Circuit Analogique SA

Circuits
Analogiques
Institut de Formation aux Métiers de
l’Industrie Automobile
Département Systèmes Automatisés

PLAN
1. Semi-conducteurs
2. Rappels
3. Diodes
4. Transistor bipolaire
5. Amplificateur Opérationnel
2
Circuits Analogiques
1 – Semi-conducteurs
3
4
5
1.1 Définition
Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivité (résistivité) est
intermédiaire entre celle des conducteurs comme les métaux et celle des isolants. En
fait, la différence la plus caractéristique réside dans le sens de la variation de la
conductivité avec la température. Alors que la résistance d'un fil métallique augmente
avec la température, celle d'un semi-conducteur diminue.
6
1.1 Définition
Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le silicium et le germanium qui sont des
éléments tétravalents qui appartiennent à la quatrième colonne de la classification
périodique des éléments. Leurs atomes comportent quatre électrons (de valence) sur
la couche périphérique (couche de valence).
Couche de valence: 4 e-
7
8
1.1 Définition
Niveaux d’énergie des électrons
9
1.1 Définition
Niveaux d’énergie des électrons
10
11
12
13
1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques
Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons – nuage comportant 14 e-
Couche de valence: 4 e-
14
1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques
❖ Constitués de matériaux tétravalent purs comme le silicium ou le germanium (4

électrons de valence).
❖ Le gap a une largeur relativement faible (1 eV = 1,602177.10-16 J).
❖ A très basse température (0°K), les SC intrinsèques sont parfaitement isolants.
❖ L'agitation thermique à la température ambiante suffit pour libérer un nombre

d'électrons relativement important.
❖ La conductivité d'un Semi-conducteur dépend donc fortement de la température.
❖ Un atome qui perd un électron devient un ion positif. Le manque d'électron est
désigné par trou.
15
1.3 SC extrinsèque type N
Dopage d’un SC type N
16
1.4 SC extrinsèque type P
Dopage d’un SC type P
17
18
1.5 La jonction PN
Si on place deux semi-conducteurs, un de type P et

l'autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi
effectuée, le électrons majoritaires du coté N vont
diffuser vers le coté P et les trous majoritaires du côté
P vont diffuser vers le côté N.
Les électrons passés du côté P vont se recombiner

avec les trous abondants de ce côté, et les trous
passés du côté N vont se recombiner avec les
électrons abondants de ce coté. Il se crée alors une
région sans porteurs où il n'y a plus que des ions
positifs du coté N et des ions négatifs du coté P.
19
1.5 La jonction PN
Cette région dite, zone de déplétion ou zone dépeuplée n'est plus neutre
électriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une double répartition des
charges assez semblable à celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les
charges positifs d'un côté, les négatifs de l'autre. Il se crée alors un champ électrique
interne Ei orienté de N vers P qui va s'opposer à la diffusion des porteurs de part et
d'autre de la jonction.
En effet, si un électron arrive dans la zone de déplétion , il sera rappelé par le champ
vers la zone d'où il vient. De la même façon, les trous qui arrivent dans cette zone sont
renvoyés par le champ dans la zone P d'où ils sont venus. Si on reprend le phénomène
depuis le début, au fur et à mesure que les porteurs diffusent de part et d'autre de la
jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ augmente avec elles.
20
1.5 La jonction PN
Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est freinée, on dit qu'il y a
création d'une barrière de potentiel qui empêche les porteurs de traverser la jonction. Il
arrive un moment où il s'établit un équilibre statistique, tout se passe comme si aucun
électron n'arrive à diffuser du coté P et aucun trou n'arrive à diffuser du coté N, les
charges (+) et (-) de chaque côté de la jonction cessent d'augmenter et le champ aussi.
Zone de
déplétion
21
1.6 La jonction PN : Polarisation inverse
La jonction est polarisée en sens inverse lorsque le potentiel de son extrémité N est
supérieur à celui de son extrémité P. L'action du champ Eext créés par le générateur
externe d'ajoute à celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaires sont repoussés
encore un peu plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone de
déplétion. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est
bloquée.
22
1.7 La jonction PN : Polarisation directe
La jonction PN est polarisée en directe lorsqu'on relie l'extrémité P au pôle (+) et

l'extrémité N au pôle (-) d'un générateur de tension. Le champs externe Eext crée par
ce générateur au sein de la jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension
U du générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur à Ei, et les
porteurs ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant.
23
Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei, le

champ résultant dans la jonction est maintenant orienté de P cers N et va donc
favoriser la diffusion des électron de N vers P et des trous de P vers N. Il se crée alors
un courant électrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le
circuit extérieur).
24
Le seuil de tension à partir auquel la jonction devient passante est d'environ 0.26V
pour le germanium et 0.65V pour le silicium.
25
26
27
28
2 – Rappels
Les résistances sont les éléments les plus utilisés en

électronique. Leur fonction est de s'opposer au
passage du courant, la loi d'ohm donne la relation
entre la tension, la résistance du circuit et le courant.
L'unité de mesure des résistances est l'Ohm. Les
résistances vendues dans le commerce sont marquées
avec un code de couleur qui permet de reconnaître
leurs valeurs. Les systèmes les plus utilisés sont le
système à 4 anneaux et le système à 5 annaux.
29
2 – Rappels
➢ Code de couleur à 4 bandes
La lecture se fait de gauche à droite à partir de l'extrémité ou sont groupés les

anneaux. Les deux premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le
troisième anneau indique le nombre de zéros. Le quatrième anneau indique la
tolérance : Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1%
30
2 – Rappels
➢ Code de couleur à 5 bandes
Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le quatrième
anneau indique le nombre de zéros. Le cinquième anneau indique la tolérance :
Argent = 10% , Or = 5% , Rouge 2% , Marron 1%
31
2 – Rappels
32
2 – Rappels
Convention :
33
2 – Rappels
34
2 – Rappels
TD : Calculer la résistance équivalente
35
2 – Rappels
TD : Donner l’expression de U
36
2 – Rappels
TD: Calculer la tension au point B, en fonction de U1, U2,R1 et R2
37
2 – Rappels
TD: Calculer la tension au point C
38
2 – Rappels
39
3 – Les diodes
40
3 – Les diodes
▪ Définition
41
3 – Les diodes
▪ Définition
42
3 – Les diodes
▪ Polarisation directe de la diode
43
3 – Les diodes
▪ Polarisation inverse de la diode
44
3 – Les diodes
▪ Sens direct & inverse
45
3 – Les diodes
▪ Caractéristique courant- tension
46
3 – Les diodes
▪ Caractéristique courant- tension
Diode réelle Diode idéale
47
3 – Les diodes
▪ Vérification d’une diode à l’aide du multimètre
Mode « Diode »
48
3 – Les diodes
▪ Caractéristique d'une diode
Définition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en
fonction de la tension à ses bornes.
Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens directe,

mais la tension est trop faible pour débloquer la
jonction : zone de blocage directe.
Zone AB : la tension V commence à débloquer la
diode, c'est la zone du coude.
Zone BC : la diode est passante, c'est une zone
linéaire.
Zone OE : la diode est polarisée en inverse, c'est la
zone de blocage inverse.
Zone EF : l'intensité croit brusquement, c'est la zone
de claquage. 49
3 – Les diodes
▪ Paramètres essentiels des diodes
En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt

qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes, sauf les
suivants qui sont incontournables :
VF : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.
IF : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de fonctionnement.
VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).
IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour
plusieurs températures (généralement 25°C et Tmax).
50
3 – Les diodes
TD:
Calculer le courant I, pour les schémas suivants :
51
3 – Les diodes
TD:
Calculer le courant I et la tension UR3 aux bornes de R3, dans les cas suivants :
1. E = +5V (VD = 0,7V)
2. E = 1,5V (VD = 0,7V)
52
3 – Les diodes
TD:
Pour le montage suivant :

Calculer UR2 (VD = 0,6V) dans les cas suivants :
1. E = +5V
2. E = -5V
53
3 – Les diodes
▪ Redressement simple alternance
54
3 – Les diodes
▪ Redressement simple alternance
55
3 – Les diodes
▪ Filtrage simple alternance
56
3 – Les diodes
▪ Filtrage simple alternance
Ondulation :
57
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage avec transformateur à point milieu
58
3 – Les diodes
59
3 – Les diodes
60
3 – Les diodes
61
3 – Les diodes
▪ Redressement double alternance, montage à pont de Graëtz
62
3 – Les diodes
Ve
63
3 – Les diodes
64
3 – Les diodes
▪ Filtrage, double alternance
Ondulation :
65
3 – Les diodes
66
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
67
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Fonctionnement :
68
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Caractéristique et modèle :
69
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
Symbole :
70
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
71
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
72
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
73
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
TD :
74
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
TD :
75
3 – Les diodes
▪ Diode Zener
TD :
76
3 – Les diodes
▪ Travaux pratique
Redressement simple alternance :
77
3 – Les diodes
▪ Travaux pratique
Redressement simple alternance :
78
3 – Les diodes
79
3 – Les diodes
80
3 – Les diodes
81
3 – Les diodes
82
4 – Le Transistor Bipolaire
83
▪ Introduction
84
▪ Définition
Le transistor est constitué de 3 couches de semi-conducteurs. On distingue le
transistor NPN et le transistor PNP, dont les symboles sont comme suit:
85
▪ Définition
NPN PNP
86
▪ Principe de fonctionnement : effet transistor
En l’absence de polarisation, les porteurs majoritaires (Côté N: électrons - côté P:
trous ) diffusent de part et d’autres des deux jonctions PN, provoquant la création de
deux zones de déplétion où règnent deux champs « Ei » qui s’opposent à la diffusion
et engendrent une situation d’équilibre.
87
Si on applique un générateur externe entre le collecteur et l’émetteur, la jonction
collecteur-base est polarisée en inverse, sa zone de déplétion devient plus large,
aucun courant ne circule entre le collecteur et l’émetteur.
88
Si on applique un deuxième générateur entre la base et l’émetteur, la jonction
base - émetteur se trouve polarisée en direct, la zone de déplétion qui l’entourait
disparaît et un courant direct circule entre la base et l’émetteur, on l’appelle le
courant de base IB.
89
La polarisation de la jonction Base-Emetteur en direct va être à l’origine d’un
deuxième courant dans le transistor, en effet, l’émetteur fortement dopé N injecte un
grand nombre d’électrons dans la base (diffusion des porteurs majoritaires), ces
électrons ne vont pas tous être récupérés par le circuit extérieur, car, comme la base
est très mince, un grand nombre d’entre eux va se trouver au voisinage de la jonction
base – collecteur.
90
Pour la jonction base - collecteur, les électrons du côté de la base constituent les
porteurs minoritaires dont le passage côté collecteur est fortement encouragé par le
champ important qui règne autour de cette jonction. Il en résulte la circulation d’un
courant important entre le collecteur et l’émetteur à travers la base, ce phénomène
est appelé effet transistor (La jonction B-C fonctionne en inverse à cause de l’effet
transistor). Le courant de l’émetteur est noté IE, celui de la base est noté IB et celui
du collecteur est noté IC.
91
92
93
▪ Différence entre les transistors NPN et PNP
Dans la suite de ce cours, on ne va traiter que le Transistor NPN.

94
▪ Caractéristique du transistor
95
C’est un réseau de courbes qui décrit l’évolution du courant du collecteur IC en
fonction de la tension VCE et ceci pour différentes valeurs du courant de base IB.
En observant le réseau de caractéristiques, on note
que:
Pour les mêmes variations du courant IB , Les

courbes sont plus espacées pour les valeurs
importantes de IC , ce qui veut dire que β n’est pas
réellement une constante mais augmente avec IC.
La variation de β avec le courant IC n’est pas très
importante. Nous considérerons que β est une
Constante qui ne dépend que du type du
transistor. 96
97
▪ Régime de fonction
98
▪ Polarisation du transistor
99
▪ Polarisation du transistor : Polarisation par une résistance de base
100
▪ TD1. Polarisation du transistor: Polarisation par une
résistance de base.
101
▪ TD2. Polarisation du transistor: Polarisation par une
résistance de base.
Calculer les résistances RE ,RC et RB pour avoir:
102
▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances
103
▪ Polarisation du transistor: Polarisation par pont de résistances
104
▪ TD3. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de
résistances
105
▪ TD4. Polarisation du transistor: Polarisation par pont de
résistances
Calculer le courant IP , la tension VB ,ainsi que les

quatre résistances pour avoir:
106
▪ Transistor bipolaire en commutation
Le transistor bipolaire peut être utilisé comme un interrupteur commandé.
Charge à alimenter
Dans la suite du cours, on ne vas traiter que le transistor bipolaire en amplification.

107
▪ Transistor bipolaire en amplification
Capacités de liaison:
Pour injecter la tension alternative Ve sans que cela
n'altère la polarisation du transistor en modifiant le
point de fonctionnement statique, on utilise des
capacités de liaison qui seront considérées comme
des courts-circuits parfaits pour les signaux
alternatifs et comme des circuits ouverts pour les
courants et les tensions continus. La tension sur la
base du transistor est la somme de la tension
continue VB et de la tension d'entrée (variable) Ve.
La variation de VB provoque la variation du courant
IB, et par conséquent celle de IC, VCE et Vs. 108
▪ Schéma équivalent du transistor
Pour calculer la relation entre la variation de

VB(=Ve) et la variation de VC(=Vs), on utilise
un modèle du transistor plus adapté pour le
calcul des signaux variables.
Ces relations décrivent les lois électriques du schéma de la page suivante qu'on
appelle schéma équivalent pour les variations ou schéma équivalent en dynamique
du transistor. 109
▪ Schéma équivalent du transistor
110
▪ Schéma équivalent simplifié du transistor
Autour d’un point de polarisation, les

relations entre les variations sont
décrites d’une façon simplifiée par:
NB: les termes h12 et h22 sont très

faibles.
Le terme h11 donne la relation entre une
tension et un courant, il est donc homogène
à une résistance.
On obtient donc le schéma équivalent ci-
contre:
111
▪ Montage émetteur commun
C'est le montage illustré sur la figure ci-contre. Son nom
vient du fait que l'émetteur est relié à la masse (commun).
C'est le montage amplificateur le plus utilisé. Le
schéma équivalent global est obtenu comme suit :
• Le transistor est remplacé par son schéma équivalent en
dynamique simplifié.
• Les condensateurs de liaisons sont remplacés par des
courts-circuits.
• L'alimentation VCC est remplacée par la masse, car ce
montage est celui des variations et les variations de VCC
sont nulles car c'est une tension constante.
• Le signal de sortie est récupéré au niveau du collecteur.
112
▪ TD5. Emetteur commun
.Polarisation:
Calculer les résistances RC et RB pour avoir:

VCE= 6V , IC= 1 mA
.Etude dynamique:
Calculer h11 et le gain en tension Av
113
▪ Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Le montage précédent présente l'inconvénient suivant:

Sous l'effet du courant IC qui traverse le transistor, la température de celui-ci augmente
légèrement à cause la puissance dissipée par effet joule.
Pour remédier à ce problème, on ajoute une résistance sur l'émetteur du transistor. Cette
résistance joue un rôle de stabilisation de la température.
114
▪ Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Le schéma équivalent devient:
Application numérique: { VCE= 5V, VE= 1V, IC= 1 mA }, on obtient RC= 6 KΩ, et RE= 1 KΩ.
Ce qui donne un gain en tension de : AV= - 6 KΩ/ 1 KΩ= -6 (très faible).
On constate que la résistance d'émetteur RE joue un rôle important pour la stabilisation de la
température, mais elle a une grande influence sur le gain en tension AV
115
▪ TD6. Emetteur commun avec résistance d’émetteur
.Polarisation:
-Calculer les résistances RE, RC, et RB
pour avoir:
VCE= 5V , IC= 1 mA, VE= 1V
.Etude dynamique:
-Calculer h11 et le gain en tension Av
-Comparer les résultats des deux exercices
116
▪ Emetteur commun avec résistance d’émetteur découplée
Pour remédier au problème du gain sur le montage
émetteur commun avec résistance d’émetteur, on
place un condensateur de découplage en parallèle
sur RE. Ce condensateur n'intervient pas en
continue, donc la résistance RE joue pleinement son
rôle de stabilisation thermique, alors qu'en alternatif,
le condensateur est remplacé par un court-circuit ce
qui nous ramène au schéma équivalent qui, comme
nous l'avons vu précédemment, procure un gain en
tension important.
117
▪ Montage collecteur commun
Ce montage doit son nom au fait que le collecteur est relié à VCC. Le signal de sortie
est pris sur l'émetteur. Le schéma équivalent est illustré sous deux versions.
On peut se demander à quoi sert ce

montage puisqu'il a un gain =1 ??
118
▪ Notions d’impédances d’entrée et de sortie
Représentation de Thévenin d'un amplificateur : Is calculé en court-circuitant la sortie
: Vs calculée en mettant la sortie en circuit ouvert

119
120
▪ Impédances d’entrée et de sortie montage EC
Montage Emetteur commun
Impédance d’entrée: ?
Impédance de sortie: ?
121
▪ Impédances d’entrée et de sortie montage EC
Montage Emetteur commun
Impédance d’entrée:
Impédance de sortie:
122
▪ Impédances montage CC
Montage Collecteur commun
Impédance d’entrée: ?
Impédance de sortie : ?
123
▪ Impédance d’entrée montage CC
Impédance d’entrée:
Pour simplifier :
124
▪ Impédance de sortie montage CC
Impédance de sortie:
: Is calculé en court-circuitant la sortie
125
▪ Comparatif entre les montages E.C & C.C
On constate que le montage émetteur commun a un bon gain mais ses impédances
sont médiocres, alors que le montage collecteur commun a un gain faible et des
impédances correctes
126
▪ Comparatif entre les montages E.C & C.C
127
4 – L’amplificateur opérationnel
128
▪ Définition
Les amplificateurs opérationnels sont nés au début des années 60, quand on a commencé à
intégrer plusieurs transistors et résistances sur le même substrat de silicium ; cette technologie a
permis de bâtir des montages complexes, et de les faire tenir sur une petite plaquette de silicium
encapsulée dans un boîtier (généralement à 8 broches) commode d'emploi.
Avec ces composants, on a eu accès à des amplificateurs simples d'utilisation, transmettant des
signaux continus, et à mise en œuvre facile à l'aide de quelques composants annexes
(résistances, condensateurs...) ; les caractéristiques des montages obtenus ne dépendent
quasiment plus de l'amplificateur opérationnel, mais uniquement des composants passifs qui
l'accompagnent, ce qui garantit une bonne fiabilité du résultat et assure sa répétabilité.
Les amplificateurs opérationnels ont beaucoup progressé depuis leur création, et tendent
maintenant à devenir très proches de l'amplificateur idéal (l'amplificateur opérationnel parfait,
AOP).
129
▪ Définition
L’amplificateur opérationnel est un amplificateur différentiel qui a les caractéristiques
suivantes:
• Son gain en boucle ouverte A est très élevé, au moins 105 et couramment 106.
• L’impédance d’entrée sur chacune de ces entrées est très élevée. Le plus souvent on la
considère comme infinie, ce qui implique que les courants d’entrées sont nuls.
• L’impédance de sortie est quasiment nulle.
• Il se caractérise par deux entrées (une inverseuse, notée −, une non inverseuse, notée
+), une sortie et un gain A liés par la relation suivante :
130
▪ Définition
On s’aperçoit donc que les tensions sur l’entrée inverseuse (-) et sur l’entrée non
inverseuse (+) restent toujours très voisines puisque la différence entre les deux ne
dépasse pas quelques microvolts.
Dans la pratique pour faciliter les calculs, on prendra :
131
▪ Composition
132
▪ Composition
133
▪ Composition
134
▪ Composition
135
▪ Composition
136
▪ Boitiers et Brochage
Exemple du UA741:
UA741
137
▪ Réglage de la tension d’offset
Il permet grâce à un potentiomètre monté comme ci-dessous de régler Vs = 0 si e = 0

(ajustement du zéro en sortie).
138
▪ Montage AOP: Suiveur
Le montage suiveur procure un gain unitaire, autrement dit, pas d'amplification. Sa

fonction est l'adaptation d'impédance. On le placera donc en tampon entre deux
portions d'un circuit, de façon à les isoler l'une de l'autre pour prévenir toute
interaction parasite.
139
▪ Montage AOP: Inverseur
140
▪ Montage AOP: Non Inverseur
141
▪ Montage AOP: Sommateur Inverseur
142
▪ Montage AOP: Différentiel
143
▪ Montage AOP: Dérivateur
144
▪ Montage AOP: Intégrateur
145
▪ Montage AOP: Convertisseur courant-tension
146
▪ TD.1 Sommateur
Rappel du Théorème de Millman:
147
▪ TD.2 Multiplicateur
148
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Niveaux d’énergie des électrons

Niveaux d’énergie des électrons

Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons – nuage comportant 14 e-

❖ Constitués de matériaux tétravalent purs comme le silicium ou le germanium (4

❖ Le gap a une largeur relativement faible (1 eV = 1,602177.10-16 J).

❖ A très basse température (0°K), les SC intrinsèques sont parfaitement isolants.

❖ L'agitation thermique à la température ambiante suffit pour libérer un nombre

❖ La conductivité d'un Semi-conducteur dépend donc fortement de la température.

Dopage d’un SC type N

Dopage d’un SC type P

Si on place deux semi-conducteurs, un de type P et

Les électrons passés du côté P vont se recombiner

La jonction PN est polarisée en directe lorsqu'on relie l'extrémité P au pôle (+) et

Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei, le

Les résistances sont les éléments les plus utilisés en

La lecture se fait de gauche à droite à partir de l'extrémité ou sont groupés les

TD : Calculer la résistance équivalente

TD: Calculer la tension au point B, en fonction de U1, U2,R1 et R2

TD: Calculer la tension au point C

Diode réelle Diode idéale

Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens directe,

En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt

Calculer le courant I, pour les schémas suivants :

Pour le montage suivant :

Dans la suite de ce cours, on ne va traiter que le Transistor NPN.

Pour les mêmes variations du courant IB , Les

Calculer les résistances RE ,RC et RB pour avoir:

Calculer le courant IP , la tension VB ,ainsi que les

Dans la suite du cours, on ne vas traiter que le transistor bipolaire en amplification.

Pour calculer la relation entre la variation de

Autour d’un point de polarisation, les

NB: les termes h12 et h22 sont très

Calculer les résistances RC et RB pour avoir:

Calculer h11 et le gain en tension Av

Le montage précédent présente l'inconvénient suivant:

VCE= 5V , IC= 1 mA, VE= 1V

On peut se demander à quoi sert ce

Représentation de Thévenin d'un amplificateur : Is calculé en court-circuitant la sortie

: Vs calculée en mettant la sortie en circuit ouvert

Montage Emetteur commun

Montage Emetteur commun

Montage Collecteur commun

: Is calculé en court-circuitant la sortie

Dans la pratique pour faciliter les calculs, on prendra :

Il permet grâce à un potentiomètre monté comme ci-dessous de régler Vs = 0 si e = 0

Le montage suiveur procure un gain unitaire, autrement dit, pas d'amplification. Sa

Rappel du Théorème de Millman:

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