Cours ELN Analogique-Chapitre 1

Cours : Electronique Analogique I
Chapitre 1
Notions Fondamentales sur la Physique des
Semi-conducteurs
2020/2021
Chapitre 1: Notions Fondamentales sur la Physique des Semi-conducteurs
Plan
1. Rappels sur la Structure de la matière 3. Semi-conducteurs extrinsèques
1.1. Structure de l’atome 3.1. Silicium dopé en N
1.2. Structure d’un cristal 3.2. Silicium dopé en P
1.3. Bandes d’énergie 3.3. Dopage successif du Silicium
2. Semi-conducteurs purs 4. Phénomène de conduction dans les semi-conducteurs
2.1. Définition 4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous

2.2. Semi-conducteurs à l’équilibre thermodynamique 4.2. Détermination de la densité du courant de conduction
2.3. Semi-conducteurs hors Equilibre 5. Phénomène de diffusion dans les semi-conducteurs

2.4. Hauteur de bande interdite
5.2. Diffusion des trous
2.5. Phénomène de recombinaisons des électrons libres 5.1. Diffusion des électrons
2.6. Concentration des électrons et trous dans le silicium pur
6. Densités du courant de conduction et de diffusion
1.Rappels sur la Structure de la matière
1. 1. Structure de l’atome
Un atome est constitué d’un noyau autour duquel gravitent des électrons de charge électrique q
négative (-1.6.10-19 Colomb)
L’atome étant électriquement neutre
Le noyau contient deux types de particules:
Les neutrons qui ne sont pas chargés
Nombre de protons= Nombre d’électrons
Les protons qui portent une charge électrique + q
Les électrons d’un atome gravitant autour du

Electrons internes noyau sont assujettis à occuper des niveaux
d’énergie discret, définissant chacun une
Fortement liés au noyau Electrons de Valence couche électronique.
Plus le niveau est élevé, plus la couche qui lui
Peu liés au noyau
correspond est éloignée du noyau.
Atome de Silicium (Z=14)
Remarque:
Contrairement aux deux premières, la couche M est incomplète, elle
peut accueillir 4 électrons supplémentaires. Tel que tous les atomes
tendent à avoir 8 électrons sur leurs couches périphériques.
1/25
1.2. Structure d’un cristal
Un cristal est constitué d’un ensemble d’atomes.
La cohésion des atomes est assurée par la mise en commun des

électrons de valence pour former des liaisons dites de covalence.
 Les états énergétiques possibles des électrons du cristal sont représentés

par un diagramme analogue à celui de l’atome.
 A cause de l’interaction des atomes entre eux, ces niveaux d’énergie se

transforment en bandes d’énergie séparées par des bandes interdites.
 Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la

bande de valence est lié à un atome donné du solide.
 Un électron de la bande de valence est commun à plusieurs atomes.
 Un électron dont l’énergie se situe dans la bande de conduction circule

librement dans le solide (à la présence d’une différence de potentiel).
Les cristaux formant chaque type de matériau présentent une hauteur de bande interdite qui lui est propre.
Cette bande est formée par la différance d’énergie entre la bande de conduction et celle de valence (appelé aussi écart énergétique).
2/25
1.2. Structure d’un cristal
L’écart énergétique permet de distinguer les matériaux en :
1- Conducteurs
Matériau qui conduit aisément le courant électrique. Les meilleurs 3- Semi-conducteurs
conducteurs sont des matériaux constitués d’un seul élément Matériau se situant entre le conducteur et
comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium, ces éléments sont l’isolant. Un semi-conducteur à l’état pur
caractérisés par un seul électron de valence faiblement lié à (intrinsèque ) n’est pas un bon conducteur
l’atome. ni un bon isolant. Les éléments uniques
les plus utilisés pour les semi-conducteurs
Résistivité plus faible: ρ ≤ 10-5 Ωcm
sont le Silicium, le Germanium et le
carbone.
2- Isolant [ 10-3 ≤ ρ ≤ 104] Ωcm

Matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des conditions
normales. La plupart des bons isolants sont des matériaux composés de
plusieurs éléments, contrairement aux conducteurs. Les électrons de
valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu
d’électrons libres de se déplacer dans un isolant.
108 ≤ ρ Ωcm
3/25
1.3. Bandes d’énergie
Isolant Conducteur Semi-conducteur

Energie Energie Energie
0 0 0
Bande de conduction
Bande de interdite
Bande valence
Un vaste écart énergétique entre les Les bandes énergétiques se chevauchent. Un écart énergétique plus restreint,
bandes. Dans un conducteur, il existe toujours un permettant à quelques électrons de
Les électrons de valence ne peuvent pas grand nombre d’électrons libres. sauter vers la bande de conduction
sauter vers la bande de conduction. et devenir des électrons libres.
4/25
2. Semi-conducteurs purs
2.1. Définition
En industrie, les semi-conducteurs sont fabriqués avec un haut degré de pureté, c-à-d, moins d’un atome
étranger pour 1011 atomes.
Semi-conducteur pur ou intrinsèque
5/25
Chapitre 1: Notions Fondamentales sur la Physique des Semiconducteurs
2.1. Définition
Matériau étudié depuis l’année 1830
6/25
2.2. Semi-conducteurs à l’équilibre thermodynamique
Soit un cristal de silicium pur, non excité, au zéro absolu (T= 0°K) et dans l’obscurité.
Chaque atome de silicium met ses 4 électrons périphériques en commun avec ses voisins pour
avoir 8 électrons sur sa couche externe.
Assurent la cohésion du
cristal de silicium
Fortement liés aux

atomes
à T= 0°K Aucune apparition d’une charge mobile susceptible d’assurer la circulation d’un courant électrique.
Sa bande de valence est saturée (toutes les places sont occupées)

Le silicium est alors un matériau isolant
Sa bande de conduction susceptible d’offrir des places libres est vide
7/25
2.3. Semi-conducteurs hors Equilibre

L’augmentation de la température dans un semi-conducteur permet aux électrons de la couche de valence
d’acquérir une énergie supplémentaire positive provoquant ainsi la rupture de quelques liaisons de covalences.
Ionisation Thermique: Génération de paires électrons trous
Porteur libre capable de se déplacer dans le cristal
à T >> 0°K Autorise la circulation d’un courant électrique sous une

différence de potentiel
Le cristal est un mauvais isolant d’où son

appellation: Semi-conducteur
Remarque: Le phénomène d’ionisation thermique ne touche qu’un nombre très faible d’atomes de silicium
(3 sur 1013 à la température de 300 °K)
8/25
2.4. Hauteur de bande interdite

Quantité d’énergie minimale nécessaire pour Hauteur de la
Paramètre essentiel d’un semi-conducteur briser une liaison de covalence pour bande interdite EG
générer une paire électron-trou
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2.5. Phénomène de recombinaisons des électrons libres
L’ionisation thermique devrait conduire à

l’ionisation de tous les atomes de silicium dont le
nombre est 𝟓𝟓. 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟐𝟐𝟐𝟐 par 𝑐𝑐𝑐𝑐3 . Mais c’est pas le cas.
En fait, elle est compensée par un autre
phénomène de recombinaisons des électrons
libres.
Recombinaisons d’électrons libres:
 L’électron libre se déplace de la bande de conduction vers la bande de valence pour combler un trous.
 Ce déplacement d’électron permet au semi-conducteur de restituer l’énergie sous forme de chaleur ou
émet de la lumière (photon), phénomène utilisé dans les diodes électroluminescentes (LED) ou les
lasers semi-conducteurs.
10/25

n: nombre d’électrons libres dans la bande de conduction
On défini la concentration par unité de volume (cm3)
p: nombre de trous libres dans la bande de valence
∆𝐸𝐸𝑛𝑛 ∆𝐸𝐸𝑝𝑝
Tel que, la mécanique statistique montre que: 𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝑐𝑐 exp − et 𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑣𝑣 exp −
𝑘𝑘𝑘𝑘 𝑘𝑘𝑘𝑘
𝑁𝑁𝑐𝑐 : Densité effective d′ états des éléctrons dans la bande de conduction (2.82 1019 cm3 ) à 300°K pour 𝑆𝑆𝑖𝑖
𝑁𝑁𝑣𝑣 : Densité effective d′ états des trous dans la bande de valence (1.83 1019 cm−3 ) à 300°K pour 𝑆𝑆𝑖𝑖
∆𝐸𝐸𝑛𝑛 et ∆𝐸𝐸𝑝𝑝 : Représentent deux différences d′ énergies liées à un niveau de Fermi𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖
Niveau de Fermi𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖 représente la limite qui sépare les places libres et les places occupées
K: Constante de Boltzmann = 8.6 10−5 eV K −1
T: Température absolue en °K
A température ambiante (300°K), un équilibre s’établie entre

les phénomènes d’ionisation thermique et de recombinaison
n=p= ni la concentration intrinsèque
11/25

La concentration intrinsèque 𝑛𝑛𝑖𝑖 en électrons libres et en trous
libres dépend de la hauteur de la bande interdite
𝐸𝐸𝐺𝐺 et de la température T comme le montre la relation
suivante:
𝐸𝐸𝐺𝐺
𝑛𝑛 = 𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑖𝑖 = 𝐴𝐴𝑇𝑇 3/2 exp −
2𝑘𝑘𝑘𝑘
A: une constante propre au matériau
Pour le Silicium pur à 300 °K, il est démontré que le niveau de

Fermi 𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖 est situé au milieu de la bande interdite.
Par exemple à T= 300°K on obtient: 𝑛𝑛𝑖𝑖 300°𝐾𝐾 = 1,451010 𝑐𝑐𝑐𝑐−3
Le Silicium intrinsèque a des applications pratiques limitées comme la Photos résistance ou la thermistance.
Cependant, il est possible en introduisant certaines impuretés, par la technique de dopage en quantité
contrôlée, de privilégier un type de conduction par électrons libres ou trous libres.
12/25
3. Semi-conducteurs extrinsèques
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés

spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques
(diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).
3.1. Silicium dopé en N
On obtient un semi-conducteur de type N

en dopant le cristal de silicium avec des
atomes possédant 5 électrons sur leur
couche de valence. Généralement, on
utilise le phosphore (ou l’Arsenic)
appartenant à la 5ème colonne de la
classification des éléments.
Atome donneur
Une très faible énergie suffit pour libérer

le 5ème électrons pour se retrouver libre
dans la bande de conduction.
13/25
3.1. Silicium dopé en N
A la température ambiante, la quasi-totalité des atomes donneurs sont ionisés. Si 𝑁𝑁𝑑𝑑 est la
concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont libérer une population n d’électrons libres, telle
que: n=𝑁𝑁𝑑𝑑 .
Pour trouver le nombres des trous libres, il faut utiliser la loi d’action de masse suivante: 𝑝𝑝𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑖𝑖2
Dans la modélisation du schéma des

bandes d’énergie, la population des
électrons libres de la bande de conduction
est beaucoup plus importante que celle
des trous libres dans la bande de valence
En conséquence, le niveau indicateur de

Fermi 𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 se déplace du milieu de la
bande interdite (𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖 ) vers la bande de
conduction de telle manière que:
𝑁𝑁𝑑𝑑
𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 − 𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 = 𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘
𝑛𝑛𝑖𝑖
14/25
3.2. Silicium dopé en P
On obtient un semi-conducteur dopé P en injectant dans le Atome accepteur

silicium des atomes de la 3ème colonne comme le Bore (ou
l’indium) qui possède 3 électrons sur leur couche de valence
(corps trivalent).
 Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit

de chaque atome accepteur.
 À la température ambiante, cette lacune est comblée par
un électron voisin sous l’effet de l’agitation thermique,
formant un trou positif dans le cristal, libre de se
déplacer à l’intérieur de celui-ci.
 On trouve donc, à température ambiante, pratiquement
autant de trous libres que d’atomes accepteurs. Bien sûr,
la neutralité du cristal est conservée globalement chaque
atome accepteur étant ionisé négativement après
capture d’un électron.
15/25
3.2. Silicium dopé en P

A la température ambiante, la quasi-totalité des atomes accepteurs sont ionisés. Si 𝑁𝑁𝑎𝑎 est la
concentration des atomes accepteurs, ceux-ci vont libérer une population p de trous libres, telle
que: p= 𝑁𝑁𝑎𝑎 .
Pour trouver le nombres des électrons libres, il faut utiliser la loi d’action de masse suivante: 𝑝𝑝𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑖𝑖2
Dans la modélisation du schéma des

bandes d’énergie, la population des
électrons libres de la bande de conduction
est beaucoup plus faible que celle des
trous libres dans la bande de valence
En conséquence, le niveau indicateur de

Fermi 𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 se déplace du milieu de la bande
interdite (𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖 ) vers la bande de valence de
telle manière que:
𝑁𝑁𝑎𝑎
𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖 − 𝐸𝐸𝐹𝐹𝑝𝑝 = 𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘
𝑛𝑛𝑖𝑖
16/25
3.3. Dopage successif du Silicium

Lors de la fabrication de composants électroniques à base de silicium, ce dernier subi des dopages
successifs. Par exemple, un premier dopage au Bore puis un deuxième dopage au Phosphore. Dans
ce cas, la population en électrons libres (n) et en trous (p) est encore donnée par la loi de masse:
𝑝𝑝𝑝𝑝 = 𝑛𝑛𝑖𝑖2
Cependant, il faut aussi tenir compte de la qui conduit à satisfaire une deuxième relation:
neutralité électrique du cristal:
𝑞𝑞 𝑝𝑝 + 𝑁𝑁𝑑𝑑 = 𝑞𝑞 𝑛𝑛 + 𝑁𝑁𝑎𝑎
Charges positives (+) = Charges négatives (-)
(Trous libres et ions +) (Electrons libres et ions -)
Dans ces conditions, on obtient les 𝑁𝑁𝑎𝑎 > 𝑁𝑁𝑑𝑑 le matériau est de type P
expressions des concentrations en 𝑁𝑁𝑑𝑑 > 𝑁𝑁𝑎𝑎 le matériau est de type N
porteurs libres: 𝑁𝑁𝑑𝑑 = 𝑁𝑁𝑎𝑎 le matériau est de type intrinsèque par compensation
𝑁𝑁𝑑𝑑 − 𝑁𝑁𝑎𝑎 + 𝑁𝑁𝑑𝑑 − 𝑁𝑁𝑎𝑎 2 + 4𝑛𝑛𝑖𝑖 2 La situation la plus courante est celle où l’une des concentrations
𝑛𝑛 =
2 domine très largement l’autre:
− 𝑁𝑁𝑑𝑑 − 𝑁𝑁𝑎𝑎 + 𝑁𝑁𝑑𝑑 − 𝑁𝑁𝑎𝑎 2 + 4𝑛𝑛𝑖𝑖 2
𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑎𝑎 ≫ 𝑁𝑁𝑑𝑑 le matériau est de type P affirmé
2
𝑁𝑁𝑑𝑑 ≫ 𝑁𝑁𝑎𝑎 le matériau est de type N affirmé
17/25
4. Phénomène de conduction dans les semi-conducteurs
4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous

En l’absence d’un champ électrique, le mouvement des porteurs de charge (électrons et trous) dans
le semi-conducteur est erratique (aléatoire) aucune direction n’est privilégiée.
En présence d’un champ électrique 𝐸𝐸, à ce mouvement désordonné s’ajoute une vitesse moyenne
proportionnelle au champ tel que:
• 𝜇𝜇𝑝𝑝 représente la mobilité des trous
𝑣𝑣𝑝𝑝 =𝜇𝜇𝑝𝑝 𝐸𝐸 𝑣𝑣𝑛𝑛 =-𝜇𝜇 𝑛𝑛 𝐸𝐸 • 𝜇𝜇𝑛𝑛 est la mobilité des électrons
Ces mobilités dépendent de la température, du champ électrique et du dopage. En effet:
• La mobilité diminue lorsque la température augmente: l’agitation thermique

accroît le nombre de chocsqui s’opposent au déplacement.
• A température ordinaire, la mobilité des trous (𝜇𝜇𝑝𝑝 ) est inférieure à la mobilité des
électrons (𝜇𝜇𝑛𝑛 ). 2
Pour le silicium : 𝜇𝜇𝑛𝑛 = 0,14 et 𝜇𝜇𝑝𝑝 = 0,05 en 𝑚𝑚 /Vs
Pour le germanium : 𝜇𝜇𝑛𝑛 = 0,38et 𝜇𝜇𝑝𝑝 = 0,17 en 𝑚𝑚2 /Vs
Remarque: Le mouvement moyen des porteurs de charges est uniforme (vitesse constante) et non pas
uniformément accéléré (cas de l’électron dans le vide), à cause des collisions avec les atomes du cristal.
18/25
4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous
Le champ électrique 𝐸𝐸 favorise le déplacement des trous dans le sens du champ

électrique et le déplacement des électrons mobiles dans le sens opposé.
Electron libre dans la bande de Conduction
Sous l'action du champ Sous l'action du champ

Ionisation thermique, c’est-à-dire électrique 𝐸𝐸 , l'électron de électrique l'électron de
création d'une paire électron- valence de l'atome 2 est venu valence de l'atome 3 est venu
trou au niveau de l'atome de combler le trou de l'atome 1 combler le trou de l'atome 2.
silicium 1 qui devient un ion voisin. L’atome 2 est un ion L’atome 3 est un ion positif
positif. En effet, l’atome 1 a positif avec une liaison de avec une liaison de covalence
perdu un électron qui est covalence insatisfaite c’est-à- insatisfaite c’est-à-dire un
emporté par le champ électrique. dire un trou. trou.
19/25
4.2. Détermination de la densité du courant de conduction
Soit un barreau de silicium homogène de section S et de

longueur Là température constante. Les porteurs libres
sont constitués de p trous et n électrons par 𝑐𝑐𝑐𝑐3 .
La différence de potentiel 𝑉𝑉 appliquée au barreau crée

𝑉𝑉
un champ électrique de norme constante 𝐸𝐸 = qui
𝐿𝐿
provoque le déplacement des électrons et des trous.
 La densité du courant par unité de volume due à:

 n électrons: 𝐽𝐽𝑛𝑛 = −𝑞𝑞𝑞𝑞𝑣𝑣𝑛𝑛 = 𝑞𝑞𝑞𝑞𝜇𝜇𝑛𝑛 𝐸𝐸= 𝜎𝜎𝑛𝑛 𝐸𝐸 𝜎𝜎𝑛𝑛 conductivité dues aux électrons (Ω−1 𝑐𝑐𝑐𝑐−1 )
 p trous :𝐽𝐽𝑝𝑝 = +𝑞𝑞𝑝𝑝𝑣𝑣𝑝𝑝 = 𝑞𝑞𝑝𝑝𝜇𝜇𝑝𝑝 𝐸𝐸= 𝜎𝜎𝑝𝑝 𝐸𝐸 𝜎𝜎𝑝𝑝 conductivité dues aux trous (Ω−1 𝑐𝑐𝑐𝑐−1 )
Loi d’Ohm
 La densité de courant de conduction totale vaut donc : 𝐽𝐽 = 𝐽𝐽𝑛𝑛 + 𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝜎𝜎𝑝𝑝 +𝜎𝜎𝑛𝑛 𝐸𝐸= 𝜎𝜎𝐸𝐸
généralisée
Remarque: La densité de courant de conduction totale

𝑱𝑱 est proportionnelle au champ électrique Conductivité du semi-conducteur
et à la conductivité 𝝈𝝈du cristal.
20/25
4.2. Détermination de la densité du courant de conduction
La présence d’un champ électrique dans le

barreau, conséquence de la différence de
potentiel appliquée, va entraîner une
inclinaison du schéma de bandes du semi-
conducteur dans le sens des potentiels
croissants.
On dispose alors d’une analogie mécanique

pour illustrer le sens du mouvement des
porteurs:
 Les électrons de la bande de conduction se comportent comme des billes sur un plan incliné. En
se déplaçant vers la droite leur énergie cinétique augmente alors que leur énergie potentielle
diminue. La somme des énergies étant, bien entendu, constante.
 Les trous de la bande de valence se comportent comme des ballons se déplaçant le long d’un
plafond incliné. Vers la gauche, ils voient leur énergie cinétique augmenter alors que leur énergie
potentielle diminue.
21/25
5. Phénomène de diffusion dans les semi-conducteurs
Lorsque, dans un cristal, les électrons et les trous ne sont pas uniformément répartis, ou si la
température n’est pas uniforme, l’énergie cinétique des porteurs par unité de volume n’est pas
uniforme.
Il apparaît alors un phénomène de diffusion des porteurs, des régions
de forte concentration aux régions de faible concentration, ou des
régions à haute température vers celles à basse température.
22/25
5.1. Diffusion des électrons
Considérons un barreau semi-conducteur de type

P comportant une densité de population de trous
et d’électrons libres :
p = 1016𝒄𝒄𝒄𝒄−𝟑𝟑 et n = 2.104𝒄𝒄𝒄𝒄−𝟑𝟑 .
L’effet d’une source lumineuse intense sur une de

ses faces va produire, par apport d’énergie, une
génération locale de paires électrons trous
(surpopulation), par exemple : n(0)=106𝒄𝒄𝒄𝒄−𝟑𝟑 en x
= 0, par rapport à l’équilibre où n(L) = 2.104𝒄𝒄𝒄𝒄−𝟑𝟑 .
On définit alors en x, une densité de courant de
diffusion des électrons proportionnelle au gradient de
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑥𝑥
Les électrons en excès, diffusés de la gauche vers la concentration de la surpopulation
𝑑𝑑𝑑𝑑
:
droite, sont recombinés par la forte population des
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑥𝑥 𝑘𝑘𝑘𝑘
trous majoritaires du semi-conducteur de type P. La 𝐽𝐽𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 = 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐷𝐷𝑛𝑛 = 𝜇𝜇𝑛𝑛
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑞𝑞
population des électrons n (x) diminue selon la loi :
constante de diffusion
𝑥𝑥 des électrons (𝒄𝒄𝒄𝒄𝟐𝟐 𝒔𝒔−𝟏𝟏 )
n(𝑥𝑥) = 𝑛𝑛 0 exp −
𝐿𝐿𝑛𝑛
Remarque: est négatif donc 𝑱𝑱𝒏𝒏𝒏𝒏𝒏𝒏𝒏𝒏 est bien dirigé
𝑑𝑑𝑑𝑑
où 𝐿𝐿𝑛𝑛 représente la longueur de diffusion des électrons. dans le sens des x négatifs.
23/25
5.2. Diffusion des trous
Considérons un barreau de semi-conducteur de

type N soumis à une source lumineuse intense sur
une de ses faces. On obtient un phénomène de
diffusion des trous excédentaires :
𝑥𝑥
p(𝑥𝑥) = 𝑝𝑝 0 exp −
𝐿𝐿𝑝𝑝
où 𝐿𝐿𝑝𝑝 représente la longueur de diffusion des trous.
On définit alors en x, une densité de courant de diffusion des électrons proportionnelle au gradient
de concentration de la surpopulation :
𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑑𝑑𝑝𝑝 𝑥𝑥 𝑘𝑘𝑘𝑘 Constante de diffusion

𝐽𝐽𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 = −𝑞𝑞𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐷𝐷𝑝𝑝 = 𝜇𝜇𝑝𝑝 des trous (𝒄𝒄𝒄𝒄𝟐𝟐 𝒔𝒔−𝟏𝟏 )
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑞𝑞
𝑑𝑑𝑝𝑝 𝑥𝑥
Remarque: Le terme est négatif, sachant que 𝑱𝑱𝒑𝒑𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅𝒅 est dirigé dans le sens des x positifs, il faut
𝑑𝑑𝑑𝑑
affecter lʹexpression 𝑱𝑱𝒑𝒑𝒑𝒑𝒑𝒑𝒑𝒑 dʹun signe négatif.
24/25
6. Densités du courant de conduction et de diffusion
La densité du courant de conduction La densité du courant de diffusion
 n électrons: 𝐽𝐽𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 = 𝑞𝑞𝑞𝑞𝜇𝜇𝑛𝑛 𝐸𝐸 𝐽𝐽𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 = 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑛𝑛
𝑑𝑑𝑑𝑑
 p Trous: 𝐽𝐽𝑝𝑝𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑞𝑞𝑝𝑝𝜇𝜇𝑝𝑝 𝐸𝐸 𝑑𝑑𝑝𝑝 𝑥𝑥

𝐽𝐽𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 = −𝑞𝑞𝐷𝐷𝑝𝑝
𝑑𝑑𝑑𝑑
Lorsque le semi-conducteur est soumis aux deux phénomènes de conduction (présence d’un champ
électrique) et de diffusion des porteurs (matériau non homogène), la densité de courant totale est
telle que :
𝑑𝑑𝑛𝑛 𝑥𝑥
 n électrons: 𝐽𝐽𝑛𝑛 = 𝐽𝐽𝑛𝑛𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 + 𝐽𝐽𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 = 𝑞𝑞𝑛𝑛(𝑥𝑥)𝜇𝜇𝑛𝑛 𝐸𝐸 + 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐽𝐽𝑛𝑛 = 𝑞𝑞 𝑛𝑛𝜇𝜇𝑛𝑛 𝐸𝐸 + 𝐷𝐷𝑛𝑛 grad𝑛𝑛
𝑑𝑑𝑑𝑑
ou
 p Trous: 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑥𝑥 𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝑞𝑞 𝑝𝑝𝜇𝜇𝑝𝑝 𝐸𝐸 − 𝐷𝐷𝑝𝑝 grad𝑝𝑝
𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝐽𝐽𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 + 𝐽𝐽𝑝𝑝𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 𝑞𝑞𝑞𝑞(𝑥𝑥)𝜇𝜇𝑝𝑝 𝐸𝐸 − 𝑞𝑞𝐷𝐷𝑝𝑝
𝑑𝑑𝑑𝑑
Pour le silicium on a : 𝐷𝐷𝑛𝑛 = 0,003 𝑚𝑚2 𝑠𝑠 −1

𝐷𝐷𝑝𝑝 = 0,001 𝑚𝑚2 𝑠𝑠 −1
25/25

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Cours : Electronique Analogique I

1. Rappels sur la Structure de la matière 3. Semi-conducteurs extrinsèques

1.1. Structure de l’atome 3.1. Silicium dopé en N

1.2. Structure d’un cristal 3.2. Silicium dopé en P

1.3. Bandes d’énergie 3.3. Dopage successif du Silicium

2. Semi-conducteurs purs 4. Phénomène de conduction dans les semi-conducteurs

2.1. Définition 4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous

2.3. Semi-conducteurs hors Equilibre 5. Phénomène de diffusion dans les semi-conducteurs

Les électrons d’un atome gravitant autour du

Atome de Silicium (Z=14)

1.2. Structure d’un cristal

Un cristal est constitué d’un ensemble d’atomes.

La cohésion des atomes est assurée par la mise en commun des

 Les états énergétiques possibles des électrons du cristal sont représentés

 A cause de l’interaction des atomes entre eux, ces niveaux d’énergie se

 Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la

 Un électron de la bande de valence est commun à plusieurs atomes.

 Un électron dont l’énergie se situe dans la bande de conduction circule

1.2. Structure d’un cristal

L’écart énergétique permet de distinguer les matériaux en :

2- Isolant [ 10-3 ≤ ρ ≤ 104] Ωcm

1.3. Bandes d’énergie

Isolant Conducteur Semi-conducteur

Semi-conducteur pur ou intrinsèque

Matériau étudié depuis l’année 1830

2.2. Semi-conducteurs à l’équilibre thermodynamique

Fortement liés aux

Sa bande de valence est saturée (toutes les places sont occupées)

2.3. Semi-conducteurs hors Equilibre

Ionisation Thermique: Génération de paires électrons trous

Porteur libre capable de se déplacer dans le cristal

à T >> 0°K Autorise la circulation d’un courant électrique sous une

Le cristal est un mauvais isolant d’où son

2.4. Hauteur de bande interdite

2.5. Phénomène de recombinaisons des électrons libres

L’ionisation thermique devrait conduire à

Recombinaisons d’électrons libres:

2.6. Concentration des électrons et trous dans le silicium pur

∆𝐸𝐸𝑛𝑛 et ∆𝐸𝐸𝑝𝑝 : Représentent deux différences d′ énergies liées à un niveau de Fermi𝐸𝐸𝐹𝐹𝑖𝑖

K: Constante de Boltzmann = 8.6 10−5 eV K −1

A température ambiante (300°K), un équilibre s’établie entre

2.6. Concentration des électrons et trous dans le silicium pur

Pour le Silicium pur à 300 °K, il est démontré que le niveau de

Par exemple à T= 300°K on obtient: 𝑛𝑛𝑖𝑖 300°𝐾𝐾 = 1,451010 𝑐𝑐𝑐𝑐−3

Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés

3.1. Silicium dopé en N

On obtient un semi-conducteur de type N

Une très faible énergie suffit pour libérer

3.1. Silicium dopé en N

Dans la modélisation du schéma des

En conséquence, le niveau indicateur de

3.2. Silicium dopé en P

On obtient un semi-conducteur dopé P en injectant dans le Atome accepteur

 Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit

3.2. Silicium dopé en P

Dans la modélisation du schéma des

En conséquence, le niveau indicateur de

3.3. Dopage successif du Silicium

4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous

Ces mobilités dépendent de la température, du champ électrique et du dopage. En effet:

• La mobilité diminue lorsque la température augmente: l’agitation thermique

4.1. Mobilité des porteurs de charge: électron et trous

Le champ électrique 𝐸𝐸 favorise le déplacement des trous dans le sens du champ

Electron libre dans la bande de Conduction