Chapitre 2

Processus d’interaction rayonnement- semi-

conducteur

2.1 Généralité
2.1.1 Le photon
L'énergie du photon est donnée par: E ph  h  
avec ħ=h/ 2π et ω (ω=2πυ) est la pulsation. On a k est le vecteur d'onde (k = nω/c).
La relation de dispersion du photon, qui relie l'énergie au vecteur d'onde, s'écrit :
c
E ph   k
n
D'où les variations de l‘énergie du photon dans le vide et dans la matière en fonction du
vecteur d'onde k sont représentés sur la figure (2.1- a).
(a) (b)
E ħc
E

ħc/n

K K
Figure 2.1 ─ (a) Relations de dispersion du photon dans le vide (trait plein) et dans un milieu
(trait pointille), (b) Relation de dispersion de l'électron dans le vide.

La quantité du mouvement du photon pph est donnée par:

h
p ph 

2.1.2 Electron
La quantité de mouvement p et l’énergie cinétique E de l’électron sont données par:
2
p  mv et E  1 mv2  p
2 2m
où m est la masse de l’électron
. Ainsi la quantité de mouvement de la particule et le vecteur d'onde de l'onde qui lui est
associée sont liés par la relation
p  k
Il en résulte, que la relation de dispersion de l'électron libre (figure 2.2-b) s’écrit :
 2k 2
E
2m
2.1.3 Semi-conducteurs
Le comportement isolant ou conducteur électrique d’un matériau s’explique par la théorie des
bandes.

Energi Energi Energi

e eV e eV e eV
Bande de Bande de
Bande de conductio conductio
conductio n 1eV ou n
Les deux Quelques Bande interdite
bandes se n Bande interdite moins
eV
chevauchen Bande Bande
t de Bande de
valence de valence
valence

Conducteur Isolant Semi-conducteur

Figure 2.2 ─ Structure de bande d’énergie simplifiée dans un conducteur,

isolant et semi-conducteur.

a- Dopage
Dans le cas d’un atome de silicium, les électrons périphériques sont au nombre de 4, ils
assurent les liaisons avec les 4 atomes voisins.
Dopage type N: atome dopant possède 5 électrons périphériques (phosphore, arsenic,
antimoine : P, As, Sb),
Dopage type P: atomes dopants n’ont que 3 électrons périphériques (bore, aluminium,
gallium, indium : B, Al, Ga, In),

Electron Electron
excédentaire manquant ou
Si (libre) trou (libre)

Electrons: porteurs majoritaires Trous: porteurs majoritaires

Trous: porteurs minoritaires Electrons: porteurs minoritaires

Figure 2.4 ─ Atome de silicium dopé n (a), dopé p (b)

b- Structure de bande d’énergie

Il existe deux structures de bande pour les semi-conducteurs : les structures de
bande à gap direct lorsque le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de
conduction se situent au même nombre d’onde, et les semi-conducteurs à gap indirect lorsque
ce n’est pas le cas.
 E
k
Bande de conduction
BC

Eg
k

Bande de valence
BV
Figure 2.5 ─ Structures de bande: (a) à gap direct et (b) à gap indirect.

Pour traduire en eV la caractéristique d'un rayonnement définie en μm. On a:

h.c 1.242
E ph ( J )  h  E ph (eV ) 
  ( µm)
avec :1 eV = 1.602 4 × 10−19 Joule.

2.2 Interaction électron-photon

L'interaction du rayonnement avec les électrons du semi-conducteur se manifeste
selon trois processus distincts:

2.2.1 Absorption
L’absorption du photon par un électron de la bande de valence et son passage vers
la bande de conduction (BC), entrainant l’apparition d’un trou dans la bande de valence
(BV), il y a effet photoélectrique lié à la structure de bande interdite (Figure 2.6). Ce
processus sera mis à profit dans les capteurs de rayonnement.

BC
Photon o

( Eg
BV

Atome au repos Atome excité

: Électron : Trou

Figure 2.6 ─ Absorption d’un photon et création d’une paire électron-trou.

2.2.2 Emission spontanée
Un électron de la bande de conduction peut retomber spontanément sur un état
vide de la bande de valence avec émission d'un photon. Ce processus sera mis à profit
dans les émetteurs de rayonnements tels que les diodes électroluminescentes.

E Photon
émis
c

Atome excité Atome revenu à l’état de repos

Figure 2.7 ─ Emission spontanée d’un photon.

2.2.3 Emission stimulée

Un photon présent dans le semi-conducteur peut induire la transition
d'un électron de la bande de conduction vers un état vide de la bande de valence,
avec émission d'un deuxième photon de même énergie. Ce processus sera mis à
profit dans les lasers à semi-conducteur.

Photon
E émis
Photon c
o c c
A

Atome excité Atome revenu à l’état de repos

Figure 2.8 ─Emission stimulée d’un photon.

2.3 Transitions directe et transitions indirecte

On repère par les indices i et f, les états initiaux et final de l'électron, et par l'indice
p l'état du photon, les règles de conservation s'écrivent:

E  E  E p
f i
k  k  k p
f i
où le signe + correspond à l'absorption du photon et le signe - à l'émission.
Comparons les ordres de grandeur :
• La longueur d'onde du photon dans le visible est de l'ordre de quelques centaines
de nanomètres (par exemple à 600 nm). L'ordre de grandeur de la norme du
vecteur d'onde associe est :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑘𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 = 2π/ 600 10-9 = 107m-1
• Pour un électron, la distance interatomique a étant de l'ordre de grandeur de
quelques angstrom :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑘𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛 = π /a = 1010 m-1
On conclut donc :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑘𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛 >>𝑘𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ et ⃗⃗⃗⃗
𝑘𝑓 ≈ ⃗⃗⃗
𝑘𝑖

 L'absorption ou l‘émission d'un photon s'effectue donc a vecteur d'onde (de

l‘électron) constant : on dit que les transitions radiatives sont verticales (dans
l'espace des k).
 Les transitions obliques (lorsque le vecteur d'onde de l‘électron n'est pas
conservé) sont des transitions non radiatives, c'est à dire ne mettant pas en jeu
des photons.

- - - BC BC
- - BC - - - - - -
-
- - - -
Absorption Émission Transition non
radiative Absorption Thermalisation

+ + + + + +
BV + + +
+ + + + + BV + + + BV

(a) (b) (c)

Figure 2.9 ─ Différents types de transitions : Transitions électroniques entre les
extrema des bandes de valence et de conduction.

 Semi-conducteur à gap direct (Figure 2.9-(a)), les transitions électroniques entre

les extrema des bandes de valence et de conduction sont verticales, elles
obéissent à la règle de conservation des k, et par suite sont radiatives.
 Semi-conducteur à gap indirect (Figure 2.9-(b)), les transitions électroniques
entre les extrema des bandes sont obliques et de ce fait non radiatives.
En semi-conducteur à gap indirect (Figure 2.9-(c)), l‘électron crée dans la bande de
conduction est ensuite thermalisé vers le minimum de la bande de conduction.

L'absorption est donc possible dans tout type de semi-conducteur, contrairement

à l‘émission.
2.4 Photo-génération des porteurs de charges
Φ0(E) est le flux de photons incidents d'énergie E :
Pi
0 (E) 
h


x
T

r
0 x

Figure 2.10 ─ Photoexcitation.

Soit R+T =1, R étant le coefficient de réflexion de la lumière et T son coefficient

de transmission. Ces deux coefficients dépendent de l’angle d’incidence et pour une
incidence normale on a :
r  n 1  T
2
4n
R   et T   1 R 
i  n  1  i n  12
avec n l’indice de réfraction du matériau semi-conducteur.
Le flux de photons ΦT(E) transmis à la surface, s'écrit:
T ( E )  (1  R( E ))0 ( E )
Les photons sont absorbés au cours de leur propagation dans le matériau. α est
donné par :
1 d ( E , x)
 
dx  ( E , x)
α est positif lorsque dΦ est négatif. En intégrant α, on obtient:
 ( E, x)  T ( E,0)e ( E ) x
Le flux de photons d'énergie E à l'abscisse x à l'intérieur du semi-conducteur s'écrit
donc :
 ( E, x)  (1  R( E ))0 ( E )e  ( E ) x

Si chaque photon génère une paire électron-trou alors le taux de génération G

des paires est:
 ( E , x)
G ( E , x)  
x

En dérivant le flux de photon,on obtient :

G( E, x)  [1  R( E )]0 ( E ) ( E )e  ( E ) x
2.5 Recombinaison des porteurs excédentaires
On peut regrouper les transitions en deux catégories : les transitions radiatives, mettant
en jeu un ou plusieurs photons et les transitions non radiatives pour lesquelles les photons
n'interviennent pas.
2.5.1 Recombinaison radiative
Le processus de la recombinaison radiative ou inter-bandes est définit comme l’inverse
du processus de la photo-génération.

2.5.2 Recombinaison non radiative

Les semi-conducteurs sont soumis à un grand nombre de transitions non radiatives. Ces
transitions sont assistées par un grand nombre d'interactions. Ces interactions donnent lieu à un
certain nombre de transitions, dont les plus courantes sont les suivantes : Recombinaison de
type Auger et Recombinaisons Schokley Read Hall (SRH)

2.5.3 Taux de recombinaison et durées de vie

2.5.3.1 Durée de vie radiative
Taux de recombinaison défini par la durée de vie des porteurs minoritaires (τrn et
τrp)
p n
R  
 rp  rn
avec
1 1
 rp  et  rn 
Bn0 Bp0
Avec :
 ∆n = n-n0 et ∆p = p-p0 sont les excès de porteurs minoritaires.
 n0 et p0sont les concentrations des porteurs minoritaires à l’équilibre.
 n et p sont les concentrations des porteurs minoritaires sous excitation.
 B constante propre à la nature du matériau.

Quelques valeurs de B sont données sur le tableau suivant :

Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)

Si indirect 1.8 10-15
GaP indirect 5.4 10-14
GaAs direct 7.2 10-10
InP direct 1.3 10-9

Tableau ─ Constante B pour quelque semi-conducteur à 300 K

Dans la mesure où ∆n = ∆p (création de paires électron – trou):

1 1 1
 
 r  rn  rp
Dans un semi-conducteur dopé, la durée de vie radiative est celle des porteurs
minoritaires SC de type n: n0  p0   rn   rp d' où  r   rp
On peut alors définir une durée de vie globale τ, tenant compte à la fois des processus
radiatifs et non radiatifs, reliée à un taux de recombinaison global ∆R :
R  Rr  Rnr
1 1 1
 
 r  nr

2.5.3.2 Rendement radiatif

Le rendement d’électroluminescence ou rendement quantique interne de l’effet
électroluminescent ηi représente le rapport du taux de recombinaisons radiatives et le
taux de recombinaisons total (pourcentage de recombinaisons radiatives).
1/ r  nr
 
1 /   r   nr
 Si τr<< τnr, τ ≈ τr la durée de vie des porteurs est conditionnée par les processus
radiatifs, les recombinaisons de porteurs se font avec émission de photons, le
matériau a un bon rendement radiatif.
 Au contraire si τr>> τnr, τ ≈ τnr, les porteurs excédentaires se recombinent par
d'autres voies que l'émission de photons, le matériau a un mauvais rendement
radiatif.