducteurs
➢ Conductivité
La conductivité σ𝑒𝑥𝑡.𝑃 dans le cas d’un semi-conducteur dopé type P est exprimée comme suit:
σ𝑒𝑥𝑡.𝑃 ≈ 𝑞𝑁𝐴 μ𝑝 (𝑝 ≫ 𝑛)
Ordres de grandeur:
Isolant: 𝜎 < 10−6 𝑆/𝑚

Conducteur: 𝜎 ≈ 108 𝑆/𝑚
Semi-conducteur: 𝜎 ≈ 0.1 à 10−4 𝑆/𝑚

LA JONCTION PN

LA JONCTION PN
Une jonction PN est obtenue en mettant en contact un semi-conducteur type P et un semi-conducteur type N. C’est l’endroit où
se rencontrent les deux semi-conducteurs.
Elle a entrainé beaucoup d’inventions, en particulier les diodes, transistors et circuits intégrés.
NB : La jonction PN est réalisée sur le même semi-conducteur et non pas sur des cristaux différents, l’un type N et l’autre type
P.
Jonction PN Jonction PN
SC-P SC-N SC-P SC-N

LA JONCTION PN
1. Fonctionnement d’une jonction PN non polarisée

Une jonction PN est dite non polarisée, si aucune tension extérieure n’est appliquée à ses bornes.
A l’absence de toute source d’énergie extérieure, les électrons de la zone N ont tendance à migrer vers la zone P, c’est le
phénomène de diffusion. Les électrons de la zone N passent à la zone P pour se recombiner avec les trous en laissant un ion
positif dans la zone N et un ion négatif dans la zone P, au voisinage de la jonction PN.
Les ions sont des charges fixes qui créent un champ interne dirigé de N vers P Zone de déplétion
ou une barrière de potentiel (Vb) aux bornes de la jonction. La zone de
Zone P Zone N
déplétion est la zone des charges fixes. Elle est dite également la zone de
charge d’espace ou zone de transition. Pour qu’un électron libre traverse la
zone de déplétion, il doit vaincre Vb.
Vb est de l’ordre de 0.7 V pour le Silicium et 0.3 V pour le Germanium.
Le champ électrique au niveau de la jonction empêche la diffusion des

porteurs de charge et maintient la séparation des trous côté P et des électrons
côté N. L'équilibre est atteint lorsque la force exercée sur les porteurs de
charge par le champ électrique est égale à la force de diffusion.
LA JONCTION PN
Type P Type N

LA JONCTION PN
➢ Courants de diffusion et de saturation
La diffusion des électrons de N vers P donne naissance à un courant dit le courant de diffusion ID, dirigé de P vers N.
Le champ interne au niveau de la jonction PN favorise par contre le passage des porteurs minoritaires (les trous dans P et les
électrons dans N). Il se crée donc un courant de porteurs minoritaires dirigé de N vers P. Il est appelé courant de saturation,
noté Is et ne dépend que de l’activité intrinsèque du semi-conducteur, donc de la température.
Pour une jonction non-polarisée, le courant total est exprimé comme suit :
𝐼 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝑠 = 0
𝐼𝐷 est dû aux porteurs de charge majoritaires et 𝐼𝑠 aux minoritaires.
31
LA JONCTION PN
2. Fonctionnement d’une jonction PN polarisée en directe
On applique une tension continue aux bornes de la jonction PN, la borne négative sur le côté N et la borne positive sur le côté P.
C’est la polarisation directe.
La source de tension pousse les électrons vers la jonction et donc deux
possibilités existent :
➢ Si la tension de la source est plus faible que la barrière de potentiel,
les électrons n’ont pas assez d’énergie pour traverser la zone de
déplétion. Les ions les repoussent du côté N , et donc il n’y a pas de
courant à travers la jonction.
➢ Si la tension de la source est supérieure à la barrière de potentiel, les
électrons libres ont une énergie suffisante pour traverser la zone de
déplétion et aller se recombiner avec les trous du côté P.
Quand l’électron entre dans la zone P, il continue son voyage en passant

de trou en trou pour finalement atteindre la borne + de la source. Ceci
donne naissance à un courant direct.

LA JONCTION PN
3. Fonctionnement d’une jonction PN polarisée en directe
Le passage d’un électron libre de trou en trou dans l’atome de Silicium.

LA JONCTION PN
3. Fonctionnement d’une jonction PN polarisée en inverse
La source continue est inversée; le côté P est relié au pôle négatif et le côté N au pôle positif. C’est la polarisation inverse. Les
trous et les électrons libres s’éloignent de la jonction car le pôle + attire les électrons et le pôle – attire les trous, par conséquent
la zone de déplétion s’élargit.
Les électrons libres ne peuvent pas traverser la jonction.
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DIODES A JONCTION PN

1. Définition et symbole
La diode est un semi-conducteur à jonction PN. Ses deux bornes sont repérés comme suit: Anode (A) et Cathode (K).
Le symbole de la diode ressemble à une flèche qui pointe de P vers N: de l’anode à la cathode.
La diode sert à bloquer le courant dans un sens et à le faire passer dans l’autre sens.

2. Sens du courant et signe de tension A K A K
VA > VK Tension positive VA <VK Tension négative

VD=VAK= VA-VK VD=VAK= VA-VK
3. Caractéristique complète de la diode ID=f(VD)
Une résistance est un composant linéaire, sa caractéristique courant-tension est une ligne droite. Pour la diode c’est différent,
c’est un composant non linéaire, sa caractéristique n’est pas une ligne droite. Ceci est dû à la barrière de potentiel. Si la tension
appliquée est plus petite qu’elle, le courant est faible. Quand la tension sur la diode dépasse la barrière de potentiel, le courant à
travers la diode augmente.

3. Caractéristique complète de la diode ID=f(VD)
o Zone de blocage directe: la diode est polarisée dans le sens directe, mais la tension est trop faible pour débloquer la jonction.
o Zone de coude: la tension commence à débloquer la diode.
o Zone linéaire: la diode est passante
o Zone d’emballement thermique: si le courant dépasse une certaine limite 𝐼𝐹𝑚𝑎𝑥 , la diode se détruit.
o Zone de blocage inverse: la diode est polarisée en inverse.
o Zone de claquage: l’intensité croît brusquement si la tension dépasse la tension maximale inverse, Dans se cas la diode se
détruit.
I Polarisation directe
IFmax
Zone linéaire
Zone de blocage inverse Zone de

coude
V
Vseuil
Zone de claquage Zone de blocage

Polarisation inverse directe Zone d’emballement
thermique

ID
3.1. Polarisation directe (région directe)
VD
➢ Montage de polarisation directe et caractéristique directe
A 0V aux bornes de la diode, il n’y a pas un courant à travers la diode. ID
Quand la tension de polarisation augmente, la tension 𝑉𝐷 dépasse la tension VD

seuil 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 (Barrière de potentiel) et le courant 𝐼𝐷 croit rapidement. Vpolarisation
La tension seuil est la tension pour laquelle le courant commence à augmenter
rapidement. L’analyse du circuit de la diode se réduit habituellement à
déterminer si la tension sur la diode est supérieure ou inférieure à la
tension de seuil. Pour le Silicium, 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 ≈ 0.7 𝑉.
Vpolarisation augmente davantage, le courant à travers la diode augmente

∆𝑉𝐷
également, mais 𝑉𝐷 augmente graduellement. 𝑅𝑑 =
Cette faible augmentation au niveau de 𝑉𝐷 est due à la résistance interne de la ∆𝐼𝐷
diode (résistance de la zone de déplétion). Elle est dite la résistance directe, 𝑅𝑑 .

3.1. Polarisation directe (région directe)
➢ Expression du courant total direct I
D’après la caractéristique, le courant obéit à la tension aux bornes de la diode selon une loi exponentielle définie comme suit:
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝑠 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 −1
IS est le courant de saturation 𝐼𝑠 = 𝑓(𝑇)

VT est la tension thermodynamique, VT = kT/q ≈ 26 mV à 25 °C
VD est la tension de la diode

3.2. Polarisation inverse (région inverse) VD
➢ Montage de polarisation inverse et caractéristique inverse ID=0
A 0V aux bornes de la diode, il n’y a pas un courant à travers la diode. Quand la

tension inverse aux bornes de la diode (𝑉𝐷) augmente, il y a un faible courant
inverse, appelée: courant de saturation inverse. Vpolarisation
Ce courant est du à la libération de quelques électrons grâce à l’agitation thermique
des ions dans la zone de déplétion.
Le courant inverse d’une diode au silicium est tellement faible qu’il est ignoré
dans la plupart des applications.
Une fois Vpolarisation touche la tension de claquage 𝑉𝐵𝑅, le courant inverse croit
rapidement. Ceci mène à la destruction de la diode. La tension de claquage est une
limite de la tension inverse qu’une diode peut supporter avant d’être détruite. Pour
plusieurs diodes, elle est supérieure à 50 V ; elle est indiquée sur les fiches
techniques.

3.2. Polarisation inverse (région inverse)
En polarisation directe, le courant croît exponentiellement avec la tension; le terme exponentiel est rapidement prépondérant
devant 1. Pour une tension suffisamment positive (V𝐷 = VAk > 0.7 𝑉), l’expression de I devient:
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 , si VD > 0.7 V
En polarisation inverse, la diode ne laisse circuler qu'un très faible courant que l'on admet nul :
𝐼 = −𝐼𝑠 ≃ 0 , si VD < 0.7 V

Question:
La diode dans le circuit ci-dessous est-elle polarisée en direct ou en inverse ?

4. Approximations de la diode en régime statique

Un régime statique est un régime dans lequel les sources (tension et/ou courant ne varient pas avec le temps).
Lorsque nous désirons comprendre le fonctionnement d’un montage comprenant des diodes, il est souvent plus simple de
considérer la diode de manière approximative, c’est-à-dire la présenter sous forme d’un modèle de circuit équivalent. Selon le
besoin, nous utilisons un schéma équivalent approximatif. Le choix de l’approximation dépend de l’utilité du circuit à diode.
4.1. Diode idéale (1ère approximation)

Dans la plupart des cas, la solution exacte n’est pas nécessaire, alors le moyen le plus simple pour comprendre le
fonctionnement d’une diode est de la modéliser comme un interrupteur.
Ce modèle ne tient pas en compte la barrière de potentiel et la résistance dynamique. Il est moins précis.
Il est utilisé pour des estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
Modèle d’une diode idéale

Modèle d’une diode idéale
𝑉𝐷 = 0, 𝐼𝐷 ≥ 0 Polarisation inverse
Polarisation inverse Polarisation directe

Polarisation directe
𝐼𝐷 = 0, 𝑉𝐷 ≤ 0
Polarisation directe Polarisation inverse Caractéristique d’une

diode idéale 44
4.2. Diode parfaite (2ème approximation)

Le cas idéal est suffisant pour la plupart des dépannages. Parfois, il faut une valeur plus précise du courant
et de la tension de la diode.
Dans la 2ème approximation, le niveau de précision est supérieur et il tient en compte la barrière de potentiel.
Polarisation inverse
Quand la diode est polarisée en direct, nous assimilons la diode à un interrupteur en série avec une barrière
de potentiel. Si la tension aux bornes de la diode est supérieure à 0.7 V (pour Si), l’interrupteur est fermé Polarisation directe
et 𝑉𝐷 = 0.7 𝑉 pour 𝐼𝐷 ≥ 0 .
Quand la diode est polarisée en inverse, elle est représentée par un interrupteur ouvert. Donc 𝐼𝐷 = 0 pour 𝑉𝐷 ≤ 0.7 𝑉 .
Modèle d’une diode parfaite Modèle d’une diode parfaite
0,7 V
Polarisation directe Polarisation inverse Caractéristique d’une

diode parfaite
4.3. Diode réelle (3ème approximation)

Dans la 3ème approximation, la diode est modélisée par un générateur de Thévenin équivalent mais réel. Elle est donc
équivalente à un générateur de tension parfait de valeur 0.7 V avec une résistance directe 𝑅𝑑 . La résistance du modèle se
∆𝑉
détermine ainsi comme la pente de la courbe 𝐼 = 𝑓(𝑉) autour du point de repos : 𝑅𝑑 = ∆𝐼 𝐷
𝐷
Ce modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique d’une diode réelle. Le niveau de précision
dans ce cas est supérieur, mais le modèle est plus complexe.
Si la tension aux bornes de la diode est supérieure à 0.7 V, la diode est passante et sa tension égale à :
𝑉𝐷 = 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 + 𝑅𝑑 𝐼𝐷
Modèle d’une diode parfaite Pente due à la

Modèle d’une diode réelle Ri résistance Rd
=1/Rd Ri
0,7 V Rd
Polarisation inverse
Courant inverse très
faible dû à la grande Rd
résistance inverse
Polarisation directe
Caractéristique d’une 46
Polarisation directe Polarisation inverse
diode réelle
5. Droite de charge et point de fonctionnement en régime statique
La diode est insérée dans un circuit extérieur chargé de fixer les valeurs de 𝐼𝐷 et 𝑉𝐷 . Ce circuit est appelé circuit de polarisation.
Ce circuit impose l’équation ci-dessous dont le graphe est appelé droite de charge.
𝑉𝐷 = E − R ID
La droite de charge permet de déterminer la valeur exacte du courant et de la

tension sur la diode.
Le point de fonctionnement statique 𝑃0 (𝐼0 , 𝑉0 ) est le point appartenant à :

• La droite de charge 𝑉0 = 𝐸 − 𝑅 𝐼0 𝑉𝐷
• La caractéristique statique de la diode 𝐼 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 − 1
Il est souvent représenté par la lettre 𝑄. C’est le point d’intersection entre la

courbe de la diode et la droite de charge. Il est dit aussi point de repos ou point
de polarisation.
47
5. Droite de charge et point de fonctionnement en régime statique
Exercice d’application:
Soit le montage suivant:

Avec:
𝐸𝑔 = 5 𝑉
𝑅𝑔 𝑛é𝑔𝑙𝑖𝑔𝑒𝑎𝑏𝑙𝑒
𝑅1 = 𝑅2 = 330 Ω
Déterminer la droite de charge et le point de fonctionnement, en exploitant la caractéristique de la première approximation et

celle de la deuxième approximation de la diode.

CIRCUITS A DIODES

CIRCUITS A DIODES
Introduction
La diode est un composant électronique très intéressant. On peut l’employer dans une grande variété
d’applications:
• Les diodes sont surtout utilisées pour redresser une tension, c'est-à-dire pour convertir une
grandeur alternative (successivement positive et négative) en une grandeur exclusivement positive.
Cette fonction est notamment essentielle dans les alimentations électriques.
• Les diodes sont également utilisées pour limiter la tension sur d'autres composants, ou ce qu'on
appelle "écrêtage". L’écrêtage de tension peut par exemple servir à protéger d’autres composants
de surtensions éventuelles ou encore à maintenir une tension constante à leurs bornes (régulation
de tension).
• Une toute autre application des diodes, c'est celle de témoin lumineux. Les diodes
électroluminescentes (LEDs) émettent de la lumière lorsqu'elles sont traversées par un courant.
Il existe bien d’autres utilisations des diodes comme la détection d’une tension crête, la multiplication
de tension, etc. 50
CIRCUITS A DIODES
Introduction
Les systèmes électroniques, tels que les ordinateurs et les télévisions, sont très sensibles à l'alimentation électrique (surtout la
tension) et nécessitent que l’alimentation électrique soit continue pour qu'ils fonctionnent correctement. Il se trouve, par
contre, que le réseau électrique fournie une tension alternative, alors il faut convertir cette tension alternative (AC) en une
tension constante (DC), c'est le rôle joué par un circuit électronique qu'on appelle circuit d'alimentation. Il est basé
principalement sur une fonction de redressement réalisée via des circuits à diodes, une fonction de filtrage puis la régulation.

CIRCUITS A DIODES
1. Redressement
Il consiste à transformer une tension périodique à valeur moyenne non nulle à partir d’une tension alternative périodique. Il
existe deux types de redresseurs : mono-alternance (simple alternance) et bi-alternance (double alternance).
1.1. Redressement simple alternance ou mono-alternance

Un redresseur simple alternance est un redresseur ne faisant passer que les alternances positives et supprimant les alternances
négatives d’une entrée sinusoïdale.
R-SA
On suppose dans ce qui va suivre que les diodes sont caractérisées par une résistance directe 𝑅𝐷 nulle.

CIRCUITS A DIODES
1. Redressement
1.1. Redressement simple alternance ou mono-alternance
➢ Montage et principe de fonctionnement

Une simple diode en série avec une charge R, alimentée par une tension sinusoïdale 𝑉𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑒 𝑐 sin 𝜔𝑡 fournie par le
secondaire d’un transformateur abaisseur pour abaisser la tension de 220 V à 12 V par exemple. Le transformateur est
couramment utilisé dans ce type d’alimentation pour amener la valeur de la tension du secteur à des niveaux plus bas
supportables par les diodes, transistors et autres composants électroniques. La relation entre la tension de sortie efficace et la
𝑉 𝑁 𝐼 𝑵
tension d’entrée efficace dans un transformateur est donnée par la formule : 𝑉 𝑒 = 𝑁2 = 𝐼1 , donc 𝑽𝒆 = 𝑵𝟐 𝑽𝒆𝟎 .
𝑒0 1 2 𝟏
N1 et N2 représentent le nombre de spires au primaire et au secondaire du transformateur, respectivement. 𝐼1 et 𝐼2 sont les
courants primaire et secondaire, respectivement. 𝑁 :𝑁 1 2 𝑖𝐷
𝑉𝐷
220 𝑉 𝑉 𝑉𝑒0 𝑅 𝑉𝑠
𝑒0 𝑉𝑒
50 Hz

CIRCUITS A DIODES
➢ Cas idéal
𝑁1 : 𝑁2
Lorsque la tension d’entrée est positive (alternance positive),
la diode est polarisée en direct et conduit du courant à travers 𝑉𝑒 𝑉𝑠
R. L’interrupteur équivalent à la diode est alors fermé et le 0
𝑇 𝑇 𝑇
courant produit une tension de sortie à travers la charge, qui 2 2
a la même forme que le demi-cycle positif de la tension
d’entrée.
𝑇
𝑉𝑠 (𝑡) = 𝑉𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑉𝐷 (𝑡) = 0 ; 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑡 ∈ 0,
2 𝑁1 : 𝑁2
Lorsque la tension d’entrée devient négative, la diode est 𝑉𝑒 𝑉𝑠

polarisée en inverse. Le courant à travers la résistance est 0
nul, donc la tension de sortie est nulle. 𝑇 𝑇 𝑇 𝑇
2 2
𝑇
𝑉𝑠 (𝑡) = 0 𝑒𝑡 𝑉𝐷 (𝑡) = 𝑉𝑒 (𝑡) ; 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑡 ∈ [ , 𝑇]
2
CIRCUITS A DIODES
Nous remarquons que seuls les tensions positives apparaissent à travers la charge.
De ce fait, le circuit élimine les demi-cycles négatifs, Il s’agit d’une tension
continue pulsée. 𝑉𝑒 (𝑡)
𝑉𝑒 𝑡 , 𝑉𝑠 (𝑡) 𝑉𝑒 𝑐
𝑉𝑠 𝑐
𝑉𝑠 (𝑡)
𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 𝑉𝑠 𝑐
𝑡
𝑇/2 𝑇
𝑉𝐷 (𝑡)
−𝑉𝑒 𝑐
−𝑉𝑒 𝑐
𝐷 𝑝𝑎𝑠𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝐷 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑒 𝑖(𝑡)

𝑉𝑒𝑐
Un signal simple alternance est une tension périodique qui croît jusqu’à un 𝑅
maximum, décroît jusqu’à zéro, et reste nulle pendant toute la demi-période

𝑝 𝑏 𝑝 𝑏 𝑝 𝑏 𝑝
négative. Ce n’est pas cette forme de tension qu’il faut en électronique, c’est une
tension continue comme celle donnée par une pile. Pour cela, il faut filtrer la tension
simple alternance, et cette fonction sera étudiée plus tard dans ce chapitre.
55
CIRCUITS A DIODES
• Valeur moyenne et valeur efficace de la tension simple alternance

La valeur moyenne d’un signal, notée 𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 (𝑉 ഥ𝑠 𝑜𝑢 𝑉𝑠 ), correspond à la surface sous la courbe, répartie de manière uniforme
sur la période du signal. C’est la moyenne des valeurs mesurées pendant une période donnée. Sa valeur efficace correspond à la
tension continue qui aurait, en moyenne, les même effets sur le fonctionnement des récepteurs et les échanges d'énergie. Ces
deux valeurs de la tension sont calculées, dans le cas d’un redressement simple alternance avec les équations suivantes:
𝑉𝑠 𝑐 𝑉෡𝑠 𝑉෡𝑠 𝑉𝑠 𝑐
𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = = ; 𝑉𝑠 𝑒𝑓𝑓 =
𝜋 𝜋 2
𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦
𝑉𝑠 𝑐 (notée également 𝑉෡𝑠 𝑜𝑢 𝑉𝑠 𝑚𝑎𝑥 ) est la valeur crête de la tension de sortie redressée.
0 𝑇/2 𝑇
• Tension inverse crête TIC à tp

C’est la tension appliquée aux bornes de la diode en polarisation inverse. 𝑁1 : 𝑁2
TIC est égale à la valeur crête de la tension d'entrée, et la diode doit I =0 A
être capable de supporter cette tension inverse répétitive.
𝑉𝑒
𝑇𝐼𝐶 = 𝑉𝑒𝑐
-𝑉𝑒𝑐
1
• Fréquence du signal de sortie : 𝑓𝑠 = 𝑇 = 𝑓𝑒 , T est la période du signal d’entrée. 56
CIRCUITS A DIODES
➢ Effet de la barrière de potentiel
Lorsque la barrière de potentiel est tenue en compte, on n’obtient pas un signal simple alternance parfait sur R. Quand la tension
d’entrée est positive, elle doit surmonter la barrière de potentiel pour que la diode soit passante. Il en résulte une tension de
sortie avec une valeur crête inférieure de 0.7V à la valeur crête de la tension d’entrée.
𝑉𝑠𝑐 = 𝑉𝑒𝑐 − 0.7

V
𝑉𝑒 𝑐
𝑁1 : 𝑁2 0.7 V 𝑉𝐷1 = 0.7𝑉
𝑉𝑠 𝑐
𝑉𝑒 𝑐 𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉𝑒 𝑐 − 0.7 𝑉
𝑉𝐷1
t
−𝑉𝑒 𝑐

CIRCUITS A DIODES
1.2. Redressement double alternance

Le montage précédent représente l’inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que peut délivrer le transformateur.
Pour y remédier, au moins deux diodes sont utilisées dans le même montage afin d’obtenir les deux alternances. Il permet donc
un courant dans la charge pendant tout le cycle d’entrée. Le résultat de redressement à double alternance est une tension de
sortie continue qui pulse chaque demi-cycle de l’entrée.
𝑉𝑒 R-DA 𝑉𝑠
Il existe deux types de montages:

• Le montage avec transformateur à point milieu
• Le montage avec pont de Graëtz

CIRCUITS A DIODES
1.2.1. Redressement par transformateur à point milieu

𝑉1
Ce redresseur utilise deux diodes connectées au secondaire d’un transformateur à
point milieu. Le transformateur avec deux enroulements secondaires est branché 𝑉𝑒0
de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase (𝑉1 (𝑡) et 𝑉2 (𝑡)).
𝑉 𝑉2
La moitié de la tension secondaire 2𝑒 apparait donc entre la prise centrale et chaque
extrémité du secondaire.
Quand la tension d’entrée est positive, la diode supérieure (𝐷1 ) est

polarisée en directe et celle inférieure (𝐷2 ) est polarisée en inverse. 𝑉𝑒0 𝑉𝑠
Le trajet du courant traverse R comme indiqué sur la figure.
𝑇
Pour 𝑡 ∈ 0, 2 ,
𝑉𝑒 𝑐
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉1 𝑐 = , dans le cas des diodes idéales
2
𝑉𝑒 𝑐
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉1𝑐 − 0.7 = − 0.7 , dans le cas des diodes parfaites
2
59
CIRCUITS A DIODES
Lorsque la tension d’entrée est négative, les polarités de tension
sur le secondaire sont inversées. Ceci inverse la polarisation des
diodes. Dans ce cas, la diode supérieure est polarisée en inverse 𝑉𝑒0 𝑉𝑠
et celle inférieure est polarisée en directe.
Le courant traverse la charge comme indiqué sur la figure.
𝑇
Pour 𝑡 ∈ 2 , 𝑇 :
𝑉𝑒 𝑐
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉2 𝑐 = , dans le cas des diodes idéales
2
𝑉𝑒
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉2 𝑐 − 0.7 = 2𝑐 − 0.7 , dans le cas des diodes parfaites
Nous remarquons que seuls les tensions positives apparaissent à travers la charge.
La tension de sortie développée est une tension positive continue redressée en double alternance.
𝑉𝑠 𝑉1
𝑉D1,2 = 0.7 𝑉 𝑉2
𝑉1 𝑐
𝑉s
𝑉𝑠 𝑐
Diodes idéales Diodes parfaites
t
D1 passante D2 passante
D2 bloquée D1 bloquée
−𝑉2 𝑐
60
CIRCUITS A DIODES
• Valeur moyenne et valeur efficace de la tension double alternance

Le nombre d’alternances positives obtenues par un redresseur double alternance est le double de celui obtenu par un redresseur
simple alternance. Par conséquent, la valeur moyenne et la valeur efficace dans ce cas sont données par :
2 𝑉𝑠 𝑐 2 𝑉෡𝑠 𝑉𝑠 𝑐
𝜋 𝜋 2
𝑉𝑠 𝑐 est la valeur crête de la tension de sortie redressée.
• Tension inverse crête

Chaque diode du redresseur est alternativement polarisée en direct et en inverse.
La tension inverse maximale que doit supporter chaque diode est la valeur crête de 𝑉𝑒0 𝑉𝑒
𝑉𝑒𝑐
la tension totale du secondaire. 𝑉𝑠 𝑐 =
2
𝑇𝐼𝐶 = 2𝑉1 𝑐 = 2𝑉2 𝑐 = 𝑉𝑒

𝑐
1 1
• Fréquence de sortie : 𝑓𝑠 = 𝑇 =2 = 2𝑓𝑒
𝑇
2

CIRCUITS A DIODES
1.2.2. Redressement par pont de Graëtz

Un autre montage permettant de retrouver le même résultat que le redresseur par transformateur à point milieu.

Quatre diodes sont connectées à une source de tension alternative et à une résistance de charge R.
𝑉𝑒0 𝑉𝑒
𝑉𝑠

CIRCUITS A DIODES
Quand la tension d’entrée est positive, les diodes D1 et D2 sont

polarisées en direct et conduisent le courant dans le sens indiqué
sur la figure. Une tension est développée à travers la résistance.
Durant cette alternance, D3 et D4 sont polarisées en inverse.
𝑇 𝑉𝑒0
Pour 𝑡 ∈ 0, 2 ,
𝑉𝑠
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉𝑒 𝑐 , pour des diodes idéales
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉𝑒 𝑐 − 1.4 , pour des diodes parfaites
Quand la tension d’entrée est négative, les diodes D3 et D4 sont

polarisées en direct tandis que D1 et D2 sont bloquées.
Une tension de sortie redressée à deux alternances apparait sur
R à la suite de cette action.
𝑇 𝑉𝑒0
Pour 𝑡 ∈ 2 , 𝑇 ,
𝑉𝑠
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉𝑒 𝑐 , pour des diodes idéales
𝑉𝑠 𝑐 = 𝑉𝑒 𝑐 − 1.4 , pour des diodes parfaites
63
CIRCUITS A DIODES
𝑉𝑠
V 𝑉𝑒 𝑐
𝑉e c
2. 𝑉D =1.4 V
𝑉𝑠 𝑐
2. 𝑉𝐷
2. 𝑉𝐷 t
D1 et D2 D3 et D4
-𝑉𝑒 𝑐 passantes passantes
D3 et D4 D1 et D2
bloquées bloquées
Diodes parfaites Diodes idéales
64
CIRCUITS A DIODES
• Valeur moyenne et valeur efficace de la tension double alternance

Comme pour le redresseur avec transformateur à point milieu, la tension moyenne et la tension efficace sont données par :
2 𝑉𝑠 𝑐 2 𝑉෡𝑠 𝑉𝑠 𝑐
𝜋 𝜋 2
• Tension inverse crête
Quand D1 et D2 sont polarisées en direct, D3 et D4 sont polarisées en inverse. Dans ce cas, la tension inverse que doit supporter
chaque diode polarisée en inverse corresponds à la tension secondaire crête:
𝑇𝐼𝐶 = 𝑉𝑒 𝑐
• Fréquence de sortie : 𝑓𝑠 = 2𝑓𝑒
𝑉𝑒0 𝑉𝑒
𝑉𝑠

CIRCUITS A DIODES
2. Filtrage
Après redressement, l’amplitude du signal reste trop grande pour pouvoir être utilisée par les appareils électroniques. Afin de
minimiser cette tension, le filtrage est d’une grande nécessité. Un filtre d’alimentation réduit considérablement les fluctuations
de la tension de sortie d’un redresseur mono-alternance ou double alternance et il produit une tension continue. Le filtrage est
nécessaire car les circuits électroniques nécessitent une source constante de tension et de courant continu pour fournir de
l’énergie et une polarisation pour un fonctionnement correct. Le filtrage est effectué en utilisant des condensateurs.
Ondulations
𝑉𝑒 Redresseur 𝑉𝑒 Redresseur 𝑉𝑠
double double Filtre
alternance alternance
Redresseur sans filtre Redresseur avec filtre

CIRCUITS A DIODES
2.1. Filtrage pour un redresseur simple alternance
➢ Montage et principe de fonctionnement 𝑉𝑒0 𝑉𝑒 𝑉𝐶 𝑅 𝑉𝑠

Les montages précédents fournissent des tensions redressées, mais non
constantes. Pour obtenir une tension constante, il suffit de mettre un gros
condensateur en parallèle avec la charge. Le condensateur jouera le rôle
d’un réservoir de charge. Il rentre dans un cycle de charge-décharge. 𝑉𝑒𝑐
𝑉𝑒𝑐
Cycle de charge: quand la tension d’entrée 𝑉e (potentiel d’anode de la 𝑇
0
diode) est supérieure à la tension 𝑉𝑐 du condensateur (potentiel de la 2 𝑇
cathode), la diode conduit. Dans ce cas, la charge est alimentée et le

condensateur (totalement déchargé) se charge jusqu’à arriver à son
maximum.
Cycle de décharge: quand la tension d’entrée 𝑉e est inférieure à 𝑉𝑐 , la

diode devient bloquée (interrupteur ouvert). L’ensemble condensateur- 0 𝑇
2
𝑇
résistance R forme une boucle isolée de la tension d’entrée. Dans cette

situation, le condensateur se comporte comme un générateur et se
décharge dans la charge. 67
CIRCUITS A DIODES
➢ Choix du condensateur
Le condensateur se charge rapidement au début du cycle et se décharge lentement, comme illustré ci-dessous:
Large ondulation Petite ondulation
La variation de la tension de sortie due à la charge et à la décharge du condensateur est dite tension d’ondulation. Plus
l’ondulation est petite, plus on obtient un bon filtrage. Afin d’évaluer l’efficacité et l’opération du filtrage, nous calculons le
facteur d’ondulation 𝑟. Il est défini comme le rapport de la tension d’ondulation (∆V = Vs c−c ) sur la valeur moyenne de la
∆𝑉
tension de sortie du filtre (𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 ). L’expression du facteur d’ondulation est: r = 𝑉
𝑠𝑚𝑜𝑦
∆𝑉
Le taux d’ondulation est donc: 𝜏 % = 𝑟 × 100 = 𝑉 × 100
𝑠𝑚𝑜𝑦 ∆𝑉
𝑉𝑠 ∆𝑉 1
Avec ∆𝑉 = 𝑅 𝑓𝑐𝐶 et 𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = 𝑉𝑠 𝑐 − = 𝑉𝑠 (1 − 2𝑅𝑓𝐶) 𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦
2 𝑐
𝑐 𝑉𝑠 𝑐 𝐼𝑠
La capacité du condensateur est: C = 𝑓.𝑅.∆𝑉 = 𝑓 ∆𝑉 . 𝐼𝑠𝑐 est le courant maximal de décharge du condensateur.
68
CIRCUITS A DIODES
2.2. Filtrage pour un redresseur double alternance
Le raisonnement de fonctionnement reste le même que précédemment. Puisque la fréquence de la tension de sortie d’un
redresseur double alternance est le double de celle d’un redresseur simple alternance, l’opération du filtrage pour un RDA
devient simple et le condensateur est deux fois plus petit.
𝑉𝑒
2 𝑉𝑒0 𝑉𝑒
𝑉𝑠
𝑉𝑠

CIRCUITS A DIODES
2.2. Filtrage pour un redresseur double alternance
Pour un redressement double alternance, la fréquence de sortie est deux fois plus grande que la fréquence d’entrée et la
tension d’ondulation est deux fois plus petite.
Pour une charge donnée, plus la capacité du filtrage est grande, plus le filtrage est efficace. Et pour un condensateur donné, moins
la charge appelle le courant (R est grande), plus le filtrage est efficace
Ondulation
Tension de sortie d’un RSA Filtrage de la tension de sortie d’un RSA

Ondulation
Tension de sortie d’un RDA Filtrage de la tension de sortie d’un RDA
𝑉𝑠 𝐼𝑠 𝑉𝑠
L’expression de la tension d’ondulation: ∆𝑉 = 2 𝑅 𝑓𝑐 𝐶 = 2 𝑓.𝐶
𝑐
, donc C = 2𝑓 𝑅𝑐∆𝑉
70
CIRCUITS A DIODES
3. Stabilisation
La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension pratiquement constante. Cette opération peut être réalisée
par une diode Zener.
3.1. Diode Zener
Les diodes petit signal et les diodes de redressement ne fonctionnent jamais volontairement dans la zone de claquage car c’est
dangereux pour elles. Une diode Zener est différente, c’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans
la zone de claquage. Elle conduit le courant dans les deux sens. La diode Zener est l’ossature des régulateurs de tension : circuits
qui maintiennent la tension sur la charge presque constante en dépit des variations du secteur et de la résistance de charge. Pour
les diodes Zener, la ligne ressemble à un Z comme « Zener ».
En variant le dopage, les constructeurs peuvent réaliser des tensions inverses de claquage différentes. Ces diodes peuvent
fonctionner dans les trois régions : directe, inverse et de claquage.
71
CIRCUITS A DIODES
3.2. Caractéristique d’une diode Zener
En direct, la diode Zener se comporte comme une diode normale (fait passer le courant si la tension est supérieure à Vseuil).
En inverse, elle est conçue à produire une tension déterminée sans sa destruction. Elle ne fait passer le courant que si la tension
dépasse la tension Zener 𝑉𝑍 .
La tension inverse est augmentée, le courant inverse (IZ) reste extrêmement faible jusqu’à le « genou » de la courbe. A ce point,
la tension de Zener (VZ) reste essentiellement constante bien qu’elle augmente légèrement comme le courant Zener, IZ,
augmente. ID
IZ
Diode passante en
polarisation directe
VZ (𝑉 ≥ 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙)
Tension inverse de claquage
VZ =-VD VD
Vseuil
La région de claquage inverse est la
région de fonctionnement normale ID
pour la diode Zener Diode bloquée
Diode passante en
polarisation inverse VD
72
(𝑉 ≥ 𝑉𝑍) IZ =-ID
CIRCUITS A DIODES
3.3. Modèles d’une diode Zener
➢ 1ère approximation de la diode Zener

En inverse, la diode Zener a une chute de tension égale à la tension Zener (VZ).
Dans cette approximation, elle est représentée par un générateur VZ (la diode ne
génère pas une tension).
➢ 2èmeapproximation de la diode Zener

Dans cette approximation, la résistance Zener est tenue en compte.
Cette résistance est égale à l’inverse de la pente de la caractéristique
dans la région de claquage. Autrement dit, plus la pente est verticale,
plus la résistance Zener est faible.
∆𝑉𝑍
𝑅𝑍 = ∆𝐼𝑍
Les paramètres de la courbe de la diode Zener sont définis comme suit :

𝑉𝑍 = tension de claquage Zener (V), 𝐼𝑍𝑀 = courant maximum Zener (A)
et 𝐼𝑍𝐾 = Courant de coude Zener (A).
73
CIRCUITS A DIODES
3.4. Stabilisation par diode Zener

𝑅𝑠
Un régulateur de tension est un dispositif qui permet de stabiliser une tension à une
valeur fixe et qui est nécessaire pour alimenter des systèmes électroniques qui ont besoin
d’une tension ne présentant aucune fluctuation. Les diodes Zener sont idéales pour 𝑉 𝑉𝑠
réguler les tensions, puisqu’elles fonctionnent dans la zone de claquage et maintiennent la
tension presque constante. Elles sont évidemment choisies de sorte que VZ soit égale à la
tension de sortie désirée. Le circuit de stabilisation par diode Zener est représenté dans la figure Stabilisateur de tension
ci-contre :
Une résistance en série 𝑅𝑠 est toujours utilisée pour limiter le courant en dessous de la valeur maximale admissible ; sinon, la
diode Zener est détruite, comme tout composant dissipant trop de puissance. 𝑅𝑠
Supposons que la charge R est déconnectée et la résistance de Zener Rz est négligée.

Si V ≥ Vz alors Vs=Vz 𝑉
VZ 𝑉𝑠
Si V < Vz alors Vs=V.
Alors, pour pouvoir stabiliser la tension de sortie par diode Zener, il faut que :
o V ≥ Vz
o Le courant dans la diode Zener Iz ne tombe jamais au-dessous de 𝐼𝑍𝐾.
o Le courant dans la diode Zener Iz ne dépasse pas 𝐼𝑍𝑀 . 74
CIRCUITS A DIODES
Supposons que la charge R est connectée et la résistance de Zener Rz est prise en compte.
Si V ≥ Vz
𝑅𝑠 𝑅𝑠
1 𝑅𝑍
𝑉𝑠 = 𝑉+ 𝑉
1 1 1 1 𝑍
1 + 𝑅𝑠 (𝑅 + 𝑅) 1 + 𝑅𝑠 (𝑅 + 𝑅)
𝑍 𝑍
𝑉 𝑉𝑠
𝑉𝑍
Alors, pour pouvoir stabiliser la tension de sortie par diode Zener, il faut que :
o V ≥ Vz
o Le courant dans la diode Zener Iz ne tombe jamais au-dessous de 𝐼𝑍𝐾 (la stabilisation n’est pas possible si Iz est inférieur au
courant minimal 𝐼𝑍𝐾 ).
o Le courant dans la diode Zener Iz ne dépasse pas 𝐼𝑍𝑀 (au-delà de l’intensité maximale supportée par la diode, la diode Zener
peut être détériorée).

CIRCUITS A DIODES
4. Diodes particulières
En modifiant certains paramètres (concentrations en impureté, géométrie de la jonction, etc), on obtient des composants
diversifiés utilisables dans de nombreux domaines, comme:
Redressement Protection et stabiliation

o Diodes de redressement classique. o Diodes stabilisatrices de tension (diodes Zener)
o Diodes de protection
o Diodes de référence, etc.
Electronique rapide Optoélectronique
o Diodes tunnel o Diodes électroluminescentes LED
o Diodes PIN o Photodiodes
o Diodes Schottky o Diodes laser
o Diodes varicap o Photopiles
o Diodes Gunn, etc. o Etc.

CIRCUITS A DIODES
➢ Diode Schottky
Autour de 50-60 Hz, le redressement de la tension se fait grâce à une diode normale sans problème. Mais, une fois que la
fréquence est plus grande (5 kHz par exemple), la diode normale commence à se détériorer et ne peut pas répondre rapidement
aux alternances négatives (elle n’est plus capable de se bloquer assez rapidement pour produire un signal simple alternance bien
défini), ce qui produit des alternances indésirables vers les alternances négatives. Le problème est éliminé lorsqu'on utilise une
diode Schottky.

CIRCUITS A DIODES
Point de jonction
➢ Diode Schottky
Afin de permettre un fonctionnement à des fréquences plus élevées, la diode standard Anode Cathode
a été modifiée. La jonction PN a été remplacée par une jonction métal-semi-
conducteur, comme l’or-silicium. Elle possède une tension seuil plus faible que celle
d’une diode ordinaire (≈ 0.3V). Elle commute très rapidement les signaux et peut
ZEC étroite
conduire de fort courant (utilisée en HF).
L’application la plus importante des diodes Schottky se trouve dans les ordinateurs.
Leur rapidité est proportionnelle à la vitesse à laquelle leurs diodes commutent. Elle Anode Cathode
est également utilisée dans le domaine de radiofréquence, la démodulation et les
redresseurs qui nécessitent une vitesse de commutation élevée afin de répondre à ces
changements rapides.

CIRCUITS A DIODES
➢ Diode électroluminescente (LED)

La structure d’une LED ( ou DEL) est identique à celle d’une diode normale. Le symbole de la LED est comme celui d’une
diode standard avec l’ajout de deux flèches qui représentent la lumière émise.
Les électrons libres traversant la jonction se recombinent avec les trous. Lors de cette recombinaison, ils perdent de l'énergie.
Dans les autres diodes cette énergie est dissipée en chaleur, mais dans les diodes électroluminescentes elle est transformée en
radiation lumineuse. Ceci est dû au choix du semi-conducteur (le silicium et le germanium ne sont pas utilisés car ils
produisent de la chaleur et non de la lumière). Elle peut contenir de l’arséniure de gallium (GaAs), du phosphate d’arséniure
(GaAsP) de gallium ou du phosphate de gallium (GaP). La LED possède une faible valeur de tension inverse.
Anode Cathode
(A) P N (K)

CIRCUITS A DIODES
➢ Diode électroluminescente
Suivant les éléments de dopage (gallium, arsenic, phosphore, ...), les diodes émettent du rouge, du vert, du jaune, de l'orange, du
bleu ou de l'infrarouge (invisible). Les longueurs d’onde des LEDs sont: bleue à 460 nm, verte 540 nm, jaune 590 nm, rouge
660 nm, infrarouge 940 nm. Les diodes LED présentent des avantages par rapport à une lampe à incandescence; basse tension (1
à 2 V), rapidité de commutation (quelques ns) et durée de vie (> 20 ans).
Couleur (λ (A)) Tension seuil

Rouge ~ 1.6 V
Jaune ~2V Modèles standards Méplat
Vert ~ 2.1 V
Anode Cathode
Bleu ~ 4.5 V Patte longue
Patte courte
80
CIRCUITS A DIODES
➢ Diode électroluminescente
Les afficheurs à sept segments est une application des LEDs, ils permettent d’afficher des valeurs alphanumériques. Il s’agit
d’un ensemble de 7 LEDs définies de « a » à « g » selon une répartition standard (chaque LED doit avoir une résistance série).

CIRCUITS A DIODES
➢ Diode laser
Le terme laser désigne une source lumineuse électronique pouvant produire un faisceau lumineux cohérent intense. La diode
laser est une LED structurée en cavité résonante. 2 cotés latéraux parfaitement parallèles sont dotés de miroirs réfléchissants et
orientés vers l’intérieur. L’une des surfaces réfléchissante est quasiment parfaite, la seconde transmet partiellement la lumière.
Comme pour la LED, la circulation d’un courant dans le sens direct produit l’émission spontanée de lumière dans la jonction.
Au dessus d’un certain seuil de courant, les photons engendrés par l’électroluminescence stimulent à leur tour l’émission
cohérente d’autres photons créant ainsi une amplification laser. La longueur de la jonction détermine la longueur d’onde du flux
émis.
CIRCUITS A DIODES
➢ Diode Tunnel
Dans une diode tunnel, les matériaux de la jonction sont fortement dopés. Ce fort dopage produit une très mince zone de
déplétion et le claquage inverse se produit à 0 V. En outre, les dopages très importants distordent la caractéristique. À cause de
cela, la diode tunnel a une courbe I = f(V) très inhabituelle comme on peut le constater dans la figure ci-contre.
Trois zones différentes sont distinguées:

o Zone A: le courant en polarisation directe augmente à partir d’une tension nulle jusqu’à Zone de résistance
un pic (IP) pour une tension relativement faible. négative
o Zone B: elle présente une résistance négative utile pour des circuits hautes fréquences
dits oscillateurs. Le courant dans cette zone diminue, même si la tension augmente,
Pic
jusqu’à un minimum relatif appelé vallée (IV).
o Zone C: le courant recommence à augmenter si la polarisation augmente (on peut
l’assimiler à une diode ordinaire). Vallée
En utilisant une polarisation directe entre le pic et la vallée, la diode peut devenir un
oscillateur ou un amplificateur dans une grande variété de fréquences et d’applications.

CIRCUITS A DIODES
➢ Diode Varicap
La diode à capacité variable (aussi appelée varactor ou varicap) est très largement utilisée dans les récepteurs FM, télévision, et
autres équipements de communication à cause de son utilité dans l’accord électronique.
En polarisation inverse, la diode varicap présente une capacité variable qui décroît avec la tension continue qui lui est appliquée,
ce que nous permet de l’utiliser comme un condensateur variable commandé en tension.
La diode varicap est utilisée dans de nombreuses applications radiofréquence. Elle sert notamment à réaliser des oscillateurs à
fréquence variable (VCO).
➢ Diode GUNN
Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence. C’est un
dispositif semi-conducteur avec deux bornes, composées uniquement d’un matériau semi-conducteur dopé n, contrairement aux
autres diodes constituées d’une jonction PN. Il est constitué de trois régions. Les deux régions raccordées aux connexions
extérieures sont fortement dopées N+++ tandis que la région centrale, très fine, est faiblement dopée N.
84

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COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

Chapitre I : Eléments de la physique des semi-conducteurs

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

1. Structure atomique et sa représentation

Exemple: électron de valence

Forme normale du Si Forme réduite du Si

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 5

Le cristal réel est tridimensionnel.

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 6

Lorsque l’on rapproche une grande quantité d’atomes

Les bandes d’énergie permettent de modéliser la faculté des électrons à se mobiliser

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 8

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 9

Isolant Semi-conducteur Conducteur 10

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 11

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 13

Electrons libres et trous dans un

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 14

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 15

La concentration intrinsèque peut être exprimée comme suit :

−𝐸𝐺 C’est la loi d’action de masse

A est une constante spécifique au matériau [cm-3/K3/2].

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 17

➢ Quelques valeurs numériques pour le Silicium et le Germanium

Grandeurs Germanium Silicium

𝑚 est la masse de l’électron 𝑚 = 9.1 × 10−31 𝑘𝑔

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 18

La conductivité d’un semi-conducteur σ (Ω-1m-1 ou S/m) peut être définie comme :

Pour un semi-conducteur intrinsèque, 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 . La conductivité devient alors :

σ𝑖 = σ𝑛 + σ𝑝 = 𝑞 𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝 = 𝑞𝑛𝑖 (μ𝑛 + μ𝑝 )

La résistivité 𝜌 (Ω.m ) est inversement proportionnelle à la conductivité :

La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l’intérieur du semi-conducteur.

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 20

Le nombre d’électrons libres est égal au nombre d’atomes pentavalents. Un

Electronique Analogique Dopage N (excès d’e-) 21

➢ Concentration des porteurs

La conductivité électrique est définie comme :

σ𝑒𝑥𝑡.𝑁 = 𝑞 𝑛μ𝑛 + 𝑝μ𝑝 ≈ 𝑞𝑛μ𝑛 𝑛≫𝑝

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 23

Chaque atome de Bore forme des liaisons covalentes avec 4 atomes de

Le nombre de trous est égal à celui d’atomes trivalents.

Dopage P (excès de trous) 24

➢ Concentration des porteurs

Les densités de porteurs pour un semi-conducteur de type P sont :

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 25

Isolant: 𝜎 < 10−6 𝑆/𝑚

Electronique Analogique Pr. ZEDAK 26

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

SC-P SC-N SC-P SC-N

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1. Fonctionnement d’une jonction PN non polarisée

Le champ électrique au niveau de la jonction empêche la diffusion des

1. Fonctionnement d’une jonction PN non polarisée

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1. Fonctionnement d’une jonction PN non polarisée

➢ Courants de diffusion et de saturation

𝐼𝐷 est dû aux porteurs de charge majoritaires et 𝐼𝑠 aux minoritaires.

2. Fonctionnement d’une jonction PN polarisée en directe

Quand l’électron entre dans la zone P, il continue son voyage en passant

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3. Fonctionnement d’une jonction PN polarisée en directe