Télécommunication Optique Chapitre III

Faculté des sciences Kénitra
Cours Optoélectronique
Présenter par: Pr. A. Bendali
Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 1

Chapitre 3 :
Sources de lumière

Plan
1. Introduction
2. Interaction rayonnement-semiconducteur (onde-matière)
3. Photodétecteurs
4. Emetteur de rayonnement à semi-conducteur (LED, LASER)
5. Applications des composants optroniques

Introduction
Dans tous les cas, il s’agit d’étudier l’interaction des
photons avec le semi-conducteur, en distinguant les
semi-conducteurs à gap direct et à gap indirect. Le
domaine des composants optroniques est très vaste.
Nous ne présenterons dans ce chapitre que les
principes de base et les principaux composants.

Introduction
Modèles des bandes d’énergies

Introduction

Introduction
Comparaison isolons, conducteurs et semi-conducteurs

Introduction
Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur).
→ Création de paires électrons – trous sous l’action d’un apport d’énergie thermique
(par exemple)
Le bandgap Eg représente l’énergie minimale nécessaire pour rompre la liaison.
Déplacement des e- libres→ courant

Introduction
Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs de charges :
• des porteurs négatifs : les électrons de la bande de conduction,
• et des porteurs positifs :les trous de la bande de valence.
Le phénomène de création de paires e- - trous s’accompagne d’un phénomène de

recombinaison (les e- libres sont capturés par les trous, ils redeviennent e- de
valence)
Durée de vie d’un porteur = temps séparant la recombinaison de la génération.

Introduction

Introduction
Intérêt des semi-conducteurs : possibilité de contrôler la quantité de porteurs de charges

libres (e- et trous) et par conséquent la résistivité.
Comment ?→ dopage, radiations, température, injection de courant, etc.

Introduction
Semi-conducteur extrinsèque de type P
Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe II (3e- sur la couche de valence) en
lieu et place d’atomes de Si, généralement du bore B ou du gallium Ga.
→ seules trois liaisons covalentes peuvent être créées, la 4ème reste incomplète, un trou est
créé pour chaque atome de dopage. Il va pouvoir être comblé par un e- d’une liaison covalente
proche (atome accepteur).

Introduction
Semi-conducteur extrinsèque de type N
Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe V (5 e- sur la couche de valence) en

lieu et place d’atomes de Si, généralement du phosphore P ou de l’arsenic As.
→libération d’un e- libre, les 4 autres se liant aux atomes de Si voisins (atome donneur)

Introduction

Introduction
La jonction PN.
Un semi-conducteur seul (N ou P) présente peu d’intérêt, c’est l’association de plusieurs SC
dopés qui permet de créer des composants semi-conducteurs. Le plus simple d’entre eux est
la jonction PN (ou diode), il permet en outre d’appréhender le fonctionnement des transistors.
Jonction PN non polarisée, à l’équilibre.
Que se passe-t-il si l’on

met en contact un s.c de
type P avec un s.c de type
N pour réaliser une
jonction PN ?

Introduction
Considérant la jonction dans son ensemble, il existe un gradient de porteurs de charges :
→ création d’un courant de diffusion :
• des trous mobiles du s.c P vers le s.c N, ils se recombinent avec les e- dans la ZCE.
• des e- mobiles du s.c N vers le s.c P, ils se recombinent avec les trous.
Chaque trou (resp. e-) majoritaire quittant le s.c P (N) laisse derrière lui un anion
(cation) fixe et entraîne l’apparition d’un cation (anion) fixe dans le s.c N (P) du fait de sa
recombinaison avec un e- (trou). Ces ions sont localisés à proximité de la zone de contact.
Ils sont à l’origine de la création d’un champ électrique qui s’oppose au courant de diffusion
appelée barrière de potentiel (V0 = 0,7 V pour le silicium, 0,3 V pour le germanium).
Un état d’équilibre est atteint ou :
• seuls qqs porteurs majoritaires ont une énergie suffisante pour franchir la ZCE et
contribuer au courant de conduction ID,
• un courant de saturation inverse, Is, créé par les porteurs minoritaires lorsqu'ils sont
capturés par le champ électrique de la ZCE.

Introduction

Introduction

Introduction

Interaction rayonnement-semiconducteur (onde-
matière)
Photons et électrons
Photons
La nature ondulatoire du rayonnement électromagnétique est représentée par la combinaison
du champ électrique E et du champ magnétique H satisfaisant aux équations de Maxwell
Le terme (ωt−k.r) est la phase de l'onde. A un instant t donné, l'ensemble des points de
l'espace correspondant à une même phase constitue une surface d'onde.

matière)
•La représentation ondulatoire du rayonnement, que nous venons de rappeler brièvement, est
bien adaptée à l'étude des phénomènes tels que les interférences et la diffraction, qui mettent en
jeu l'interaction rayonnement-rayonnement.
•En ce qui concerne l'étude des interactions rayonnement-matière, et plus particulièrement

lorsqu'il y a échange d'énergie, comme c'est le cas dans les composants optoélectroniques, la
représentation corpusculaire du rayonnement est mieux adaptée. Einstein a suggéré que
l'énergie du rayonnement n'était pas étalée dans tout l'espace mais concentrée dans certaines
régions se propageant comme des particules qu'il a appelées des photons. L'énergie du photon
est donnée par:

matière)
Se pondant, la relation de dispersion du photon, qui relie l'énergie au vecteur d'onde, s'écrit
Notons en outre que, si le rayonnement est communément caractérisé par sa longueur d'onde
dans le vide (ou dans l'air) mesurée en microns, le semi-conducteur est quant à lui
communément caractérisé par son gap mesuré en électron-Volt. Dans l'étude des composants
optoélectroniques, qui mettent en jeu l'interaction rayonnement-semi-conducteur, il est utile
d'avoir en permanence à l'esprit la relation énergie-longueur d'onde, pour traduire en eV la
caractéristique d'un rayonnement définie en μm.
soit

matière)
Courbes de dispersion.
a) Photons dans le vide et dans
le semi-conducteur.
b) Electrons dans le vide.
c) Electrons dans un semi-
conducteur à gap direct.
d) Electrons dans un semi-
conducteur à gap indirect.

matière)
Electrons
Considérons tout d'abord un électron libre dans le vide, sa quantité de mouvement et son
énergie cinétique sont données par
De même qu'Einstein a proposé qu'à une onde plane de fréquence ν et de longueur d'onde λ, on
devait associer une particule, le photon d'énergie E=hν et de quantité de mouvement p=h/λ,
Louis de Broglie a proposé, en 1924, qu'à une particule matérielle d'énergie E et de quantité de
mouvement p, on devait associer une onde de fréquence ν=E/h et de longueur d'onde λ=h/p.
Ainsi la quantité de mouvement de la particule et le vecteur d'onde de l'onde qui lui est
associée sont liés par la relation:
Il en résulte, que la relation de dispersion de l'électron libre s'écrit

matière)
Considérons maintenant l'électron dans le semi-conducteur. En raison de la périodicité du
réseau cristallin, les fonctions d'onde des électrons ne sont plus des ondes planes mais des
ondes de Bloch, périodiques dans l'espace. Alors, leur énergie ne varie plus de manière
continue mais présente une structure de bandes permises séparées par des bandes interdites.
La caractéristique essentielle de cette structure de bande, qui va conditionner

l'interaction électron-photon, est la nature du gap du semi-conducteur.
Il faut noter que lorsque le semi-conducteur est indirect, le minimum de la bande de

conduction est situé en bord de zone de Brillouin (ou à son voisinage dans le cas du silicium),
c'est-à-dire pour k ≈ π / a où a représente la maille du réseau cristallin.
Au voisinage de chaque extremum la courbe de dispersion présente une loi parabolique

analogue à celle de l'électron dans le vide, mais avec une courbure caractérisée par la masse
effective de l'électron

matière)
Pour des semi-conducteurs uni-vallée et multi-vallée la loi de dispersion s'écrit
respectivement:
où kO est voisin de π / a .
𝑘// = 𝑘𝑧 :est la composante de k portée par l'axe de révolution de l'ellipsoïde,

𝑘⊥ = est la composante de k dans le plan perpendiculaire.

matière)
Interaction électron-photon - Transitions radiatives
L'interaction du rayonnement avec les électrons du semi-conducteur se manifeste selon trois

processus distincts
un photon peut induire le saut d'un électron, d'un état occupé de la bande de valence vers un
état libre de la bande de conduction, c'est l'absorption fondamentale. Ce processus sera mis à
profit dans les capteurs de rayonnement.

matière)
 un électron de la bande de conduction peut retomber spontanément sur un état vide de la

bande de valence avec émission d'un photon, c'est l'émission spontanée. Ce processus sera
mis à profit dans les émetteurs de rayonnements tels que les diodes électroluminescentes.

matière)
 un photon présent dans le semi-conducteur peut induire la transition d'un électron de la

bande de conduction vers un état vide de la bande de valence, avec émission d'un deuxième
photon de même énergie, c'est l'émission stimulée. Ce processus sera mis à profit dans les
lasers à semi-conducteur.

Interaction rayonnement-semiconducteur (onde-matière)
Ces différents processus sont conditionnés par les règles qui régissent les chocs élastiques
entre deux particules, ici le photon et l'électron, la conservation de l'énergie et la
conservation de la quantité de mouvement p , c'est-à-dire, du vecteur d'onde k . Si on repère
par les indices i et f, les états initial et final de l'électron, et par l'indice p l'état du photon, les
règles de conservation s'écrivent:
où le signe + correspond à l'absorption du photon et le signe - à l'émission.
Il en résulte que la condition de conservation du vecteur d'onde s'écrit simplement kf≈ ki. La
transition d'un électron entre les bandes de valence et de conduction, se fait donc avec
conservation du vecteur d'onde. On dit que les transitions radiatives, c'est-à-dire accompagnées
de l'absorption ou de l'émission d'un photon, sont verticales dans l'espace des k.

Transitions électroniques entre les extrema des bandes de valence et de conduction. a) Semi-
conducteur à gap direct, les transitions sont verticales et par suite radiatives. b) Semi-
conducteur à gap indirect, les transitions sont obliques et non radiatives au premier ordre. c)
Absorption directe de photons dans un semi-conducteur à gap indirect

C'est la raison pour laquelle les processus d'absorption ou d'émission de photons, au

voisinage du gap fondamental, sont considérablement plus importants dans les
matériaux à gap direct que dans les matériaux à gap indirect.
• Dans le semi-conducteur à gap direct, les transitions électroniques entre les extrema des
bandes de valence et de conduction sont verticales, elles obéissent à la règle de conservation
des k, et par suite sont radiatives. Dans le semi-conducteur à gap indirect, les transitions
électroniques entre les extrema des bandes sont obliques et de ce fait non radiatives au
premier ordre.
• Dans un semi-conducteur à gap indirect, on peut exciter verticalement des électrons du

sommet de la bande de valence vers le minimum central de la bande de conduction. Les
électrons ainsi excités, se thermalisent ensuite dans le minimum absolu de la bande de
conduction et peuvent participer aux phénomènes de conduction.

Absorption - Emission spontanée - Emission stimulée
A l'équilibre thermodynamique les densités d'électrons et de trous n0 et p0 dans le semi-

conducteur, sont caractérisées par un seul paramètre, le niveau de Fermi. Lorsqu'une
excitation extérieure modifie les densités de porteurs n≠n0 et p≠p0, le niveau de Fermi, qui
est un paramètre d'équilibre thermodynamique, n'est plus défini. Les porteurs injectés dans le
semi-conducteur ont des énergies souvent très différentes des énergies Ec et Ev des extrema
des bandes permises.
Les populations d'électrons et de trous sont chacune en équilibre thermodynamique, mais
indépendamment l'une de l'autre. Ce régime de pseudo-équilibre est défini par des pseudo-
niveaux de Fermi Efn et Efp caractérisant les densités et les distributions des électrons dans la
bande de conduction et des trous dans la bande de valence. Ainsi, dans la mesure où la durée
de vie des porteurs dans une bande permise est très supérieure à leur temps de relaxation,
leurs distributions transitoires sont données par:

Absorption - Emission spontanée - Emission stimulée
A l'équilibre thermodynamique les densités d'électrons et de trous n0 et p0 dans le semi-

conducteur, sont caractérisées par un seul paramètre, le niveau de Fermi. Lorsqu'une
excitation extérieure modifie les densités de porteurs n≠n0 et p≠p0, le niveau de Fermi, qui
est un paramètre d'équilibre thermodynamique, n'est plus défini. Les porteurs injectés dans le
semi-conducteur ont des énergies souvent très différentes des énergies Ec et Ev des extrema
des bandes permises.
Les populations d'électrons et de trous sont chacune en équilibre thermodynamique, mais
indépendamment l'une de l'autre. Ce régime de pseudo-équilibre est défini par des pseudo-
niveaux de Fermi Efn et Efp caractérisant les densités et les distributions des électrons dans la
bande de conduction et des trous dans la bande de valence. Ainsi, dans la mesure où la durée
de vie des porteurs dans une bande permise est très supérieure à leur temps de relaxation,
leurs distributions transitoires sont données par:

A l'équilibre thermodynamique Efn = Efp = EF.
Taux net d'émission

Le taux net d'émission de photons d'énergie E par le semi-conducteur est le nombre de
photons d'énergie E (de fréquence ν=E/h) émis par seconde par unité de volume du cristal.
C'est la différence entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés. Si le
taux net d'émission est positif le matériau émet un rayonnement d'énergie E, si le taux net
d'émission est négatif le matériau absorbe le rayonnement d'énergie E

Les deux premiers termes de l'expression correspondent aux émissions spontanée et stimulée
de rayonnement, le troisième correspond à l'absorption. En groupant les termes fonction de
la densité de rayonnement présent dans le semi-conducteur, l'expression s'écrit
où rst(E)=rstim(E) - rabs(E) représente le taux net d'émission stimulée, c'est-à-dire le bilan des
transitions stimulées par le rayonnement, ou en d'autres termes la différence entre les
transitions stimulées de haut en bas (émission) et de bas en haut (absorption). Si le taux net
d'émission stimulée est positif, tout rayonnement d'énergie E dans le matériau induit davantage
de transitions de haut en bas que de bas en haut, et par suite le matériau est amplificateur de
rayonnement. Dans le cas contraire le matériau est absorbant.
N(E) représente la densité de photons d'énergie E, donnée à l'équilibre thermodynamique par

la formule de Planck

Pour un système quelconque, le taux net d'émission spontanée de photons d'énergie E
s'écrit
Aij représente la probabilité de transition radiative entre l'état i et l'état j , fi la probabilité pour
que l'état i soit occupé, (1-fj) la probabilité pour que l'état j soit vide, gi et gj sont les densités
d'états. La somme est étendue à tous les états i et j tels que Ei-Ej=E. Le taux d’émission
stimulée s'écrit
le premier terme représente l'émission stimulée, le deuxième l'absorption.

L'expression s'écrit

Pour un semi-conducteur, l'émission d'un photon d'énergie E résulte de

transitions électroniques entre les états d'énergie E’ et E", tels que E'-
E"=E. La densité de photons émis spontanément dans ces transitions est
proportionnelle au nombre d'électrons dans l'état E', au nombre de
places dans l'état E", et à la probabilité de transition radiative E'→E"
soit:
On obtient le taux d'émission spontanée en intégrant sur toutes les valeurs de E‘:

De même le taux net d'émission stimulée s'écrit
soit
Avec

Dans la pratique, les matériaux utilisés en optoélectronique sont souvent très dopés de sorte
que les extrema des bandes sont perturbés et la règle de conservation des k disparaît. Il en
résulte que la probabilité de transition B(E',E) est sensiblement constante. On peut écrire
La constante B a été calculée pour la plupart des semi-conducteurs à 300K

Emission spontanée
L'expression précédent représente le taux d'émission spontanée de photons d'énergie E. Le
taux d'émission spontanée global, c'est-à-dire le nombre total de photons émis par seconde
par l'unité de volume du semi-conducteur, est donné par:
Intégrant sur E avec B constant, on obtient
Emission stimulée
A partir des expressions des deux expressions précédents et en explicitant les fonctions de
distribution, on peut exprimer le taux d'émission stimulée rst(E) en fonction du taux
d'émission spontanée rsp(E)
Avec

L'émission stimulée existe réellement lorsque le taux net d'émission stimulée est positif,
(rst(E)>0). La condition d'amplification de rayonnement par le semi-conducteur s'écrit
donc:
Compte tenu de la règle de conservation de l'énergie,

'énergie E du rayonnement émis par le semi-conducteur ne
peut être inférieure au gap Eg. La condition s'écrit alors:
Émission stimulée
Il en résulte que le pseudo-niveau de Fermi des électrons EFc est dans la bande de
conduction et le pseudo-niveau des trous EFv dans la bande de valence . La condition traduit
une inversion de population entre le sommet de la bande de valence et le bas de la bande de
conduction.

Régimes de fonctionnement
La densité de photons d'énergie E dans le matériau peut s’écrire sous la forme
Où N0(E) représente la densité de photons d'énergie E à l'équilibre thermodynamique, et

ΔN(E) l'écart par rapport à l'équilibre.
Alors le taux net d'émission s'écrit sous la forme:
- A l'équilibre thermodynamique, ΔN(E)=0, ΔF=0, cette expression s'écrit:
Le taux net d'émission est nul, les émissions spontanée et stimulée sont compensées par
l'absorption.

- Lorsque le semi-conducteur est faiblement excité par un rayonnement d'énergie E
supérieure à Eg , Δ(E) ≠ 0 avec ΔF≈0. L'expression du taux net d'émission peut s'écrire:
Le taux net d'émission de rayonnement d'énergie E est négatif, le semiconducteur absorbe le

rayonnement.
- Lorsque le semi-conducteur est fortement excité par un rayonnement d'énergie E supérieure
à Eg, ΔN(E) ≠ 0 avec ΔF > 0 . Compte tenu des relations E > Eg et Eg>>kT/e on peut négliger
1 devant l'exponentielle au dénominateur de l'expression du taux net d'émission qui s'écrit:
E et ΔF sont positifs, de sorte que les deux exponentielles sont inférieures à 1, r(E)est positif,
le semi-conducteur émet un rayonnement d'énergie E.

Recombinaison de porteurs en excès - Durée de vie

En d’autres termes, 2 « chemins » possibles pour la recombinaison:
- radiatif
- non radiatif

Durée de vie radiative
L'émission de photons résulte de la recombinaison radiative de porteurs, ainsi le taux global
d'émission de photons R correspond au taux de recombinaisons radiatives de porteurs
A l'équilibre thermodynamique n = n0, p = p0 et R = R0= B n0p0+ Rsto≡ 0. En présence d'un

excès de porteurs n = n0+Δn , p = p0+Δp et
Si Δn et Δp sont faibles par rapport au régime d'inversion de population, ΔRst≈0 et

l'expression s’écrit

Soit en négligeant le terme du deuxième ordre
d’ou
Avec
ΔR représente le taux de recombinaisons radiatives des porteurs, τrn et τrp représentent les
durées de vie radiatives. Dans un matériau de type p par exemple, le taux de recombinaisons
radiatives des porteurs minoritaires que sont les électrons s'écrit R=Δn/τrn avec τrn=1/Bp0.
Durée de vie non radiative

Outre les processus radiatifs, d'autres processus tels que transfert sur centre de recombinaison,
émission de phonons ou effet Auger, peuvent entraîner la recombinaison de porteurs. Ces autres
processus conditionnent la durée de vie des porteurs par une contribution τnr, que l'on appelle
durée de vie non radiative.

Compte tenu de leur définition, les taux de recombinaison sont additifs, ces taux varient en
1/τ, de sorte que la durée de vie résultante des porteurs est donnée par:
Avec
Si τr<< τnr, τ ≈ τr la durée de vie des porteurs est conditionnée par les processus radiatifs, les
recombinaisons de porteurs se font avec émission de photons, le matériau a un bon
rendement radiatif. Au contraire, les porteurs se recombinent par d'autres voies que
l'émission de photons, le matériau a un mauvais rendement radiatif.
Le rendement radiatif d'un semi-conducteur est mesuré par le rapport
si τr<< τnr, η ≈ 1

Création de porteurs en excès
Plusieurs processus peuvent être utilisés pour créer un excès de porteurs dans un semi-
conducteur.
Photo-excitation
La photoexcitation est la production d'un état excité d'un système quantique par absorption
de photons. L'état excité provient de l'interaction entre un photon et le système quantique.
Les photons transportent une énergie qui est déterminée par les longueurs d'onde de la
lumière qui transporte les photons.
Plusieurs moyens pour la création:
• Photo - excitation avec E>Eg
• Injection électrique
• Effet avalanche ou tunnel

L'excès de porteurs par rapport à l'équilibre est créé à l'aide d'un rayonnement.
Soit ϕ0(E) le flux de photons incidents d'énergie E et

R(E) le coefficient de réflexion du semi-conducteur
pour le rayonnement d'énergie E, le flux de photons
ϕt(E) transmis à la surface, s'écrit
Les photons sont absorbés au cours de leur propagation dans le matériau. On définit le
coefficient d'absorption α du matériau comme la variation relative de la densité de
rayonnement par unité de longueur.
Soit

Le flux de photons d'énergie E à l'abscisse x à l'intérieur du semi-conducteur s'écrit donc en

fonction du flux incident
Si α(E) est nul, le rayonnement d'énergie E traverse le matériau sans atténuation, le matériau
est transparent à ce rayonnement. C'est le cas des semi-conducteurs intrinsèques pour des
rayonnements d'énergie E tels que E<Eg.
Si par contre α(E) n'est pas nul, le matériau absorbe le rayonnement d'énergie E , qui s'atténue
alors exponentiellement au cours de sa propagation. Cette absorption se traduit par la création
de paires électron-trou. Le taux de génération de paires électron-trou et donc égal au taux de
disparition de photons,
Soit

Si le rayonnement n'est pas monochromatique, le taux global de génération de paires
électron-trou au point d'abscisse x est obtenu en intégrant l'expression précédente sur tout le
spectre, soit
L'intégration de cette expression nécessite la connaissance des lois de variation du coefficient

de réflexion R(E) et du coefficient d'absorption α(E) du semi-conducteur avec l'énergie.
Le coefficient de réflexion R(E) est fonction de la nature du semi-conducteur, mais en règle

générale varie peu avec l'énergie pour des rayonnements dont l'énergie est voisine du gap du
matériau, on peut écrire R(E)=R. Par contre sa valeur est très sensible à l'angle d'incidence du
rayonnement, elle est minimum en incidence normale où elle est donnée par
Au voisine du gap

Dans la mesure où le coefficient α(E) est sensiblement constant pour E>Eg tant que E n'est
pas trop important, on peut écrire α(E)=α et intégrer l'expression
d’ou
Injection électrique
Lorsque l'on polarise une jonction pn dans le sens direct, les électrons majoritaires dans la
région de type n, sont injectés dans la région de type p où ils deviennent excédentaires par
rapport à l'équilibre thermodynamique et diffusent en se recombinant. Si les recombinaisons
sont radiatives, cette partie de la jonction pn est le siège d'une émission de rayonnement. Il en
est de même de la région de type n avec l'injection de trous.


Les densités de porteurs minoritaires injectés dans chacune des régions de la jonction sont
données par les expressions:
où dn= xc-xn et dp= xp-x’c, représentent les longueurs des régions neutres n et p de la
diode. Ln et Lp sont les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires.

Autres processus
D'autres processus physiques permettent de créer des porteurs excédentaires dans un semi-
conducteur. Notons l'effet d'avalanche dans une jonction pn polarisée en inverse, ou l'effet
tunnel dans une diode tunnel ou une jonction Schottky. La cathodoexcitation, qui consiste à
bombarder le semi-conducteur par un faisceau d'électrons, permet aussi par ionisation par
choc de créer des paires électron-trou.

Semi-conducteurs pour l'optoélectronique
Le choix d'un semi-conducteur pour la réalisation d'un composant optoélectronique est

évidemment fonction du type d'utilisation du composant. Ainsi, la courbe de sensibilité de
l'oeil conditionne le choix des matériaux destinés à la réalisation de systèmes d'affichage, de
même le spectre solaire pour les convertisseurs d'énergie, les fenêtres de transparence des
fibres optiques pour les télécommunications ou la nature infrarouge des applications
militaires. Enfin la lecture des disques optiques, nécessite des émissions laser de longueur
d'onde λ de plus en plus courte, la densité de stockage étant proportionnelle à λ-2.

Photodétecteurs (Photodiodes)

la photodiode a la capacité de détecter un rayonnement du domaine optique et de le

transformer en signal électrique.
Elle fonctionne comme une photorésistance, dans l’obscurité totale, la résistance est très
élevée et ne conduit que très peu de courant, mais lorsque la jonction PN est exposée à la
lumière, la résistance interne décroit et le courant augmente.
Les photodiodes peuvent être utilisées sous deux modes:
- le mode photovoltaïque où, en l’absence de polarisation, elles génèrent une tension ;

- le mode photoampérique où, utilisées en polarisation inverse à l’intérieur d’un circuit
électrique, elles génèrent un courant directement proportionnel à l’intensité lumineuse.

La caractéristique de la photodiode est représentée sur la figure si-dessus. Le photocourant

est pratiquement indépendant de la tension de polarisation. Dans la pratique, on mesure soit
le photocourant débité par la diode, soit le photovoltage qui apparaît aux bornes de la diode.

Lorsque le semiconducteur est photoexcité, les porteurs excédentaires créés diffusent et se

recombinent. L'évolution de ce régime hors équilibre est régie par les équations de continuité
dans lesquelles les taux de génération gn et gp sont le taux de génération optique donné par
l'expression simplifier:
Dans le cas des électrons:

Cellule photoconductrice
Une cellule photoconductrice exploite l'augmentation de conductivité électrique du
semiconducteur, résultant de la création de porteurs sous éclairement. Une source de tension
débite un courant I dans le semiconducteur par l'intermédiaire de deux contacts ohmiques.
La variation du nombre de porteurs Δn=Δp, entraîne une augmentation de conductivité du
matériau, donc de la conductance du barreau, et par suite du courant I et de la tension Vs.

Conductance à l’obscurité:
Conductance sous éclairement:
Soit une variation de la conductance:
Si on applique une tension - courant:
Le photo-courant:

En se rappelant que est la vitesse des porteurs, on peut définir un temps de transit:
Le photo-courant s’écrit alors:
Le photo-courant « primaire » généré par l’éclairement est:
Le paramètre caractéristique d'une cellule

photoconductrice est son gain, défini comme le
rapport du nombre de charges débitées par seconde,
au nombre de photons absorbés par seconde.

La géométrie type d'une cellule photoconductrice est représentée sur la figure si-dessous. La
partie active de la cellule est constituée d'une couche mince de semiconducteur déposée sur
un substrat isolant. Les électrodes métalliques sont réalisées par évaporation d'un métal tel
que l'or, à travers un masque protégeant une fraction de la surface qui deviendra la surface
sensible de la cellule.

Photodiode
Principe de fonctionnement
Le courant inverse d'une jonction pn est
fonction d'une part des densités de porteurs
minoritaires dans les régions neutres de la
diode, et d'autre part de la génération de paires
électron-trou dans la zone de charge d'espace.
Dans une photodiode, le rayonnement
augmente le courant inverse par la création de
porteurs minoritaires dans les régions neutres et
la génération de paires électrons-trous dans la
zone de charge d'espace.
Principe de la photodiode

Les photons incidents créent des porteurs dans
chacune des régions 1, 2 et 3. Dans les régions
électriquement neutres p et n, les photoporteurs
minoritaires diffusent, ceux qui atteignent la
zone de charge d'espace sont propulsés par le
champ électrique vers la région où ils
deviennent majoritaires (photocourant de
diffusion). Dans la zone de charge d'espace, les
paires électrons-trous créées par les photons
sont dissociées par le champ électrique,
l'électron est propulsé vers la région de type n et
le trou vers la région de type p. Ces porteurs
Seuil de détection: E=hν>Eg
donnent naissance à un photocourant de
génération.

Ces différentes contributions s'ajoutent pour créer un photocourant résultant Iph qui
contribue au courant inverse de la diode
Dans le premier cas, la diode est polarisée en inverse par une

tension négative Vo. Dans la mesure où –Vo>>kT/e,
l'expression du courant s'écrit
Dans la pratique Is est très inférieur à Iph de sorte

que le courant mesuré est égal au photocourant et
par suite proportionnel au rayonnement incident.
Dans le mode photovoltaïque la diode est

Courant d’une photodiode
connectée aux bornes d'un voltmètre, le courant
est alors nul et V=Vph le photovoltage.
L'expression précédant donne alors:

Calcul du photocourant
Photodiode sous éclairement
Le photocourant résultant est la somme de trois composantes, le courant de diffusion des

photoélectrons de la région de type p, le courant de photogénération dans la zone de charge
d'espace et le courant de diffusion des phototrous de la région de type n.


Le photo-courant est donc généré dans la ZCE et dans les régions neutres sur la longueur de
diffusion Ln et Lp, soit inalement sur W+Ln+Lp.

 Constante de temps:
• Courant de diffusion : lent 10-8 à 10-9 s
• Courant de génération : rapide ttr =W/vs (10-10 à 10-11s)
 Donc il « faut »:
• Absorption uniquement dans la ZCE
• Zone frontale très mince
• W large mais pas trop sinon ttr trop grand (W=1/α)
 Rendement quantique:
• Fonction du coefficient d’absorption

• Fonction de la longueur d’onde

• Sensibilité :

• Rendement d’une Photodiode PIN:

Emetteur de rayonnement à semi-conducteur (LED, LASER)
Diode électroluminescente - LED
Principe de fonctionnement:
Lorsqu'une jonction pn est polarisée dans le sens direct, les électrons, qui sont majoritaires
dans la région de type n, sont injectés dans la région de type p où ils se recombinent avec les
trous. Inversement pour les trous.
Les recombinaisons
des porteurs
excédentaires se
manifestent dans trois
régions différentes.

Les taux d'injection de porteurs minoritaires dans chacune des régions de la jonction, sont
définis par
Dans la mesure où les longueurs des régions n et p sont plus importantes que les longueurs
de diffusion des porteurs minoritaires, les courants sont donnés par:
Le rapport des taux d'injection d'électrons et de trous s'écrit donc
La mobilité des électrons étant beaucoup plus grande que celle des trous, le taux d'injection
d'électrons dans la région p est plus important que le celles de trous dans la région n. Il en
résulte que la région la plus radiative est la région de type p. C'est la raison pour laquelle cette
région constitue la face émettrice dans la structure de la figure précédente.

Spectre d'émission:
Le spectre, c'est-à-dire la couleur, du rayonnement émis par une diode électroluminescente est
évidemment conditionné par le gap du matériau de type p, dans lequel se produit l'essentiel
des recombinaisons radiatives. Dans la mesure où certaines transitions mettent en jeu des
niveaux d'impureté, le spectre d'émission est aussi conditionné par le type de dopant.
Spectre d'émission de différents

alliages

Dans le cas le plus simple, l'énergie libérée dans une transition radiative suite à une
recombinaison électron-trou est simplement Eg. La longueur d'onde de la lumière émise est :
A la température T, l'énergie des électrons dans la bande de conduction fluctue d'environ 2kT
suite à l'agitation thermique. La même chose pour les trous dans la bande de valence. Il en
résulte une fluctuation d'environ 2kT de l'énergie des transitions radiatives. Soit Δ𝐸 la
fluctuation de l'énergie autour de l'énergie E de transition. A Δ𝐸 correspond Δλ, donc
Une diode électroluminescente émet une

lumière de spectre centré sur une longueur
d'onde λ et qui est une fonction de la
température

Rendement
Outre la longueur d'onde du rayonnement émis, un paramètre essentiel dans le
fonctionnement d'une diode électroluminescente est son rendement. On définit plusieurs
rendements.
Rendement quantique interne 𝜼𝒊
Considérons le processus physique interne, les porteurs excédentaires injectés dans chacune
des régions, se recombinent avec les porteurs majoritaires. Ces recombinaisons mettent en
jeu divers processus dont certains sont radiatifs, d'autres non. On définit le rendement
quantique interne 𝜂𝑖, comme le rapport du nombre de photons créés à la jonction, au
nombre de porteurs qui traversent cette jonction.

Les taux de recombinaison sont exprimés en fonction des durées de vie par :
Où 𝜏 et 𝜏𝑛 sont les durées de vie radiative et non radiative.

Le rendement interne s'écrit donc :
Les matériaux utilisés dans la réalisation de diodes électroluminescentes sont caractérisés par
ηi≈100 %.
Rendement optique 𝜼𝒐
Tous les photons créés à la jonction ne sortent pas de la diode. Une fraction de ces photons
est réabsorbée, souvent après réflexion à la surface du matériau. Le rendement optique 𝜂𝑜,
est défini comme le rapport du nombre de photons émis à l'extérieur de la diode, au nombre
de photons créés à la jonction.

Le paramètre qui conditionne le rendement optique, est l'indice de réfraction du matériau

semi-conducteur. Compte tenu de la valeur élevée de cet indice, n ≈ 3,5, deux phénomènes
limitent l'émission des photons à l'extérieur du matériau: la valeur élevée du coefficient de
réflexion à l'interface air-semi-conducteur et l'existence d'un angle de réflexion totale
relativement faible.
Le coefficient de réflexion en incidence normale

est donné par:
Le rayonnement étant émis de manière isotrope dans

tout l'espace au niveau de la jonction, le rendement de
sortie de ce rayonnement est donné par:
η𝑜≈1 % pour 𝑛 = 3.5

On améliore le rendement optique en recouvrant la diode électroluminescente d'un
matériau plastique transparent, dont l'indice n𝑝est supérieur à celui de l'air, n𝑝≈1.5.
pour 𝑛𝑝=1.5 le rendement optique est η𝑜≈4 %.
Il existe quelques pertes à l'interface plastique-air, mais on limite ces pertes en réalisant le
plastique sous forme de dôme hémisphérique pour que le rayonnement sorte en incidence
normale . Le coefficient de transmission à cet interface est donné par:

Rendement quantique externe 𝜼𝒆
Le rendement quantique externe est défini comme le rapport du nombre de photons émis par
la diode électroluminescente, au nombre de porteurs traversant la jonction. En d'autres
termes ce rendement est donné par: η𝑒=η𝑖 η𝑜
Rendement global 𝜼
Le rendement global est défini comme le rapport de la puissance lumineuse émise, à la
puissance électrique absorbée:
Avec: et
Le rendement global s'écrit donc :
D'autre part la tension appliquée 𝑉 est en partie perdue dans la

résistance série de la diode électroluminescente 𝑟𝑠é𝑟𝑖𝑒, de
sorte que le rendement s'écrit:

Diode laser (DL)

La figure si dissous montre le principe de fonctionnement du laser à quatre niveaux.
Le système est pompé de l'état fondamental (0) dans l'état (3) (bande de pompage), par une
excitation extérieure. Le niveau (3) se vide alors dans le niveau (2) et le niveau (1) se vide
dans le niveau (0). Si la durée de vie dans l'état (2) est très supérieure aux durées de vie
associées aux transitions (3)→(2) et (1)→(0), la population de l'état (2) augmente et celle de
l'état (1) diminue.
Quand l'inversion de population est réalisée, c'est-à-
dire 𝑁2>𝑁1, tout rayonnement d'énergie ℎ𝜈=𝐸2−𝐸1
induit dans le matériau, davantage de transitions de
haut en bas que de bas en haut, le milieu amplifie le
rayonnement d'énergie ℎ𝜈, la condition d'effet laser
est réalisée.

Dans le cas des semi-conducteurs, le problème est sensiblement différent. La condition

classique d'inversion de population entre deux niveaux discrets, 𝑁2>𝑁1doit s'exprimer ici
dans un formalisme adapté à la structure de bandes d'énergie. La condition d'inversion de
population entre ces deux ensembles d'états s'écrit: 𝐸𝐹𝑐−𝐸𝐹𝑣>𝐸𝑔. Ceci se traduit par le
diagramme énergétique suivant:

La structure du laser est celle d'une diode électroluminescente, mais dont les régions de types
N et P sont dégénérées. La région de type P est très dopée pour qu'à l'équilibre, le niveau de
Fermi soit dans la bande de valence. La région de type N est très dopée pour que la densité
d'électrons injectés dans la région de type p sous l'action de la tension de polarisation, soit telle
que le pseudo-niveau de Fermi des électrons EF c soit dans la bande de conduction.

Gain d’un DL
Le gain, ou coefficient d'amplification, du matériau est défini, comme le coefficient
d'absorption, par la variation relative de la densité de rayonnement par unité de longueur, soit :
La variation du flux de photons au cours d'un trajet de longueur x dans le matériau est
obtenue en intégrant l'expression précédent, soit :
g(E) représente indifféremment le coefficient d'amplification et le coefficient d'absorption du

matériau. Il est directement lié au taux d'émission stimulée rst(E).
Ainsi l'expression de 𝑔(E) s'écrit:
Le gain est directement proportionnel au taux d'émission stimulée, de sorte que g(E) est positif
si la condition d'inversion de population ΔF>E est réalisée.

Si on prend en considération l’effet Auger on peut définir le

coefficient net d'amplification du milieu par la différence:
La condition d'émission stimulée s'écrit alors A(E)>0.
Lorsque la condition d'oscillation est remplie dans un intervalle d'énergie à l'intérieur de la

raie d'émission stimulée, la cavité sélectionne un certain nombre de modes de résonance
définis par la relation:
Où L est la longueur de la cavité, n l'indice du milieu

et k l'ordre d'interférence.

La structure réelle d'une diode laser est

plus compliquée qu'une simple jonction
PN, le but poursuivi étant de minimiser
le courant de seuil. Deux voies
permettent de progresser dans ce sens,
confiner le courant sur une faible section,
confiner les photons dans un petit
volume.

Conclusion
Dans ce chapitre nous avons mis le point sur les principaux émetteurs de rayonnement à
semi-conducteur,
Interaction onde-matière
 Diodes électroluminescentes (LED) et les diodes laser (DL),
Leurs principe de fonctionnement et leurs caractéristiques.

Télécommunication Optique Chapitre III

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Télécommunication Optique Chapitre III

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Faculté des sciences Kénitra

Présenter par: Pr. A. Bendali

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 1

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 2

4. Emetteur de rayonnement à semi-conducteur (LED, LASER)

5. Applications des composants optroniques

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 3

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 4

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 5

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 6

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 7

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 8

Le phénomène de création de paires e- - trous s’accompagne d’un phénomène de

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 9

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 10

Intérêt des semi-conducteurs : possibilité de contrôler la quantité de porteurs de charges

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 11

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 12

Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe V (5 e- sur la couche de valence) en

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 13

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 14

Jonction PN non polarisée, à l’équilibre.

Que se passe-t-il si l’on

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 15

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 16

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 17

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 18

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 19

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 20

•En ce qui concerne l'étude des interactions rayonnement-matière, et plus particulièrement

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 21

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 22

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 23

Il en résulte, que la relation de dispersion de l'électron libre s'écrit

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 24

La caractéristique essentielle de cette structure de bande, qui va conditionner

Il faut noter que lorsque le semi-conducteur est indirect, le minimum de la bande de

Au voisinage de chaque extremum la courbe de dispersion présente une loi parabolique

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 25

𝑘// = 𝑘𝑧 :est la composante de k portée par l'axe de révolution de l'ellipsoïde,

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 26

L'interaction du rayonnement avec les électrons du semi-conducteur se manifeste selon trois

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 27

 un électron de la bande de conduction peut retomber spontanément sur un état vide de la

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 28

 un photon présent dans le semi-conducteur peut induire la transition d'un électron de la

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 29

où le signe + correspond à l'absorption du photon et le signe - à l'émission.

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 30

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 31

C'est la raison pour laquelle les processus d'absorption ou d'émission de photons, au

• Dans un semi-conducteur à gap indirect, on peut exciter verticalement des électrons du

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 32

A l'équilibre thermodynamique les densités d'électrons et de trous n0 et p0 dans le semi-

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 33

A l'équilibre thermodynamique les densités d'électrons et de trous n0 et p0 dans le semi-

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 34

A l'équilibre thermodynamique Efn = Efp = EF.

Taux net d'émission

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 35

N(E) représente la densité de photons d'énergie E, donnée à l'équilibre thermodynamique par

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 36

le premier terme représente l'émission stimulée, le deuxième l'absorption.

Optoélectronique ST& EE A.U: 2021/2022 37