Chapitre 3

Partie 3

Les récepteurs de lumière

Photodiode PIN et APD

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 Récepteurs de lumières

Photodiodes

1. Introduction

Un photorécepteur est un transducteur de lumière qui transforme un signal optique qu’il

absorbe en une quantité mesurable le plus souvent est un courant électrique.
Lorsque la lumière pénètre dans un matériau photosensible, son énergie sera absorbée par un
électron situé dans la bande de valence. Si cette énergie est suffisante, elle le fera transiter de
son état fondamental vers un état supérieur. Chaque photon incident produit une paire de
porteurs libre (électron-trou). Une différence de potentiel appliqué pour empêcher l’électron
de se recombiner à nouveau en descendant vers son état le plus stable. Les porteurs générés
seront recueillis et créent un photo courant. La séparation des charges des paires électron-trou
est assurée par un champ électrique. On distingue deux types de photo récepteurs

2. Différents types de photorécepteurs

2.1. Les photodiodes

Une photodiode est une diode à jonction PN formée d’un cristal de semiconducteur (Si,
Ge), qui consomme de l’énergie lumineuse et la transforme en un signal électrique
(figure 1). Elle est appelée aussi détecteur de lumière et photo-capteur. On peut considérer
que la cellule solaire est une photodiode qui a une surface pour recevoir de l’énerg ie
lumineuse.

Figure1 : Schéma représentatif d’une photodiode

https://thejargonweb.wordpress.com/2016/09/21/photodiode/

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2 .1.1. Symbole de la photodiode
Le symbole de la photodiode PN ressemble à celui de la diode normale, seulement on y a
ajouté deux petites flèches entrantes pour représenter le flux lumineux incident (figure 2).

Figure2 : Symbole de la photodiode

2.1.2. Fonctionnement d’une photodiode

Les photons incidents dont d’énergie plus grande que celle de l’énergie du gap sont absorbés
et crée une paire de porteurs libre (électron-trou).

1,24
E  E g  ( m) 
Eg (eV )

Les photodiodes sont particulièrement fabriquées pour fonctionner en polarisation inverse,

cela signifie que le coté P de la photodiode est relié à la borne négative du générateur est le
coté N est relié à la borne positive du générateur. La polarisation inverse entraine une région
d’appauvrissement de porteurs libres appelées zone de charge d’espace (ZCE).Comme le
champ électrique dans la ZCE est élevé, les électrons produits dans cette zone migrent vers la
zone ou ils sont majoritaires (coté N) et ainsi le courant inverse du aux porteurs minoritaires
augmente.

3. La caractéristique de la photodiode
3.1. En absence d’éclairement
Lorsque la photodiode n’est pas exposée à la lumière, les électrons dans le cotés N et les trous
dans le coté P sont les porteurs minoritaires. Lorsqu’on applique une tension négative à la
photodiode, les porteurs minoritaires, les électrons coté P subissent une force de répulsion
provenant du potentiel positif de la batterie. Le même phénomène se produit pour les trous
présents dans le coté N. Ce mouvement de porteurs entrain une recombinaison à la jonction,

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ce qui produit une région vide de porteurs libres appelé zone d’appauvrissement. En raison
du mouvement de porteurs minoritaires un très faible courant, quelques nanoampères ou
picoampères traverse la photodiode appelé « courant d’obscurité ». Ce courant est le résultat
d’un flux de porteurs minoritaires. Il augmente fortement avec la polarisation et la surface
active de la photodiode. Il augmente également avec la température.

Figure3 : Principe de fonctionnement d’une photodiode en absence de l’éclairement

https://illustrationprize.com/fr/298-photodiode.html

3.2. En présence d’éclairement

Lorsqu'un photon ayant une énergie supérieur à l’énergie de la bande interdite (hν> Eg) frappe
la diode, la température de la jonction augmente. Cela provoque la séparation des électrons et
les trous. L’électron absorbe l’énergie du photon émis pour qu’il puisse transiter de la bande
de valence(BV) vers la bande de conduction (BC), la liaison covalente se brise et crée de
nouveaux paires (électron-trou). Les porteurs formés dans la ZCE sont séparés par l’effet du
champ électrique interne de la jonction qui empêche la recombinaison des porteurs. Les
trous seront attirés vers la cathode cote(N) de la batterie de même les électrons présents dans
le coté n seront attirés vers la l'anode (coté P) de la batterie. Ce phénomène génère un
courant inverse élevé appelé photocourant de génération. Chaque photon d’une énergie > a
celle du gap donne naissance à un électron avec une probabilité η. Cette dernière est appelée
efficacité quantique. η < 1( en général ce n’est pas tout les photons qui donnent des électrons).

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Figure4 : Principe de fonctionnement d’une photodiode en présence de l’éclairement
https://teachics.org/sensors-and-transducers/photodiode/

Les porteurs minoritaires qui se trouvent dans les régions neutres N et P diffusent vers les
régions ou ils sont majoritaires si leur durée de vie est suffisante pour traverser la ZCE. Ces
porteurs contribuent à la création d’un photo courant de diffusion. Ces deux courants
s’ajoutent pour créer le photocourant I ph . Ce dernier contribue au courant inverse de la diode.
Le courant total traversant la photodiode est la somme du courant d'obscurité et du
photocourant Iph. L’expression du photo courant est :

Iph =Indiff + Ipdiff+ Ig

Figure 5: Les courants de génération et de diffusion dans la photodiode sous éclairement

Ce photocourant contribue à l’augmentation du courant inverse de la diode et il est

indépendant de la tension de polarisation de la photodiode. La figure 6 montre la
caractéristique de la photodiode pour différents éclairements. L’expression du courant
traversant la jonction s’écrit :
I=Is (eV/UT-1)-Iph

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 Figure 4: Caractéristique de la photodiode pour différents éclairements
https://illustrationprize.com/fr/298-photodiode.html

Iph =S. Ф
avec S est la sensibilité de la photodiode en A/W
En l'absence d'éclairement, la caractéristique est celle d'une diode à jonction classique.
Pour -V>> UT → I≈- (Is + Iph) ≈ Iph
Ce photocourant contribue à l’augmentation du courant inverse de la diode

Remarque

Une photodiode peut être utilisée soit :

 En montage photoconducteur pour la détection de la lumière (lorsque la photodiode

est polarisée en inverse). Les photodiodes utilisées sont : PIN, APD,
phototransistors.

 En montage photovoltaïque pour la conversion de l’énergie solaire en électricité

(lorsque la photodiode n’est pas polarisée) : photopile ou pile solaire.

4. La photodiode PIN

Pour que le photocourant soit crée dans une photodiode, il faut que la diode ait une zone de
déplétion suffisamment grande de sorte que les photons incidents dans cette zone ont une très
grande probabilité d’absorption. Pour augmenter la ZCE, il convient d’utiliser une région
intrinsèque qui s’intercale entre les couches N et P, cette zone est appelée zone intrinsèque
(très faiblement dopée), on obtient ainsi la photodiode PIN (voir figure). Si la polarisation de

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la diode est suffisante, un champ électrique important dans la région I, empêche la
recombinaison des porteurs. Grace à ce champ les photoporteurs atteignent très vite leur
vitesse limite, ce qui rend la diode très sensible.

Figure 5 : Photodiode PIN

https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Pin-Photodiode.png
La photodiode PIN est caractérisée par sa rapidité
6. Choix du matériau

Il dépend de l’application :

Communication (émetteur GaAs / AlGaAS)

Détecteur Si
Détecteur Ge (λ> 10µm)
1.55 µm + vitesse ↔ détecteurs InGaAs
Vision nocturne
HgCdTe
InAs, InSb
UV :
GaN, AlGaN
7. La photodiode à avalanche (APD)

Une photodiode à avalanche c’est une photodiode PIN. La polarisation inverse appliquée est
élevé, les porteurs, sous l’effet d’un champ électrique très intense déclenchent une avalanche
de charges. Ces derniers sont accélérés et par ionisation d’impact ils libèrent d’autres paires
électron-trou pourront à leur tour créer d’autres paires électron trou. L’avalanche s’attenue, si
la tension de polarisation inverse est inférieur à la tension de claquage V B .

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 Figure6 : Photodiode à avalanche
https://www.htds.fr/optoelectronique/detecteurs-optoelectroniques/photodiodes/photodiodes-
vis/modules-avalanches-refroidies/

7.1. Symbole de la photodiode à avalanche

Le symbole de la photodiode à avalanche ressemble à celui de la diode Zener.

Cathode

Anode

Figure7 : Symbole de la photodiode à avalanche

8. Principe de fonctionnement
Chaque porteur primaire va donner naissance à m porteurs secondaires pour générer un
courant constant qui peut être mesuré par un équipement électronique externe. Ce processus
de la multiplication des porteurs est considéré comme analogue du tube photomultiplicateur.
Le schéma de la photodiode à avalanche est représenté par la figure ci dessous.

Figure 8: Principe de fonctionnement

https://lambdageeks.com/avalanche-photodiodes/

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La jonction N+P est la région de multiplication des porteurs (zone d’avalanche). La région
intrinsèque est légèrement dopé de type P. La région N+ est la plus fine. Quand la photodiode
est polarisée en inverse un champ électrique interne apparait et il est maximale dans à la
jonction PN+, et il est faible dans la zone P+.

La génération excessive de paires électron-trou due à la collision de porteurs de charge est

appelée multiplication par avalanche. Le paramètre caractéristique de la photodiode à
avalanche est son coefficient de multiplication :

photo courant mesuré I ph

M 
photo courant primaire I ph 0

avec Iph est le courant total du régime d’avalanche

Iph0 est le courant primaire avant l’avalanche

Le coefficient M augmente avec la tension de polarisation inverse, sa relation est donné par :

M =1/1-(Vr/Vbr)n
où Vbr est le tension inverse de claquage de la photodiode et elle varie entre 20V et 500V.
n est un facteur qui dépend du matériau, de la longueur d’onde et de la température,n>1.

I / q h
e   S
Popt / h q