Chapitre 3 : Les photorécepteurs

Les photorécepteurs

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3.1 Introduction

Les photorécepteurs dispositifs photosensibles

La photoémission La photoconductivité
Métaux Semiconducteurs

hν - - Ec
L’électron est
libéré à l’intérieur
du matériau
Les photons
arrachent les
´électrons `
Photon

- - - - - - Ev

Les détecteurs à effet de surface: Les détecteurs à effet de volume:

effet photoélectrique externe effet photoélectrique interne
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3.1 Introduction
Effet photoélectrique interne

Photopiles Photodiode

➢ Des détecteurs actifs qui génèrent un signal électrique sans l’aide d’une
source d’énergie auxiliaire (non polarisée) : photopile.
➢ Des détecteurs passifs qui ont besoin d’être polarisés par une source d’énergie
externe (polarisée en inverse) : photodiode , phototransistor.

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3.2 Cellule photoconductrice

Une cellule photoconductrice est un matériaux semiconducteur homogène qui

exploite l’augmentation de la photoconductivité électrique.

3.1.1 Principe d’une cellule photoconductrice

La cellule est polarisée par une

tension V et qui débite un
courant I par l’intermédiaire des Z
contacts ohmique. d

Sous un éclairement lumineux:

création des photoporteurs , augmentation des porteurs dans le dispositif,
une augmentation de conductivité du matériau
donc la conductance de la cellule.
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3.2 Cellule photoconductrice

Conductance à l’obscurité:  0 = e( µn n0 + µp p0 ) Mobilité des

très faible porteurs

Conductance sous éclairement:  = e( µn (n0 + n) + µp ( p0 + p))

augmente

a. Gain de la cellule:
défini comme le rapport du nombre de charges débitées par seconde,
au nombre de photons absorbés par seconde.

b. Réponse de la cellule:
C’est le rapport de la variation du courant débité à la puissance
incidente:
Ɽ = I/P

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3.2 Cellule photoconductrice

3.1.2 Structure d'une cellule photoconductrice
Métal

(S.C)
Surface sensible

Substrat isolant Dépôt S.C. Métallisation Prise de contacts

céramique

Couche mince du semi-conducteur déposée sur un substrat isolant( une résistance élevée)
Masque protégeant une fraction de la surface qui deviendra la surface sensible
Les électrodes métalliques sont réalisées par évaporation d'un métal tel que l'or
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3.2 Cellule photoconductrice

3.1.2 Structure d'une cellule photoconductrice
Le type de rayonnement détectable dépend du type du semi-conducteur composant la
cellule photoconductrice. Les semi-conducteurs couramment utilisés pour réaliser des
cellules photoconductrices sont

❖ les composés binaires CdS et CdSe

visible à faible coût (τ ~ 50 ms).
❖ le sulfure de plomb PbS
proche I-R (1 à 4 μm) (τ < 1 ms)
❖ les composés ternaires HgxCd1-xTe
I-R (5 à 15 μm) (militaire)

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3.3 Photodiode

Une Photodiode est une diode qui

Détection de la lumière
est sensible à la lumière.

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3.3 Photodiode

3.3.1 Photodiode PN

a Principe de fonctionnement
Son principe de fonctionnement est basé sur les mécanismes de
conduction dans une jonction PN polarisée en inverse et soumise à un
rayonnement.

Structure d’une photodiode

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3.3 Photodiode Jonction PN

Une Jonction PN est formée lorsque P N

un SC de type P est en contact avec
un SC de type N.
•Si les deux SC sont identiques on a une homo-
jonction; autrement on a une hétérojonction 0 xP ZCE xn x

SC type P SC type N Contact

Ec

Ec EFn

EFn EFp

EFp Ev

Ev
Juste après contact (bandes
Avant contact
plates)

▪ Diffusion des e- vers la région P et des trous vers la région N.

▪ Recombinaison avec les porteurs majoritaires dans ces régions.
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3.3 Photodiode Jonction PN

Apparition d’impuretés ionisées (chargées positivement dans la Formation d’une zone de
région N et négativement dans P au voisinage de la jonction). charge d’espace (ZCE)

Diffusion
SC type P SC type N
P ---- ++++ N
E++++
Ec
---- q Vd
---- ++++
---- ++++ EFp EFn
Ei

0 xP ZCE xn x Diagramme de bande après Ev

contact et à l’équilibre
Conduction

•Apparition d’un champ interne (barrière) qui s’oppose à la diffusion et qui est
responsable de la courbure des bandes.
•Le processus continu jusqu’à l’alignement des deux niveaux de Fermi,
•La hauteur de barrière (qVd ) est l’énergie nécessaire pour égaliser les deux
niveaux de Fermi
•Vd (Vbi) est appelée tension de diffusion qV= EFn - EFp
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3.3 Photodiode Jonction PN en polarisation

Diode polarisée en directe V>0 Diode polarisée en inverse V<0
SC type P SC type N
SC type P SC type N
Ec
Ec
q (Vd-V)
q (Vd-V)
EFp
EFp
EFn
EFn
q (Vd-V)
q (Vd-V)
V<0 Ev
Ev

Diffusion
Diffusion Conduction
Conduction
Augmentation de la barrière de potentiel
Diminution de la barrière de potentiel moins de porteurs majoritaires peuvent la
Diffusion des les porteurs majoritaires des franchir
régions N et P Courant total= courant de conduction
Courant total= courant de diff + courant de Ce courant créés par activation thermique
conduction

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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN Principe de fonctionnement
I
Obscurité
Le courant qui circule dans une diode

I = I S .e − IS
V
V /UT Is

V< V>
0 0
Porteur majoritaires Porteurs
minoritaires

Où Is est le courant de saturation, UT ≈ 26 mV à 300K et V la tension

appliquée.
Lorsque la diode est polarisée en inverse et pour |V|>> UT ➾ I≈- Is.

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3.3 Photodiode 3.3.1 Photodiode PN a Principe de fonctionnement

Flux incident ➢ création de paires électrons – trous (effet photoélectrique)

➢ séparation de ces porteurs par le champ E dans la zone de
déplétion (ailleurs pas de champ donc recombinaison)
➢ déplacement dans même sens que porteurs minoritaires (un
photocourant de génération (Ig))
➢ augmentation du courant inverse Ir

hν > Eg E E

P N +P N-
+
+ -
+ - + -
+ - hν > Eg + -
-
- + -
+
+ -
+ -
0 xP ZCE xn x

Ce photocourant contribue alors à l’augmentation I ph = I ndiff + I pdiff + I g

du courant inverse de la diode :
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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN
Modes de fonctionnement

Mode photovoltaïque ; I = 0
La diode, sans polarisation externe, est en
circuit ouvert. Dans ce cas, on mesure le photo-
voltage qui apparait aux bornes de la diode.

I = I S (eVco /UT − 1) − I ph = 0 Diode en circuit

ouvert.

I ph
Qui donne Vco = U T . ln( + 1)
Is
tension de circuit ouvert,
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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN Modes de fonctionnement

Mode photodiode
La diode est polarisée en inverse. Dans ce cas, on
mesure le photocourant débité

I = I S (eVo /UT − 1) − I ph

Tensions appliquée ~ 5V et inférieures à la tension

d’avalanche.
Pour |V0|>> UT I = −( I 0 + I ph )

Le courant mesuré est alors proportionnel à l’intensité de lumière incidente.

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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN Modes de fonctionnement

I
Ir augmente
linéairement avec
Obscurité
l’éclairement

Eclairement
VD Is V
Iph
Diode = générateur
de courant ou de
Régime Régime tension
photodiode Photovoltaïque

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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN

Rendement quantique : Le rendement quantique (éfficacité) d’un

photodétecteur représente le rapport entre le nombre de paires
électron-trou collectées et le nombre de photons incidents.
N e (paires collectées)
=  40 à 80 %
N p (photons incidents)

Sensibilité : (réponse) spectrale du photodétecteur correspond au

rapport entre le photocourant et la puissance optique incidente pour
chaque longueur d’onde :
I ph N .e e
S= = e =  ( )
Poptique N p .h hc

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3.3 Photodiode
3.3.1 Photodiode PN
Temps de réponse
➢ Temps de diffusion des porteurs minoritaires des régions p et n
neutres vers la zone de charge d’espace (10-8 à 10-9 s ) : lent

➢ Le temps τtr de transit des porteurs photo-générés à travers la zone

de charge d’espace( 10-10 à 10-11 s): rapide
➢ τtr =W/vs (vitesse de saturation vs)

Pour diminuer la constante de temps:

❖ Absorption uniquement dans la ZCE (où il crée le courant de génération)
❖ Zone frontale très mince,
❖ W large mais pas trop sinon τtr trop grand (W=1/α).

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3.3 Photodiode
• But : améliorer la sensibilité pour les grandes λg et la vitesse .
• Comment ? On intercale une région intrinsèque entre p et n+.
Si polarisation suffisante, ZCE envahit la région intrinsèque 
vitesse augmente

Photon
Couche anti-reflets
La photodiode PIN est rapide:
W est très large, (20 à 50 µm),
P+ Il y a peu de diffusion de porteurs de
Zone charge (hors de la zone de charge
i
+ d’absorption d’espace)
E - Il y a beaucoup de génération

n Substrat

Photodiode PIN
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V-Cellule solaire - photopile

La photopile n'est autre qu'une photodiode qui fonctionne sans
polarisation extérieure et débite son photocourant dans une charge.
La Cellule solaire ayant une surface active assez large pour permettre
de produire des courants importants et donc des puissances
conséquentes

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Courant débitée par la cellule solaire

I = I ph − I S (eV / KT − 1)

Deux paramètres :
• la tension de circuit ouvert
mkT I
Vco = ln(1 + ph ) Caractéristique courant
e Is tension de la cellule solaire

Voc=0.5 à 0.6 V pour le Si

•Le courant de court circuit (charge nulle):

I cc = I ph
Icc=30 à 60 mA (2 cm2 de surface) à 1000W/m2

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Puissance débitée:
eV

P = VI = VI ph − I s (e − 1)V
kT

Rendement de conversion: le paramètre le plus Vm I m

important puisqu’il permet d’évaluer les conv =
performances de la cellule PV. Psolaire

Le facteur de forme FF: Le facteur de forme (Fill I mVm

Factor) permet de qualifier la qualité de la cellule PV. FF =
Ce rapport doit avoir une valeur la plus proche I ccVco
possible de 1.
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Différentes technologies de la cellule solaire

National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO − United States Department of Energy
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Les différentes filières photovoltaïques

La Filière Silicium cristallin et polycristallin « silicium massif »

88 % du marché

Cellule photovoltaïque Silicium 20 cm x 20cm.

Rendement de conversion 14.75 %

η ~ 15 à 19,6 %

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Les différentes filières photovoltaïques
Les filières « couches minces » 12% du marché

a-Si: 3.4% CdTe: 5.5%

CIGS: 3%

Rendements de conversion en cellule et en module .

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