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Energie solaire photovoltaïque Chapitre03

Chapitre 3 :

ENERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE

I. Historique
Quelques dates importantes dans l’histoire du photovoltaïque :
• 1839 : Le physicien français Edmond Becquerel découvre le processus de l’utilisation de
l’ensoleillement pour produire du courant électrique dans un matériau solide. C’est l’effet
photovoltaïque.
• 1875 : Werner Von Siemens expose devant l’Académie des Sciences de Berlin un article sur
l’effet photovoltaïque dans les semi-conducteurs. Mais jusqu’à la Seconde
Guerre Mondiale, le phénomène reste encore une curiosité de laboratoire.
• 1954 : Trois chercheurs américains, Chapin, Pearson et Prince, mettent au point une cellule
photovoltaïque à haut rendement au moment où l’industrie spatiale naissante cherche des solutions
nouvelles pour alimenter ses satellites.
• 1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % est mise au point. Les premiers satellites alimentés
par des cellules solaires sont envoyés dans l’espace.
• 1973 : La première maison alimentée par des cellules photovoltaïques est construite à
l’Université de Delaware.
• 1983 : La première voiture alimentée par énergie photovoltaïque parcourt une distance de 4 000
km en Australie.

II. Processus de fabrication

Figure 3.1 : Processus de fabrication des cellules photovoltaïque.


Le silicium est actuellement le matériau le plus utilisé pour fabriquer les cellules photovoltaïques
disponibles à un niveau industriel. Le silicium est fabriqué à partir de sable quartzeux (dioxyde de
silicium). Celui-ci est chauffé dans un four électrique à une température de 1700 °C. Divers
traitements du sable permettent de purifier le silicium. Le produit obtenu est un silicium dit
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métallurgique, pur à 98% seulement. Ce silicium est ensuite purifié chimiquement et aboutit au
silicium de qualité électronique qui se présente sous forme liquide, puis coulé sous forme de lingot
suivant le processus pour la cristallisation du silicium, et découpé sous forme de fines plaquettes
(wafers). Par la suite, ce silicium pur va être enrichi en éléments dopants (bore, phosphore) lors de
l'étape de dopage, afin de pouvoir le transformer en semi-conducteur de type P ou N. La diffusion
d’éléments dopants modifie l’équilibre électronique de ces plaquettes (wafers), ce qui les
transforme en cellules sensibles à la lumière.
La production des cellules photovoltaïques nécessite de l'énergie, et on estime qu'une cellule
photovoltaïque doit fonctionner pendant plus de deux ans pour produire l'énergie qui a été
nécessaire à sa fabrication.

Le silicium peut être à l’état massif, il est dit dans ce cas cristallin, du fait de sa structure ordonnée.
Il est produit sous forme de barreaux purifiés, de section ronde ou carrée, qui sont ensuite découpés
en plaquettes d’environ 0,2 mm d’épaisseur, de dimensions 12* 12 ou 15* 15 cm par exemple.
Selon la technologie employée, ce silicium cristallin peut être :

• monocristallin : les photopiles sont • poly (ou multi) cristallin : il est constitué
formées d’un seul cristal ordonné. Ce de cristaux de 1 mm à environ 2 cm
matériau est fabriqué en barreaux étirés à assemblés, appelés « grains ». Ce matériau,
partir d’un germe, ou recristallisés à haute moins onéreux, est élaboré dans de grands
température ; creusets industriels par fonte et
refroidissement de blocs de silicium purifié.

Figure 3.2 : Le silicium mono et poly cristallin.


Dans les deux cas, le silicium est ensuite découpé en tranches par des scies à fil.

Le silicium amorphe a une structure atomique désordonnée, c’est-à-dire non cristallisée, ou


vitreuse. Cependant, il possède un coefficient d’absorption de la lumière environ mille fois
supérieur à celui du silicium cristallin. Une fine couche de 0,3 µm (= 0,0003 mm) est donc
suffisante pour absorber l’essentiel du spectre visible.

Dans cette technologie, le silicium est produit


directement sur une plaque de verre, à partir du gaz
silane SiH4 (qui constitue la matière première).
Les plaques de verre sont placées dans une enceinte
chauffée où l’on fait le vide. Puis du silane est injecté
et décomposé par une décharge radiofréquence. Le
silicium libéré se dépose alors sur les plaques. La
présence d’hydrogène (H) est également nécessaire
pour la qualité du matériau.

L’adjonction des dopants (pour réaliser les couches p


et n), est réalisée par ajout de gaz PH3 (phosphine) ou
B2H6 (diborane) au silane. Figure 3.3 : Le silicium amorphe.

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Tableau3.1 : Comparatif des différentes technologies

III. Principe de fonctionnement


III.1- L’effet photovoltaïque
L’effet photovoltaïque constitue la conversion directe de l'énergie du rayonnement solaire en
énergie électrique.
Le terme photovoltaïque vient du grec " phos, photos " qui désigne la lumière et de " voltaïque ",
mot dérivé du physicien italien Alessandro VOLTA, connu pour ses travaux sur l’électricité.
Le principe de fonctionnement de cette cellule fait appel aux propriétés du rayonnement et celles
des semi-conducteurs.
III.1.1- Energie lumineuse :
La lumière est constituée de photons vibrant à des fréquences f et sont donc porteurs d’une énergie
H est la constante de Planck (h = 6,62·10-34 Js)
E = h× f f la fréquence de l’onde lumineuse en Hertz
E l’énergie de ce photon en Joules

Remarque : L’unité couramment employée est l’électron volt :Unité de mesure représentant
l’énergie cinétique d’un électron, accéléré dans le vide sous une différence de potentiel de 1
1, 2419
Volt: 1 eV = 160,217 . 10-21 Joule = 44,505 . 10-24 Wh. Alors E( eV ) =
λ( µm )
La conversion de photons en électrons dans un matériau pouvant produire un courant électrique
nécessite que :
- les photons soient absorbés par le matériau (absorption optique) en transmettant leur énergie au
matériau ;
- l’énergie transmise aux électrons soit une énergie potentielle et non une énergie thermique ;
- les électrons excités par les photons soient collectés avant de reprendre leur énergie initiale
(relaxation), afin de fournir un courant électrique.

III.1.2- Principe de conduction dans un matériau


Les atomes sont constitués de noyaux et d’électrons qui gravitent autour.
Pour qu’un matériau conduise l’électricité il faut que des électrons soient capables de se déplacer.
Les électrons possèdent une certaine quantité d’énergie qui est quantifiée.
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Il existe donc des niveaux d’énergie auxquels appartiennent les électrons.


Ces niveaux d’énergies se découpent ainsi

La bande de valence : (ayant 2 électrons) les électrons qui s'y trouvent participent aux liaisons
entre les atomes.
La bande de conduction : les électrons qui s'y trouvent sont mobiles et peuvent bouger d'un atome
à l'autre si on leur applique un champ approprié, ils participent donc à la conduction électrique c'est
le déplacement de ces électrons là qui est responsable du courant électrique.
La bande interdite ou GAP la gamme d'énergie auxquelles les électrons n'ont pas accès (il n'y a
pas de niveau d'énergie dans cette gamme),.
Le niveau de Fermi correspond à l'énergie limite qui sépare, au zéro absolu, les niveaux occupés
des niveaux vides. Cette énergie est caractéristique du matériau.
Energie Energie Energie

Bande de
conduction
EC
Bande de
GAP Bande conduction
interdite Bande de GAP
EV Niveau de Fermi
Bande de conduction Bande de
valence valence

Isolant Métal Semi conducteur


Figure3.4 : Principe de conduction dans un matériau

Dans un métal, le gap est nul ; il y a continuité entre les bandes de valence et celles de conduction,
il y a donc toujours des électrons susceptibles de conduire le courant.
Dans un isolant, la dernière bande de valence est pleine, et le gap est énorme : il n'y a donc aucune
chance d'exciter un électron pour qu'il passe dans la bande de conduction (l'énergie requise est trop
importante et ferait fondre le matériau avant qu'il ne commence à conduire).
Pour les semi-conducteurs, à température nulle (= 0 Kelvin) ce sont des isolants : bandes de
valence pleines, et bandes de conduction vides. Mais un apport d’énergie faible (thermique ou
lumineuse) suffit à faire passer des électrons dans la bande de conduction car le gap est très faible
(de l'ordre de l'eV) : le matériau devient ainsi conducteur.

III.1.3-Principe de la cellule photovoltaïque


Lorsqu’un matériau est exposé à la lumière du soleil, les atomes exposés au rayonnement sont
" bombardés " par les photons constituant la lumière; sous l’action de ce bombardement, les
électrons des couches électroniques supérieures (électrons des couches de valence) ont tendance à
être " arrachés / décrochés " :
 si l’électron revient à son état initial n’ayant réussi à Energie
franchir le GAP l’agitation de l’électron se traduit par un
Photon E=hf> E gap
échauffement du matériau. L’énergie cinétique du photon Bande de
est transformée en énergie thermique. conduction

 par contre, dans les cellules photovoltaïques, une partie


des électrons ne revient pas à son état initial. Les E =1 à 2 eV gap Photon E=hf< E gap

électrons " décrochés " passent le GAP et vont dans la


bande de conduction et créent une tension électrique
continue faible. Une partie de l’énergie cinétique des Bande de valence
photons est ainsi directement transformée en énergie Figure3.5 : Principe de la cellule
électrique : c’est l’effet photovoltaïque. photovoltaïque

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Dans notre cas il faut donc que l’énergie lumineuse soit supérieure à l’énergie nécessaire pour
franchir le GAP. Dans ce cas l’électron se retrouve dans la bande de conduction.
Les photons absorbés dont l'énergie est supérieure à l'énergie du gap vont libérer un électron
négatif, laissant un "trou" positif derrière lui. Pour séparer cette paire de charges électriques de
signes opposés (positive et négative) et recueillir un courant électrique, il faut introduire un champ
électrique, E, de part et d'autre de la cellule.
III.1.4- Le dopage
La méthode utilisée pour créer ce champ est celle du "dopage" par des impuretés c'est-à-dire leur
ajouter un autre atome à une certaine concentration, dont une bande d'énergie va se trouver
exactement dans la bande interdite du semi-conducteur. Deux types de dopage sont possibles:

Le dopage de type N (négatif) consiste à introduire dans la structure cristalline semi-conductrice


des atomes étrangers qui ont la propriété de donner chacun un électron excédentaire (charge
négative), libre de se mouvoir dans le cristal. C'est le cas du phosphore (P) dans le silicium (Si).
Dans un matériau de type n, on augmente fortement la concentration en électrons libres. Ainsi le
dopant va ajouter une bande d'énergie dotée d'électrons près de la bande de conduction ainsi,
l'énergie nécessaire pour que les électrons passent dans la bande de conduction est bien plus
facilement atteinte.

Figure 3.6 : Le dopage de type N.

Dans le cas d'un dopage P (positif), on utilise des atomes dont l'insertion dans le réseau cristallin
donnera un trou excédentaire. Le bore (B) est le dopant de type p le plus couramment utilisé pour
le silicium. Le niveau d'énergie ajouté se situera près de la bande de valence et sera doté de trous,
c'est-à-dire que cette bande agira comme un ion positif manquant d'électrons.

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III.4. Caractéristiques électriques d’un panneau photovoltaïque


• Influence de la température
L’influence de la température est non négligeable sur la caractéristique courant-tension d’un
semi-conducteur.
Pour le silicium, lorsque la température augmente, le courant augmente d’environ 0,025
mA/cm2/°C alors que la tension décroît de 2,2 mV/°C/cellule.

Figure 3.10 : Influence de la température

• Influence de l’ensoleillement

La tension (V) aux bornes de la jonction varie peu car elle est fonction de la différence de
potentiel à la jonction N-P du matériau lui-même (pour le silicium monocristallin, elle est de
590 mV pour Tj = 25 °C)
La tension de circuit ouvert ne diminuera que légèrement avec le flux lumineux

Figure 3.11 : Influence de l’ensoleillement

La puissance crête (en Wc) est une donnée normative .Elle correspond à la puissance
maximale que peut délivrer un module dans les conditions standards. Cette puissance
permet de comparer les modules entre eux.
• Les conditions standards de test sont:
– Éclairements 1000W/m²
– Température 25°

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– Air masse 1,5 (AM 1,5) AM, Abréviation anglaise de Air Masse. Répartition spectrale de
l’éclairement (spectre de la lumière solaire après avoir traversé une épaisseur d’air
correspondant à 1,5 fois l’épaisseur de l’atmosphère)

Le rendement d’un module est: η= Pcrête/1000.S

IV- Les différentes installations de générateurs photovoltaïques

IV.1. Installations électriques photovoltaïques autonomes

En site isolé le champ photovoltaïque peut fournir directement l’énergie électrique nécessaire
pour faire fonctionner les récepteurs (éclairage et équipement domestique). Un système de
régulation et une batterie d’accumulateurs permettent de stocker l’énergie électrique en l’absence
de soleil.
Les batteries sont utilisées pour stocker l’énergie électrique sous une forme chimique. Elles
restituent l’énergie électrique au besoin selon ses caractéristiques:
Le régulateur de charge a pour fonction principale de protéger la batterie contre les surcharges et
les décharges profondes. Il est un élément essentiel pour la durée de vie de la batterie.
La majorité des populations à l’écart des réseaux électriques vit dans des zones rurales, où
l’implantation de tels réseaux est difficile, pour des raisons d’accès ou de moyens. Les systèmes
photovoltaïques constituent alors une option intéressante, ils donnent aux populations un accès à
l’électricité avec un coût, une maintenance et des difficultés de mise en oeuvre réduits.

Panneaux solaires

Onduleur
Récepteur alimenté en
Régulateur courant alternatif

Récepteur alimenté en
Batteries courant continu
Figure 3.12 : Installations électriques photovoltaïques autonomes

En site isolé on peut utiliser des récepteurs fonctionnant en courant alternatif. Dans ce cas,
l’installation comprendra un onduleur.
Un onduleur est un dispositif électronique et statique qui convertit le courant électrique continu en
courant alternatif avec la fréquence souhaitée.

IV.2. Installations électriques photovoltaïques raccordées au réseau

IV.2.1 Installation PV raccordée au réseau sans avec injection des excédents de production

Le propriétaire de l’installation doit établir deux contrats pour être en mesure de vendre une partie
de l’électricité photovoltaïque produite à tarif bonifié :
• un contrat de raccordement au réseau public de distribution de l’électricité,
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• un contrat d’achat de l’électricité par «l’acheteur » (STEG).


Deux compteurs d’énergie sont nécessaires :
Un compteur comptabilise l’énergie achetée au fournisseur d’énergie (STEG) et un autre compteur
mesure l’énergie renvoyée sur le réseau électrique lorsque votre production dépasse votre
consommation.
Le compteur de vente qui enregistre le courant injecté est installé sur la partie de ligne appartenant
au réseau de distribution publique.

Panneaux solaires
Réseau STEG
Compteur Compteur
Onduleur consommateur producteur

Récepteur alimenté en
courant alternatif

Figure 3.13 : Installation PV raccordée au réseau sans avec injection des excédents de production

IV.2.1 Installation PV raccordée au réseau avec injection totale de l’énergie produite.

La tête de l’installation comprendra 2 compteurs :


- un pour compter l’énergie d’origine photovoltaïque produite (« comptage énergie produite par le
client »),
- un pour compter l’énergie achetée au fournisseur et consommée par les récepteurs de
l’installation (« comptage énergie fournie au client »),

Panneaux solaires
Réseau STEG
Compteur
Onduleur producteur

Compteur
Récepteur alimenté en consommateur
courant alternatif

Figure 3.14 : Installation PV raccordée au réseau avec injection totale de l’énergie produite.

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V- Dimensionnement d’une installation solaire photovoltaïque en site isolé

V.1- Estimation des besoins journaliers en électricité ( en Wh/j)

Etablir un bilan énergétique des appareils à alimenter:


• Tension de fonctionnement: 12V, 24V, 48V
La tension de fonctionnement dépend des différents composants disponibles sur le marché
(module, régulateur, batterie,…).

Puissance (W) Tension de fonctionnement (Tfcc)


0- 500 12
500- 1000 24
Plus de 1000 48 ou 60
• Puissance nominale des récepteurs : Pn
• Nombre d’heures d’utilisation par jour : Nhj
 BESOIN EN ENERGIE JOURNALIER BJ en Wh/jour

Bj (Wh / j ) = Pn (W ) * Nhj ( h / j )
V.2- Estimation de la capacité de stockage requise (en Ah) en fonction de
l’autonomie désirée

On détermine une durée d’autonomie des batteries afin d’alimenter les récepteurs sans l’aide des
modules photovoltaïques: nombre de jours d’autonomie (NjA).
On fixe un degré de décharge des batteries à ne pas dépasser : PDD: Profondeur de décharge
imposée par les performances des les batteries généralement varie entre 50% à 70% pour les
batteries solaires et seulement 30 % pour les batteries automobiles.

Bj (Wh ) * NjA ( j )
Cbatt ( Ah ) =
Tfcc (V ) * PDD (%)
V.3- Estimation de l’irradiation journalière (en Wh/j/m²)
A l’aide de cartes ou de logiciels, on peut déterminer l’irradiation journalière minimale (journée
d’hiver) Emin (Wh/j/m²) estimée en fonction de l’inclinaison (horizontal, vertical, 30°, …etc.) et
l’orientation (sud, sud-est, …etc.) des panneaux PV.

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V.4- Détermination de la puissance crête Pc

Bj (Wh )
Pc (Wc ) = * (1kW / m 2
)
E min( kWh / m . j ) *ηbatt *η elec
2

Pc : Puissance crête (en Wc).


Emin: l’irradiation journalière (en Wh/j/m²).
ηbatt: rendement énergétique des batteries (70%).
ηelc: rendement énergétique des autres composants électroniques (90%).
1 kW/m2 : éclairement dans les conditions standards.

V.5- Dimensionnement du circuit électrique.

Les chutes de tension sont présentent principalement dans les câbles et les fusibles. Les câbles
doivent être dimensionnés afin de limiter les chutes de tension.
Pour le câblage courant continu, les chutes de tension ne doivent pas passer les valeurs conseillées
ci-dessous :
Installation 12V
Entre module PV et régulateur 0,3V
Entre régulateur et batterie 0,15V
Entre régulateur et récepteurs 0,3V
En pratique :
Réduire la longueur des câbles autant que possible.
Utiliser des câbles de forte section câble de 2 x 2,5mm2 minimum

 Calcul des chutes de tension :

Chute de tension = Lc x R x I
Avec :
Lc : la longueur du câble à conducteurs.
I : intensité nominale circulant dans ce câble
R : résistance électrique du câble à deux conducteurs.

Tableau 3.2 : Résistances électriques des câbles à deux conducteurs


Section du câble en mm2 1 1,5 2,5 4 6 10
(R) : résistance (Ohm/mètre) 0,04 0,027 0,01642 0,01018 0,00678 0,0039

Protection électrique
Des fusibles (ou des disjoncteurs) doivent être utilisée pour protéger l’installation contre les courts-
circuits et les surcharges. Dans chaque cas, les fusibles seront placés sur le conducteur positif. Le
calibre du fusible doit être légèrement supérieur à l’intensité maximale traversée par le câble.
Calibre = 1,5 x courant maximal
Ensuite nous choisissons les fusibles en calculant le calibre selon le courant qui le traverse.

Protection contre le foudre et les surtensions induites


Elle est nécessaire surtout lorsque le site est sujet à de fréquents orages. Lorsqu’une mise à la terre
est conseillée, toutes les parties métalliques de l’installation (exemple : cadre des modules PV,
structure support) doivent être reliées entre elles par un câble (jaune /vert, section minimum 10
mm2), puis reliées à un piquet de terre enterrée dans un sol aussi humide que possible.

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