GENERALITE SUR LES CIRCUIT

INTÉGRÉS LINEAIRES
Le vocable analogique est utilisé pour tout ce qui
est en dehors de la logique ou de la commutation.
L'électronique analogique traite donc de signaux
continûment variables de formes quelconque.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 CIRCUIT INTÉGRÉS Analogique
• Un CIRCUIT INTÉGRÉS Analogique est un ensemble
électronique comprenant, outre ses alimentations, une ou
plusieurs entrées et une ou plusieurs sorties. Le signal
recueilli sur la ou les sorties est une fonction continue du
signal injecté dans la ou les entrées. Les signaux d'entrée ou
de sortie peuvent être des tensions ou des courants.
L'amplitude des signaux de sortie est liée à celle des signaux
d'entrée par une loi dite fonction de transfert. Cette fonction
de transfert ainsi que la nature des signaux d'entrée et de
sortie définissent le type de circuit. On parlera de CIRCUIT
INTÉGRÉ linéaire lorsque le signal ou l'information ne sont
pas déformés par l'utilisation de tels circuits.
EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Définition des principaux paramètres
- Tension d'alimentation VCC+ ou VCC-. C'est la tension d'alimentation continue positive (VCC+) ou
négative (VCC-) par rapport à la masse
– Tension différentielle d'entrée : Différence des tensions appliquées sur chacune des entrée.
– Tension d'entrée en mode commun : Tension appliquée en phase sur les entrées
– Gain de tension différentielle Ad : Rapport de la variation de la tension de sortie à la variation de
la tension différentielle d'entrée qui l'a provoquée
– Rapport de rejection en mode commun (CMRR): Rapport exprimé en bd, d'une variation de
tension d'entrée en mode commun provoquant une certaine variation de la tension de sortie à la
variation de tension d'entrée différentielle provoquant la même variation de la tension de sortie
– Tension de décalage à l'entrée (Tension d'offset): Tension différentielle qui doit être appliquée à
l'entrée pour annuler la tension de sortie.
– Impédance d'entrée (Résistance dynamique d'entrée) Rapport d'une variation de tension
différentielle d'entrée à la variation de courant différentiel correspondante
– Impédance de sortie (Résistance dynamique de sortie) : Rapport d'une variation de tension de
sortie à la variation du courant qui l'a provoquée
– Bande passante à 3 bd: Fréquence à laquelle le gain de tension différentielle en boucle ouverte
est de 3 bd inférieur au gain de tension différentiel à une fréquence nulle (courant continu)
– Vitesse de balayage (Slew Rate) SR :

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Analogique Mohssine
 Le simulateur de circuit SPICE
• Les simulations sont basée sur le programme SPICE «
Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis »
inventé par l’université de Berkely dans les années 70. Par la
suite, SPICE a été perfec- tionné par différents fournisseurs
(Pspice= SPICE pour PC, MICRO-CAP II, Touchstone,
Menthor, CADANCE, HP Advanced Design System etc). Les
composants comme les transistors bipolaires ou les
transistors MOS sont décrits par des fichiers SPICE avec des
paramètres standardisés. La bibliothèque de circuits
contient tous les éléments nécessaires pour l’élaboration
d’un circuit élec- tronique:
• www.LTspice.linear-tech.com
EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Introduction aux semi-conducteurs

Les semi-conducteurs sont des solides cristallisés

la rigidité du cristal est assurée par la mise en
commun de quatre électrons périphériques avec
quatre électrons d’atomes voisins

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Analogique Mohssine
 Semi-conducteurs purs

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Analogique Mohssine
 certains électrons périphériques échappent à l’attraction de leur noyau et deviennent des électrons libres. La
libération d’un électron laisse place à un trou.

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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Semi-conducteurs dopés

Semi-conducteur de type N

• Ajoutons dans une structure

cristalline de semi-
conducteurs un atome qui
possède cinq électrons
libres sur sa couche
périphérique
• le dernier va rester libre.
L’atome d’impureté ainsi
ajouté est appelé atome
donneur.

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Analogique Mohssine
 Semi-conducteurs dopés
Semi-conducteur de type P

• l’addition d’un atome avec • les électrons libres sont-ils

trois électrons devenus minoritaires tandis
périphériques. Il va de ce que les trous par voie de
fait y avoir un défaut d’un conséquences devenaient
électron pour assurer la majoritaires
cohésion du cristal
• atome d’impureté est
appelé atome accepteur.

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Analogique Mohssine
 La jonction PN

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Analogique Mohssine
• ZONE P :
• Les + représentent les trous et ils sont
majoritaires dans la zone P. Normale
puisque cette zone est dopée avec des
atomes ne possédant que trois
électrons périphériques.
• Les – représentent les électrons libres
et sont minoritaires dans la zone P.
Rappel que nous avons des électrons
libre à cause de l’agitation thermique.
(Agitation thermique présente par le
seul fait de se trouver à température
ambiante).
• Les cercles avec un – représentent les
atomes dit atome accepteur ionisé. Ce
sont des ions négatifs
EMI
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Analogique
• ZONE N :
• Les – représentent les électrons
libres et ils sont majoritaires
dans la zone N. Normale
puisque cette zone est dopée
avec des atomes possédant 5
électrons périphériques.
• Les + représentent les trous et
sont minoritaires dans la zone
N.
• Les cercles avec un +
représentent les atomes dit
atome donneur ionisé. Ce sont
des ions positifs.
Electronique
12
Mohssine
• Les électrons libres, très
nombreux dans la région N,
diffusent dans la région P. de
même les trous de la région P,
diffusent dans la région N. Ces
porteurs mobiles, de signes
opposés, se neutralise dans
une petite zone dite de
transition, qui s’étend de part
et d’autre de la jonction.
• Dans la zone de transition, il n’y
a plus que les ions fixes. Positif
du côté N et négatif du côté P.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
• Dans la zone de transition, il n’y a
plus que les ions fixes. Positif du
côté N et négatif du côté P.

• Les ions de cette zone de transition

entraîne l’existence d’une différence
de potentiel Vd, dite tension de
diffusion, entre les frontières de la
zone de transition. (Cette valeur est
de l’ordre de 0,7V pour le silicium)
et dirigée du « + » vers le «- » donc
de la zone N vers la zone P. Cette
configuration entraîne donc
l’apparition d’un champ
électrostatique Ed dirigé de P vers N

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Analogique Mohssine
 • Courant de diffusion:
quelques électrons du fait
de l’agitation thermique
acquièrent assez d’énergie
pour s’opposer à la force
électrostatique engendrée
par le champ ED. De même,
les trous de la région P ont
un comportement similaire.
Il en résulte un courant ID
de diffusion, dirigé de P
vers N.
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Analogique Mohssine
 • Courant de saturation:
certains porteurs
minoritaires sont de suite
plongés dans le champ et de
ce fait accélérés. Il en
résulte un courant IS de
saturation orienté de N vers
P, qui croît avec la
température.
• Si la jonction n’est soumise
à aucune différence de
potentiel, alorsI Sona :I D

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Analogique Mohssine
 Polarisation directe • Les porteurs majoritaires
susceptibles de franchir la
jonction deviennent plus
nombreux qu’en l’absence de
polarisation: l’énergie
nécessaire pour passer cette
eV 
zonen’est
V plus que de
D 
eVD
aulelieu
courantde
diect noté Id tel que

Id  I D  IS  I D

La jonction PN polarisée en sens direct est conductrice

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Analogique Mohssine
 Polarisation inverse .

• La d.d.p aux bornes de la zone de

transition est alors V  V D

les porteurs de charge majoritaire

susceptibles de passer la zone de
transition sont beaucoup moins nombreux
puisqu’ils doivent fournir une énergie
supérieureeV à V  D

On introduit dès lors le courant inverse noté Ii qui est

tel que

Ii  I S  I D  I S

Une jonction PN polarisée en sens inverse est dite

bloquée.
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Analogique Mohssine
 La diode à jonction

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Analogique Mohssine
 Caractéristique directe

U=f(I)

12

10

I(A)
4

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
U(V)

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Analogique Mohssine
 Équation.

If est le courant de fuite appelé aussi Is ou

courant de saturation.
q la charge de l'électron = 1,6E-19C
k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K
T température absolue

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Analogique Mohssine
 Résistance différentielle (ou
dynamique).

La résistance dynamique étant l'inverse de la pente

de la caractéristique en un point donné, on peut la déduire
par dérivation de la formule du courant dans la diode en
fonction de la tension aux bornes de celle ci :

la résistance dynamique au point de

fonctionnement (Vd , Id)

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Analogique Mohssine
 Schéma équivalent.
Diode idéale. Diode avec seuil

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Analogique Mohssine
 Caractéristique inverse

U=f(I)

-600 -500 -400 -300 -200 -100 0

0

I(A)
-1

-2

-3

-4

-5

-6

U(mV)

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Analogique Mohssine
Grandeurs caractéristiques d’une diode
Seuil de tension
Le seuil de tension d’une diode définit le seuil pratique
de tension Uo=VD et qui correspond à l’intersection
U=f(I)
entre la partie rectiligne de la caractéristique et l’axe
des tensions (valeur un rien supérieur à 0,7V.
12 • Résistance statique
10 B

Ud
Rs 
8 Id

Résistance dynamique
I(A)

4
Ud
Rd 
A
2
Uo Id
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 U(V)
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

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Analogique Mohssine
 La diode Zéner

U=f(I)

12

10

I(A)
4

0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
-2

-4

-6

U(V)

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Analogique Mohssine
 La diode en redressement.
Redressement mono alternance

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Analogique Mohssine
Redressement double alternance.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
Avec pont de Grætz.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
Alternance positive Alternance négative.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Filtrage.
Pour obtenir une tension (quasi) continue, il suffit de
Redressement simple alternance mettre un gros condensateur en parallèle avec la charge

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Redressement simple alternance et filtrage
Calcul du condensateur
• On considère que le
condensateur C se décharge
à courant Imax constant
pendant un temps  T et
que la chute de sa tension
est inférieure à V.
• On a alors la relation :
EMI
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Analogique
• Pour un redressement
simple alternance, on aura
un T de 20ms, qui
correspond à l'inverse de la
fréquence secteur 50Hz. La
valeur du condensateur est
alors :
Electronique
34
Mohssine
Redressement double alternance
• La fréquence du courant redressé
est double de celle du secteur. La
formule de calcul du
condensateur devient donc
• ce qui est intéressant, vu la taille
importante de ces composants.
• La diode aura à tenir deux fois la
tension crête délivrée par chaque
enroulement du transformateur

• F est la fréquence secteur (50Hz).

A chute de tension égale, le
condensateur sera donc deux fois
plus petit que pour le
redressement simple alternance

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
Redressement double alternance et
filtrage.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
Fonctionnement des diodes et transfos
les diodes ne conduisent pas pendant
toute l'alternance du secteur, mais
seulement pendant un temps très
court vis à vis de cette alternance
courant de crête beaucoup plus
intense que le courant moyen lors des
phases de conduction des diodes

• L'énergie qui est restituée

par le condensateur dans la
phase de roue libre doit
être au préalable stockée
pendant ce court temps de
conduction des diodes.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Alimentations doubles symétriques
Alimentation double positive et
négative
• secondaire débite du courant
seulement pendant une
alternance. L'autre alternance
serait susceptible de fournir un
courant négatif.
• Ces alimentations sont
incontournables dans les
montages symétriques où il est
nécessaire d'amplifier des
tensions continues, et
notamment dans les montages à
amplificateurs opérationnels
EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 DIODES SPÉCIALES
. La caractéristique inverse présente
DIODES ZENER
alors l'allure d'un générateur de
tension à faible résistance interne
• les constructeurs spécifient :
• la tension d'avalanche Vzt pour un courant
déterminé Izt. (les valeurs de tension sont
normalisées).
• à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on
donne la résistance dynamique de la
diode rzt.
• le courant Izm pour lequel la puissance
dissipée dans le composant sera le
maximum admissible.
• on indique aussi le coefficient de variation
en température de la tension Vzt

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 On définit une tension de coude Vzo, et
Schéma équivalent une résistance interne constante Rz

Si on utilise le composant suffisamment

loin du coude, le schéma suivant
modélise bien le comportement d'une
diode zéner

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Régulation de tension

• Pour que la zéner fonctionne et assure son

rôle de régulateur, il faut qu'un courant I z
non nul circule en permanence dans ce
composant, et ce quelles que soient les
variations de la tension d'entrée Vc et de la
charge Ru La résistance R assure donc le
rôle de polarisation de la zéner, et elle
sera calculée pour que la condition
énoncée ci-dessus soit remplie. Il faudra
aussi veiller à ce que le courant Iz ne
dépasse pas le courant Izm, sous peine de
détruire le régulateur

EMI Electronique
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Analogique Mohssine

Schéma équivalent du régulateur
Stabilisation amont
à charge constante
• c'est le rapport (Vz/Vc)Iu = cte
• Stabilisation aval
• ce coefficient est représentatif de
la variation de la tension de
sortie quand le courant dans la
charge varie (Ru varie de ±Ru), et
ceci à tension d'entrée constante
• C'est le rapport (Vz/Iu)Vc = cte
• l'impédance de sortie du
montage

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Analogique Mohssine
le schéma équivalent alternatif petits
Pour le coefficient de
signaux. On retire alors toutes les stabilisation amont, on a :
sources de tension continues.

• Comme en général Ru >> Rz,

cette formule devient :

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Analogique Mohssine
 Le coefficient de stabilisation aval
est égal à l'impédance de sortie du
montage ; c'est la résistance du
générateur de Thévenin équivalent,
soit :
R étant souvent très supérieur à Rz,
on obtient
EMI
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Analogique
ces régulateurs sont utilisés dans des
montages simples nécessitant peu de
puissance.
– Écrêtage des surtensions
• De par leurs caractéristiques, les
diodes zéner sont idéales pour
écrêter des surtension (commutation
de selfs ou autres) et sont donc
toutes indiquées pour la protection
d'autre semi-conducteurs sensibles a
ces surtensions
Electronique
44
Mohssine
 Le transistor bipolaire

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Description et symbole

C C
N
B P
B
P N
N P

E E
Un transistor bipolaire est constitué d’une
puce de semi-conducteurs comportant trois
zones dopées successivement NPN ou PNP, soit
deux jonctions PN de sens passants opposés

Un transistor est formé par la succession de 3 semi-conducteurs (SC).

E == Emetteur, B == Base, C == Collecteur
• Le terme ‘émetteur’ signifie que c’est ce SC qui émet les porteurs à travers la base B jus- qu’au ‘collecteur’ qui les collecte.
Le sens de la flèche indique le sens du courant lorsque, l’émetteur ‘émet’ c’est-à-dire lors- que le transistor est conducteur

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
• L’épaisseur de la base est beaucoup plus faible que
celle du transistor.
• La suite du cours sera illustrée par l’étude du
transistor NPN. Celle du transistor PNP est similaire.
Les propriétés du transistor pnp (complémentaire)
sont très similaires. Il faut seulement renverser la
polarisation des sources. Le transistor est un
élément amplifiant car le courant du collecteur IC
Beta fois plus fort que le courant de base IB Dans
un circuit le transistor est couramment utilisé
EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Mode de fonctionnement

• Prenons le cas d’un transistor NPN où la jonction EB

est polarisée en sens direct et la jonction CB est
polarisée en sens inverse.
• Les électrons qui sont majoritaires au niveau de
l’émetteur diffusent à travers la jonction EB. Ils
deviennent minoritaires dans la base de type P. Au
cours de cette diffusion, la plupart d’entre eux
atteignent la jonction CB très proche. Ils sont alors
accéléré par le champ de diffusion ED vers le
collecteur.
• Le courant d’émetteur iE provient en majeure parti du
flux d’électrons provenant de la base.

• Du fait du faible taux de recombinaison, il vient que .

Quant au courant iB issu de cette recombinaison, il
s’agit de la faible proportion du courant issu de E qui
ne se retrouve pas dans C.
• On appelle effet transistor l’état qui veut que le
nombre de ces recombinaisons soit une constante
dépendant de l’épaisseur et du dopage de la base. On
appelle amplification statique  tel : 𝑖𝐶 =  . 𝑖𝐵

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 L’effet
I transistor

IC

IB VCE
VBE
IE

• Cet effet consiste à contrôler avec un courant de base

relativement faible, un courant de collecteur IC beaucoup
plus important.
• Le transistor est alimenté avec des éléments passifs et des
sources externes qui créent une polarisation directe pour
la diode base-émetteur et une polarisation inverse pour la
diode émetteur- collecteur.
EMI Electronique
02/02/2024 49
Analogique Mohssine
 Polarisation des tensions et courants (transistor npn)

• L’effet transistor apparaît lorsque :

• La jonction BE (base-émetteur) est polarisée

en direct (VBE»0.7V) : la jonction est plus ou • Le transistor peut être représenté
moins conductrice suivant que VBE est comme un quadripôle (4 pôles, entrée
légèrement en dessous ou légèrement au- BE et sortie CE). Le pôle E est commun
dessus de la tension seuil 0.7 V.
à l’entrée et à la sortie, on parle de
• La jonction CB (collecteur-base) est
montage en émetteur ‘commun’.
polarisée en inverse (VBC<0.7V) : il existe un
champ électrique important EZD dans la zone
de déplétion (Zone de jonction) qui aspire
littéralement les électrons présents dans la
base et les ‘injecte’ dans le collecteur avant
qu’ils ne se recombinent avec les trous de la
base. Celle-ci est de faible épaisseur, les
porteurs émis par l’émetteur sont
rapidement à proximité du champ EZD. un
fort courant iC peut traverser le transistor du
Collecteur vers l’Emetteur tandis que le
courant de Base iB peut rester faible.
• Les 2 conditions (VBE=0.7V) et (VBC<0.7V
Þ VCB>-0.7V) donnent VCB+VBE=VCE≥0V
EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 modèle basique du transistor et des notations utilisées
pour caractériser les grandeurs électriques

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
Les caractéristiques des transistors

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 caractéristique de sortie Ic en fonction de Vce du transistor

EMI Electronique
02/02/2024 53
Analogique Mohssine
 Les caractéristiques les plus importantes
la caractéristique de transfert la caractéristique d’entrée IB(VBE,
IC(IB, VCE=const VCE=const.)

EMI Electronique
02/02/2024 54
Analogique Mohssine
 EMI Electronique
02/02/2024 55
Analogique Mohssine
la caractéristique de sortie IC(VCE,
IB=const)

EMI Electronique
02/02/2024 56
Analogique Mohssine
 Le choix et le réglage du point de repos

des applications à signal faible, c. à d. pour des petites

variations autour du point de repos donné par IC0 et VCE0

• Le choix du point de repos • le choix du point de repos, donné

dépend des du circuit à par le courant de collecteur IC0 et
dimensionner et d’autres la tension collecteur-émetteur
contraintes: VCE0. La polarisation peut être
• effectuée à l’aide d’une ou
• · La tension de l’alimentation plusieurs sources externes. L’une
fournit la tension émetteur-
• · L’amplification de tension
collecteur, l’autre la tension de
maximale
repos base-émetteur. Parce qu’il
• · L’amplification de puissance est plus économique d’utiliser
maximale une seule source, on polarise la
• · Amplitude maximale à la sortie base avec des éléments
• · Gamme de fréquence supplémentaires
EMI Electronique
02/02/2024 57
Analogique Mohssine
Montages possible pour obtenir la polarisation de la base

deux possibilités sont présentées

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Les deux méthodes ne sont pas recommandées pour un circuit
qui doit être indépendant de la température et des tolérances de
la fabrication du transistor

• Dans les deux cas le signal est branché
à l‘entrée et à la sortie par les
condensateurs C1 et C2. Cela permet
de conserver les niveaux DC (courant
directe) du transistor qui restent non
perturbés par les éléments externes.
• Les deux capacités forment deux filtres
passe haut qu’il faut choisir d’après la
fréquence inférieure donnée par le
cahier des charges. Ils seront
considérés comme des circuits ouverts
lors du calcul du point de polarisation,
(i.e. : en l’absence du signal d’entrée).
• Dans le circuit à gauche la résistance de base
polarise la tension de base à Vbe0
Ib = Vcc - Vbe
• Ra
Et Ic = beta*(Vcc - Vbe ) .
• Ra
Si b augmente, sous l’effet de la température,
le point de repos peut se trouver dans le
domaine de saturation.
• Dans celui de droite le pond de base fixe la
tension de base Vbe0, mais la tension de base
VBE pour un courant IC donné dépend de la
température (approximative 2 mV/°C).
• Une augmentation de la température de 10°C
et une amplification de 200 produiraient une
variation de la tension VCE de DVCE=
200*0.002 V/°C*1O°C = 4 V.

EMI Electronique
02/02/2024 59
Analogique Mohssine
 Une meilleure possibilité utilise une contre-réaction pour stabiliser le point de repos.
Elle est effectuée par une résistance Re supplémentaire qui produit une chute de
tension qui diminue l’importance de tous les effets mentionnés
• MESURE DU POINT DE POLARISATION
•
• Direct Newton iteration for .op point succeeded. Semiconductor
Device Operating Points:
• --- Bipolar Transistors ---

• Name: q1
• Model: 2n2222
• Ib: 5.66e-06
• Ic: 1.15e-03
• Vbe: 6.59e-01
• Vbc: -1.80e+00
• Vce: 2.46e+00
• BetaDC: 2.03e+02
• BetaAC: 2.02e+02
• Gm: 4.43e-02
•
• MESURE DU GAIN ET DE LA BANDE PASSANTE
•
• Direct Newton iteration for .op point succeeded.
• gain: MAX(mag(v(vsortie)))=(18.92dB,0°) FROM 100 TO 5e+008
• bw=1.10833e+008 FROM 383.185 TO 1.10833e+008
•
• REMARQUE: l’exposant est de base 10 i.e.: e+02 lire 100 et e-03 lire
0.001.
•
•
•

EMI Electronique
02/02/2024 60
Analogique Mohssine
 Effet de la contre-réaction
• Si la tension VBE augmente de
DeltaVBE, le courant IC qui est
augmenté de
DeltaIC=S.DeltaVBE et IE Induit
sur la résistance RE une chute
de tension supplémentaire de
DeltaIE.RE. Celle-ci diminue
l’influence de DeltaVBE et ainsi
cette contre-réaction stabilise le
point de repos. L’amplification
avec contre-réaction s’écrit :
• A = - RC
RE
EMI
02/02/2024
Analogique
• Il ne faut pas que cette
contre-réaction réduise
l’amplification du signal
alternatif utile, aussi une
capacité CE est ajoutée
pour court-circuiter la
résistance RE et ainsi
annuler l’influence de RE
pour les fréquences
désirées
Electronique
61
Mohssine
• Si l’on veut s’assurer qu’une certaine variation du courant de base influence peu la tension de
la base, on choisit le courant du pont pour qu’il soit environ dix fois plus fort que le courant
de base Ip=10*IB0. On peut mieux déterminer l’influence des différents éléments en
remplaçant le pont par son schéma équivalent (théorème de Thévénin)

Ib= (Eth-Vbe)
(Rth+beta.Re)
Donc

Ic = beta* ( Eth -Vbe )

Rth + beta. Re

si beta.Re est grand devant Rth, (Rth = Ra//Rb) alors Ic ne dépend plus de b et on a

Ic = ( Eth -Vbe ).
Re

EMI Electronique
02/02/2024 62
Analogique Mohssine
 La droite de charge statique

EMI Electronique
02/02/2024 63
Analogique Mohssine
 Le transistor bipolaire en régime dynamique Le régime des petits signaux

On applique une tension alternative 𝑣𝐵E de petite amplitude autour de la tension de

polarisation statique 𝑉𝐵E0.
[MAJUSCULE=tension continue, minuscule=tension alternative petite amplitude]
• On a donc𝑉𝐵E=𝑉𝐵E0+𝑣𝐵E. Si 𝑣𝐵E est
d’amplitude suffisamment faible, alors les
paramètres électriques varieront
linéairement, ainsi 𝐼 𝐵=𝐼 𝐵0+𝑖 𝐵=𝑓(𝑉𝐵E)≡
droite dans cette région de la Fig. En
conséquence, 𝑖 𝐵=𝑘.𝑣𝐵E.
Puisque𝐼 𝐶=𝛽.𝐼 𝐵⟹𝑖 𝐶=𝛽.𝑖 𝐵=𝛽.𝑘.𝑣𝐵E.
• Il existe une amplification.
• En exemple, la figure1montre le point de
fonctionnement (PF) pour 3 valeurs de IC :
• IC =9mA est maximum, le PF se situe sur la
caractéristique IB=80µA,
• IC =IC0= 5mA, le PF se situe sur la
caractéristique IB=60µA, enfin
• IC =4mA est minimum, le PF se situe sur la
caractéristique IB=40µA.

EMI Electronique
02/02/2024 64
Analogique Mohssine
 Paramètres hybrides du transistor
NPN
Schéma équivalent ‘petits signaux’
du transistor .h11 correspond à la résistance
dynamique de la jonction B-E. Elle est
de l’ordre du kΩ.
 dU BE   h11e h12e   dI B  . h12est sans dimension. Souvent de valeur
     
 C   h21e
dI h22e   dU CE  faible il est généralement négligé dans les
calculs, h12= 0.
·h21 = b est le gain dynamique en courant :
• 𝑣𝐵E = ℎ11 𝑖𝐵 + ℎ12 𝑣𝐶E 𝑖 𝐶 = beta. 𝑖 𝐵 .
• 𝑖𝐶 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22 𝑣𝐶E .h22 a pour unité [Ω-1] est la conductance de
• Les schémas de ces quadripôles sont sortie h22 a typiquement une valeur de 10-4
équivalents. Les sources sont des sources Ω-1 et il est souvent négligé.
commandées. Le dernier circuit est dit
‘simplifié’ :
• 𝑣𝐵E = ℎ11 𝑖𝐵 et 𝑖𝐶 = ℎ21 𝑖𝐵 .
•

EMI Electronique
02/02/2024 65
Analogique Mohssine
 Le comportement en signaux faibles et les paramètres quadripôles

autour du point de polarisationIC0 et les courbes des caractéristiques peu- vent être
VCE0 linéarisées. Les valeurs absolues des courants
et tensions sont ensuite remplacées par des
variations différentielles,
I B I B
 dU BE   h11e h12e   dI B  dI B  U BE dU BE  U CE dU CE
      
 dI C   h21e h22e   dU CE  I C I C
dI C  dU BE  dU CE
U BE U CE

 1 
• uBE= h11e iB + h12e uCE  Sr 
 dI B   rBE   dU BE 
  
 dI C   S 1   dU CE 
ic = h21e iB + h22e uCE  rCE 

EMI Electronique
02/02/2024 66
Analogique Mohssine
 Montage émetteur commun

Schéma de base et schéma équivalent

EMI Electronique
02/02/2024 67
Analogique Mohssine
 Le schéma équivalent

schéma équivalent d’un transistor en

montage émetteur commun
• On désigne un circuit
électrique comme schéma
équivalent, s’il possède les
mêmes propriétés que
l’original. Il est souvent
composé d’éléments de base
tels que les résistances, les
sources, les capacités ou les
inductances. Le schéma
équivalent du transistor se
base sur des paramètres
quadripôles.
EMI Electronique
02/02/2024 68
Analogique Mohssine
 Pour analyser les petits signaux alternatifs on vas annuler les
sources de tensions de polarisation statique (donc annuler leur
fem en les connectant à la masse)
Le schéma équivalent (paramètres H avec
h12=h22=0) La courbe de gain

EMI Electronique
02/02/2024 69
Analogique Mohssine
 Condensateur de liaison

• Le condensateur de liaison
bloque les tensions de
polarisation (continues)
mais laisse passer les
variations dynamiques
(signal). Sa capacité doit
être suffisante pour ne pas
atténuer les plus basses
fréquences du signal à
transmettre.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 amplificateur type de signaux de fréquence moyenne
et de faible amplitude

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 • la loi d'ohm dans la branche
RC/RE (1) s'exprime par E = ( RC+RE )IC0 +
VCE0 si l'on appelle IC0 le courant collecteur
de repos et VCE0 la ddp de repos entre
collecteur et émetteur correspondant au
point de repos A sur le diagramme. La
relation correspond à l'équation d'une
droite dont on connait deux points
correspondant, d'une part à VCE = 0, et
d'autre part à IC = 0, c'est la droite de
charge statique. Pour déterminer le point
A il nous faut connaitre l'une des deux
variables VCE0 ou IC0, soit le courant base
circulant dans le transistor.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 • En examinant la boucle (2) on va pouvoir
écrire VBE + REIC = R2I2 et, par ailleurs dans
la branche de gauche E = R1(I2+IB) + R2I2 et
l'on choisit les résistances de telle sorte
que I2>IB en prenant le plus souvent un
facteur sensiblement égal à 10 de telle
sorte qu'une variation de IB n'entraine pas
de modification du potentiel de base et
enfin on sait que IC = ICBO +h21* IB soit
sensiblement h21* IB.

EMI Electronique
02/02/2024 73
Analogique Mohssine
• on résoud graphiquement le problème : on se fixe RC et RE,
donc la droite de charge statique et on se fixe alors la valeur
de IB (donc on choisit le point A généralement sensiblement
au milieu du segment de droite afin d'avoir une excursion
possible sensiblement égale de part et d'autre sur la droite de
charge) dont on va déduire graphiquement VBE . (en suivant
les lignes pointillées jusqu'au quadrant 3). Il en résulte la
connaissance de R2I2 puis R1 et R2.

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 schéma équivalent dynamique

• v1 = h11 i1 + h12 v2
• i2 = h21 i1 + h22 v2

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Analogique Mohssine
 Calcul des caractéristiques Ze, Zs et Av de l’amplificateur
émetteur commun avec contre-réaction de courant

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Analogique Mohssine
 Calcul des caractéristiques Ze, Zs et Av de l’amplificateur émetteur commun avec
contre-réaction de courant

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 • ve = ib * (h11 + (b + 1)Re )
• vs = -beta*ib * Rc
• is = beta*ib
• ie = ib
Av = vs/ ve= -Rc*beta /(h11 + (b + 1 )* Re)
• Av=-Rc/Re
• Ze=h11+(1+beta)*Re
• Zs=Rc

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Résultat Effet de Re

impédance h11 + Re (1 + h21 ) L’impédance d’entrée

est fortement augmen-
d’entrée tée

L’amplification de
amplification h21 courant est identique
en courant
L’admittance de sortie
L’admittance
1 est identique
de sortie Rc
amplification Av » - Rc
en tension Le gain est diminué
Re

EMI Electronique
02/02/2024 79
Analogique Mohssine
 Montage collecteur commun ou émetteur suiveur

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
• ve = ib * (h11 + (b + 1)Re )
vs = (b + 1 )ib * Re
is = (b + 1)ib
ie = ib
• Av = vs/ ve= Re* (b + 1 )ib/(h11+ (b + 1 )* Re) ib
• Donc Av=1
Ze = h11 + (b + 1) Re// RB1 // RB 2
Avec
• Re = RE // RL
Zs =((h11 + R)/b + 1)// RE
• Avec R = RG // RB1 // RB 2
• remarquons que pour le calcul de Zs on fait le
schéma équivalent Thévenin entre l’émetteur
et la masse. Zth=Zs

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Analogique Mohssine
Caractéristiques des montages émetteur commun et collecteur commun

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Amplificateur différentiel

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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 •Amplificateur Darlington

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 mesure du gain en courant

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Analogique Mohssine
 Amplificateur de Darlington et
détermination de l’impédance d’entrée

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Circuit Darlington et détermination de l’impédance de sortie

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Analogique Mohssine
 •Miroir de courant

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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 • Amplificateur Push-pull

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 EMI Electronique
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 EMI Electronique
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 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 • Amplificateur Push-pull

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 • Amplificateur Push-pull

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Analogique Mohssine
 •Amplificateur Push-pull

EMI Electronique
02/02/2024 100
Analogique Mohssine
 •Amplificateur à plusieurs étages
•un étage d’entrée, qui est construit pour produire qu’un bruit faible,
•un circuit d’attaque, qui est suffisant puissant pour alimenter l’étage de puissance et
•l’étage de puissance ou de sortie, qui possède une faible résistance de sortie et produit la puissance demandée
avec un bon rendement

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Analogique Mohssine
 amplificateur opérationnel idéal.

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 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
La résistance d’entrée est mesuré à l’aide de la méthode de la demi-tension. On mesure une impédance d’entrée Ze= 2 Mégohms.

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Analogique Mohssine
 L’impédance de sortie mesurée par la même méthode de la demi-tension nous donne Zs=10 Ohms

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Amplificateur opérationnel

•Propriétés et structure d’un amplificateur opérationnel

L’amplificateur opérationnel (Ampliop) est un composant essentiel en électronique
analogique. Quelques exemples de circuits à base d’ampiop seront cités ci après
(amplificateur des faibles signaux, amplificateur de courant continu, filtres actifs,
sommateur, convertisseurs Numérique Analogiques et Analogiques Numérique,
comparateurs… Les principales caractéristiques d’un ampliop sont :
•Une haute amplification de tension (>100 dB)
•Une haute impédance d’entrée (1 MΩ) ou beaucoup plus grand
•Une faible impédance de sortie (< 100 Ω) ou beaucoup plus petit
•Une grande amplification de puissance
•La gamme de fréquence couvre le courant continu à quelques MHz ou, selon le type
quelques GHz
•L’amplification en tension décroît régulièrement de 20 dB par décade
•L’amplificateur opérationnel est équipé de deux entrées une positive et une négative
(inverseuse). A la sortie il produit la différence amplifiée des deux tensions aux entrées.
Cela lui donne le nom « d’amplificateur différentiateur » ou moins précisément d’ «
amplificateur différentiel ».
•L’ampliop est le plus souvent alimenté par deux alimentations symétriques mais on peut
aussi le brancher à une seule tension. Dans ce cas la masse se trouve au milieu de
cette tension et est fixée par deux EMIrésistances. Electronique
02/02/2024 108
•La correction de la réponse fréquentielle
Analogique est réalisée par un circuit externe
Mohssine
 Il existe ensuite différentes méthodes pour
raccorder le signal à l’amplificateur:
•Entre entrée « + » et la masse :
amplificateur inverseur
•Entre entrée « - » et la masse :amplificateur
non-inverseur
•Entre les deux entrées :amplificateur
différentiateur

EMI Electronique
02/02/2024 109
Analogique Mohssine
 L’amplificateur opérationnel contient un étage d’entrée (l’ampli
diff), un étage de couplage ou circuit d’attaque(l’émetteur commun
à transistor PNP) et un étage de sortie(le Push-Pull). La technique
est celle étudiée dans le chapitre amplificateur différentiel.

EMI Electronique
02/02/2024 110
Analogique Mohssine
 Exemples et applications

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Le convertisseur courant-tension avec
inversion

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Analogique Mohssine
 L’amplificateur non-inverseur

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Le suiveur de tension

EMI Electronique
02/02/2024 114
Analogique Mohssine
 Le convertisseur courant-tension sans
inversion

EMI Electronique
02/02/2024 115
Analogique Mohssine
 L’additionneur analogue

EMI Electronique
02/02/2024 116
Analogique Mohssine
 L’amplificateur différentiateur

EMI Electronique
02/02/2024 117
Analogique Mohssine
 La tension Ue2 est la tension Ue1 redressée par une
diode dans les deux cas de l’addition et la soustraction

EMI Electronique
02/02/2024 118
Analogique Mohssine
 L’intégrateur

EMI Electronique
02/02/2024 119
Analogique Mohssine
 Le dérivateur

EMI Electronique
02/02/2024 120
Analogique Mohssine
 Le limiteur

EMI Electronique
02/02/2024 121
Analogique Mohssine
 Le redresseur „ultra“-linéaire

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 Le comparateur (Schmitt-Trigger)

EMI Electronique
02/02/2024 123
Analogique Mohssine
 Exemple d’un comparateur (Schmitt-Trigger)

EMI Electronique
02/02/2024 124
Analogique Mohssine
 L’amplificateur logarithmique

EMI Electronique
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Analogique Mohssine
 EMI Electronique
02/02/2024 126
Analogique Mohssine