Chapitre 4

Optoélectronique
Dans ce chapitre, nous nous intéresserons à des composants dont la caractéristique change
avec leur éclairement. Leur utilisation première est évidement de servir de capteurs de lumière.
Ces composants utilisent les propriétés physiques des semi-conducteurs.

1 La photorésistance
4.2. LA PHOTORÉSISTANCE
1.1 Caractéristique

Un photorésistance Figure
est constituée
4.4 : A gauched’une bande deau semi-conducteur
: photorésistance, séparant
milieu photorésistance de di↵érentes deux
taille, à électrodes
droite :
symbole électronique
métalliques. Elle se comporte comme un dipôle résistif dont la résistance change avec l’éclairement.
Les caractéristiques dépendent du semi-conducteur (généralement à base de Cadmium Cd) et de
la géométrie. La conductivité d’un matériaux est caractérisée par sa résistivité en ⌦·m. pour une

e
géométrie parallélépipédique, la résistance est donnée par R = l/S où l est la distance entre les
électrodes, S la surface des électrodes en contact avec le semi-conducteur. Pour obtenir la plus faible
résistance la géométrie en serpentin est communément adoptée. Le composant se caractérise par sa

p
photorésistance mesurée pour un éclairement de 10 Lux (environ 0,1W/m2 de lumière blanche), sa
sensibilité en longueur d’onde et sa réponse temporelle (généralement 10ms).

Figure 4.5 : Réponse spectrale de quelques semi-conducteurs : sulfure de cadmium (CdS) et séléniure
Comportement de cadmium (CdSe)
— La valeur de la résistance décroit
décroı̂t avec l’éclairement.
— Typiquement en passant de l’obscurité à un éclairement intense, Rph varie plusieurs
centaines de k⌦ à quelques centaines de ⌦.

1
Figure 4.6 : Utilisation d’une photorésistance dans un montage pont diviseur

Le montage électronique standard d’utilisation est celui de la figure 4.6. Il s’agit d’un pont diviseur
de tension. La tension mesurée au point milieu est U = ER/(R + Rph ). En fonction de l’éclairement,
cette tension varie entre 0 et E. On compare ensuite U à une tension de référence, par exemple E/2
pour déclencher un dispositif. En adaptant la résistance R (qui peut être un potentiomètre) on modifie
Optique et électrocinétique Cours 4 : Optoélectronique

1.2 Exemple de montage

Afin d’obtenir un potentiel qui varie avec l’éclairement, nous pouvons placer un pho-
torésistance dans un pont diviseur de tension.

En appliquant la formule d’un pont diviseur, on obtient

R
U =E
R + Rph

Dans ce montage, U décroı̂t avec l’éclairement .

2 La photodiode
Une photodiode, est à la base un diode, c’est-à-dire un composant formé par la jonction de
deux semi-conducteurs de natures di↵érentes.

— Si u > Vs , i > 0 . Vs est appelée la tension seuil de la diode. Vs dépend de la na-

ture des semi-conducteurs qui composent la diode. On dit que la diode est passante .

2
 Optique et électrocinétique Cours 4 : Optoélectronique

— Si u
u< < V Vs , en particulier si uso
u < 0 , iño bloquante .
i ⇡ 0 , la diode est bloquante
— Pour certaines diodes, le passage du courant s’accompagne d’une émission de lumière.
La diode est electroluminesente
électroluminescente .
— Dans le sens bloquant, la diode peut redevenir conductrice si u < Vz , où Vz > Vs est
appelée la tension Zener.
Poole

D
2.1 Caractéristique de la photodiode l'abrité

Pa
u
-
Vs

2.2 Mode photovoltaı̈que

On considère un circuit composé d’une photodiode et d’une résistance. Dans ce montage,
la photodiode est considérée en convention générateur
générateur .

E
u = Ri

usi
Pour une résistance donnée, le point de fonctionnement (uf , if ) varie avec l’éclairement.
Néanmoins, au maximum, la tension est de l’ordre de Vs
Vs .
Tant que la photodiode est éclairée, on constate que P
P =ujig]a
u f if >
=
0, la photodiode
fournitdede
formit l’énergie
l'energie au circuit. La photodiode convertit donc de la puissance lumineuse
en puissance électrique : c’est l’e↵et photovoltaique
photovoltaı̈que . Les cellules solaires, ou panneau
photovoltaı̈ques, sont en fait des associations de photodiodes.

3
 Optique et électrocinétique Cours 4 : Optoélectronique

Pour un éclairement fixé, la puissance délivrée varie 4.3.

avec LA
la résistance
PHOTODIODER. Il existe une valeur
optimale de R pour laquelle la puissance est maximale.

2.3 Polarisation
gure 4.8 : Caractéristique d’une cellule inverse
solaire (courbe rouge) et courbe de la puissance extraite
eue). Dans un montage de polarisation inverse, la photodiode est branchée dans son sens bloquant.

me de chaleur. Au final les électrons produits par la jonction ressortent avec l’énergie de band-
p. Le choix du semi-conducteur provient donc d’un compromis entre un band-gap pas trop grand
ur absorber un maximum de photons et pas trop petit pour que les photons absorbés produisent
maximum d’énergie électrique. Dans le cas du rayonnement solaire, ce compromis abouti à un
ndement théorique ultime pour une cellule simple couche d’environ 30%. Pour dépasser cette limite
est nécessaire d’aller vers des cellules multi-couche (di↵érents band gaps) ou utiliser des techniques
conversion de photon.

3.2 Le mode photodiode

Dans cette partie de la caractéristique de la photodiode, le courant varie peu avec la tension.
En
ns le 3ème quadrant de revanche ce courant Fig.
la caractéristique varie4.7,
proportionnellement à l’éclairement.
la photodiode est polarisée en inverse générale-
Admettons que la photodiode reçoive une puissance
nt en la plaçant en série avec une résistance. Le courant i dans la photodiode lumineuse P , d’une
est négatif. lumière monochro-
Lorsque
matique
photodiode est éclairée pardeunfréquence
faisceau ⌫. La photodiode reçoit
monochromatique, pouralors un nombre
de faibles de photons
intensités par unité de temps
lumineuses
.
= ⌘P/h⌫ = ⌘P /hc où ⌘ est l’efficacité quantique, P la puissance lumineuse en W et ⌫ et la
quence et la longueur d’onde de la lumière. Pour de fortes intensités il y a saturation du courant et
aut prendre en compte=la P caractéristique
où h est de la la photodiode.deEnplanck
constante appliquant la loi des mailles sur le
h⌫
Une proportion de ces photons provoque le passage d’un électron au travers de la diode
dans son sens bloquant. Cette proportion dépend de la longueur d’onde de la lumière. On la
traduit par une ⌧ efficacité quantique ⌘. Le courant est alors donné par

P
i=⌘ e=⌘
h⌫

Figure 4.9 : Montage de photodiode polarisée en inverse

cuit on obtient :
Optique et électrocinétique Cours 4 : Optoélectronique

Tant que la puissance P n’est pas trop forte, isp

i/P. On dit que la photodiode a un
fonctionnement linéaire
linéaire .
Si on mesure la tension uR aux bornes de la résistance, on obtient

Un-ei
< P
u = Ri / P

On construit ainsi un dispositif qui fournit une tension proportionnelle

proportionnelle à l'éclairement
à l’éclairement .
Ce type de montage est à la base des dispositifs de mesure photométriques.
Pour un fort éclairement uR (= Ri) devient de l’ordre de E et upd de l’ordre de 0, voir
négative. uR atteint donc un maximum. On parle de saturation.

3 Comparaison entre photorésistance et photodiode

— La photodiode est plus difficile et couteuse à produire que la photorésistance.
— La photodiode a une plage de réponse linéaire que ne possède pas la photorésistance.
Alors que la photodiode pourra être utilisée pour construire des appareils de mesures,
la photorésistance ne sera utilisée que dans des applications ne nécessitant pas une
détermination précise de l’éclairement. Par exemple, une photorésistance sera adaptée
pour détecter le passage du jour à la nuit, alors qu’une photodiode se trouve dans chaque
pixel du capteur d’un appareil photo numérique.
— Quel que soit l’éclairement, la photorésistance se comporte comme une résistance, elle
ne fournit pas de puissance électrique au circuit.
— À la suite d’une variation brusque d’éclairement, le courant inverse d’une photodiode
atteint sa valeur d’équilibre beaucoup plus rapidement qu’une photorésistance. Une
photodiode est donc capable de suivre les variations rapides d’un signal lumineux de
haute fréquence. Afin d’obtenir un haut débit d’information, ce sont des photodiodes
qui sont utilisées comme récepteurs à l’extrémité des fibres optiques.