Chapitre 2.

Bandes d’énergie dans les semi-conducteurs.

2.1 Introduction :

Objectifs du chapitre :
• Description des courbes de dispersion des semi-conducteurs usuels.

• Simplification de ces courbes.

Notions indispensables de physique du solide :

ℏ2 k 2
• Relation de dispersion e- libre: E( ⃗k )= +V 0
2m 0
• Modèle de l’e- quasi-libre + potentiel périodique.

• Zones de Brillouin, Schéma de zone étendue, réduite…

2
• Densité d’état en k par unité de volume : D(k )=
(2 π )3
3 /2
1 2 m0
• Densité d’état en énergie: D( E)= 2 [ 2 ] √(E−V 0)
2π ℏ
• Probabilité d’occupation d’un niveau E donnée par la statistique de Fermi-Dirac :

1
f D ( E ,T )= , avec T : température et μ : potentiel chimique, souvent noté Ef dans les
E−μ
1+ exp
K BT
ouvrages sur les semi-conducteurs.

Vitesse de l’électron ⃗ =V⃗g= 1 ∇

V ⃗
• ℏ k (E) (vitesse de groupe)
1 ∂2 E −1
• Tenseur de masse effective de l’électron : [me] : m = 2 eij
ℏ ∂ k i ∂k j

2.2 Structures de bandes d’énergie des semi-conducteurs usuels.

Les photocopies suivantes (prises du Mathieu) illustrent les relations de dispersions du Si, Ge,
GaP et GaAs selon les deux directions de haute symetrie Δ (100) et Λ (111). Les surfaces d’énergie
constante autour des minima locaux des bandes de conduction de chaque matériau sont aussi
représentées. La première zone de Brillouin d’un cristal CFC et les notations adoptées dans les
représentations sont également rappelées.
1) Bande de valence (BV) :
Pour tous les matériaux présentés, on note la présence de 4 branches de valence, avec parfois
la superposition des 2 branches supérieures(cas du Si, GaP). Cette dégénérescence de branche est
caractéristique des directions de haute symetrie. Pour tous les matériaux présentés, le sommet de la
BV est au point Г (centre de zone), Le point Г étant unique, on a un seul sommet de la BV.
L’énergie du sommet est notée Ev.
L’allure des courbes en ce point indique que les masses effectives sont négatives. (concavités
négatives).

2) Bande de conduction (BC) :

Le minimum des branches de conduction est repéré par un vecteur k0, et le nombre de minima
dans la 1ere Z.B s’obtient par des considérations de symétrie. La valeur de l’énergie en ces points est
notée Ec. La bande interdite est donnée par : Eg = Ec-Ev
a) cas du silicium :
Le minimum de la BC est dans la direction Δ au point ko= 0.85 Kx.
La symétrie cubique implique l’existence de 6 directions Δ équivalentes: Le silicium a donc
6 vallées Δ. (Cas unique)
Les surfaces d’énergie constante au voisinage de Ec, définies par le lieu géométrique des
points (k) tels que E( ⃗k )=Ec+ ϵ , ϵ →0 , sont des (6) ellipsoïdes de révolution oblongs
d’axe principal parralèle à k0 , ce qui signifie que les concavités de E(k) sont plus faibles
dans la direction k0 comparées aux directions transverses.
b) cas du germanium :
Le minimum de la BC est au point L (extrémité de la 1ere zone de Brillouin dans la
direction Λ). La symétrie cubique implique l’existence de 8 points L équivalents dans la
1ere Z.B. : Le germanium a donc 8 x1/2 = 4 vallées L. (Cas unique)
NB : On divise par 2 car a chaque point L, extrémité de zone, on a uniquement une moitié
de vallée dans la 1ere Z.B.
Les surfaces d’énergie constante au voisinage de Ec sont des ellipsoïdes de révolution
oblongs d’axe principal k0 , ce qui signifie que les concavités de E(k) sont plus faibles dans
la direction K0 comparées aux directions transverses. Dans la figure, les 8 demi-ellipsoïdes
ont été translaté pour former 4 ellipsoïdes.
c) Cas du GaP.
Minimum au point X, extrémité de zone dans la direction Δ.
On dira donc que le GaP est un semi-conducteur à 3 vallées X. (cas aussi de AlP, AlAs et
AlSb)
 d) Cas du GaAs.
Minimum au point Г , centre de zone.
Le GaAS est dit Uni-vallée. Ceci est la cas de la majorité des semi-conducteurs binaires.
Les courbes de dispersion sont isotropes au point Г, et les surfaces d’énergie constante au
voisinage de Ec sont des sphères.

3) Nature du Gap.
En fonction des positions des extremums de bande dans l’espace (k) , on peut avoir deux
configurations de bande interdite (ou Gap) :
Gap direct : Le minimum de la BC coïncide (dans l’espace réciproque) avec le sommet de la
BV. (c’est le cas du GaAs dans les photocopies ci-dessus). Les transitions électroniques :
sommet BV ↔ minimum BC s’effectuent avec conservation de vecteur d’onde et sont dites
directes. Ces transitions peuvent se faire en associant uniquement un photon pour assurer la
conservation de l’énergie.

Gap indirect : cas opposé au précédent (Si, Ge, GaP ). Les transitions électroniques
(sBV ↔ mBC) doivent associer une autre particule que le photon pour respecter la règle de
conservation de vecteur d’onde car Kphoton est négligeable. La particule associée est en général un
phonon.
La nature du Gap jouent donc un rôle important en opto-électronique.

4) Masse effective :
Paramètre tensoriel déduit des courbes de dispersion qui permet de considérer l’électron comme
une particule libre et de calculer la réponse dynamique des e- à une action extérieure.

ℏ2
me =
ij
∂2 E
∂ k i ∂k j

a) Bande de Valence
• Le sommet étant au point Г, avec une dégénérescence de branches. En supposant
l’isotropie des branches (en réalité, il y’a une légère anisotropie). Les masses effectives
ℏ2
deviennent scalaires et négatives (concavité des courbes vers le bas) : me =
∂2 E
∂ k2
• les concavités des branches étant différentes, on aura plusieurs valeurs de masses effectives,
associées aux particules trous ‘lourd’ ( concavité faible) et ‘légers’ (concavité importante),
S’il y a une branche de valence dont le sommet est légèrement plus bas en énergie, on
parlera de trou ‘split-off’.
 E

Г
K
EV

mhh
mlh
ms-o

Fig. 2.1 : Sommet de la Bande de Valence

avec les branches de trous lourds («heavy
hole : mhh), léger (mlh) et split-off (ms-o).

b) bande de conduction.
• Cas uni-vallée : La masse effective est scalaire et positive. Valeur relativement
faible, vu la concavité importante de la branche de conduction.
• Cas multi-vallées : En se plaçant dans le système d’axes principaux des vallées
(k’x, k’y, k’z), on peut écrire la relation de dispersion au voisinage de K0 :

E( ⃗k ')−E c= α ( k ' 2z )+ β (k '2x + k ' 2y ) . Dans ce système d’axes, le tenseur de masse

ℏ2
effective est diagonal et s’écrit en fonction des paramètres ml= et
∂2 E
∂k 2z

mt 0 0
ℏ2
mt= 2 = 2
∂ E ∂ E
ℏ2

∂ k 2x ∂ k 2y
|
sous la forme : [me ]= 0 mt 0
0 0 ml |
2.3 Paramètres physiques de la pseudo-particule ‘trou’
Considérons une branche de valence ayant au voisinage du sommet un seul état électronique vacant
en K ⃗ = K⃗ v cet état vacant est caractérisé par une vitesse de groupe V⃗v . Les états électroniques
sont caractérisées au voisinage du sommet de la BV par une masse effective négative me.
Du fait de la symétrie d’inversion, en sommant sur tous les états occupés de la branche, on
obtient :

∑branche K⃗ =− K⃗ v et ∑branche V⃗ =− V⃗v .

ce qui indique que d’un point de vue interaction (conservation de K) et transport de charge , cette
branche ayant un état vacant ( K⃗v , V⃗v ) est équivalente à un seul électron ayant les propriétés

K⃗ e =− K⃗ v et V⃗e =−V⃗ v

De plus, l’énergie du système ( électrons de la branche) augmente lorsque l’énergie de l’état vacant
diminue.
Pour simplifier le système physique des (N-1) électrons constituant la branche, on introduit la
pseudo-particule trou de charge +e dont les paramètres physiques sont liés au paramètres de l’état
vacant par :
• charge du trou : qt= +e
• masse effective du trou : mt = - mv =-me
• vecteur d’onde du trou : K⃗ t =− K⃗v

• vitesse du trou : V⃗ t =V⃗v

• L’énergie du trou varie en sens inverse de celui de l’état vacant

BV trou

Trou

K
Kv Kt
État vacant
BV e-

Fig. 2.2 : Correspondance entre état

électronique vacant (BV) et la particule
trou.
2.4. Densités d’état au voisinage de Ec et Ev.

En effectuant un développement limité à l’ordre 2 au voisinage d’un extremum E0 ( K⃗ 0) , on

obtient :

2
⃗ )=E ( K⃗ 0 )+ 1 ∑ ∂ E2 ( K i−K oi )2 ………………………………………...Eq. 2.1
E( K
2 i ∂ Ki

2.4.1 Bande de Conduction au voisinage de Ec :

a) Cas uni-vallée.
Dans le cas uni-vallé, le minimum est au point Г et la vallée est isotrope. Ce qui entraîne que les
dérivées partielles précédentes sont identiques (indépendantes de la direction) et peuvent
s’exprimer en fonction de la masse effective me :

∂2 E ∂2 E ℏ 2
= = , et K⃗ 0=Γ (centre de zone).
∂ K 2i ∂ K 2 me

ℏ2 2
L’équation 2.1 s’écrit: E( K K , relation analogue à celle d’un électron libre de
⃗ )=E c +
2 me
masse me, différente de la masse de l’électron au repos m0.
Ce qui permet d’écrire la densité d’état, par analogie, au voisinage de Ec :
3/ 2
1 2 me
N C (E)= 2 ( 2 ) √( E−EC )
2π ℏ

b) Cas multi-vallées.

En se plaçant dans le système d’axes propres d’une des n vallées, qui en général sont différents des
axes de la zone de Brillouin, on peut exprimer le développement limité (Eq. 2.1) à l’aide des deux
masses effectives mt et ml. Dans ce repère, le vecteur d’onde repérant la vallée a pour composantes

k⃗0 ( 0,0 , k 0 z ) , ce qui donne donc :

ℏ2 2 2 ℏ2 2
E( ⃗k )=Ec + ( k x +k y )+ (k −k )
2 mt 2m l z 0 z

Cependant, on peut effectuer une transformation de l’espace (K) pour ce ramener à une expression
similaire à celle de l’électron libre (où les surfaces E=constante sont sphériques).
 kx

kz

k0
ky
Г
X

Figure 2.3 : Axes propres de la vallée

repérée par le vecteur K0

Pour rendre sphérique l’ellipsoïde (Fig. 2.3), on peut envisager 2 transformations de l’espace (K) :
- Contraction de de la direction kz
-Dilatation des directions kx et ky
Pour implémenter la 2eme méthode on récrit l’équation précédente sous la forme :

ℏ2 m l 2 2
E( ⃗k )=Ec + ( (k + k )+(k z−k 0 z )2) . On introduit la base (k’x, k’y, k’z) par :
2 ml mt x y

ml m
k ' x=
√
mt
dispersion devient :
√
k x ; k ' y = l k y ; k ' z=k z . Dans cette base, le vecteur k0 est inchangé. la relation de
mt

ℏ2 2 2 2 ℏ2 ⃗ ⃗ 2
E( ⃗k )=Ec + ((k ' x +k ' y )+(k ' z−k ' 0 z ) )=Ec+ ( k '− k ' 0 ) (Eq. 2.2)
2 ml 2 ml
2
La densité d’état électronique (spin inclu) en (k) est connue : 3
N (k )=
, Dans l’espace (k’),
( 2 π)
il faut déterminer N(k’) car cell-ci est modifiée par la transformation géométrique.
Cependant, les densités d’état N(k) et N(k’) sont reliées par : N (k )k x k y k z=N (k ') k ' x k ' y k ' z ,
car le nombre d’état électronique est conservé dans la transformation géométrique.
mt 2 mt
Ce qui donne, en utilisant les relations de changement de base : N (k ' )=N (k ) =
ml (2 π )3 ml

La connaissance de la densité d’état en (k’) nous permet de calculer la densité d’état en énergie en
suivant une démarche identique à celle utilisée dans le cadre de l’électron libre :

• Nombre d’état N dans une sphère de centre repéré par ⃗

k ' o et de rayon |⃗k '−⃗k ' 0|
2 4 ⃗ ⃗ 3
N=N ( k ') x V sphère = π|k '− k ' 0|
(2 π ) 3
3
 • En utilisant la relation de dispersion dans (k’) (Eq2.2) pour remplacer le rayon en fonction
de l’énergie E, on obtient après simplification :
1 2
3
1 (2(mt ml2 ) 3 ) 3
N= 2 ( 2
) 2 (E−E C ) 2 N correspond donc au nombre d’état électronique,
3π ℏ
dans la vallée considérée, ayant une énergie comprise entre E et EC
• Le nombre total d’états s’obtient en multipliant par le nombre n de vallée de la bande de
1 2
3
1 (2( nmt ml2 ) 3 ) 3
condition : N t =n N= ( ) 2 ( E−E C ) 2
3 π2 ℏ2
• La densité d’état en énergie s’obtient aisément:
3
dN t 1 2 mC 2
N C (E)= = ( ) √ E−EC Relation analogue à celle de l’électron libre, avec
dE 2 π 2 ℏ2
1
2 2/ 3
m C =(n mt m ) l masse effective de densité d’état de la bande de conduction. Relation
valable également dans le cas uni-vallée.

2.4.2 Bande de valence

En supposant l’isotropie des branches de valence au voisinage de EV (c.a.d au voisinage du point
Г), on peut écrire les relations de dispersion à l’aide des masses effectives des trous mlh et mhh
(positives):
3/2
1 2 mlh, hh
N lh ,hh ( E)= 2 ( ) √( E V −E) , la densité d’état totale s’obtient en additionnant les
2π ℏ2
3/ 2
1 2m V
contributions des 2 branches : N V ( E)=N lh ( E)+ N hh (E) , N V (E)= ( ) √( E V −E) ,
2 π2 ℏ2

avec m3/V 2=m3lh/2 +m3/hh2 , masse effective de densité d’état de la bande de valence.

2.5 Masses effectives de conductivité.

a) Électrons de la bande de conduction.

n q2e τ
Dans le cas uni-vallée, il est évident que la conductivité s’écrit simplement σ = , avec me
me
avec masse effective de l’e-
Dans le cas d’une bande de conduction multi-vallée, le calcul est moins évident. La réponse
(accélération) des électrons à un champ externe ⃗ E s’obtient en utilisant la masse effective
tensorielle de la vallée, ce qui implique une conductivité tensorielle de la vallée j⃗V =[ σ ]v E
⃗ .
Cependant, en sommant les réponses des n vallées (exprimées dans une me base), on doit retrouver
une conductivité scalaire dans le cas des semi-conducteurs cubiques (isotropes) : Σ [ σ ] v =σ [I ] ,
avec [I] tenseur identité.
Ceci peut se démontrer pour tous les cas rencontrés dans les semi-conducteurs cubiques vus
précédemment (6 vallées Δ, 3 vallées X , 4 vallées L).
Nous allons illustrer cela par un cas simple , le cas du silicium ( 6 vallées Δ) soumis à un champ
parallèle à la direction (100). Ce champ est longitudinal par rapport à 2 vallées (réponse en
fonction de ml) et transverse par rapport aux 4 autres ( réponse en fonction de mt). Voir figure 2.4.
Chaque vallée contient un sixième des électrons de la bande de conduction.

On a :
⃗j= ⃗
j x+ ⃗
jy+ ⃗
j z , avec ⃗j i=[ σi ] ⃗
E z
⃗j=([ σ x ]+[ σ y ]+[ σ z ]) E
⃗

Dans le système d’axe représenté, on a :

m−1 0 0
n 2
[ σ x ]= qe τ 0
6
0[
l
−1
mt 0
0 m−1
t
] y

x
m−1 0 0
n 2
6 [
[ σ y ]= qe τ 0
0
t
−1
ml 0
0 m−1
t
] et

Figure 2.4 : Vallées Δ du silicium.

−1
mt 0 0
n 2
6 [
[ σ z ]= q e τ 0
0
−1
mt 0
0 m−1
l
]
En sommant les tenseurs de conductivité, on obtient aisément :
⃗ =n q 2e τ 1 ( 1 + 2 ) E
J⃗ =(Σ i [ σ ]i ) E ⃗ . ( Conductivité scalaire)
3 ml mt

1 1 1 2
En définissant la masse effective de conductivité (de la BC) mec par = ( + ) , on peut
mec 3 ml mt
écrire la conductivité due aux électrons de conduction de la BC d’une façon similaire au cas d’un
n q2 τ
électron libre de masse effective mec σ e=
m ec

Ce résultat est valable pour tous les matériaux cubiques.

b) Trous de la bande de valence.
Pour chaque type de trous, la conductivité dépendra de la masse effective (mlh, mhh), et de la
p l ,h q2e τ
concentration (ph, pl): σl , h= . En tenant compte du fait que les concentrations sont
m lh, hh
proportionnelles aux densités d’état et donc aux masses effectives puissance (3/2), il est aisé
d’exprimer la conductivité totale de la BV en fonction d’un paramètre mev défini par :

m 3/lh 2+ m3lh/ 2 p q2 τ
m ev = 1/ 2 1 /2 qui permet d’écrire σ p =σl + σh= .
m lh + mlh m ev