RH Composants

COMPOSANTS ELECTRONIQUES
FONCTIONNEMENT
MODELES
CIRCUITERIE DE BASE EN
ANALOGIQUE
Richard HERMEL LAPP
Ecole d’électronique IN2P3 : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004

Sommaire
• Semi-conducteurs
• La jonction PN
• Composants
• Le transistor bipolaire
• Le transistor MOS
• Briques de base en analogique CMOS
• L’amplificateur opérationnel
Richard HERMEL LAPP Ecole d'électronique IN2P3 : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004 2
Conduction dans les solides
Niveaux d’énergie discrets des atomes

⇓ (principe d’exclusion de Pauli)
Bandes d’énergies dans les solides
Niveaux d’énergie des électrons participant

aux liaisons entre les atomes du solide : Bande de valence
Niveaux d’énergie des électrons libres

(pouvant participer à la conduction) : Bande de conduction
Il peut exister des niveaux « interdits »

entre ces bandes : Bande interdite (gap)
Conducteurs (métaux) : pas de bande interdite

Isolants (diélectriques) : bande interdite « large » (> 5 eV)
Semi-conducteurs : bande interdite « moyenne » ( ≈ 0.5 à 5 eV)
Représentation simplifiée des bandes d’énergies dans un solide :
Diagramme des bandes
Energie du « vide »
Energie des électrons
E0
E0 = énergie du vide : au-delà de cette énergie, l’électron
Bande de conduction
sort du solide
EC EC = limite inférieure de la bande de conduction
EV = limite supérieure de la bande de valence
Bande interdite EG EG = EC – EV : largeur de bande interdite
EV Le peuplement des bandes d’énergies obéit à la statistique

Bande de valence De Fermi-Dirac. Il dépend de la température :
Distance dans le cristal 1

F (E) =
Probabilité de trouver un
Isolant ou semi-conducteur ⎛ E − EF ⎞ électron à l’énergie E.
1 + exp ⎜ ⎟ EF est une constante pour
⎝ kT ⎠ un matériau donné
Energie des électrons
E0 Energie du « vide »
EG=1.12 eV
Bande de conduction
EV
EC Allure de la courbe pour
Bande de valence du silicium pur à 300K
Distance dans le cristal

Conducteur : Pas de bande interdite EV EC
Classification périodique
Colonne 4 : semi-conducteurs
Colonne 3 : accepteurs (P)
Colonne 5 : donneurs (N)
Porteurs de charge dans les semi-conducteurs
Si Si Si Si Si Si
- Génération d’une paire

électron-trou dans du silicium
Si Si Si Si + Si
pur (intrinsèque) :
Si
Agitation thermique, éclairement,
Passage d’une particule
Création de 2 porteurs libres
Si Si Si Si Si Si
Dopage N Dopage P
Bande de conduction
Si Si Si EC Si Si Si
ED
- EG +
Si P+ Si Si B- Si
EV EA
Si Si
Bande de valence Si Si Si
Si
Un atome de la colonne 5 est introduit Un atome de la colonne 3 est introduit dans le

dans le cristal. Il perd un électron qui
EC – ED ≈ EA – EV ≈ 0.045 eV cristal. Il capture un électron
Devient libre et s’ionise positivement de valence et s’ionise négativement,
à 300 K, tous les donneurs et
Donneurs : P, As, Sb créant un « trou » dans la bande de valence
les accepteurs sont ionisés
Accepteurs : B, Ga, In
Le silicium
Cristal type diamant : a = 5.43 Å
Densité atomique : 5 1022 cm-3
Permittivité diélectrique relative : εR = 11.7
Bandgap : EG = 1.124eV @ 300 K
Mobilité des électrons : µe = 1350 cm2 V-1 s-1
Mobilité des trous : µp = 480 cm2 V-1 s-1
Densité de porteurs libres : ni = 1.45 1010 cm-3
Résistivité intrinsèque : 2.3 105 Ω cm
Contrôle de la résistivité par le dopage :
8 ordres de grandeur pour des concentrations

en impuretés de 1012 cm –3 à 1021 cm –3
Les dopages représentent une proportion

d’impuretés comprise entre 10-10 et 10%
Le matériau de base doit être très pur !
Pour mémoire,
Résistivité du cuivre : 1.6 10-6 Ω cm
Résistivité du SiO2 : > 1011 Ω cm
La conduction dans les semi-conducteurs
2 causes possibles pour mettre en mouvement
les porteurs de charges (créer un courant) :
Un champ électrique La diffusion des porteurs
Gradient de concentration
E Concentrations en
porteurs libres
F n1 > n2
F -
+
F =qE n1 , p1
-
p1 > p2
Vitesse des porteurs :
+
v =µE µ : mobilité en cm2 V-1 s-1 n2 , p2

Distance
Densités de courant :
J pE = pevp= peµ pE JnD =−eDn grad n

D= kT µ J pD =eDp grad p
JnE =nevn=neµnE e
D : coeff. de diffusion en cm2 s-1
La jonction PN
+ -
-
+ - +
- Donneurs ionisés fixes (B+) : densité NA + + - +
- - - - +
+ + - -
- + Accepteurs ionisés fixes (P+) + +
- - + - + : densité ND
+
+ -
+ - -
- - + Trous libres (+) : densité p - + +
+ - - +
+ -
- Electrons libres (-) : densité n
Silicium P Silicium N
E
E : Champ interne
+ -
+ - + + - +
⇒ Ψ : potentiel interne - + - - - - +
+ + -
- +
E = − grad Ψ - - + - + + - Jonction PN
+
+ - -
N N - + - - + + - +
Ψ NP = U T Ln A 2 D + + - -
ni -
kT
UT = Zone neutre Zone neutre
e Zone de charge
d’espace ou désertée
La jonction PN polarisée
+ -
-
+ - + + - +
+ - - - - +
Contact
+ + - ohmique
- + +
- - + - + -
+ + - -
- + - - + + - +
+ WP + - - -
P N
IDC
Vext PN
Vext PN = 0 : Jonction à l’équilibre IDC = 0
les effets de la diffusion et du champ se compensent exactement, le courant est nul.
Vext PN > 0 : Polarisation directe
Réduction du champ électrique, la diffusion permet le passage d’un courant direct élevé.
Vext PN < 0 : Polarisation inverse
Augmentation du champ, seuls quelques porteurs arrivent à franchir la jonction,
le courant inverse est faible.
Pour des dispositifs minces où l’on peut
⎛ Vext PN ⎞ 2
eDn ni négliger les phénomènes de recombinaison
I DC = I S exp ⎜ − 1⎟ IS ≈ A et où ND>>NA (N+P)
⎝ U T ⎠ N AWP A : section transversale de la diode

WP : longueur de la zone neutre P
La jonction PN en régime dynamique
Pente r en (I0 ,V0)
I
≡
I0 direct N V0, I0
VextPN r C
inverse P
IS V0 VextPN I
La résistance dynamique r est la pente de la caractéristique au point de fonctionnement : r = UT / I0

La capacité C rend compte des variations de charges stockées en fonction de la polarisation :
En inverse, la jonction est équivalente à un condensateur plan, la capacité correspond à la variation du
nombre de charges fixes dans la zone de charge d’espace lorsque ses dimensions changent, c’est la
capacité de transition : ε SI εSI : permittivité du silicium : εrSi = 11.7
CT = A W : largeur de la Zone de charge d’espace
W
En direct, de nombreux porteurs de charges se trouvent en excès dans les zones « neutres », leur
quantité varie avec la polarisation, c’est la capacité de diffusion qui s’ajoute à la capacité de transition
CD est proportionnelle au courant direct : ⎛ Vext PN ⎞

CD ∝ A I S exp ⎜ ⎟
⎝ UT ⎠
Les transistors
Les transistors sont des dispositifs dans lesquels le

passage du courant entre 2 électrodes est contrôlé par une
grandeur de commande appliquée sur une 3ème électrode
Commande en courant : transistors bipolaires

Commande en tension : transistors à effet de champ
Le transistor bipolaire
Bipolaire = les 2 types de porteurs

participent au fonctionnement :
électrons et trous
Il en existe 2 types : NPN et PNP

Sur l’image : NPN
Base: dopage P
Emetteur et collecteur : dopage N
symboles
NPN PNP
Le transistor bipolaire : fonctionnement
La jonction base-émetteur est polarisée en direct
IC ⇓
Des électrons sont injectés de l’émetteur vers
la base et des trous de la base vers l’émetteur :
C (N) Le rapport entre ces 2 composantes est proportionnel
au rapport des dopages : IP ∝ NAB , IN ∝ NDE ⇒ IN >> IP
Dopage NDC
La jonction base-collecteur est polarisée en inverse
VCE ⇓
B (P) Le champ électrique intense E CB dirigé du collecteur
Dopage NAB vers la base attire les électrons vers le collecteur et
repousse les trous vers la base
IB
E (N) C B E
Dopage NDE
VBE rbb’ N++
IE P trous
SiO2 N++
E CB SiO2
N-
NDE >> NAB>> NDC N++ électrons
Substrat P
Le transistor bipolaire : courants
Le courant de base est le courant de trous injectés par la jonction BE
Le courant de collecteur est le courant d’électrons injectés par la jonction BE
et récupérés par la jonction BC
Le courant d’émetteur est la somme des courants de base et de collecteur
IE = IC + IB
E (NDE)
eDnB ni 2 ⎛V ⎞ WE
IC = A exp ⎜ BE ⎟ WE : largeur de la zone
N ABWB ⎝ UT ⎠ neutre d’émetteur B (NAB) WB
WB : largeur de la zone
neutre de base
eD pE ni 2 ⎛V ⎞
IB = A exp ⎜ BE ⎟ C (NDC)
N DEWE ⎝ UT ⎠
Ces relations sont valables pour un composant pour
DnB N DEWE lequel on peut négliger les recombinaisons et les
β= effets de fortes injection, c’est à dire un transistor
D pE N ABWB mince dans lequel circulent de petits courants.
En contrôlant le courant de base IB (faible), on commande le courant de collecteur IC (fort)
Le transistor bipolaire : caractéristiques
IC IB4
IB3
Région « normale »
IB2 Région saturée
IB1
VCE
Régime « normal » : la jonction base-émetteur est polarisée en direct
la jonction base-collecteur est polarisée en inverse
le courant de base contrôle le courant collecteur, IC = β IB
Régime saturé : les 2 jonctions sont polarisées en direct,

les courants IC et IB ne sont plus proportionnels
utilisés en logique
Régime bloqué : les 2 jonctions sont polarisées en inverse,
IB est nul ou négatif, IC est nul.
Régime « inverse » : la jonction base-émetteur est polarisée en inverse

la jonction base-collecteur est polarisée en direct
cela revient à inverser émetteur et collecteur
Le transistor bipolaire : polarisation
La polarisation consiste à choisir un point de fonctionnement : IC, VCE et à assurer
son maintien par un circuit externe.
Ip IC
IC
Générateur de Ip>>IB
RC
courant R1
RC
RB
Dans la base VCC
VCE
VCC
IB
VCE
IB
VBE Générateur de
VB
VBE RE courant
R2
Dans l’émetteur
IE
VCC − VBE
IB = , IC = β I B VB − VBE R2
RB IE = , VB = VCC
RE R1 + R2
VCE = VCC − RC I C VCE ≈ VCC − ( RC + RE ) I C
Le gain en courant β n’est pas stable et varie en fonction de nombreux paramètres,
en particulier la température.
Il est préférable d’imposer le courant d’émetteur
Le transistor bipolaire : modèle pour signaux faibles
En analogique, on s’intéresse aux variations autour du point de fonctionnement ;
on utilise un modèle « petits signaux » :
rbb’ ib Cb’c
vbe vb’e
gm vb’e ρ vce Schéma équivalent linéaire
rb’e Cb’e =β i b En émetteur commun
rbb’ = Résistance d’accès à la base

rb’e = Résistance dynamique de la jonction base-émetteur : rb’e = UT / IB0
Cb’e = Capacité de la jonction base-émetteur (en direct ⇒ capacité de diffusion)
Cb’c = Capacité de la jonction base-collecteur (en inverse ⇒ capacité de transition)
gm = Transconductance du transistor : gm = IC0 / UT
ρ = résistance de sortie du générateur de courant de collecteur : ρ = IC0 / VA
ρ représente la pente de la caractéristique IC = f(VCE) qui n’est pas parfaitement
horizontale. C’est l’effet de la variation de l’épaisseur de la base avec la tension
VA est la tension d’Early, elle dépend de la technologie.
Le transistor bipolaire : les montages de base
VCC
Montage émetteur commun
RC Gain en tension : Av = Vs/Ve = -gm Rc
Ampli de tension
Gain en courant : Ai = Is /Ie = β
Vs
Résistance d’entrée : Rin = rbe
Ve Résistance de sortie : Rs = Rc // ρ
VCC
Montage collecteur commun
Ve Gain en tension : Av = Vs/Ve = gmRE / (1+gmRE)≈ +1
Gain en courant : Ai = Is /Ie = β + 1
Vs Résistance d’entrée : Rin = rbe + (β+1)R
E Suiveur
RE Résistance de sortie : Rs = RE // (1/gm)
VCC Montage base commune Conversion

Gain en tension : Av = Vs/Ve = +gm Rc courant-tension,
RC Gain en courant : Ai = Is /Ie = +1 Cascode
Rg Vs Résistance d’entrée : Rin = 1 / gm
Résistance de sortie : Rs = Rc // [gmρ(Rg//rbe)]
Ve
Les circuits de polarisation n’ont pas été représentés
Le transistor M.O.S.
M.O.S. = Métal Oxyde Silicium
Le courant circule entre

drain et source
Electrode de commande : grille
La grille est isolée : pas de courant
de grille continu
symboles
D D
G G
S S
Canal N Canal P
Transistor MOS LG = 50 nm
Le transistor M.O.S. : fonctionnement
• W, L : largeur et longueur du canal
Grille
W Si-poly • Création du canal :
ce
injection d’électrons sous la grille par la
n
ai
ur
Dr
So
mise en direct localement de la jonction

N+ L N+
Oxyde de grille
source-substrat, contrôle de la quantité
SiO2 de porteurs par le champ électrique
Substrat P vertical créé par la tension VGS
• Mise en mouvement des porteurs :

VDS par le champ électrique longitudinal créé
VGS par la tension VDS
• VT : Tension de seuil
N+ N+
limite de l ’inversion :
VSB concentration des porteurs libres
P
dans le canal = concentration de
Canal Zone désertée dopant du substrat
Saturation
Tension de seuil (canal N)
grille SiO2 Si P
trous Répartition des charges dans

Accumulation une structure MOS
VG < 0 charges positives
charges négatives
VT 0 = VFB + 2 Φ FP + γ 2 Φ FP
Charges fixes
XD
Désertion
0 <VG < VT VFB = tension de « bandes plates »
ΦFP = potentiel de Fermi des porteurs
libres du substrat
Charges fixes
2 qε Si NB Coefficient
XDMAX
Inversion
γ = d’effet de substrat
COX
Canal VG > VT
(électrons)
Le transistor M.O.S. : courant
VDS
VGS µ : mobilité des porteurs
COX : Capacité d’oxyde par
unité de surface
N+ N+ NB : Dopage substrat
VSB εSi : permittivité Si
P
q : charge élémentaire
Canal Zone désertée
W ⎡ VDS ⎤
2
W
I DS = µ COX ⎢(VGS − VT ) VDS − ⎥ en inversion forte β = µ C OX
L ⎣ 2 ⎦ L
VT = VT 0 + γ (V SB + 2 Φ FP − 2 Φ FP ) γ =
2 qε Si NB
COX
Coefficient
d’effet de substrat
β
I DSAT = (VGS − VT )n en saturation utilisation dans la circuiterie analogique
2
1< n< 2
Le transistor M.O.S. : petits signaux
I DS = f (VGS , VD S , VSB )
∂I DS
= g m = 2 βI DS 0 : transconductance
∂VGS
∂I DS I
= gds = DS 0 : conductance drain/source, V A = tension d' Early
∂VDS VA
∂I DS γ
= g mb = − g m : transconductance due à l' effet de substrat
∂VSB 2 VSB + 2 Φ FP
CGD
IDS
VGS gm VGS gmb VSB gds VDS

CGS VDB
VA
VDS CDB
VSB CSB
Effet de la modulation de longueur de canal
Schéma équivalent linéaire
Le transistor MOS : montages de base
VDD
Montage source commune
RD Gain en tension : Av = Vs/Ve = -gm RD
Ampli de tension
Résistance d’entrée : Rin = ∞
Vs
Résistance de sortie : Rout = RD // (1/gds)
Ve
VDD
Ve Montage drain commun

Gain en tension : Av = Vs/Ve = gmRS / (1+gmRS) ≈ +1
Vs Résistance d’entrée : Rin = ∞
RS Résistance de sortie : Rout = RS // (1/gm) Suiveur
VCC
Conversion
Montage grille commune
courant-tension,
RD Gain en tension : Av = Vs/Ve = +gm RD
Cascode
Rg Vs Résistance d’entrée : Rin = 1 / gm
Résistance de sortie : Rout = RD // [(gm/gds)Rg]
Ve
Les circuits de polarisation n’ont pas été représentés
Briques de base en analogique CMOS
• Amplificateur inverseur polarisé par une source de

courant
• Comparaison MOS – Bipolaire : inverseur à 1 étage
• Etage suiveur polarisé par une source de courant
• Etage cascode
• Miroir de courant
• Amplificateur différentiel
Amplificateur inverseur polarisé par une source de courant
VDD La tension Vpol est une tension continue
⇓
M2 est polarisé à VGS constant et fournit un courant constant : I0
VPol M2 il est équivalent à sa conductance de sortie gds en parallèle avec
I0 Vout les capacités CDB +CGD
M1 est le transistor actif, Vin commande le générateur de courant
Vin CL de sortie gm1 Vin
M1
CGD1 CL>>CDB1+ CDB2+ CGD2

VSS CDB1+ CDB2+ CGD2
CL
Vout A0 Vin gm1Vin gds1 gds2 Vout
≈− CGS1
Vin p
1+
ω0
g m1 µ C ⎛W ⎞ 1 g + gs2
A0 = = VA n ox ⎜ ⎟ , ω 0 = s1
g s1 + g s 2 2 ⎝ L ⎠1 I 0 CL Pour aller vite, il faut augmenter
A0 le courant,
g m1 1 Pour avoir du gain, il faut
ωT = A0ω0 = = 2 β1 I 0 diminuer le courant
ωT CL CL
⎛W ⎞
ω0 β = µ Cox ⎜ ⎟
⎝L⎠
Comparaison MOS – Bipolaire : inverseur à 1 étage
VDD VCC
A0
VPol M2 ρI 0
I0 Vout ωT I0 Vout
Vin CL ω0 Vin CL
M1 Q1
Vout A0
VSS ≈− VEE
Vin p
1+
A0 =
g m1 β
= VA 1
1 ω0 A0 = g m1 ( ρ1 // ρ I 0 ) ≈
I 0 VA V
= A
g s1 + g s 2 2 I0 U T 2 I 0 2U T
g m1 1 g m1 1 I0
ωT = A0ω0 = = 2 β1 I 0 ωT = A0ω0 = =
CL CL CL CL U T
MOS Bipolaire
Gain ∝ VA/√I0 ∝ VA/UT
Fréquence max. ∝ √I0 ∝ I0
Impédance d’entrée ∞ // CGS Rbb’ + rb’e // Cb’e
Impédance de sortie ∝ VA/I0 ∝ VA/I0
Etage suiveur polarisé par une source de courant
VDD
CGS1
Vin CDB1 + CDB2 + CGD2
M1
CL
Vout Vin gds1 gds2 Vout
I0 CGD1
Vpol CL
M2 gm1(Vin -Vout)
CGS1
VSS
Vin gm1+ gds1+ gds2 CL Vout

CGD1
M2 est la source de courant,
gm1Vin
M1 est monté en drain commun
A0
ωT
g m1
Vout A0 A0 = ≈ +1
≈+ g m1 + g s1 + g s 2
Vin p
1+
ω0 ω0 =
g m1 + g s1 + g s 2
g m1 1
CL ωT = A0ω0 = = 2 β1 I 0
CL CL
VDD
Etage cascode
Vpol M2 gdsc
Vout CGD1
gm1Vin V1
CL
-gmcV1 CL
VC MC Vin gds1 Vout
CGS1 C1 gds2
Vin
M1 V1 C1=CDB1 + CSBC + CGSC
CGD1 gdsc
VSS Vin gm1Vin V1
VC est une tension de CL
polarisation, MC est monté en gds1 gm1 gmcV1 Vout
CGS1 C1 gds2
grille commune
Iout
g m1 Vout
A0 = − VC Le montage cascode isole la
gs2 MC sortie de l’entrée
Résistance de sortie Il multiplie la résistance de
Vin VOUT 1 ⎛ g mc ⎞ sortie par le gain d’un étage
g m1 M1 ROUT = = ⎜ ⎟
ωT = I OUT g s1 ⎝ g sc ⎠
CL
VSS
Etage cascode + source de courant cascodée
ou « double cascode »
VDD La charge M2 est « cascodée » par le transistor MC2

La résistance de charge est multipliée par le facteur gmc2 / gsc2
Vpol Le gain est celui de 2 étages
M2
2
VC2 MC2
g m1 ⎛ gm ⎞
Vout A0 = − ≈ −⎜ ⎟
CL ⎛ g sc1 ⎞ ⎛ g sc 2 ⎞ ⎝ s⎠
g
VC1 MC1 g s1 ⎜ ⎟ + g s1 ⎜ ⎟
⎝ mc1 ⎠
g ⎝ mc 2 ⎠
g
Vin
M1 V1
g m1
VSS ωT = La bande passante ne change pas
CL
Miroir de courant – charge active
VDD VDD VDD VDD
charge M’2 M2
Iref
I0 Vout
I2
Vin CL
Iref
M1
M1 M2
VSS VSS
Montage inverseur polarisé par source de
M1 est monté avec Grille et
courant + miroir. M’2 ≡ M2 ⇒ I0 = Iref
Drain réunis
⇒ il impose VGS1 = VGS2
IDS
VGS1=VGS2
I2
⎛W ⎞ ⎛W ⎞ Iref
⎜ ⎟ = n ⎜ ⎟ I2 ≠ Iref à cause de la pente de
⎝ ⎠2
L ⎝ L ⎠1 la caractéristique IDS = f(VDS)
I 2 = nI ref VDS
VDS1 = VGS1 VDS2

Dépend de la charge
Amplificateur différentiel (principe)
VDD VDD Mode commun pur : VD = 0, Vin1 = Vin2 = VC
R
R R
Vout1 = Vout 2 = − VC
Vout1 I0/2 I0/2 Vout2
2ρ
Mode différentiel pur : VC = 0,
Vin1 M1 M’1 Vin2
P Vin1 = VD/2, Vin2 = -Vin1
VD
I0 ρ Vout1 = −Vout 2 = − g m1 R
2
M1 ≡ M’1
VSS 1/ρ << gm
⇓
VD V
Vin1 = VC + , Vin 2 = VC − D gain en mode commun << gain en mode diff.
2 2
Vin1 + Vin 2
VC = , VD = Vin1 − Vin 2 En mode différentiel, le potentiel du point
2
Mode commun Mode différentiel P est fixe, c’est une « masse virtuelle »
Amplificateur différentiel à charge active
δvÊ, δiÈ : Mode commun
VDD VDD δvÊ, δiÈ : Mode différentiel
M2 M’2
VDD δiÈδiÈ δiÈ È δi 2δiÆ
δiÇ È δi 0 Æ g m1
AVD = , AVC = 0
CL
R Vin1
δvÊ
M1 M’1
Vin2
δvÊ
g s1 + g s 2
δvÊ δvÌ
M3 M3
La charge active permet de
VSS VSS doubler le gain en mode différentiel
et d’annuler le mode commun
R, M3 et M’3 constituent
le générateur de courant
qui polarise l’étage différentiel
L’amplificateur opérationnel
• L’ampli idéal
• Principe, architecture
• L’ampli réel
• Contre-réaction, montages de base
• Limitations
• Stabilité, compensation
• Schémas
L’amplificateur opérationnel idéal
VDD
0 - L’amplificateur opérationnel idéal comprend :
• Une entrée inverseuse : Vin-
ε=0 AV=∞
• Une entrée non inverseuse : Vin+
Vin- +
0 • Une sortie : Vout
Vout
Vin+ VSS Ses caractéristiques :
• Gain en tension infini ⇒ ε = 0
• Bande passante infinie
• Courants d’entrée nuls : Iin+ = Iin- = 0
Vout
VDD
Lorsque l’entrée de l’ampli est à 0,
Pente ∞
ε la sortie peut prendre n’importe quelle
valeur entre VDD et VSS.
VSS C’est le circuit extérieur qui permet à l’ampli
de se « débrouiller » pour maintenir son
Caractéristique entrée à 0
de transfert
L’amplificateur opérationnel réel
VDD
- VDD VDD
ε AD AV +1
Vin- +
VSS VSS Vout
Vin+ VSS
Gain + Suiveur
Etage compensation
différentiel
Vout L’amplificateur opérationnel réel comprend :

VDD • un étage différentiel : réjection du mode commun
• un étage de gain avec la compensation en fréquence
Pente A0
ε • un suiveur pur assurer une impédance de sortie basse
Ses caractéristiques :
VSS • Gain en tension fini A0 (A0 = AD.AV) ⇒ ε ≠ 0
• Bande passante finie
Caractéristique • La tension de sortie n’atteint pas les alimentations
de transfert de • Les courants d’entrée ne sont pas nécessairement nuls
l’ampli réel
Contre-réaction, montages de base
L’AO ne peut fonctionner en régime linéaire que s’il est contre-réactionné
R2 Montage inverseur :
La sortie est rebouclée sur l’entrée par R2
R1 0 - Le courant dans R2 et R1 est la même
Vin Vout Le rôle de l’AO est d’imposer une masse
ε=0 virtuelle
+
VOUT / VIN = - R2 / R1
Résistance d’entrée = R1
Vin +
Vout Montage non-inverseur :
La contre-réaction est la même que pour
- R2 le montage inverseur
R1 VOUT / VIN = 1 + R2 / R1
Résistance d’entrée = ∞
Limitations dynamiques
Produit Gain-Bande :
A0 C’est la fréquence maximale à laquelle
l’AO pourra fonctionner.
Si fT < fp2, l’AO sera stable en gain unité
0 dB
g min
fT = A0 f p1 = C est la capacité de charge
ou de compensation
C
fp 1 fT fp 2
Slew rate :
Lorsqu’on applique un échelon à l’entrée
- De l’AO, la sortie ne varie pas instantanément,
La vitesse de variation maximale de la tension
+ CL De sortie est le « slew rate »
⎛ dVOUT ⎞ I0
SR = ⎜ ⎟ ∼
⎝ dt ⎠ max C
Stabilité, compensation (1)
+
Montage suiveur :
• On ouvre la boucle
- • On injecte une perturbation sur V-
• On mesure à la sortie
• Si la mesure est égale à la perturbation,
on peur refermer la boucle et supprimer
V- Vout
l’excitation, une oscillation apparaît.
C’est la limite d’instabilité
Pour obtenir Vout = V-, l’AO doit déphaser de 180° et avoir un gain 1
Stabilité, compensation (2)
A0 INSTABLE
STABLE Sans compensation :

Amplitude Le déphasage atteint 180° à la
fréquence de gain unité
A=1
f’p1 fT ⇓
fp 1 fp 2 INSTABLE
Compensation :
On diminue la 1ère fréquence
0°
de coupure
∆Φ=90° ⇓
-90° Le déphasage n’est que de 90°
∆Φ=180°
à la fréquence de gain unité :
Phase le système est STABLE
-180°
Schémas
• Amplificateur à compensation interne

• Amplificateur compensé par la charge
• Amplificateur cascode replié
Amplificateur à compensation interne
VDD VDD
VDD
M’2 M2
VDD M3
R Vin- Vin+ Vout

M’1 M1 RC
CC CL
MP I0
MP M4
Compensation g m1 g m 3
A0 =
VSS VSS VSS ( g s1 + g s 2 )( g s 3 + g s 4 )
Source de Etage Etage de g m1 I
sortie fT = , SR = 0
courant différentiel 2π CC CC
Ce type d’amplificateur fonctionne sur charge capacitive,

il n’a pas de suiveur en sortie
Amplificateur compensé par la charge
VDD VDD VDD VDD
1:n 1:n
M’3 M’2 M2 M3
( WL )3
VDD n= W ⇒ g m3 = n g m 2
( L )2
R Vin- Vin+ Vout
M’1 M1
CL
MP MP I0
n g m1
A0 =
VSS VSS
( gs3 + gs 4 )
M’4 M4 n g m1 I
fT = , SR = n 0
2π CL CL
VSS VSS
Gain plus petit, pas de compensation interne nécessaire
On peut augmenter le gain en remplaçant l’étage de sortie
par un étage double cascode
Amplificateur cascode replié
VDD VDD
VDD
M’2 M2
I01
Vin+ M’1 M1 Vin-

CL
VC M’C MC VC
I02 I02
g g
A0 = m1 m 2
g mC g s 2
VSS VSS
g m1 I
fT = , SR = 02
2π CL CL

RH Composants

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

RH Composants

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

COMPOSANTS ELECTRONIQUES

Richard HERMEL LAPP

Ecole d’électronique IN2P3 : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004

Niveaux d’énergie discrets des atomes

Niveaux d’énergie des électrons participant

Niveaux d’énergie des électrons libres

Il peut exister des niveaux « interdits »

Conducteurs (métaux) : pas de bande interdite

EV Le peuplement des bandes d’énergies obéit à la statistique

Distance dans le cristal 1

Distance dans le cristal

- Génération d’une paire

Un atome de la colonne 5 est introduit Un atome de la colonne 3 est introduit dans le

Contrôle de la résistivité par le dopage :

8 ordres de grandeur pour des concentrations

Les dopages représentent une proportion

Le matériau de base doit être très pur !

v =µE µ : mobilité en cm2 V-1 s-1 n2 , p2

J pE = pevp= peµ pE JnD =−eDn grad n

⎝ U T ⎠ N AWP A : section transversale de la diode

La résistance dynamique r est la pente de la caractéristique au point de fonctionnement : r = UT / I0

CD est proportionnelle au courant direct : ⎛ Vext PN ⎞

Les transistors sont des dispositifs dans lesquels le

Commande en courant : transistors bipolaires

Bipolaire = les 2 types de porteurs

Il en existe 2 types : NPN et PNP

En contrôlant le courant de base IB (faible), on commande le courant de collecteur IC (fort)

Régime saturé : les 2 jonctions sont polarisées en direct,

Régime « inverse » : la jonction base-émetteur est polarisée en inverse

rbb’ = Résistance d’accès à la base

VCC Montage base commune Conversion

Le courant circule entre

injection d’électrons sous la grille par la

mise en direct localement de la jonction

• Mise en mouvement des porteurs :

trous Répartition des charges dans

VGS gm VGS gmb VSB gds VDS

Ve Montage drain commun

• Amplificateur inverseur polarisé par une source de

CGD1 CL>>CDB1+ CDB2+ CGD2

Vin gm1+ gds1+ gds2 CL Vout

VDD La charge M2 est « cascodée » par le transistor MC2

VDS1 = VGS1 VDS2

Vout L’amplificateur opérationnel réel comprend :

STABLE Sans compensation :

• Amplificateur à compensation interne

R Vin- Vin+ Vout

Ce type d’amplificateur fonctionne sur charge capacitive,

Vin+ M’1 M1 Vin-

Vous aimerez peut-être aussi