Ministère de l’Enseignement Supérieur

et de la Recherche Scientifique

Mastère professionnel en Nouvelles Technologies des

Télécommunications et Réseaux (N2TR)

Communications optiques
Les matériaux semi-conducteurs
semi
 Objectifs
 Introduire les concepts de base de la physique des semi-conducteurs
semi tels
que la structure de bande des diagrammes d'énergie.
 Décrire les processus optiques qui se produisent lors des interactions
lumière-semi-conducteurs.
 Étudier les dispositifs élémentaires : jonctions PN, homojonction et
hétérojonction.
 Plan
 Niveaux d’énergie
 Absorption
 Émission spontanée
 Émission stimulée
 Dopage des semi-conducteurs
 Les jonctions PN
 Homojonction et hétérojonction
 Recombinaison
 Les semi-conducteurs
conducteurs
 Les composants optoélectroniques sont principalement fabriqués à partir de
matériaux semi-conducteurs.
 Un matériau semi-conducteur est un solide cristallin ou amorphe dont la
conductivité électrique se situe entre celle d’un métal et d’un isolant.
 Facteurs affectant la conductivité d’un semi-conducteur:
semi
 Température
 Contenu en impuretés Classification périodique
II III IV V VI
 Intensité lumineuse incidente, Bore Carbone Nitrogène
 Tension électrique appliquée. (B) (C) (N)
Aluminium Silicium Phosphor Soufre
 Silicium ~ 98 % des composants e
(Al) (Si) (S)
(P)
Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium

(Zn) (Ga) (Ge) (As) (Se)

Cadmium Indium Antimoine Tellure

(Cd) (In) (Sb) (Te)

Les éléments semi-conducteurs
Communications optiques 4
 Niveaux d’énergie
 Chaque atome d’un cristal est caractérisé par un niveau d ’énergie. Les niveaux très
proches de tous les atomes d’un cristal forment des bandes d ’énergie.
 Dans les semi-conducteurs, à la température du zéro absolu, il existe une bande,
appelée bande de valence, dont tous les états d ’énergie sont occupés par des
électrons.
 Toutes les bandes supérieures sont vides, en particulier la bande de conduction
située immédiatement au dessus de la bande de valence.
 Ces deux bandes sont séparées par une largeur DEg (g pour gap= fossé) appelée
bande interdite.

Communications optiques 5
 Absorption
 Sous l ’effet de l ’agitation thermique, ou de tout apport d ’énergie extérieure, par
exemple provenant d’un photon, un électron peut s ’arracher à son atome
d’origine pour se déplacer librement dans le cristal. L ’électron passe ainsi de la
bande de valence à la bande de conduction.
conduction
 Cet électron laisse dans la bande de valence une lacune d ’électron appelée trou
qui se déplace aussi lorsqu’un électron voisin le remplit. L’atome est alors dans un
état excité.

Communications optiques 6
 Absorption
 Dans le domaine de l'optoélectronique, un paramètre essentiel à la
compréhension des phénomènes de générations / recombinaisons de porteurs,
est la notion du coefficient d'absorption.
d'absorption Ainsi pour une énergie incidente
inférieure à l'énergie de bande interdite, le matériau est "transparent" au
rayonnement incident, et le coefficient d'absorption est très faible.
 Ce coefficient dépend du matériau utilisé et de la longueur d'onde. Mais il y a
d'autres propriétés encore qui caractérisent un photo-détecteur .

Coefficient et longueur d'absorption des matériaux semi-

semi
conducteurs.
Communications optiques 7
 Émission spontanée
 L’émission spontanée ne requiert pas la présence préalable d’un champ
électromagnétique (de photons).
 L’émission spontanée est un phénomène désordonné, aléatoire.
 En particulier, toutes les directions d’émission et de propagation sont
équiprobables.
 Un atome dans l’état fondamental n’émet pas de lumière. Par contre un atome
excité est dans un état instable. Il tend à revenir spontanément dans son état
fondamental en libérant la quantité (quantum) d’énergie qu’il a reçue sous la
forme d ’une radiation lumineuse (photon).
(photon)
 Cette émission de photon est appelée émission spontanée
 L ’énergie du photon émis est :
avec h =6,62 10-34 Js est la constante de Planck et  est la fréquence de la radiation
émise.

Communications optiques 8
 Émission stimulée
 Un atome dans l’état excité frappé par un photon peut retomber dans l’état
fondamental en émettant un autre photon.
photon Il s’agit d’émission stimulée.
 Ce nouveau photon produit par émission stimulée a la même longueur d ’onde, la
même phase, le même état de polarisation et la même directivité spatiale que le
photon incident.
 La lumière émise par émission stimulée est cohérente.

Communications optiques 9
 Absorption vs émission stimulée

 L’interaction entre la matière et le rayonnement:

 absorption=transition du niveau d’énergie basse vers le niveau d’énergie haute.
 Émission stimulée=transition du niveau d’énergie haute vers le niveau d’énergie basse.
 Naturellement la distribution de population est telle que il y a plus d’électrons sur
le niveau bas.
 Pour que l’émission stimulée devienne prédominante, il faut qu’il y ait plus
d’électrons sur le niveau haut.
Inversion de population

Communications optiques 10
 Dopage des semi-conducteurs
semi
 Un semi-conducteur extrinsèque est un cristal dans lequel des impuretés ont été
ajoutées pour augmenter de manière significative la concentration des porteurs de
charges d’une polarité par rapport à l’autre.
l’autre
 On distingue:
 Semi-conducteur
conducteur de type n: les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous sont
les porteurs minoritaires.
 Semi-conducteur
conducteur de type p: la concentration des trous est beaucoup plus élevée que
celle des électrons.

Dopage N Dopage P

EC: valeur du niveau d’énergie de la bande de conduction

EV: valeur du niveau d’énergie de a bande de valence
Communications optiques 11
 Les jonctions PN
 Une jonction PN représente la mise en contact d'une surface de cristal de semi-
conducteur dopé P avec une surface de cristal de semi-conducteur dopé
N. Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et des
électrons se diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction.

Jonction PN Diffusion des porteurs de charges

 Polarisation inverse: lorsque le pôle positif du générateur est connecté à la zone N

de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone P.
 Polarisation directe: lorsque le pôle positif du générateur est connecté à la zone P
de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone N.

Polarisation inverse d'une jonction PN Polarisation directe d'une jonction PN

Communications optiques 12
 Homojonction&
& hétérojonction
 Une jonction entre deux semi-conducteurs
conducteurs dopés différemment (p-n) mais de
même matériau est appelée homojonction.
homojonction
 Avantages:
 Simple
 Économique
 Inconvénients:
 Des électrons peuvent atteindre la surface par diffusion et se recombiner avec des
défauts cristallins de surface. Ce processus de recombinaisons non-radiatives diminue la
puissance émise.
 Si les recombinaisons se produisent sur une distance relativement longue, les chances
de réabsorption augmentent. La réabsorption augmente avec le volume et l’efficacité
quantique diminue.
 Une jonction entre deux semi-conducteurs
conducteurs de gap différent est appelée
hétérojonction.
 Une hétérojonction a une meilleure efficacité quantique et une plus grande
intensité émise.

Communications optiques 13
 Émission spontanée dans les semi-
semi
conducteurs
 Pour augmenter les performances d’une LED (diode électroluminescente) il faut
chercher à favoriser l’émission spontanée au niveau de la jonction:
 Favoriser «la rupture d’équilibre»
 Favoriser «le recouvrement » e--h

Homojonction

Jonction p-n
n non polarisée Jonction p-n polarisée

Hétérojonction avec polarisation

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 Recombinaison

 Lorsque l’électron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le

semi-conducteur
conducteur émet de la lumière (photon) : recombinaison radiative.
 Ce dernier effet est utilisé dans les diodes électroluminescente (LED) ou les lasers
semi-conducteurs.
 Le photon émis a une énergie égale à EG selon:
c
EG  h.

λ:longueur d’onde, c: vitesse de la lumière.
 La lumière émise a une fréquence ou longueur d’onde fixée par l’énergie de la
bande interdite EG.
Communications optiques 15
 Recombinaison

Rsp R21

Ri : taux de recombinaisons cm-3.s-1 R12

 Un électron dans un atome peut être excité d’un niveau d’énergie E1 à un niveau
d’énergie plus élevée E2 par l’absorption d’un photon d’énergie hν=E2-E1.
 En émission stimulée, un photon incident d’énergie hν=E2-E1 stimule le processus
d’émission en incitant un électron à E2 à tomber vers E1.
 Absorption= inverse de l’émission stimulée

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