Electronique analogique 2 2022-2023

Le transistor bipolaire en régime statique

Résumé

1. Définition et symbole
Un transistor est un dispositif à semi-conducteurs qui amplifie les signaux électroniques tels
que ceux de la radio ou de la télévision. Il est créé en juxtaposant trois couches de semi-
conducteurs dopés N+ (fortement dopé), P (faiblement dopé) puis N (moyennement dopé) pour
le transistor NPN ou dopés P+, N puis P pour le transistor PNP.
C’est l’élément de base de l’électronique moderne. Il peut :
 amplifier les signaux électroniques
 agir comme un interrupteur commandé en électronique numérique (mémoire binaire)
 être utilisé comme une source de courant
Le transistor a trois électrodes: Emetteur (E), Base (B) et Collecteur (C).

 Les deux types de transistors ont un comportement analogue à condition d’inverser les
polarités des tensions.
 La flèche qui repère l’émetteur indique le sens positif du courant.

2. Effet transistor
L'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base IB (μA), relativement faible,
un courant de collecteur IC (mA), beaucoup plus important. C’est l’amplification du courant.
L'effet transistor apparaît lorsqu'on polarise la jonction base/émetteur BE en direct et la jonction
base/collecteur BC en inverse (mode actif du transistor), comme illustré sur la figure suivante :

Si 0 <VBB <Vseuil : la jonction base-émetteur est polarisée en directe mais elle n’est pas passante.

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Si VBB≥ Vseuil et VCC> VBB : les électrons de l’émetteur vont vers la base. Etant donné la base
est fine et faiblement dopée, peu d’électrons (1%) se recombinent avec les trous de la base et
vont rejoindre le pôle positif de VBB. Beaucoup d’électrons (99%) peuvent atteindre le
collecteur. Une fois ils arrivent au collecteur, ils sont attirés par le pôle positif de VCC.
Dans un transistor, il y a trois courants distincts: IE, IB et IC. On définit les relations suivantes :

 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 et 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶 (la majorité des e- injectés par l’émetteur dans la base sont collectés).
 𝐼𝐶 ≈ 𝛼 𝐼𝐸
 𝐼𝐶 ≈ 𝛽 𝐼𝐵 , 𝛽 est dit le gain en courant du transistor ou le coefficient d’amplification.
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ (𝛽 + 1)𝐼𝐵

3. Montages de base
Le transistor est modélisé par un quadripôle (deux bornes en entrée et deux bornes en sortie)
dont l’une des électrodes est commune à l’entrée et à la sortie. Trois cas sont possibles :

Montage Entrée Sortie Schéma

Emetteur commun (EC) Base Collecteur

Collecteur commun (CC) Base Emetteur

Base commune (BC) Emetteur Collecteur

4. Modes de fonctionnement du transistor

Afin que le transistor fonctionne, les deux jonctions PN doivent être polarisées avec des sources
de tension. Selon la polarisation des jonctions E/B et B/C du transistor, on distingue quatre
modes possibles :

Normal ou actif Saturé Bloqué

Base/émetteur direct direct inverse
Base/collecteur inverse direct inverse
Mode de Amplification Saturation (interrupteur Blocage (interrupteur
fonctionnement fermé) ouvert)
𝐼𝐶 ≈ 𝛽 𝐼𝐵 ,𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.7𝑉 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 ≠ 𝛽 𝐼𝐵 𝐼𝐵 ≊ 0, 𝐼𝐶 ≈ 0
Caractéristiques 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡 ≈ 0.2 𝑉 𝑉𝐶𝐸 ≈ 𝑉𝐶𝐶

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Normal ou actif Saturé Bloqué

Schéma
équivalent

5. Caractéristiques statiques du transistor

Pour relever les caractéristiques du transistor, on utilise le montage émetteur commun suivant:

IB=f(VBE)
Caractéristique d’entrée

C’est la caractéristique d’une diode normale.

𝑉𝐵𝐸 = 0 𝑉 : le transistor est bloqué.
0 < 𝑉𝐵𝐸 < 0.7 𝑉 : le transistor est quasiment
bloqué.
𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.7 𝑉 : le transistor est passant et peut
être saturé.

IC=f(IB)
Caractéristique de

C’est une droite d’équation : 𝐼𝐶 = 𝛽 𝐼𝐵

transfert

Le transistor est un générateur de courant

commandé par un courant.

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Caractéristique de sortie IC=f(VCE)

VCE<VCEsat : La jonction base-collecteur est
polarisée en direct, le courant IC augmente.
VCEsat<VCE<VCEMax : Le courant de collecteur
est donné par 𝐼𝐶 = β 𝐼𝐵 .
VCE>VCEMax : La jonction est au claquage et
l’effet transistor cesse. Ceci mènera à la
destruction du transistor.
On définit la puissance dissipée dans le
transistor par : 𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 .

6. Polarisation du transistor et droites de charge et d’attaque statiques

La polarisation du transistor consiste à appliquer sur ses trois électrodes des potentiels continus
de valeurs adéquates pour aider à son bon fonctionnement. Elle a pour rôle de placer le point
de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques.
Imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqué, saturé ou linéaire) signifie qu'il faut
se fixer les grandeurs IC, IB, VCE et VBE. Ces grandeurs vont être imposées par les éléments
extérieurs au transistor (les éléments de polarisation), comme représenté dans le montage
émetteur commun de la partie 5 (polarisation par base).
Les équations des droites d’attaque et de charge statiques peuvent être obtenues en appliquant
la loi des mailles sur les mailles d’entrée et de sortie respectivement.
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
Equation de la droite d’attaque statique : 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

𝑉CC −𝑉C𝐸
Equation de la droite de charge statique : 𝐼C = 𝑅𝐶

Le point de fonctionnement est l’intersection de la droite de charge statique avec les

caractéristiques de sortie du transistor. Pour que le transistor fonctionne en mode
d’amplification, le point Q doit être fixé dans la zone de fonctionnement linéaire.

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Le point de fonctionnement peut en tout moment subir une perturbation suite à :

 une augmentation de température (phénomène d’emballement thermique).
 un remplacement du transistor par un autre.

7. Méthodes de polarisation du transistor

Polarisation par Polarisation par Polarisation par Polarisation par

résistance de base réaction de réaction d’émetteur pont diviseur
collecteur

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝐸𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 𝑅𝐵 + 𝛽𝐷𝐶 ∗ 𝑅𝐶 𝑅𝐵 + 𝛽𝐷𝐶 ∗ 𝑅𝐸 𝑅𝑡ℎ + 𝛽𝐷𝐶 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝐸𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 =
𝑅𝐵 𝑅𝐵 𝑅 𝑅
+ 𝑅𝐶 𝑅𝐸 + 𝐵 𝑅𝐸 + 𝑡ℎ
𝛽𝐷𝐶 𝛽 𝛽
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶
Ce montage est très Si  croit, Ic Ce circuit atteint une En choisissant Rth et
simple, mais il est augmente et VRC bonne stabilité du RE correctement, on
aussi sensible à la également. Ceci point de peut rendre le point
dérive thermique conduit à une fonctionnement de fonctionnement Q
(variation de la diminution au niveau contre les variations presque stable contre
température). de VC car VC=VCC- de β à l'aide de RE. les variations de la
VRC. température.
Il ne doit jamais être Si β croit, IC et donc
utilisé dans les Quand VC diminue, IE augmente. Le Généralement, on
applications IB va diminuer et potentiel VE =RE IE prend RE telle que
d’amplification. ceci contribue à la croit ainsi que le 𝑅
𝑅𝐸 ≫ 𝛽 𝑡ℎ , donc :
diminution de IC, ce potentiel de base VB 𝐷𝐶
𝐸𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
Toute augmentation qui permet de (puisque VBE=0.7V), 𝐼𝐶 ≈
de température peut contrebalancer ce qui diminue le 𝑅𝐸
affecter la stabilité l’accroissement du courant de base
du point de repos. gain. 𝑉 −𝑉
puisque IB = 𝐶𝐶𝑅 𝐵.
𝐵

Lorsque IB diminue,
le courant IC diminue
et compense les
variations de β.

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