Chapitre III: Convertisseurs courant continu - courant continu

Chapitre III : Convertisseurs courant continu - courant continu

III.1 Introduction
La conversion DC-DC permet de générer une tension (courant) continue de valeur
moyenne réglable à partir source d’alimentation continue fixe. Ils sont utilisés pour
l’alimentation des circuits électroniques nécessitant plusieurs différents niveaux de tension à
partir d’un bloc d’alimentation unique.
Les convertisseurs DC-DC sont appelés « hacheurs ». Ils comprennent au moins un composant
totalement commandé pour offrir la possibilité de réglage.

Source
Ve Hacheur Vs Charge
DC fixe

Figure III. 1 Synoptique d'un convertisseur DC-DC

III.2 Composants commandés à l’amorçage et au blocage

III.2.1 transistor de puissance
Tous les transistors de puissance (Bipolaire, MOSFET et IGBT) sont des interrupteurs
commandés à deux segments appartenant au même quadrant du plan 𝑖 = 𝑓(𝑣) . Figure III.2
donne les symboles utilisés pour représenter les différents types de transistors et leur
caractéristique 𝑖(𝑣) .

Figure III. 2 Transistor de puissance, symboles et caractéristique statique

Le transistor comporte trois bornes, deux bornes de puissance entre lesquelles il réalise la
fonction interrupteur et une borne auxiliaire qui forme avec une borne de puissance l’accès de
commande. Le segment sur lequel se trouve le point de fonctionnement doit être fixé par un
signal de commande via un accès de commande :
• Le signal de commande (ON) implique la saturation et fixe le point de fonctionnement sur la
droite OA, l’interrupteur est fermé,

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Chapitre III: Convertisseurs courant continu - courant continu

• Le signal de commande (OFF) implique le blocage et fixe le point sur OB, l’interrupteur est
ouvert.
Pour le transistor bipolaire et l’IGBT, l’accès de puissance est formé par le collecteur C et
l’émetteur E, l’accès de commande par la base B et l’émetteur ou par la grille G et l’émetteur.
Dans le transistor MOSFET, le circuit de puissance est relié au drain D et à la source S, le circuit
de commande est branché entre la grille G et la source.
Les transistors MOSFET et IGBT ont une commande en tension. Le circuit entre grille et source
ou entre grille et émetteur se comporte comme une capacité CGS qu’il faut charger ou décharger.
Une tension vGS ou vGE avec une valeur positive supérieure à une tension de seuil vT entraine
la saturation du transistor et maintient ce point de fonctionnement sur la droite OA.
Une tension vGS (vGE ) négative ou nulle entraine le blocage du transistor et fait passer ce point
de fonctionnement sur la droite OB .
Le transistor bipolaire utilise une commande en courant. Si on injecte dans le circuit base-
émetteur un courant de commande iB suffisant, le transistor se comporte comme un interrupteur
fermé (droite OA). Si on impose à iB une valeur nulle l’interrupteur est ouvert (droite OB).

III.2.2 Remarques
 Le transistor bipolaire, qui a beaucoup participé au évolution des convertisseurs de
moyenne puissance est actuellement éliminé par et a laissé sa place au transistor IGBT.
 Le MOSFET offre de meilleures performances en termes de vitesse de commutation ce
qui mène à la réduction des pertes par commutation. Mais, il est –par contre limité en
puissance car on ne peut réaliser un composant apte à tenir une tension élevée à l’état
bloqué tout en présentant une faible chute de tension à l’état passant. Un MOSFET fort
courant doit être un composant basse tension et inversement (Figure III.3) .

Figure III. 3 Caractéristiques du MOSFET de puissance

 On peut considérer que le MOSFET de puissance est un interrupteur trois segments

réversible en courant car il comporte une diode inverse dans sa structure interne.
 L’IGBT ne souffre pas de l’inconvénient du MOSFET ; sa chute de tension directe est
faible même si son calibre en tension est élevé. À la mise en conduction, le

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comportement de l’IGBT s’écarte peu de celui du MOSFET. En revanche, au blocage

par retour rapide à zéro de la tension vGE, le courant i traversant le composant reste
transitoirement à une valeur sensiblement supérieure à la valeur normale de son courant
de fuite (Figure III.4).

Figure III. 4 Caractéristiques du transistor IGBT de puissance

III.3 Hacheur série

III.3.1 Principe, débit sur une charge résistive
VH
ie is

H
E R Vs 𝐸 = 50𝑉
𝑅 = 20Ω
{
𝑓 = 20𝐾𝐻𝑧
𝛼 = 0.2

Figure III. 5 Schéma du principe du hacheur série, charge R

H est un interrupteur électronique parfait, commandé par un signal 𝑉𝑐 périodique de période

t1
T, de rapport cyclique   élaboré par un circuit électronique isolé du hacheur. L’état
T
haut du signal de commande provoque la fermeture de l’interrupteur. La charge est alors reliée
à la source électrique. L’état bas du signal de commande provoque l’ouverture de l’interrupteur.
La charge est alors déconnectée de la source. Cette succession périodique d’ouverture et de
fermeture de l’interrupteur provoque le hachage de la grandeur électrique de la source. La
fréquence f  1 est la fréquence du hachage.
T

III.3.1.1 Analyse de fonctionnement

 0  t   T : H est fermé (On) :
Vs  E  R  is

is  Vs R
V  0
 H

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  T  t  T : H est ouvert (Off ) :

Vs  0

is  0
V  E
 H

III.3.1.2 Chronogrammes de fonctionnement

H: On Off

Vs

is

VH

t1 T
Figure III. 6 Grandeurs de sortie du hacheur série, charge R

III.3.1.3 Valeurs caractéristiques

La valeur moyenne de la tension Vs est donnée par :
T T
1 1
Vs  
T 0
Vs(t )dt 
T  Edt  E
0

Le courant moyen absorbé par la charge R est donné par :

Vs  E
is  
R R
Le hacheur série est un abaisseur de tension, car Vs   E est toujours inférieure à E , en plus

de ça le courant is est interrompu. L’ajout d’une inductance L de valeur suffisante en série avec
la charge permettra le lissage du courant.

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III.3.2 Débit sur une charge RL

III.3.2.1 Schéma
ie VT is
T

Vs
VD
𝐸 = 100𝑉
iD 𝛼 = 0.2
𝑓 = 20𝐾𝐻𝑧

Figure III. 7 Schéma du principe du hacheur série, charge RL

III.3.2.2 Analyse de fonctionnement

L’inductance est suffisamment grande pour avoir une conduction continue. Le graphe du

courant is évolue entre une valeur minimale im et une valeur maximale iM .

 0  t  T :
Le transistor T est saturé (On), 𝑉𝐷 = −𝐸 et la diode se bloque. L’équation différentielle
dis
régissant le circuit est la suivante : Ris  L  E . La solution de cette équation est donnée
dt

par : is  E  (im  E )et / avec :   L . A l’instant t  T le courant is atteint sa valeur

R R R

maximale iM  is (T )  E  (im  E )eT / .

R R

La tension aux bornes de la diode est VD   E , le courant qui la traverse est iD  0 .

La tension aux bornes du Transistor T est VT  0 , le courant qui la traverse est iT  iS

 T  t  T :
Le transistor T est bloqué (T: Off), la diode D devient conductrice (D: On), ce qui permet à
la bobine L de libérer l’énergie emmagasinée. L’équation différentielle régissant le circuit

est alors: Ris  L

dis
 0 . La solution de cette équation est donnée par : is  iM e(t T )/ avec:
dt

  LR.

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A l’instant t  T le courant is atteint sa valeur minimale im  is (T )  iM e(T T )/ .

La tension aux bornes de la diode est VD  0 , le courant qui la traverse est iD  is .

La tension aux bornes du Transistor T est VT  E , le courant qui la traverse est iT  0.

III.3.2.2 Chronogrammes de fonctionnement

Vs Ve=E

T 2T
iM is
ie

im

VD VT
D D T T
Off On On Off

T 2T

iM iD iT

im

Figure III. 8 Grandeurs de sortie du hacheur série, charge RL

III.3.2.3 Valeurs caractéristiques

T T
1 1
Vs  
T 0
Vs(t )dt 
T  Edt  E
0

Pour calculer la valeur moyenne du courant is on a :

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T s T i (T)
dis di 1 1
Vs  Ris  L  Vs dt  Ris dt  L s dt   Vs dt  R  is dt  L  dis
dt dt T 0 T 0 is (0)

is (T)
Vs  E
Donc, Vs  Ris car L  dis  L  is (T)  is (0)   0 et finalement on a is   .
is (0)
R R

Pour calculer l’ondulation du courant, on va simplifier l’étude en considérant que l’inductance

est suffisamment élevée de telle manière la constante du temps   L R   soit grande par
rapport à la période du hachage T  1 .
f  
En utilisant le développement limité de Taylor de la fonction exponentielle  e x 1  x  les

valeurs approximées de im et iM peuvent être données par les deux expressions suivantes :
 T  T   E  T  T 
im E et iM im 1  ( ) 1  ( ) .
R    R   
E T  ET
L’ondulation du courant est donnée par : i  iM  im (1   ) (1   )
R  L
i 1 ET 1 E 1
 0     imax     .
 2 L 4 4 Lf

Donc, pour réduire l’ondulation du courant on doit augmenter soit la valeur de la bobine soit la
fréquence du hachage.

III.3.2.4 Remarque
Le schéma étudié permet d’avoir une tension DC qui varie entre « 0 » et « +E ». Ceci est
suffisant dans des applications telles que la variation des vitesses de MCC (Moteurs à Courant
Continu). Mais, généralement l’objectif est d’avoir une tension DC plus proche à une constante
et avec le minimum d’ondulation. La solution est d’ajouter -après le transistor- un filtre LC
passe-bas. Dans ce qui suit, on va étudier ce type de hacheur série (Buck) muni d’un filtre LC,
débitant sur une charge R.

III.3.3 Débit sur une charge RLC

III.3.3.1 schéma

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VL
VT iL
iR
ie iC

VD
Vs
𝐸 = 50𝑉
iD 𝛼 = 0.4
𝑓 = 20𝐾𝐻𝑧

Figure III. 9 Hacheur série, charge RLC

III.3.3.2 Analyse de fonctionnement

Pour étudier le comportement de cet hacheur, on a les suppositions suivantes :

La conduction dans l’inductance L est continue  iL  0  .

La valeur du condensateur C est suffisamment grande pour avoir une tension de sortie Vs sans
ondulations. Le fonctionnement est fait dans deux phases, une phase de charge et une phase de
récupération.

 0  t  T : Le transistor T est saturé (On), VD=-E et la diode se bloque.

diL di E  Vs
VL  E  Vs  L  L 
dt dt L
 T  t  T : Le transistor T est bloqué (T: Off), la diode D devient conductrice (D: On).

diL di V
Vs  VL  0  L  Vs  L  s
dt dt L

III.3.3.3 Valeurs caractéristiques

Pour calculer la valeur de Vs en fonction de E on calcule la valeur moyenne de la tension aux
bornes de la bobine VL  . Cette dernière doit être nulle car l’inductance est parcourue par un

courant périodique.

VL 
1
T
 Ve  Vs T  Vs 1    T   Ve  Vs
VL  0  Vs   E
Au régime permanant on a iL  iR car iC  0 et iL  iR  s .
V
R
Donc, les valeurs limites du courant de la bobine sont données par :
iL  1 1  iL  1 1 
iM  iL   Vs    et im  iL   Vs   .
2  R 2 Lf  2  R 2 Lf 

Cette analyse est valide sauf dans le cas d’une conduction continue dans la bobine (CCM).

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 1 1  1
im  0  Vs     0  Lf  R
 R 2 Lf  2

Si la fréquence f est fixe, la valeur minimale de la bobine permettant une conduction continue
1
pourra être donnée par : Lmin  R.
2f

III.3.3.4 Chronogrammes de fonctionnement

E-Vs VL Vs

-Vs

iM iL

im iR

iC

VD VT

iD iT= ie

Figure III. 10 Grandeurs de sortie du hacheur série, charge RLC

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III.4 Hacheur Parallèle

III.4.1 schéma
VL VD
iD

iL iT iC iR

VT Vs
𝐸 = 50𝑉
𝛼 = 0.5
𝑓 = 20𝐾𝐻𝑧

Figure III. 11 Hacheur parallèle

III.4.2 Analyse de fonctionnement

La valeur du condensateur C est supposée très élevée pour que la tension Vs soit constante sans
ondulations. La diode D empêche la décharge du condensateur dans la partie amont du montage.

La valeur de L a une valeur suffisamment élevée de telle manière à avoir une conduction
continue.

 0  t  T : Le transistor T est saturé (T : On), l’anode de la diode D est reliée au potentiel

le plus négatif, donc elle se bloque (D : Off).
On a l’équation différentielle suivante :

VL  E  L
diL
 E , le courant initial est iL (0)  im . Le courant iL  ie varie linéairement
dt
de 𝑖𝑚 pour 𝑡 = 0 à 𝑖𝑀 pour 𝑡 = 𝛼𝑇.

Son expression est donnée par : iL (t )  ie (t )  E t  im . La valeur maximale de ce courant

L

est donnée par: iM  iL (T )  ET  im .

L
𝐸𝛼𝑇 𝛼𝐸
L’ondulation du courant est donnée par 𝛥𝑖𝐿 = 𝑖𝑀 − 𝑖𝑚 = = .
𝐿 𝐿𝑓

𝑉𝐿 = 𝐸
𝑉𝐷 = −𝑉𝑠
𝑖𝐷 = 0
𝑉𝑇 = 0
{ 𝑖 𝑇 = 𝑖𝐿
 T  t  T : Le transistor T est bloqué (T: Off), la diode D devient conductrice (D: On).

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diL V E iL  ie varie linéairement de

Vs  VL  E  L  E  Vs  s dt  diL . Le courant
dt L
𝑖𝑀 pour 𝑡 = 𝛼𝑇 à 𝑖𝑚 pour 𝑡 = 𝑇.
Son expression est donnée par :
Vs  E V E
t Li

L T dt   
iM
diL  s
L
(t  T )  (iL (t )  iM )

A la fin du période  t  T  le coutant iL atteint sa valeur minimale im , ce qui conduit à

Vs  E
l’expression (T  T )  (im  iM ).
L
Une nouvelle fois, l’ondulation du courant est ré-exprimée par :
Vs  E
iL  iM  im  (T  T )
L
𝑉𝐿 = 𝐸 − 𝑉𝑠
𝑉𝐷 = 0
𝑖𝐷 = 𝑖𝐿
𝑉𝑇 = 𝑉𝑠
{ 𝑖 𝑇 = 𝑖𝐿

III.4.3 Valeurs caractéristiques

Pour calculer la valeur de Vs en fonction de E on calcule la valeur moyenne de la tension aux
bornes de la bobine VL  . Cette dernière doit être nulle car l’inductance est parcourue par un

courant périodique.
T
1 
T T
1
VL  
T 0
VL (t )dt  
T 
0
Edt 

 ( E  V )dt   E  V (1   )
T
s s

E
VL  0  E  Vs (1   )  0  Vs  .
1
Une autre méthode peut être utilisée en égalisant les deux expressions trouvées précédemment
de l’ondulation du courant :
𝐸𝛼𝑇 𝛼𝐸
𝛥𝑖𝐿 = 𝑖𝑀 − 𝑖𝑚 =
=
𝐿 𝐿𝑓
𝑉𝑠 − 𝐸 𝑉𝑠 − 𝐸
𝛥𝑖𝐿 = 𝑖𝑀 − 𝑖𝑚 = (𝑇 − 𝛼𝑇) = (1 − 𝛼)
{ 𝐿 𝐿𝑓

Donc, la tension de sortie est donnée par Vs  E .

1

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III.4.4 Chronogrammes de fonctionnement

150V
50V Vs
125V

0V 100V

75V
-50V
50V
V(L2:1,L2:2) V(VOUT)
15.0A 10.0A

12.5A 7.5A

10.0A 5.0A

SEL>> SEL>>
5.0A 0A
28.0ms 28.1ms 28.2ms 28.0ms 28.1ms 28.2ms
I(L2) I(R2)
Time Time

-0V 100V

-50V 50V

-100V 0V

V(D2:A,D2:K) V(L2:2,0)
15A 15A

10A 10A

5A 5A

SEL>> SEL>>
-2A -2A
28.0ms 28.1ms 28.2ms 28.0ms 28.1ms 28.2ms
I(D2) I(H:s+)
Time Time
Figure III. 12 Grandeurs de sorite, hacheur parallèle

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