Les semiconducteurs 4

Semi-conducteurs
Sont fait des éléments de la colonne

Colonne Semiconducteur
IV Ge, Si, C
IV-IV SiC, SiGe
Binaire GaAs, GaP, InP, InSb…
III-V Ternaire AlxGa1-xAs, GaAsyP1-y
quaternaire AlxGa1-xAsyP1-y
Binaire CdS; CdTe, ZnSe, ZnS
II-VI Ternaire CdxHg1-xTe….

Chap: IV -2-
 Semi-conducteurs

Structure de zinc cubique

(diamant avec 2 atomes différents)

Chap: IV -3-
 Structure diamant
Semiconducteurs
élémentaires
Il sont fait des éléments de
la colonne IV
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te
Exp: diamant
Hg Tl Pb Bi Po Eg = 5,4 eV
incolore

Configuration
sp3

Chap: IV -4-
 semi-conducteurs Structure zinc-Blende
composés
Il sont fait des éléments des
colonnes III-V et II-VI
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se
Structure de zinc cubique
Cd In Sn Sb Te (diamant avec 2 atomes différents)
Hg Tl Pb Bi Po

III-V: GaAs, InP, GaN, etc Configuration

sp3
II-VI: ZnSe, CdTe, HgSe, etc

Chap: IV -5-
 Question: Combien d’électrons
dans la bande de conduction?

Chap: IV -6-
 EB
Combien d’électrons dans la bande de
conduction?
EB
n  2 gC ( E ) f ( E )dE
Ec

énergie
Ev
EC

E E
E
E1

g(E)

EC
EF

g(E) g(E) f(E)

1
f(E) f (E) 
3/2 e( E  EF ) / kT  1
1  2mC* 
gC ( E )  2   2  ( E  EC )1/2 Probabilité d’occupation des électrons
4  
Or cette expression n’est valable qu’au voisinage des extremums (EC). On ne
commet pas de grande erreur en faisant cet intégrale
 EB
n  2 gC ( E ) f ( E )dE
EC
3/2
EB 1  2m  *
( E  EC )1/2
n  2 
2  
C
dE
EC 4  
2
e ( E  EF )/ kT
1
E  EC EF  EC E  EF
Posons:  , F  ;   F
kT kT kT
3/2
1  2m  *
B 3
 1/2
n  2   0 (kT ) ( F ) d
C

2  2
 e 1
EB  EC 1
or  B    400
kT 1/ 40
f ( EB )  e 400  0
3/2
 2m 
1 *
 3
 1/2
n  2 
2 


2
C
0
(kT )
e (  F )
1
d

Chap: IV -8-
 3/ 2
1  2m kT  *
Soit : N C   
C

2 3/ 2  
2

2   1/ 2
n  NC 
 0
e (  F )
1
d

2
 NC  F1/ 2 ( F )

Intégrale de Fermi

Chap: IV -9-
 Question: Combien de trous dans
la bande de valence?

Chap: IV -10-
 EB
Combien de trous dans la bande de valence?

gV ( E ) 1  f ( E ) dE
EV
p  2
Ec

énergie
Ev
E1

3/2
1  2m 
*
E1
gV ( E )  2   V
 ( EV  E ) 1/2

4  2
 g(E)
Probabilité d’occupation
des trous
Or cette expression n’est valable
qu’au voisinage des extremums (EV) e( E  EF )/ kT
On ne commet pas de grande 1  f ( E )  ( E  EF )/ kT
e 1
erreur en faisant cet intégrale
1
 ( EF  E )/ kT
e 1

Chap: IV -11-
 gV ( E ) 1  f ( E )  dE
EV
p  2
E1
3/2
EV 1  2m  *
( EV  E )1/2
p  2 
2  
V
dE
E1 4  
2
e ( EF  E )/ kT
1

Posons:
EV  E EV  EF EF  E
' ,   '
F ;   ' F'
kT kT kT
3/ 2
 2m 
1 *
V  '1/ 2
p  2 
2 


2
V
0
e ( '  F' )
1
d '

3/ 2
 2m kT 
1 *
Soit : NV  3 / 2   
V

2  
2

2 V  '1/ 2 2
p  NV      '
d ' N F ( n F)
 ( '  F' )

V 1/ 2
0
e 1
Chap: IV -12-
 2 EF  EC GaAs
n  NC  F1/ 2 ( )
 kT

2 EV  EF
p  NV  F1/ 2 ( )
 kT

Chap: IV -13-
 Dans le cas d’un semiconducteur non dégénéré

Le niveau de Fermi se trouve dans la bande interdite E

EC  EF  kT et EF  EV  kT
EC
EF
 E  EF  E  EC  EC  EF  kT
EV
 kT

( E  EF )/ kT 1
e  1  f (E)   e ( E  EF )/ kT
e( E  EF )/ kT  1
  1/ 2 
F1/ 2 ( F )   d  0  1/ 2 (  )
e d eF
0
e( F )  1
 /2


 eF
2
Chap: IV -14-
 semiconducteurs
EC
Les approximations faites sont:

EC  EF  kT et EF  EV  kT
n  NC et p  NV EV

( EF  EC ) / kT
n  NC e

( EV  EF ) / kT
p  NV e

Chap: IV -15-
 Le silicium, Si, Atom

Le silicium est de Cette image montre

valence de 4 à savoir 4 les électrons
électrons dans son partagés
couche externe
Chaque atome de
silicium partage ses 4
électrons externes avec
4 atomes voisins
Ces électrons partagés
- liaisons - sont
représentées par des
lignes horizontales et
verticales entre les
atomes

Chap: IV -16-
 Silicium - le réseau cristallin

Si l'on étend cet

arrangement à
travers un morceau
de silicium ...

Nous avons le réseau

cristallin de silicium

C'est le silicium quand

il est froid (T=0K)

Il n'a pas d'électrons libres - il ne peut pas conduire l'électricité -

par conséquent, il se comporte comme un isolant

Chap: IV -17-
 Mouvement des électrons dans le Silicium

Cependant, si l'on
applique un peu de
chaleur au silicium ....

Un électron peut
gagner assez
d'énergie pour se
libérer de sa liaison ...
Il est alors disponible
pour la conduction et
libre de se déplacer à
travers le matériau

Chap: IV -18-
 Génération Thermique des électrons libres

Silicium EC
Intrinsèque
(pas de dopants)
à 0K
n=p=0
EV

Atomes de
Silicium
Électron
libre
EC

Pour le silicium à 300K

(température amiante),

EV n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Trou libre
“hole”
Atomes de
Silicium

Chap: IV -19-
 Mouvement des trous dans le Silicium

Regardons de plus
près ce que l'électron
a laissé derrière lui

Il ya un espace dans
la liaison - ce que nous
appelons un trou

Donnons-lui un peu
plus de caractère ...

Chap: IV -20-
 Mouvement des trous dans le Silicium

Ce trou peut
également se
déplacer ...
Un électron - proche
d’une liaison - peut
sauter dans ce trou ...
Effectivement
provoquant le
déplacement du trou…
comme ça …

Chap: IV -21-
 Chauffage du silicium

Nous avons vu que,

dans le silicium, la
chaleur libère des
électrons de leurs
liaisons …

Cela crée des paires

électrons-trous qui
sont alors disponibles
pour la conduction

Chap: IV -22-
 Semiconducteur intrinsèque

Prenons un morceau
de silicium …

Et appliquons une
différence de
potentiel à à ses
bornes…
Ceci crée un champ
électrique à travers
le silicium - vu ici en
traits pointillés

Lorsqu’une chaleur est appliquée un

électron est libéré et …
Chap: IV -23-
 Conduction intrinsèque

L'électron sent une

force et se déplace
dans le champ
électrique electron

Il est attiré vers

l'électrode positive
et réémise par
l'électrode négative

Chap: IV -24-
 Conduction intrinsèque

Maintenant, nous
allons appliquer un
peu plus de chaleur …

Un autre électron se
libère…
Et se déplace dans le
champ électrique.
Nous avons
maintenant un courant
plus élevé qu'avant …
Et le silicium a moins
de résistance …

Chap: IV -25-
 Conduction intrinsèque

Si plus de chaleur
s'applique le
processus se poursuit
…
Plus de chaleur …
Plusb de courant…
Moin de resistance…
Le silicium agit comme
une thermistance

Sa résistance diminue
avec la température

Chap: IV -26-
 La thermistance

• La thermistance est une résistance

sensible à la chaleur

• Au froid, il se comporte comme un isolant

i.e. il a une très grande résistance

• Lorsqu'il est chauffé, les paires électron-

trou sont libérés et sont alors disponibles
pour la conduction comme cela a été
décrit - donc sa résistance est réduite
Thermistance
Symbol

Chap: IV -27-
 La thermistance

• Les thermistances sont utilisées pour

mesurer la température

• Ils sont utilisés pour mettre en marche ou

Arrêter des dispositifs, lorsque la
température change

• Ils sont également utilisés dans les circuits

d’alerte de feu ou d'alerte de gel
Thermistance
Symbol

Chap: IV -28-
 Absorption de la lumière
L'électron perd de l'énergie thermique dans le
Eph>Eg réseau par des collisions et se déplace vers le
bas de la bande de conduction

Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est supérieure à l'énergie du gap, le
photon est absorbé et un électrons quitte une liaison et se déplace de la
bande de valence vers la bande de conduction.

Chap: IV -29-
 Absorption de la lumière
Eph=EG
Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est égale à l'énergie du gap, le
photon est absorbé, mais aucune énergie thermique n’est
générée.

Chap: IV -30-
 La résistance dépendante de lumière (LDR)
The Light Dependent Resistor (LDR)

• Le LDR est très similaire à la thermistance –

mais il utilise l'énergie lumineuse à la place
de l'énergie thermique
• A l’obscurité de sa résistance est élevée
• Sous l'énergie lumineuse, il libère des
paires électron-trou
• Ces charges sont alors libres pour la
conduction
• Ainsi, la résistance est réduite

LDR Symbol

Chap: IV -31-
 La résistance dépendante de lumière (LDR)
The Light Dependent Resistor (LDR)

• LDR sont utilisés comme luxmètres

• LDR sont également utilisés pour contrôle automatique

de l'éclairage

• LDR sont utilisés là où la lumière est nécessaire pour

contrôler un circuit - par exemple, sonnette d'alarme
fonctionnant à la lumière

Chap: IV -32-
 Génération Thermique des électrons libres

Silicium EC
Intrinsèque
(pas de dopants)
à 0K
n=p=0
EV

Atomes de
Silicium
Électron
libre
EC

Pour le silicium à 300K

(température amiante),

EV n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Trou libre
“hole”
Atomes de
Silicium

Chap: IV -33-
 Semiconducteur intrinsèque
 Semiconducteur pur : n = p=ni, EF=Ei

( EF  Ec ) / kT ( Ei  Ec ) / kT
n  ni  Nc e  Nc e
énergie

p  ni  Nv e( Ev  EF ) / kT  Nv e( Ev  Ei ) / kT

3/ 2
 kT 
ni  2  2 
 2 
m m 
*
C
* 3/ 4
V e
 Eg / 2 kT

 Eg / kT
n  p  n  NC NV e -34-
2
i  cte
Chap: IV
 Concentration des porteurs intrinseques:
3
 2kT 
 
3
2
ni  2 2  mn m p 4 e  Eg / 2 kT
* *
Calculer ni pour le Si à 300K:
 h 
3
 2 1.38 10 J / K  300 K 
23 3 1.11

 
2 
31
ni  2  34  1.1  0.56  9.11  10 kg 2 4
e 20.0259
 (6.63 10 J  s ) 2

3 3
ni  2  5.917711046 / J  s   5.112 10
2 2 61
kg 
2 4
e 21.236
1 46 10
ni  2 1.4396 1070  6.04593  10 kg 3/2
 5.99143  10
kg 3/2 m 3

ni  1.043 1016 m 3

3
ni  1.043 10 cm 10

Chap: IV -35-
 L’énergie de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque
s’exprime par la relation :

n  p
 ( EC  EF ) / kT  ( EF  EV ) / kT
NC e  NV e

EC  EV kT NV Si mv*  mc* le
Ei   ln niveau intrinsèque
2 2 NC est au dessus du
milieu de la bande
EC  EV 3 mV* interdite si non c’est
Ei   kT ln * l’inverse
2 4 mC
Si on fait l’hypothèse que mv*  mc* alors le niveau de Fermi d’un semi-
conducteur intrinsèque est situé au milieu de la bande interdite.

Chap: IV -36-
  La concentration intrinsèque
dépend du « gap » et de la
température en T3/2.

 On retrouve le fait que la

conductivité d’un semi-conducteur
augmente avec la température
 Pour le silicium la densité de
porteurs intrinsèque double tous
les 11°C !
Germanium Silicium Gallium
Arsenide
300 K 2.02 1013 8.7 2 109 2.03 106

400 K 1.38 1015 4.52 1012 5.98 109

500 K 2.02 1016 2.16 1014 7.98 1011

600 K 1.18 1017 3.07 1015 2.22 1013

Chap: IV -37-
 300°K Ge Si GaAs

Eg(eV) 0.66 1.12 1.424

ni(cm-3) 2.4 1013 1.4 1010 1.76 106

NC(cm-3) 1.04 1019 2.8 1019 4.7 1017

NV(cm-3) 6 1018 1.04 1019 7 1018

Chap: IV -38-
 Semiconducteurs dopés

 Désavantages des semiconducteurs intrinsèques:

 faible conductivité à basse température;
 la conductivité dépend fortement de la
température.

 On fera intervenir le dopage pour augmenter la

concentration des porteurs et ainsi s’affranchir de la
dépendance en température.

Chap: IV -39-
 Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-
conducteur dopé. Les propriétés électriques d’un cristal
semi-conducteur sont profondément modifiées si l’on
remplace certains atomes du réseau par des atomes
ayant, par rapport à l’atome substitué, un électron de
plus ou en moins dans son cortège électronique.
On désigne sous le nom de dopage toute opération qui
revient à introduire des impuretés dans le cristal.
 création de niveaux d’énergie dans la bande
interdite
 Les atomes dopants doivent être placés en position
substitutionnelle dans le cristal i.e ils doivent prendre la
place d’un atome de silicium. Les dopants placés en
position interstitielle ne conduisent pas à une
modification notable des propriétés électriques.
Chap: IV -40-
• Semiconducteur dopé de type n
Type n : insertion
d’atomes possédants 5
électrons de valence
dans le réseau cristallin
du Si, l’électron
excédant se libère
facilement pour la bande
de conduction, le dopage
produit ainsi des
porteurs de charge
négative (électrons), d’où
dopage de type n.
Silicium
Dopants
“Donneurs”
Chap: IV -41-
 Le phosphore
Silicium (Si) Phosphore (P)
L’électron
supplémentaire de P
est faiblement
attaché à son atome.
C’est un électron
Le phosphore (P) est le numéro 15 libre
dans la classification périodique
des éléments

Bande
Il possède 15 protons et 15 normale
électrons - 5 de ces électrons avec deux
sont dans la couche extérieure electrons
(électrons de valence)

 Le Phosphore est lié dans le silicium

Chap: IV -42-
 Semiconducteur dopé de type n

Relying on heat or light for

conduction does not make
for reliable electronics

Supposons que nous

enlevons un atome de
silicium du réseau cristallin
...

 on remplace l’atome de
silicium par un atome de
phosphore (P).

Nous avons maintenant un électron qui n'est pas lié - il est donc libre pour la conduction

Chap: IV -43-
 Dopage - silicium de type n

Enlever un autre atome

de silicium ...

et le remplacer par un
atome de phosphore

Comme plus d'électrons

sont disponibles pour la
conduction, nous avons
augmenté la
conductivité du
matériau

Le phosphore est appelé Si nous appliquons maintenant une différence de

dopant potentiel à travers le silicium ...

Chap: IV -44-
 La conduction extrinsèque - silicium de type n

Un courant circule

Remarque:
Les électrons
négatifs se
déplacer vers la
borne positive

Chap: IV -45-
 Niveaux d’énergie des impuretés

 Substitution  modification du potentiel électrique.

- On suppose que la perturbation due à l’impureté est faible et de longue
portée.
- Dans un cristal de silicium dopé au phosphore (P). Le cinquième électron
voit donc l’ion de l’impureté P+ (charge >0).

Modélisation de l’impureté en deux parties :

1- un « quasi-Si» (Noyau Si, électrons de cœur, 4 électrons de valence).
2- le cinquième électrons de valence du phosphore qui crée un nouveau
niveau d’énergie proche de la bande de conduction. Cet électron est lié au
proton supplémentaire provenant du noyau du phosphore.
Le problème est similaire à un atome d’hydrogène ou l’électron et le
proton ne se trouvent pas dans le vide mais dans le cristal de silicium
(  0).

Chap: IV -46-
 L’énergie d’ionisation de l’atome d’hydrogène est:

H  H   e
4
m0 q
EH  13.6 eV
32 2 02 2

La situation dans le silicium dopé est similaire à l’atome

d’hydrogène:.
 
D D  e
mc*q 4 mc*  02
ED  13.6  0.047eV
32 2 Si2 2
m0  Si
2

L’existence d’un proton excédentaire crée une énergie de liaison Ed qui

diminue l’énergie de l’électron supplémentaire et le fait passer sous la
bande de conduction. Ed= EC- ED

Chap: IV -47-
 Niveaux d’énergie des impuretés

Si + colonne V (avec 5 e- de valence )

Ec

ED = Niveau d'énergie des donneurs (peu profond)

Eg centres donneurs
ionisés (+ve)
Le Gap est de 1,1 eV pour le silicium
Electron
Ev
Trou

Semiconducteur type-n

Chap: IV -48-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

P 0.045 0.012
Donneur
As 0.049 0.013

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type " N" 0.0058 0.0061 0.0061 0.0059

Chap: IV -49-
 Ionisation des impuretés

Chap: IV -50-
 Niveau de Fermi
  le type de dopage la neutralité électrique doit être préservée (loi
d’action de masse) :

  q( p  N D  n  N A )  0
p  N D  n  N A
 La probabilité d’occupation d’un niveau donneurs peut s’écrire:

1
fD 
1 ( ED  EF ) / kT
1 e
g
g: dégénérescence de l’état fondamental du niveau de l’impureté:
g=2 pour un niveau donneur (le niveau fondamental peut accepter un
électron avec un spin  ou aucun).
g=4 pour un niveau accepteur (le niveau de dégénérescence est double
en raison du « splitting » des bandes de valence en k=0).
Chap: IV -51-
 Le nombre ND de dopant donneurs ionisés peut s’écrire :

1
N  N D 1 

D 
1 ( ED  EF ) / kT
1 e
g  ND
Soit:
N 
D ED  EF
( )
1  g e kT


Aux températures ordinaires on a: N D  ND

Le nombre NA de dopant accepteurs ionisés peut s’écrire :

 NA
N 
1  g  e( EA  EF ) / kT
A

Aux températures ordinaires on a: N A  N A

Chap: IV -52-
 Détermination du Niveau de Fermi
 la neutralité électrique pour un semiconducteur type n donne:

n  p  N D
 A température T le dopant est connu (ED, ND connus) ainsi que le
semiconducteur ( Nc, NV, Ei, EC connus) :

(EC  EF )/kT (EF  EV )/kT ND

NC e  NV e  E D  EF
( )
1  g e kT

La seule inconnue c’est EF

Il faut résoudre cette équation pour obtenir EF

Chap: IV -53-
  On fait une résolution graphique de l’équation pour
déterminer le niveau de Fermi (type n) :

n  p  N D

p  N D
N C e (EC  EF )/kT  ND

NV e (EF  EV )/kT  n
p
ND
ED  EF
( )
1  ge kT

EF
Chap: IV -54-
 Aux températures ordinaires on a: N D  N D

p  n  N acceptors  N donors

n  p  ni
2
ni / n  n  N d
2
p  n  Nd
N d  4ni  N d
2 2

n  Nd
2

(EC  EF )/kT
n  NC e

EC  EF  kT ln  NC N D  -55-
Chap: IV
 Concentration des électrons dans un
semiconducteur dope

n  NC exp  (EC  EF )/kT  

NC exp  (EC  Ei  Ei  EF )/kT  
NC exp  (EC  Ei )/kT exp  (Ei  EF )/kT 

ni

n  ni exp (EF  Ei )/kT 

Chap: IV -56-
 Semiconducteur type p
Type P : insertion d’atomes possédants 3 électrons de valence dans
le réseau cristallin du Si.
Un lien laissé vacant est rempli par un électron de l’atome de Si
voisin, ce qui créé un trou dans la bande de valence. Le dopage
produit des porteurs chargés positivement (trous), d’où dopage de
type P.

Bore (B) Silicium (Si)

Silicium
type-p (trous)
dopants
“accepteurs”
Chap: IV -57-
 L’atome de bore
Le Bore (B) est le numéro 5
dans le tableau périodique

Il dispose de 5 protons et
5 électrons.
3 de ces électrons sont
dans sa couche externe

Chap: IV -58-
 Dopage - Rendre le silicium de type p
Comme précédemment, on
enlève un atome de silicium
du réseau cristallin ...

Cette fois ci, il est

remplacé par un atome de
bore

Notons que nous avons un

trou dans une liaison - ce
trou est donc libre pour la
conduction

Chap: IV -59-
 Dopage - Rendre le silicium de type p
Enlevons un autre atome de
silicium ...

et le remplacer par un
autre atome de bore

Comme d'autres trous sont

disponibles pour la conduction,
nous avons augmenté la
conductivité du matériau

Le bore est le dopant dans Si nous appliquons maintenant une différence de

ce cas, potentiel à travers le silicium ...

Chap: IV -60-
 Dopage - Rendre le silicium de type p

Un courant
circule - cette
fois porté par les
trous positifs
note:
Les trous
positifs se
déplacer vers la
borne négative

Chap: IV -61-
 • Semiconducteur dopé de type p

Ec Si Si Si Si

Eg Si Si Si Si

Ea
Si A Si Si
Ev

Si Si Si Si Trou
libre
Electron
Trous
Accepteurs peu profonds dans le silicium

Chap: IV -62-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

B 0.045 0.010
Accepteur
Ga 0.065 0.011

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type "P" 0.028 0.035 0.040

Chap: IV -63-
 Ionisation des impuretés
énergie d’ionisation des impuretés

ionisation complète
des accepteurs:

p  NA

S.M.Sze

Chap: IV -64-
 concentration des trous dans
semiconducteur dope

p  NV exp  (EF  EV )/kT  

NV exp  (EF  Ei  Ei  EV )/kT  
NV exp  (Ei  EV )/kT exp  (EF  Ei )/kT 

ni

p  ni exp (Ei  EF )/kT 

Chap: IV -65-
 Loi d’action de masse

p  n  ni exp (Ei  EF )/kT  ni exp (EF  Ei )/kT 

ni ~ 1010 cm 3 ( Si )
n  p  Nc Nv e
 Eg / kT
n p  n 2
i 6 3
ni ~ 10 cm (GaAs)

Neutralité de charge
En générale
les accepteurs
et les
n  N A p  N D
donneurs
peuvent être
présents
ions négatifs
Chap: IV -66- ions positifs
 Porteurs majoritaires et minoritaires

électrons trous

Dopé -n porteurs Porteurs

(ND > NA) MAJORITAIRES MINORITAIRES

dopé - p Porteurs porteurs

(ND < NA) MINORITAIRES MAJORITAIRES

Chap: IV -67-
 Porteurs majoritaires et minoritaires

de: pn nn  n 2
i
et nn  N A pn  N D
électrons majoritaires :

1
nn  ND  N A  N D  N A   4n 
2 2

2  
i

N D  N A  nn  N D  N A

Trous minoritaires : pn  n / nn 2
i

Chap: IV -68-
 Porteurs majoritaires et minoritaires

de: p pnp  n 2
i
et n p  N A p p  N D
Trous majoritaires:

1
pp  N A  ND  N D  N A   4n 
2 2

2  
i

N A  N D  p p  N A  N D

électrons minoritaires :
n p  ni2 / p p

Chap: IV -69-
 Semiconducteur non-dégéneré

n  NC  EF  EC
et

p  NV  EF  EV
 Le niveau de Fermi sera repositionné selon le type de dopage
suivant les expressions :

NC
 E FN  EC  kT ln dopage de type N
ND
NV
 E FP  EV  kT ln dopage de type P
NA
Chap: IV -70-
 En général, les concentrations de porteurs obtenues par
dopage sont beaucoup plus grandes que les
concentrations générées thermiquement donc:

 n ≈ ND pour un semiconducteur dopé N,

 avec ND : concentration de donneur.

 p ≈ NA pour un semiconducteur dopé P,

 avec NA : concentration d’accepteur.

Chap: IV -71-
 Semiconducteur à l’équilibre
Le niveau de Fermi dans une structure à l’équilibre

Propriété fondamentale: quelle que soit la structure du matériau

(homogène ou non), le niveau de Fermi est le même partout à
l’équilibre thermodynamique.

 Illustration

Quelle est la particularité du dopage pour ces deux figures ?

Chap: IV -72-
 Influence de la température
sur la concentration des porteurs

Variation du Niveau de Fermi en fonction de la température

S.M.Sze

Chap: IV -73-
 Densité des électrons en fonction de la
température

S.M.Sze
Chap: IV -74-
 Exemple
Un échantillon de Si est dopé avec 1017 atoms d’As/cm3. Quelle est la
concentration d'équilibre trou p0 à 300 K? Où se trouve EF relatifs à Ei?
Quelle est l'expression de ni à T? Si ni à T est égal à Nd, quelle est
l'expression de n0 et p0 à T?

Puisque N  ni, on peut approcher n0 = Nd et

d Ec
EF
ni2 2.25 1020 0.407 eV
p0    2.25  10 3 cm-3
Ei
n0 1017
n0
E F  E i  kT ln  0.407 eV Ev
ni
 2kT 
3/ 2

ni (T )  2 2  (mn* m *p )3 / 4 exp(  E g / 2kT )

 h 
Puisque N d  ni , on ne peut pas négliger ni ou p0
ni2 5 1 5 1

n0  N  p0  N d 
d
n0  N d p0  Nd
n0 2 2
Chap: IV -75-
 Quel genre de mécanisme d'excitation peut provoquer une
transition d’un e- du haut de la bande de Valance (BV) vers le
bas de la bande de conduction (BC)?

Réponse :
BC
partiellement
rempli
• Energie thermique ?
• Champ électrique ? Eg

• Rayonnement électromagnétique ? BV
partielleme
nt rempli

Diagramme de bande d'énergie

d'un s c à une température finie.

Pour avoir une configuration bande remplie en partie dans un SC, on

doit utiliser un de ces mécanismes d'excitation

Chap: IV -76-
 1-Energie thermique :

Energie thermique = k x T = 1.38 x 10-23 J/K x 300 K =25 meV

Taux d’éxcitation = constant x exp(-Eg / kT)

Bien que l'énergie thermique à température ambiante, TA, est très faible,
soit 25 meV, quelques électrons peuvent promouvoir vers la CB.
Les électrons peuvent promouvoit vers la CB par le biais de l'énergie
thermique

Cela est dû à l'augmentation exponentielle de la fréquence d'excitation

lorsque la température augment

Le taux d’éxcitation est une fonction fortement dependante de la

température.

Chap: IV -77-
 2- Un champ électrique :
• Pour les champs faibles, ce mécanisme ne permet pas de
promouvoir les électrons dans la BC. point commun des sc, tels
que Si et GaAs.

• Un champ électrique de 1018 V / m peut fournir une énergie de

l'ordre de 1 eV. Ce champ est énorme.

Ainsi, l'utilisation du champ électrique comme mécanisme d'excitation

n'est pas bonne façon de promouvoir les électrons dans les

Chap: IV -78-
 3- Rayonnement électromagnétique :

c 1.24
E  h  h  (6.62 x10 34
J  s)  (3x10 m / s) /  (m)  E (eV ) 
8

  (en  m)

h = 6.62 x 10-34 J-s

c = 3 x 108 m/s
1 eV=1.6x10-19 J Proche
infrarouge

1.24
Pour le silicium Eg  1.12eV ;  (  m)   1.1 m
1.12

Pour promouvoir des électrons de la BV vers la BC de silicium, la

longueur d'onde des photons doit de 1.1 μm ou moins

Chap: IV -79-
 4 4
GaAs bande de bande de
Si
conduction conduction
3 3

2 2
Energie (eV)

Energie (eV)
ΔE=0.31
1 1
Eg Eg

0 0

-1 -1
bande de bande de
Valance Valance
-2 -2
[111] 0 [100] k [111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de GaAs et de Si

Chap: IV -80-
 4
GaAs bande de Largeur de bande est la plus petite
conduction
séparation d’énergie entre les bords
3
la bande de valence et la bande de
conduction.
2
Energie (eV)

ΔE=0.31
1
Eg La plus petite différence d'énergie a lieu à
la même valeur de la quantité de
0
mouvement

-1
bande de
Valance semi-conducteurs à bande interdite
-2
0 k
direct
[111] [100]
Structure de bande d'énergie de GaAs

Chap: IV -81-
 4
Le plus petit gap d’’énergie se trouve Si bande de
entre la partie supérieure de la VB conduction
pour k = 0 et un des minima de la CB 3
loin de k = 0
2

Energie (eV)
semi-conducteurs à bande interdite 1
indirect e Eg

0
•Band structure of AlGaAs?
•Effective masses of CB satellites? -1

•Heavy- and light-hole masses in VB? bande de

Valance
-2
[111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de Si

Chap: IV -82-
 25
2. Couleurs dues à des impuretés

(semi-conducteurs extrinsèques)

BC

Défauts dans la bande interdite donneur

accepteur

BV

Eg = 5,4 eV
exemple du diamant
incolore

Chap: IV -83-
 Diamant jaune
B.C.
Impureté N C = 12 e
e-
N = 13 e N

4 eV Ed = 2,2 ev

5,4eV

niveau donneur 4 eV N donneur

5,4 eV

B.V.

transition N bande de conduction

bande d’impureté large
absorption dans le violet (2,2 eV) jaune

Chap: IV -84-
 Diamant bleu ‘Hope’
e-
C = 12 e
Impureté B
B = 11 e B

niveau accepteur 0,4 eV 5,4 eV

transition bande de valence B

absorbe dans le rouge bleu

Chap: IV -85-
 CdS- CdSe même structure wurtzite

1 eV 3 eV

CdS CdSe

CdS1-xSex
DE = 2,6 eV
DE = 1,6 eV
jaune
noir

Orange de cadnium = CdS0,25Se0,75

Chap: IV -86-
 30
Sulfo-séléniures de cadmium

Orange de cadnium = CdS0,25Se0,75

Chap: IV -87-
 ZnS
ZnSe
Eg = 3,6 eV
Zn Eg = 2,58 eV S

Cd Se

CdS CdTe

Eg = 2,42 eV Eg = 1,50 eV

Chap: IV -88-