Transistor Mosfet

September 26, 2021

1 Introduction
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Il est composé de grille(G), Source(S) et Drain(D). Les deux types essentiels
de ce transistor est N-MOS et P-MOS.

Le transistor est composé de deux zones dopées l’une P et l’autre N (tout est
dépendant sur le type N-MOS ou P-MOS). Lorsque la tension appliquée à
la grille(Vg) est supérieur à la tension seuil(Vt) un canal de conduction est
formé entre le Drain et la Source.
NB: la tension seuil dépend de plusieur paramètres mais on l’approxime à
une constante pour faciliter le calcul

2 Fonctionnement
Pour cette partie on va se focaliser sur le transistor N-MOS.

ˆ Vgs = 0: les deux jonctions PN Source-Substrat et Drain-Substrat sont

à 0V donc bloquées.

ˆ Vgs ¿ 0: la Grille et la Substrat forment un condensateur. Les charges

positves s’accumulent à la Grille et les charges négatives s’accumulent à
la Substrat. L’augmentation de Vgs cause les électrons de s’accumuler
de plus en plus sous la Grille. Au momnet donné, cette zone change
de P à N qui invoque la création d’une canal qui permet les électrons
de circuler de la Source vers le Drain. Il suffit d’appliquer une tension
Vds pour obtenir un courant Ids.

1
2.1 Tension de seuil Vt
ˆ La tension seuil
Qb0 Ql
V t = V f b + 2 |Φ| + + (1)
Cox Cox

ˆ Avec :
εox
Cox = (2)
tox
ˆ le potentiel de fermi:
Na
 
Φ = −Φ ln (3)
ni
ˆ la charge équivalente sous la Grille en présence d’un canal:
q
Qbo = 2qN aεsi |2Φ| (4)

ˆ la charge implémenté sous la grimme en ion + :

Ql = qN l (5)

ˆ Vbf: la tension due à l’hétérogénéité du matériaux

NB: Si la tension Vsb est différente de 0 Vt s’exprime:

q q 
V t = V t0 + γ |−2Φ + V sb| − 2 |Φ| (6)

ˆ Vt0: la tension seuil lorsque Vsb = 0

ˆ γ: coefficient du à l’effet du substrat:

q
|2qεsiN a|
γ= (7)
Cox

3 Opération en zone résistivce

ˆ Vgs ¿ Vt; on applique une faible tension

V ds2
" #
W
Id = Kn (V gs − V t) V ds − (8)
L 2

µnεox
Avec Kn = tox

2
 Dans le cas ou V gs > V t on augmente Vds. Le ddp entre la grille et
la source et entre la grille et le drain ne sont pas les même. Le champ
électrostatique n’est plus ni uniforme ni symétrique donc le canal commence
à se déformer.

ˆ Si on continue à augmenter la tension Vds, le courant ne varie plus

linéairement, la tension le long du canal V (x) n’est plus constante.

ˆ Si V gs − V (x) < V t, le canal disparait (Pinch-off)

ˆ Si V gs − V ds ≤ V t, le canal disparait à coté drain. Le transistor est

saturé. La ddp dans le canal devient constant égale à V gs − V t.

4 Récapitulation de formules
ˆ Zone 1: V gs < V t: Id = 0 zone de blocage

ˆ Zone 2: V gs ≥ V t et V ds ≤ V gs − V t: zone linéaire. Voir (??)

ˆ Zone3 : V gs > V t et V ds > V gs − V t: zone de saturation. Le courant

est
Kn W
Id = (V gs − V t)2 (1 + λV ds) (9)
2 L
λ: paramètre empirique.
Ainsi la tension seuil est (??).

5 Saturation de vitesse
Le comportement des transistor à canal courte (L > 1µm) est différent
par rapport à ceux à canal long. Si le canal est assez long, les électrons
peuvent facilement atteindre leur vitesse maximale (phénomène de saturation
de vitesse). On peut définir une tension de saturation Vdsat pour chaque
transistor ou on peut atteindre la saturation de vitesse.

V dsat = Lξc (10)

ξc: champ critique où a lieu la saturation.

La valeur moyenne est ξ ≈ 2.5V.µm−1

3
6 Modèle final du transistor
ˆ Zone 1: V gs < V t: Id = 0 zone de blocage

ˆ Zone 2: V gs ≥ V t:
V min2
" #
W
Id = Kn V gtV min − (1 + λV ds) (11)
L 2
Avec :
V min = min(V gt, V ds, V dsat)
V gt = V gs − V t
q q 
V t = V t0 + γ 2 |Φ + V sb| − 2 |Φ|

Ainsi on peut distinguer 3 cas dans la zone 2:

ˆ 1 er cas : on remplace Vmin par Vds (fonctionnement linéraire)

ˆ 2eme cas : on remplace Vmin par Vdsat(saturation de vitesse)

ˆ 3eme cas : on remplace Vmin par Vgt (saturation)

Remarque:
Les équations précédentes est valables pour le transistor P-MOS.Il se com-
porte comme le transistor N-MOS mais la saturation de vitesse a un effet
plus faible sur le P-MOS(La mobilité de trous est plus faible que celle des
électrons). Cependant, il est intéressant de rappler que le courant est négatif
et la source constitue le potentiel le plus haut.

7 Modélisation de l’interrupteur
On répresente le transistor comme étant in interrupteur ayant une résistance
infini lorsqu’il est off est une résistance finie lorsqu’il est on. Le probleme de
ce modèle est que Ron est variable au cours du temps, non linéaire et dépend
du point de fonctionnement du transistor. Pour simplifier le calcul on utilise
la valeur moyenne de la résistance sur la région de fonctionnement concérnée.

7.1 calcul de Ron

Ron répresente la moyenne entre la résistance à Vds = Vdd et celle à
V ds = V dd ÷ 2:
3 V dd 7
 
Ron ≈ 1 − lV dd (12)
4 Idsat 9

4
 Avec : h i
V dsat2
Id = Kn W
L
(V dd − V t) V dsat − 2

8 Comportement dynamique des MOSFET

Les jonctions PN existantes dans le transistor créent des capacités na-
turelles. Ces capacités sont linéaires la plupart du temps et varie selon la
polarisation.

8.1 Calcul des capacités

Il existe 2 capacités dues au recouvrement du drain et la source avec la
grille:
Cgso = Cgdo = CoxXdW (13)
Voir l’expression du Cox (??). La capacité de la grille au canal contient 3
composantes à savoir :

ˆ Grille à source

ˆ Grille à drain

ˆ Grille à substrat

Elle dépend de mode opératoire du transistor

Zone d’opération Cscb Cgcs Cgcd Cgc(totale)

Blocage CoxWL 0 0 CoxWL
Triode 0 CoxWL/2 CoxWL/2 CoxWL
Saturation 0 (2/3)CoxWL 0 (2/3)CoxWL

La capacité de jonction(jonction de diffusion) est composée de 2 parties:

1. Une partie due à la surface plane du dessous à l’interface PN Csw

2. Une partie due à la forme du substrat et met en jeu la surface verticale

entre les jonctions p et n Csw.

5
 Cjonct = Cbottom + Csw (14)
Cjonct = (Cj × surf ace) + (Cjsw × périmètre) (15)

Avec :
Cjo
Cj = m
(1−V d/Φ) j

cjswo
Cjsw = (1−V d/Φ)m jsw
Dans une autre modélisation ou l’expression est linéaire:

Cjlinéaire = Keq × Cjo (16)

h i
−Φm
Avec: Keq = (vh−vl)(1−m)
(Φ − V h)1−m − (Φ − V l)1−m

Pour l’expression finale de la capacité de la jonction, elle s’ecrit sous la forme:

Cjonct = Cbottom + Csw = KeqCjoW Ls + KeqswCjswoXj(W + 2Ls)

(17)

8.2 Résistance parasite

La résistance pour la zone du drain s’exprime:
Lsd
Rsd = Rpl + Rc (18)
W
Avec :
Rc : résistance du contact
Rpl: résistance plane par carré de la diffusion Drain(source), elle varie de
20 à 100 Ω

9 Attention
Ce résumé est distiné essentiellement pour récapituler les formules du
cours. Veuillez lire le cours pour mieux comprendre les notions de cours.