Cours d’Électronique Analogique

1. Introduction

2. Les diodes

3. Applications des diodes

4. Le transistor bipolaire

5. Le transistor à effet de champ

6. L’amplificateur opérationnel

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1. Introduction
On distingue deux types fondamentaux des transistors à effet de champ ( FET) :
 Structure classique métal-oxyde-semiconducteur (MOS).
 Structure réalisée au moyen d’une jonction PN (JFET) .

FET

JFET MOS FET

à déplétion à enrichissement à déplétion

Type P ou N Type P ou N Type P ou N
1. Introduction
 Structure réalisée au moyen d’une jonction PN (JFET) .
1. Introduction
 Structure classique métal-oxyde-semiconducteur (MOS). Symbole NMOS
2. Principe de fonctionnement NMOS
Fonctionnement linéaire :
Un courant ID circule entre le drain et la source. Son amplitude dépend de la quantité
d’e- dans le canal et donc de VGS. Le courant ID est proportionnel à (VGS – VT) et à VDS.
W
ID = G.VDS = n Cox .( VGS  VT ).VDS
L
μn : mobilité des e- [cm2/Vs] ; Cox = eox / tox capacité surfacique de grille [F/cm2]
tox épaisseur d’oxyde de grille [nm] ; eox permittivité de l’oxyde SiO2 [F/m]
Fonctionnement non linéaire :
1 2
ID = b [(VGS - VT) VDS - VDS ] avec b=µnCoxW/L
2
Fonctionnement en saturation :

ID sat = ½ b (VGS -VT)2

3. Caractéristique statique de sortie
3. Caractéristique statique de transfert
4. Circuits de polarisation du transistor MOS

Polarisation automatique Polarisation VDD et VGG Polarisation mixte

A - Polarisation automatique : VDS = VDD - (RD+RS )IDS

B - Polarisation avec VGG et VDD : VDS = VDD - RDIDS
C - Polarisation mixte : VDS = VDD - (RD +RS )IDS
5. Circuit équivalent en petits signaux
L’amplification d’un signal électrique nécessite l’utilisation d’un composant
actif bien polarisé. Le transistor MOS peut être représenté par ses éléments
physiques comme le montre le circuit suivant :
ig yGD id

1
yGS =  j C GS 
R GS
vgs vds
yGS gm vgs yDS
1 1
yGD =  j C GD  ; y DS   j C DS 
R GD R DS

* La résistance du canal est équivalente à la résistance entre drain et source R DS :

RDS = ( VDS /  I DS )VGS cte

* La transconductance du transistor MOS est donnée par :

gm = (  I DS / VGS ) VDS cte

5. Circuit équivalent en petits signaux
En première approximation on peut négliger l’effet de RGD, RGS et CDS, le circuit
équivalent devient : i
g
CGD is

CGS
vgs vds
gm vgs RDS

Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux H.F.

En première approximation et en basse fréquence on néglige l’effet de RGD,

RGS, CGD, CGS et CDS, le circuit équivalent devient : id

vgs vds
gm vgs RDS

Schéma électrique simplifié d’un NMOS en petits signaux B.F.

6. Montage source commune

Cd : capacité de découplage (qqs 10aines μF)

Cl1 , Cl2 : capacités de liaison (qqs 10aines μF)

6. Montage source commune
Schéma équivalent petits signaux BF:
 Comparaison entre les différents montages

Montage source commune Montage drain commun Montage grille commune

7. Transistor PJFET

On peut montrer que la résistance

du canal a pour expression :
RDS
1
 L  VGS 

RDS  1
a W  VGSoff 


 L’approximation quadratique du
courant IDS dans la zone de saturation
est la suivante :
R0
VGS

2
VGSoff
 VGS  V
I DS  I DSS  1  avec I DSS  GSoff
 V  3R0
 GSoff 
8. Transistor NJFET
2
 VGS  V
I DS  I DSS  1  avec I DSS  GSoff
 V  3R0
 GSoff 

VGS = 0.293VGSoff

VGSoff = - VP

Polarisation en point milieu : IDS = IDSS /2 et VD = VDD /2

On donne : IDSS=8mA, ID=1.9mA et VGSoff = -10V
1- Déterminer VGS , déduire gm0 et gm.
2- Calculer le gain en tension Av et déduire la tension de sortie (r.m.s)

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 Amplificateur sélectif

La transmission, par radio d’une information, utilise une onde porteuse

de fréquence élevée. Suivant la nature de l’émission, cette porteuse est
soit modulée en amplitude ou en fréquence (voir cours émission-
réception). Dans les deux cas il est indispensable de sélectionner les
fréquences dans un intervalle Df centré sur la fréquence porteuse f0 , tel
que Df soit très faible devant f0. Df est la bande passante de
l’amplificateur sélectif.
VDD
vs
gm ve

j g m Lo  Ao
A v ( j)   
L
1  j o   Lo Co 2 1  j 2     o 
Ro   
vs  o
ve
Ro 1
A o  g m R o et 2   R o C o  o  où  o2 
L o o LoCo

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 Amplificateur sélectif

o
   2  1 
2
On appelle facteur de mérite d’un amplificateur le produit de la bande
passante par l’amplification en tension maximale : BG   . A v max
o g gm
BG  A o  m (rad / s) ou BG  (Hz )
2 Co 2  Co
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