Ecole polytechnique de Tunis

Cours physique des solides

Pour les ingénieurs
Adnen MELLITI

1
 Table des matières
Chapitre 1 : Etats électroniques dans le métal ……………………………………….3
(3séances )

Chapitre 2 : Structures des bandes……………………………………………………8

(3 séances )
Chapitre 3 : Semi-conducteurs en équilibre…………………………………………19
(3séances : 2cours+1TD)

Chapitre 4 : Dispositifs semi-conducteurs…………………………………………...28

(2 séances : 2cours)

2
Chapitre 1

Etats électroniques dans le métal

I- Introduction
Lorsque les atomes se rassemblent par mutuelle interaction pour former un solide,
généralement, seuls les électrons de valence des atomes qui sont perturbés par la présence
des atomes voisins. Ces électrons se détachent plus ou moins de leurs atomes d’origine.
Dans le cas où ils sont assez libres, on les appelle électrons conducteur car ils sont à l’origine
de la conductivité dans les métaux et les semi-conducteurs. Le métal peut être visualisé
comme un réseau périodique d’ions immergés dans un gaz d’électrons conducteurs libres. La
première approximation consiste à supposer que les électrons conducteurs sont complètement
libres c-à-d on néglige l’interaction électron-électron et électron-ion. Cette approximation
est présentée dans le paragraphe 2. Dans les semi-conducteurs et les isolants l’interaction des
électrons avec les ions du réseau devient importante et l’étude des états électronique doit
donc tenir compte du potentiel cristallin. Cette étude sera présentée dans le paragraphe3.
II- Modèle des électrons libres du métal
II-1 Niveaux d’énergie
Considérons un gaz d’électrons libres obéissant à la théorie quantique et au principe de
Pauli. Chaque électron est de masse m et enfermé dans un cube de côté L par des barrières de
potentiel infiniment hautes.
La fonction d’onde de chaque électron traité indépendant des autres électrons est une
solution de l’équation de Schrödinger : H  = E , E étant l’énergie de l’électron dans l’état
P2
quantique d’espace. En négligeant l’énergie potentielle, nous avons H = , d’où pour un
2m
électron :
2
− =E (1)
2m
Nous utilisons le terme orbital pour désigner l’état quantique d’un système à un seul
électron. En tenant compte de spin, chaque orbital est définie par le spin  ½ et un état
d’espace de l’hamiltonienH.Etant donné que l’énergie est indépendante de spin, les
orbitales associées au même état d’espace et aux spins différents sont dégénérées. Les
étatsquantiquesdu système formé des N électrons du cristal sontconstruits en affectant les N
électrons à N orbitales différentes. Etant donné que les électrons sont des fermions, puisque

3
ils sont de spin ½, on doit respecter le principe de Pauli. Par suite à chaque orbital on ne peut
affecter que 0 ou 1 électron.
Dans le modèle de Hartree on utilise comme solution de l’équation de Schrödinger une
onde progressive avec les conditions aux limites périodiques, dites aussi conditions de Born-
Von Karman (B.V.K.). Ces conditions consistent à considérer le cristal comme infini, mais
nous exigeons que les solutions soient périodiques de période L. la méthode des conditions
B.V.K. ne change pas de façon appréciables la physique du problème pour un système de

()
3

grande taille. L’orbital est de la forme : k (r ) = C exp( ik .r ) où C = 1 2 est une constante
L

déterminée par la normalisation de k (r ) . Les conditions de B.V.K. s’écrivent :

k (x, y, z) = k (x + L, y, z) =k (x, y + L, z) =k (x, y, z + L)

par suite on a : exp(i kx L) =exp(i k y L) =exp(i kz L) =1

2 ni
d’où ki = , avec ni est une entier relatif et i = x, y ou z. l’énergie alors :
L
  2 k 2  2 2
E (k ) = = ((2nx)2 + (2ny)2 + (2nz )2) (2)
2m 2mL2

Les composantes de k sont les nombres quantiques du problème au même titre que le

nombre quantique pour la direction de spin. La norme de k est reliée à la longueur d’onde

par : k = 2 .


La quantité de mouvement P est représentée en mécanique quantique par l’opérateur
        
P = −i   , d’où pour l’orbital k (r ) on a : P k (r ) = −i  k (r ) = k k (r ) . Par conséquent,

l’onde plane k (r ) est une fonction propre de la quantité de mouvement avec la valeur
 
propre k . La vitesse de la particule dans l’orbitale correspondant à k est donnée par :
 k
V= .
m
II-2 Energie de Fermi (à T = 0K)
Dans l’état fondamental (T = 0K) du système à N électrons libres, les orbitales occupées
peuvent être représentées par des points intérieurs à une sphère, appelée sphère de Fermi,

dans l’espace des k qui est un espace à 3D muni des axes (Okx), (Oky) et (Okz). En tenant

compte de spin, chaque point de l’espace des k de coordonnées (

4
 2 nx 2 ny 2 nz 
kx = ,ky = ,kz = ) correspond à deux orbitales de même vecteur d’onde k et
L L L
de spin différents : ms = 1. L’amplitude kF des vecteurs d’onde à la surface de Fermi est
 2 kF2
telle que : EF = , avec EF, appelé énergie de Fermi à T =0 K, est l’énergie maximale des
2m
orbitales occupées. De l’équation (2), on déduit qu’il existe un seul vecteur d’onde dans un

( ) 
élément de volume 2 de l’espace des k . Par conséquent, dans la sphère de volume
L
3

4 kF3
4 k 3
le nombre total d’orbitales est : 2 3 3 = V 2 kF3 = N ; N étant le nombre total des
( )
F
3 2 3
L
électrons libres et V étant le volume du cristal. Le facteur 2 provient de deux valeurs

 3 2 N 
1/ 3

possibles de mS pour chaque vecteur d’onde k . Alors on a : kF =   . Nous
 V 

 2  3 2 N 
2/3

EF =  
2m  V 
remarquons que kFdépend de la concentration N/V. On a : et

 3 2 N 
1/ 3
k
VF = F =    . Sur le tableau 1 nous avons présenté pour quelque métaux les
m m  V 

valeurs du nombre d’électrons de valence par atome, la concentration des électrons de

conduction, kF, VF, EF et la température de Fermi TF définie par TF = EF/kB, kB étant la
constante de Boltzmann.

Figure 1

5
 valence métal N/V kF VF EF TF
(1022 cm-3) (108 cm-1) (108 cm.s-1) (eV) (K)
1 Cu 8.45 1.36 1.57 7 8.12
1 Ag 5.85 1.2 1.39 5.48 6.36
1 Au 5.9 1.23 1.39 5.51 6.39
2 Mg 8.6 1.37 1.58 7.13 8.27
3 Al 18.06 1.75 2.02 11.63 13.49
4 Pb 13.2 1.57 1.82 9.37 18.87

Tableau 1
II-3 Densité d’états
Soit N(E) le nombre d’orbitales d’énergie inférieure ou égale à E. Le nombre d’orbitales
d’énergie entre E et E + dE est donc : dN = N(E + dE) – N(E). on définit la densité d’état

(E) par : (E) = dN .(E)dEreprésente le nombre d’orbitales qui ont une énergie entreE et
dE
E + dE. Pour calculer (E)on prend tout d’abord le modèle de Hartree. Calculons N(E). Les
orbitales qui ont une énergie inférieure ou égale à E correspondent à des points de l’espace
  2 kl2  
1/ 2

des k à l’intérieure d’une sphère de rayon kl tel que : E = . Par suite kl =  2mE  . Il en
  
2m 2

4 kl3 3/ 2 3/ 2
3 V  2m  V  2m 
résulte que N(E) = 2 3 =   E . On pose A= 2  2  .
( )
1/ 2
S’écrit alors :
2 2 2  2  2   
L
(E) = A E1/ 2 .
II-4 Probabilité d’occupation
Les électrons sont des fermions qui obéissent au principe de Pauli. Leurs états satisfont
donc à la statistique de Fermi-Dirac. La fonction de distribution de Fermi-Dirac donne la
probabilité d’occupation d’une orbitale d’énergie E. elle est donnée par :

f(E) = 1 où est le potentiel chimique et dénommé aussi énergie de Fermi

exp((E − )) +1

dans le domaine des semi-conducteurs.  = F , F étant l’énergie libre du système de N

N

6
électrons. représente l’énergie à dépenser pour accroître d’une unité le nombre des

particules du système. dépend de la température et de N.  = 1 .

kBT
dn(E) = f(E)(E)dEreprésente le nombre des électrons occupant les orbitales d’énergie entre
E et E + dE à la température T. A T = 0K, les orbitales d’énergie inférieure à  ont une
probabilité d’occupation f(E) =1. Celles d’énergie supérieure à  ont une probabilité
d’occupation f(E) = 0. En effet, si E < , (E - ) tend ver -, par suite f(E) =1. Si E >,
(E - ) tend ver +, par suite f(E) =0. Autrement dit, chaque orbitale avec E < est occupé
par un électron et les orbitales d’énergie E >sont vides. On déduit que à T = 0K,  = EF. A
T  0K, f(E) décroît avec l’énergie.

f(E) T = 0K f(E) T  0K
1 1

0.5 0.5

0  = EF E 0  E

Figure 2

7
Chapitre 2
Structure des bandes d’énergies

I- Modèle des liaisons fortes- Modèle des électrons presque libres

Ces modèlessont utilisés pour calculer les états des électrons de valence en tenant compte du
potentiel périodique du cristal (V(𝑟⃗)) qui représente l’interaction d’un électron avec le réseau
périodique des ions.C’est parmi les modèles les plus utilisés pour calculer la structure
électroniques des métaux, isolants et les semi-conducteurs.
L’équation de Schrödinger d’un électron de valence s’écrit :
ℏ2
[− 2𝑚 Δ + 𝑉(𝑟⃗)] Ψ(𝑟⃗) = 𝐸Ψ(𝑟⃗) (3)

Théorème de Bloch :
2  
Les états propresde l’hmiltonien à un seul électron H =− +V(r ) , où V(r ) a la
2m
périodicité du réseau de Bravais, peuvent être choisis sous forme d’onde planes de vecteur

d’onde k multipliée par une fonction ayant la périodicité du réseau de Bravais :
  
k (r ) = exp( ik .r ).U k (r ) .
    
Propriété de : k (r + R) = exp( ik .R).k (r ) pour tout vecteur R appartient au réseau de

Bravais.
D’autre part, dans le cas des semi-conducteurs et isolalnts est exprimée sous la forme d’une
combinaison linéaire des orbitales 𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 ) des atomes localisés aux nœuds de vecteurs de

position ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 (j=1…N ; N étant le nombre total des nœuds)avec l désigne l’indice de
l’orbital:s, p, d…:
Ψ⃗𝑘⃗ (𝑟⃗) = ∑𝑙,𝑗 𝐶𝑙,𝑅⃗⃗⃗⃗⃗𝑗,𝑘⃗⃗ 𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 ) (4)

Afin de simplifier la présentation de la méthode, on a considéré que le cristal contient un

atome par maille. En utilisant le théorème de Bloch, on peut montrer que (voir Exercice 1 du
TD):
1
Ψ𝑘⃗⃗ (𝑟⃗) = ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
∑𝑙,𝑗 𝐶𝑙,𝑘⃗⃗ exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 ) (5)
√𝑁

En substituant dans l’équation (3) Ψ⃗𝑘⃗ (𝑟⃗) par son expression (5) et en multipliant à gauche
⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
chaque membre de l’équation parexp⁡(−𝑖𝑘 ∗
𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )et en intégrant sur le volume du
cristal on obtient l’équation clé suivante du formalisme des liaisons fortes :

8
 ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
∑[⟨exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|𝐻|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩
𝑙,𝑗

⃗⃗ )⟨exp⁡(𝑖𝑘
− 𝐸(𝑘 ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩]𝐶𝑙,𝑘⃗⃗ = 0
⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
Les intégrales ⟨exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩ sont dites intégrales de
⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
recouvrement. Les intégrales ⟨exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|𝐻|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩ sont les
ℏ 2
sommes des intégrales : ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
⟨exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|− 2𝑚 Δ|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩ et

⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
⟨exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑖 )𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )|𝑉(𝑟⃗)|exp⁡(𝑖𝑘 𝑅𝑗 )𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )⟩ ces dernières sont dites intégrales de
transfert ou de saut.
Etant donné que le recouvrement des orbitales 𝜙𝑚 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑖 )et 𝜙𝑙 (𝑟⃗ − ⃗⃗⃗⃗
𝑅𝑗 )diminue fortement
lorsque les nœuds i et j sont loin un de l’autre, on peut se restreindre avec une bonne
approximation aux nœuds i et j proches voisins dans le calcul des intégrales de transfert ou
de recouvrement.On accède alors à un système d’équation fini dont les inconnues sont les
coefficients 𝐶𝑙,𝑘⃗⃗ . Les solutions non triviales de ces coefficients imposent que le déterminant
de la matrice carrée soit nul. Cette condition permet d’obtenir une équation dont l’inconnue
⃗⃗ ). Les branches d’énergie sont ainsi calculées.
est l’énergie 𝐸(𝑘
Dans le cas des métaux on reprend les mêmes calculs sauf que la fonction d’onde est
exprimée sous la forme d’une combinaison linéaire des ondes planes qui représentent les
fonction d’onde dans le modèle des électrons libres. C’est le modèle des électrons presque
libres.
II- Structures des bandes des semi-conducteurs, isolants, métaux et semi-métaux
Sur les figures ci-dessous, on a représenté les bandes d’énergie des solides de différents
types : semi-conducteur, isolant, métal et semi-métal.
Suivant la position du niveau de Fermi à 0K, il est possible d’envisager trois situations
différentes :
- Le niveau de Fermi est tel que les bandes de plus hautes énergies contenant les
électrons sont ou bien partiellement remplies ou partiellement vides à la température
T=0K. C’est le cas des métaux.
- Le niveau de Fermi est tel que les bandes de plus hautes énergies contenant les
électrons sont ou bien presque remplies ou presque vides à la température T=0K.
C’est le cas des semi-métaux.

9
Le niveau de Fermi est tel que les bandes de plus hautes énergies contenant les électrons et
les bandes vides sont séparées à T= 0K. Les premières sont dites bandes de valence et les
deuxièmes bandes de conduction. C’est le cas des semi-conducteurs et des isolants. La
différence d’énergie entre les bandes de valence et les bandes de conduction est dite la bande
d’énergie interdite (gap en anglais). Les semi-conducteurs et les isolants ne se diffèrent que
par la valeur du gap.
Il existe deux types de gap. Si le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande
⃗⃗ (cas de GaAs), on dit que
de conduction correspondent à la même valeur du vecteur d’onde 𝑘
le semi-conducteur est à gap direct. Dans le cas contraire (c’est le cas de Si) le semi-
conducteur est dit à gap indirect. La nature du gap est importante pour les applications
optoélectroniques (voir chapitre 3).
La position du niveau de Fermi dépend de la structure des bandes et du nombre des électrons
dans le cristal.
Le comportement électrique des solides dépend directement de la structure des bandes. En
effet, pour créer un courant électrique le champ électrique appliqué sur les électrons
communique à ces derniers une énergie. Par suite, les électronssont excités vers des niveaux
plus hauts dans la structure des bandes.
Dans le cas des métaux et semi-métaux, les électrons qui se trouvent dans le voisinage
inférieur de Ef se voient offerts des niveaux d’énergie infiniment proches : dès lors, un champ
électrique, aussi petit soit-il, peut de fait les mettre en mouvement et leur donner une énergie
donnant lieu à un vecteur courant, donc au passage d’un courant électrique. Les électrons qui
peuvent êtres excités vers les niveaux supérieurs sont beaucoup plus nombreux dans le cas des
métaux que dans le cas des semi-métaux ce qui explique pourquoi la conductivité des semi-
métaux est faible que celle des métaux.
Dans le cas des isolants et semi-conducteurs tout électron est coincé en énergie,sauf à gagner
une énergie au moins égale àEg, qu’aucun champ extérieur ne peut lui fournir. A température
nulle, le solide est donc un isolant. A température finie, les fluctuations thermiques ne peuvent
rien changer tant que kBT≪Eg ; comme (kBT)ambiante≃25 meV, le changement de
comportement conductif induit par la température finie dépend de la valeur numérique de Eg :
• si Eg est de l’ordre de plusieurs eV (par exemple, pour le diamant Eg = 5.5 eV), les
probabilités d’excitation varient en gros comme e−40×5.5(exp(-Eg/kBT)): autant dire qu’elles
sont nulles. Le solide est isolant à toute température.

10
• si Eg est nettement plus petit, de l’ordre d’eV pour fixer les idées (exemple : le germanium
et le GaAs pour lesquels Eg≃0.67 eV et1.42 eV à la température ambianterespectivement),
les probabilités sont de l’ordre de e−30, ce qui est encore très petit. Cependant, compte tenu de
la relativement haute densité des électrons dans la bande des valences (le nombre des nœuds *
le nombre des atomes par motif *le nombre des électrons de valence par atome de l’ordre de
1022 cm-3), la conductivitédevient notable, quoique très petite par rapport à un bon conducteur
comme le cuivre. Le solide est alors dit semi-conducteur. La conductivité d’un semi-
conducteur croîtquand latempérature augmente, ce qui est le comportement inverse de celui
observé dans les métaux.

Figure 3 : Bandes d’énergie des semi-conducteurs usuels

11
Figure 4 : Bandes d’énergie d’un métal : Aluminium

12
Figure 4 : Bandes d’énergie d’un semi-métal : antimoine, l’origine d’énergie est prise à
l’énergie de Fermi

Figure 4 : Schémas simplifié des bandes d’énergie d’un semi-métal : antimoine, l’origine
d’énergie est prise à l’énergie de Fermi

13
III- Masse effective
Pour un semi-conducteur en équilibre ou voisin de celui-ci, les niveaux inoccupés sont
proches du sommet de la bande de valence. De même, les niveaux occupés dans la bande de
conduction sont voisins du bas de celui-ci. Ceci permet de faire une approximation
harmonique de ces bandes au voisinage de leurs extrémums. Cette approximation consiste à
⃗⃗ au voisinage de la position de
faire un développement de Taylor jusqu’au l’ordre 2 en 𝑘
l’extrémum. Soit ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑘0 la position de l’extrémum de l’une des bandes de conduction ou de
valence, on a :

(1)
où les indices i, j et k repèrent les composantes x, y et z des vecteurs d’onde. Le tenseur de la
masse effective est défini par la relation :

(2)
Dans des cas d’intérêt comme pour le Si, Ge et GaAs, grâce à la symétrie cubique de ces
semi-conducteurs, le tenseur de la masse effective est scalaire. Dans ce cas, l’énergie au
voisinage des extrémums des bandes s’écrit :

(3)
On retrouve alors, à une constante près, l’énergie des électrons libres. Le premier terme
représente l’énergie potentielle (prise nulle au cas des électrons libres) et le deuxième terme
représente l’énergie cinétique. Ces relations montrent qu’on peut faire abstraction de la
complexité de la structure des bandes et traiter l’électron au voisinage des extrémums comme
un électron libre avec une masse effective sous forme d’un tenseur. Cette masse effective
traduit l’influence du réseau des ions sur le mouvement des électrons.
Remarque
⃗⃗ ) au voisinage de
D’après l’équation 2, la masse effective est associée à la courbure de 𝐸(𝑘
l’extrémum. Si cette courbure est grande la masse effective est petite et réciproquement. En
⃗⃗ ) est minimale) comme dans le
plus si la courbure est dirigée vers les énergies positives (𝐸(𝑘

14
cas de la bande de conduction, la masse effective est positive. Dans le cas contraire comme
dans le cas de la bande de valence, la masse effective est négative. Ceci est illustré sur la
figure 1.

Figure 1 : Illustration simplifiée des bords des bandes pour un semi-conducteur à gap direct

IV- Action d’une force extérieure-théorème de l’accélération

Lorsque l’électron dans le cristal subit une force extérieure 𝐹⃗ lentement variable (en pratique, de
fréquence inférieure à plusieurs centaines de GHz), et de faible intensité, de manière que l’électron ne
change pas de bande d’énergie au cours de la dynamique, on peut étudier sa dynamique en lui
associant une vitesse de propagation qui est la vitesse de groupe et qui est définie par:
  1 
Vn (k ) =  k ( En (k )) . Cette vitesse obéit au théorème de l’accélération :

⃗⃗
𝑑𝑘
𝐹⃗ = ℏ
𝑑𝑡
⃗⃗
𝑑𝑉 𝑑 1   𝑑𝑘⃗⃗ 1    1 𝑑𝑘 ⃗⃗ 1
On a : = 𝑑𝑡  k ( En (k )) = 𝑑𝑡 .  k . k ( En (k )) = 𝑚∗ . 𝑑𝑡 =𝑚∗ . 𝐹⃗
𝑑𝑡  

15
 𝑑𝑉⃗⃗
D’où : 𝐹⃗ = 𝑚∗ 𝑑𝑡

V- Notion du trou
On peut briser une liaison de valence si on apporte une énergie (thermique ou lumineuse)
suffisante. On arrache ainsi un ou plusieurs électrons (précédemment engagés dans ces
liaisons). Ceci revient, dans le modèle de bandes d’énergie utilisé, à faire passer ce ou ces
électrons de la bande de valence à la bande de conduction (à des niveaux dépendant de
l’apport de l’énergie). Les électrons excités deviennent alors quasi-libres (il ne participe
plus à une liaison cristalline) et peuvent, par suite, participer à la conduction électrique. Ils se
comportent comme des particules quasi-libres car ils subissent l’influence du réseau.

Figure 2

Dans le même temps qu’apparait un électron libre dans la bande de conduction, apparaît une
case vide dans la bande de valence (correspondant à une liaison non assurée) qui peut être
occupée ultérieurement par un électron de la bande de valence (participant auparavant à une
autre liaison covalente). Ce phénomène est illustré sur la figure 2. A cette place vide (qu’on
appelle trou) est affectée une charge positive +q.
(orale) La bande de valence étant toujours quasi-pleine (de N-1 électrons de valence), on
montre que l’étude du mouvement des particules dans cette bande se traduit très simplement
par le mouvement du trou.

16
Figure 3:Propagation sur un réseau unidimensionnel composé d’électrons (cercles pleins),
d’un trou (cercle vide).
Lorsqu’on applique au SC un champ électrique, on assiste à deux mouvements:
- Le mouvement des électrons qui se trouvent dans la bande de conduction et qui se
déplacent dans le sens opposé à celui du champ électrique appliqué.
- Le mouvement des trous présents dans la bande de valence. Si chaque électron de la
bande de valence se déplace de gauche à droite d’une position, sous l’effet d’un
champ électrique, le trou se déplace de droite à gauche (figure 3). Donc le mouvement
des électrons de valence dans le sens opposé du champ électrique est équivalent à celui
du trou se déplacent dans le même sens que le champ électrique.
On montre que le courant électrique sera la superposition de celui associé aux électrons et
celui associé aux trous.
On montre aussi que la dynamique des trous peut être étudiée en affectant au trou :
- une énergie 𝐸ℎ opposée à celle de l’électron manquant.
- une masse effective 𝑚ℎ∗ opposée à la masse effective de l’électron manquant
- un vecteur d’onde ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑘ℎ opposé au vecteur d’onde de l’électron manquant.
  1   1  
- une vitesse de groupe Vh (k ) =   ( Eh (k )) =  − k (− En (−k )) =
h  kh h 
1   
 k ( En (k )) avec En (k ) est l’énergie de la bande de valence. Par suite la vitesse du trou est

égale à la vitesse de l’électron manquant.
Lorsque le trou est soumis à une force extérieure 𝐹⃗ , son mouvement sera régi par le théorème
de l’accélération :
𝑑𝑘⃗⃗⃗⃗⃗
ℎ
𝐹⃗ = ℏ
𝑑𝑡


𝑑 Vh
𝐹⃗ = 𝑚ℎ∗ ⁡
𝑑𝑡

VI- Densité d’état

La densité d’état intervient dans le calcul de nombreuses quantités physiques des
semi-conducteurs. Dans le cadre de formalisme de la masse effective et si la masse effective
est isotrope, les énergies des électrons et des trous au voisinage des extrémums des bandes
s’écrivent respectivement:

17
 ℏ2 𝑘 2
𝐸𝑐 (𝑘) = 𝐸𝑐 + (9)
2𝑚𝑐∗

ℏ2 𝑘 2
𝐸ℎ (𝑘) = 𝐸ℎ − 2𝑚∗ (10)
ℎ

Avec 𝐸𝑐 et 𝐸ℎ sont les énergies des extrémums des bandes de conduction et de valence
respectivement. 𝑚𝑐∗ et 𝑚ℎ∗ sont les masses effectives des électrons et des trous
respectivement.
Dans le cas des électrons libres, l’énergie s’écrit :
ℏ2 𝑘 2
𝐸 (𝑘) = (11)
2𝑚

On déduit que les densités d’état des électrons et des trous au voisinage des extrémums des
bandes peuvent être déduites à partir de celle des électrons libres en remplaçant la masse des
électrons libres par la masse effective et E par E-Ec dans le cas des électrons et Eh – E dans le
cas des trous. On obtient alors :
3
𝑉 2𝑚𝑐∗ 2
𝜌𝑒 (𝐸) = ( ) √(𝐸 − 𝐸𝑐 ) (12)
2𝜋 2 ℏ2
3
∗
𝑉 2𝑚ℎ 2
𝜌ℎ (𝐸) = ( ) √(𝐸ℎ − 𝐸) (13)
2𝜋 2 ℏ2

Dans le cas des bandes anisotropes, on montre que les densités d’états sont données par :
1
𝑉√2 ∗ ∗ ∗ 2
𝜌𝑒 (𝐸) = 2𝜋2ℏ3 (𝑚𝑐𝑥 . 𝑚𝑐𝑦 . 𝑚𝑐𝑧 ) √(𝐸 − 𝐸𝑐 ) (14)
1
𝑉√2 ∗ ∗ ∗ 2
𝜌ℎ (𝐸) = 2𝜋2ℏ3 (𝑚ℎ𝑥 . 𝑚ℎ𝑦 . 𝑚ℎ𝑧 ) √(𝐸ℎ − 𝐸) (15)

On définit aussi la densité d’états par unité de volume donnée par :

𝐷𝑒,ℎ (𝐸) = 𝜌𝑒,ℎ (𝐸)/𝑉 (16)

18