Électronique

Chapitre 2

Le transistor bipolaire
Par Adil BROURI

Adil BROURI 1
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caractéristiques
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I. Présentation du transistor
1. Description
 Le transistor bipolaire est un composant
électronique composé de 3 électrodes :
Le Collecteur (C), l’Emetteur (E) et la Base (B).

 Le transistor contient trois couches de semi-

conducteur NPN ou PNP :

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Fig. 2.1a : Transistor NPN Fig. 2.1b : Transistor PNP

2. Symbole

Fig. 2.2a : Transistor NPN Fig. 2.1b : Tr PNP 3

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3. Equations

Fig. 2.3a : Grandeurs électriques d’un Tr NPN

On a : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 +𝐼𝐶 ;

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 +𝑉𝐶𝐵 ;

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4. Fonctionnement du transistor
 Le transistor bipolaire est équivalent à deux
jonctions PN (diodes) :

Fig. 2.4 : Principe d’un transistor bipolaire NPN

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 Pour polariser correctement un transistor

(fonctionnement normal), il faut 2 conditions :

 La jonction entre B et E soit polarisée dans le

sens direct.
 La jonction entre C et B soit polarisée dans le
sens inverse (est bloquée).

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II. Réseaux de caractéristiques

1. Principe de fonctionnement du Transistor
a. Transistor bloqué
 On note d’abord que la base du transistor est
très fine et faiblement dopée.

Adil BROURI Fig. 2.5 : Polarisation du transistor 7

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 Lorsque la jonction CB est polarisée en inverse

(𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 ) et la jonction BE n’est pas polarisée (ou
𝑉𝐵 < 𝑉𝑆 ≈ 0.6𝑉),
 alors les deux jonctions (diodes) sont bloquées.

⟹ 𝐼𝐵 = 0 et 𝐼𝐶 = 0.

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b. Effet transistor
 On considère que 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 et 𝑉𝐵 > 𝑉𝑆 ≈ 0.6𝑉.

⟹ la jonction BE est passante.

⟹ 𝐼𝐵 > 0 et 𝑉𝐵𝐸 ≈ 𝑉𝑆 .
 𝐼𝐵 > 0 signifie un flux d’𝑒 − de E vers la B.

⟹ Ces 𝑒 − peuvent rester libres

avant d'être piégés.

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 La majorité de ces 𝑒 − injectés par l'émetteur vont

sous l'action du champ électrique 𝐸 , crée par la
source 𝑉𝐶 rejoindre le collecteur.

⟹ création alors d’un courant 𝐼𝐶 > 0.

⟹ Le transistor devient passant.

Ceci constitue l’effet transistor.

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 Remarque :
 On remarque le même phénomène dans le cas d’un
Tr PNP en appliquant des tensions négatives :

Fig. 2.6 : Schéma de principe du PNP

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 Le courant 𝐼𝐶 va augmenter proportionnellement

à 𝐼𝐵 . D’où la relation suivante :

⟹ 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝛽 est appelé le gain en courant du transistor.

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2. Réseaux de caractéristiques
a. Caractéristique d’entrée 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸
 La caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸 s’approche de celle
d’une diode normale :

Fig. 2.7 : Caractéristique 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸 13

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b. Caractéristique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸

 On rappelle que la jonction BC soit polarisée en
inverse (𝐼𝐶 > 0). ⟹ 2 modes de fonctionnement :
 Régime linéaire : 𝐼𝐶 est indépendant de 𝑉𝐶𝐸
(𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ).

Fig. 2.8 : Caractéristique 𝐼C = 𝑓 𝑉C𝐸 14

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 Régime saturé : les courbes 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸 sont

presque verticales ⟹ 𝐼𝐶 dépend de 𝑉𝐶𝐸 .

⟹ Le transistor est équivalent à une résistance

commandée par la base.

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c. Caractéristique de transfert 𝐼𝐶 = 𝑓 𝐼𝐵
 Pour 𝐼𝐵 < 𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 , 𝐼𝐶 = 𝑓 𝐼𝐵 est presque une
droite ⟹ 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 .

Adil BROURI Fig. 2.9 : Caractéristique 𝐼C = 𝑓 I𝐵 16

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d. Récapitulation des caractéristiques

Fig. 2.9 : Réseaux des caractéristiques du transistor 17

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III. Polarisation du transistor

1. Polarisation avec deux sources
 Soit le montage suivant :

Fig. 2.10 : Polarisation du Tr avec 2 sources

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2. Polarisation par résistance de base

 Soit le montage suivant :

Fig. 2.11 : Polarisation par résistance de base

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3. Polarisation par réaction d'émetteur

 Soit le montage suivant :

Fig. 2.12 : Polarisation par réaction d'émetteur

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4. Polarisation par réaction de collecteur

 Soit le montage suivant :

Fig. 2.13 : Polarisation par réaction de collecteur

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5. Polarisation par pont de base

 Soit le montage suivant :

Fig. 2.14 : Polarisation par pont de base

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IV. Transistor en régime dynamique

1. Introduction
 En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de
sortie résultent de la superposition de grandeurs
continues ou statiques (𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 , 𝑉𝐵𝐸0 et 𝑉𝐶𝐸0 ) et de
grandeurs alternatives, effet de sources
alternatives.

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Fig. 2.16 : Transistor en régime dynamique 24

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2. Paramètres hybrides du Tr
 Les grandeurs électriques = Composantes statique +
dynamique :

𝐼𝑏 (𝑡) = 𝐼𝐵0 +𝑖𝑏 (𝑡) 𝑉𝑏𝑒 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 +𝑣𝑏𝑒 (𝑡)

𝐼𝑐 (𝑡) = 𝐼𝐶0 +𝑖𝑐 (𝑡) 𝑉𝑐𝑒 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸0 +𝑣𝑐𝑒 (𝑡)

 Le transistor en régime dynamique peut être vu
comme un quadripôle :
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 Le transistor en régime dynamique peut être vu

comme un quadripôle :

Fig. 2.17 : Paramètres hybrides du transistor

𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 . 𝑖𝑏 +ℎ12 . 𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑐 = ℎ21 . 𝑖𝑏 +ℎ22 . 𝑣𝑐𝑒
𝑣𝑏𝑒
⟹ ℎ11 =
𝑖𝑏 𝑣𝑐𝑒 =0
C’est la résistance dynamique d’entrée. 26
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𝑣𝑏𝑒
⟹ ℎ12 = ≈0
𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑏 =0

𝑖𝑐
⟹ ℎ21 = =𝛽
𝑖𝑏 𝑣𝑐𝑒 =0
C’est le coefficient d’amplification du transistor.
𝑖𝑐 1
⟹ ℎ22 = =
𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑏 =0
𝜌

C’est l’admittance de sortie du transistor.

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3. Schéma équivalent en petit signaux du Tr

 Le schéma équivalent en petit signaux du transistor
bipolaire en régime dynamique est comme suit :

Fig. 2.18 : Schéma équivalent transistor

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V. Transistor en Commutation
1. Principe
 Soit la droite de charge d’un transistor :

Fig. 2.19 : Polarisation du transistor en commutation

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 On suppose que l’excitation permet de placer les

points de fonctionnement au points A et B.
 Au point A, le courant 𝐼𝐶 = 0

⟹ blocage du transistor.
 Au point B, la tension 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ≈ 0

⟹ saturation du transistor.
 On dit que le transistor fonctionne
en commutation.
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2. Exemple 1
 Soit le montage suivant où le transistor fonctionne
en commutation :

Fig. 2.20 : Transistor en commutation

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2. Exemple 1
 Soit le montage suivant :

Fig. 2.21 : Réalisation des fonctions logiques

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VI. Transistor en amplification

Exercice d’application : régime des petits signaux
 Soit le montage émetteur commun suivant :

Fig. 2.21 : Transistor en régime des petits signaux

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1. Donner le schéma équivalent du montage en

régime dynamique des petits signaux.

2. Calculer l’ amplification en tension 𝐴𝑣 = 𝑣𝑠 /𝑣𝑒 .

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