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Ministère de l’Enseignement Supérieur

et de la Recherche Scientifique
Université de Tunis Manar
Faculté des Sciences

Mastère Professionnel en Systèmes des


Télécommunications & Réseaux

Cours de communications optiques


Chapitre 3 : Les Photodiodes
Récepteurs optiques
Les photo-détecteurs
 Les photodiodes sont les dispositifs de détection les plus utilisés en
photonique. Elles sont fabriquées à base de matériaux semi-conducteurs.
 Le processus de détection se résume de la manière suivante:
 Absorption de photons par le matériau et génération de paires électron-trou.
 Dérive des porteurs de charge sous l’effet d’un champ électrique interne
suffisant (due à la polarisation inverse).
 Collecte des porteurs de charge aux électrodes de contact du composant.
 Génération d’un photon-courant proportionnel à la puissance optique
incidente.
 La photo-détecteurs convertit le signal optique dans le domaine
électrique.

Communications optiques 2
Caractéristiques d'une photo-détection
 Tout photon ne subira pas automatiquement la photo-détection.
 Tout d'abord, il doit posséder une énergie Ephoton égale ou supérieure à la hauteur
de la bande d'énergie interdite Eg pour faire passer l'électron de la bande de
valence à la bande de conduction. Cela implique une longueur d'onde de coupure
c l au-delà de laquelle le matériau devient transparent à ce rayonnement. c l est
déterminée par l'énergie de bande interdite Eg du semi-conducteur selon la
relation suivante :

 Ensuite, il peut traverser le détecteur sans être absorbé. Le coefficient


d'absorption du semi-conducteur est donc un facteur essentiel qui va déterminer
le rendement du photo-détecteur.

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Responsivité: sensibilité spectrale
 La responsivité R d’une photodiode caractérise sa performance en terme de
photo-courant généré (I) par une puissance optique (Pin) à une longueur d’onde
donnée:
photocourant( A) I
R  Responsivité
Puissance optique incidente (W ) Pin
e e
R  
h hc

η :le rendement quantique

Courbes de sensibilité et de rendement selon les longueurs d'onde pour


divers matériaux.
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Les photodiodes
 Le plus simple détecteur est la photodiode PIN. Un photo-détecteur PIN
comprend une jonction p-n avec une couche de matériau intrinsèque pris en
sandwich entre les matériaux dopés p et n. La photodiode est utilisée dans
un montage en polarisation inverse.
 Un autre type de photodiodes est le photo-détecteur à avalanche (APD).
 Une couche supplémentaire est ajoutée à la photodiode PIN qui fournit un gain
grâce à la multiplication par effet d’avalanche des paires électron-trou générées
dans cette couche.
 Le gain APD est appelée gain d'avalanche ou facteur de multiplication et il est
désigné par la lettre M. Une valeur typique de M pour une APD InGaAs est 10. Le
courant électrique fourni par une photodiode APD est donné par :

Structure de base d’une photodiode PIN.


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Les photodiodes
 La photodiode PIN est plus stable que l'APD en présence des fluctuations de
température et de la tension appliquée. Un autre avantage de la photodiode
PIN est qu'elle nécessite une tension de polarisation inférieure. Cependant, le
gain de l'APD est 10 à 1000 fois supérieur à celui de la photodiode PIN.
 Aujourd.hui, les photodiodes PIN et APD utilisées dans les communications
par fibres optiques ont une bande passante électrique allant supérieure à 60 GHz
et couvrent toutes les fenêtres de longueurs d'onde.
 Certaines caractéristiques d'une photodiode PIN commercialement disponibles
sont données dans tableau

Spécifications d'une photodiode PIN

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Bruits des photo-détecteurs
 Les récepteurs optiques convertissent la puissance optique incidente
Pin en courant électrique à travers une photodiode.
 Le photo-courant généré comprend non seulement le signal reçu, mais
aussi le bruit généré par la photodiode.
 Au niveau du photo-détecteur, plusieurs bruits sont générés notamment:
 le bruit thermique,
 le bruit de courant d’obscurité,
 le bruit quantique
 le bruit de battement.

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