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L’ELECTRONIQUE
19/07/2020 OUBA 1
LES COMPOSANTS DE BASE DE L’ELECTRONIQUE
Diodes
Transistors
Amplificateurs opérationnels
19/07/2020 OUBA 2
LES DIODES
Composants à base de semi-conducteurs dopés. Elle est constituée d’une jonction PN
(deux zones différemment dopées) munie d’électrodes.
Caractéristique réelle
LES DIODES
2. Diodes Zéner
En direct même comportement qu'une diode simple.
Passante en sens inverse si Vz=Ez (Ez est appelée
tension de Zéner.
4. Diode Varicap:
C k
1
(VV )0 n
6 : composants optoélectroniques
Polarisation
test1
TRANSISTOR
1. Transistor bipolaire
Composants à base de semi-conducteurs dopés. Il est constitué de 2 jonctions
PN (3 zones). Chaque zone est munie d’une électrode.
C B IB C B C B C
B ~0.7V IB ~0.2V
~0.8V
E
Mode actif E E E
Mode bloqué Mode saturé
1. Transistor bipolaire
VBE V VT
I E I s exp I B I s exp BE re
VT IE
VT
Transistor
2. Transistor à effet de champ
Composant à base de semi-conducteurs dopés (2 zones). Un canal, cerné par un
substrat dopé différemment. Il existe deux types de TEC : Canal N et Canal Pcer
Transistor
2. Transistor à effet de champ canal N
Entré
Sortie Transfert
e
R Source de courant
Le transistor à l’entrée ’
JFET est un C.O.
S
Mode bloqué : IG 0 ; VGS VGS off ; ID 0
Transistor
Modèle linéaire
=
3. Transistor MOSFET
Le NMOS ( Mosfet canal N) à enrichissement
Principe: VGB > VT( seuil), il y a accumulation de charge à l’interface SiO2 , apparition de canal. On
a un champ électrique entre D et S. Déplacement d’électrons dans le canal d’où un courant ID.
3. Transistor MOSFET
Symboles:
Enrichissement
Appauvrissement
NB 2:
- Sur la source, le sens de la flèche indique le sens réel du courant.
- Pour la plupart des transistors, le substrat est connecté à la source.
Transistor
3. Transistor MOSFET
Modelisation du NMOS à enrichissement en statique
Zone linéaire
Entrée: VDS<2(VGs_Vth)
IG=0
Sortie
Pour les tensions VGS positives, il y a un accroissement du nombre de porteurs libres dans le
canal (enrichissement) et pour les tensions VGS négatives, on a un appauvrissement.
Ici VGS peut être positif ou négatif.
TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET
Résumé des TECs
Les MOSFETS sont des transistors similaires aux TECs mais pour lesquels la grille
est totalement isolée du canal.
TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET
Exemple
Phototransistor Optocoupleur
Le Transistor IGBT:
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à porte
isolée. Il associe les avantages des transistors bipolaires (tensions et courants
élevés) et ceux des transistors MOSFET (rapidité des commutations, énergie de
commande faible).
L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)
1. PRESENTATION
Symbole et brochage :
+Vcc + +Vcc
+ S S
- -Vcc
-
-Vcc
1. PRESENTATION
Modèle électrique idéal
Un gain très élevé , des valeurs de Ze très élevée et de Zs faible nous
amène à adopter le modèle idéal suivant :
Caractéristique idéale
Vs
Mode linéaire
+VC = 0V i+=i-=0 et –Vsat<
C
Vs<+Vsat
Il sera très difficile voire impossible en boucle ouverte de rester en zone linéaire.
Pour faire un montage linéaire il faut alors une contre réaction sur la borne négative.
MODE LINEAIRE
Condition de câblage :
Il existe obligatoirement une liaison électrique entre la sortie et l’entrée inverseurse e -.
On parle alors de contre réaction négative ou de rétroaction négative.
Cette liaison peut-être un fil, une résistance, ...
Exemple :
R2
R1 _
+
+
Propriété :
Dans ces cas on considère pour effectuer les calculs que est négligeable.
= 0V et –Vsat< Vs<+Vsat
Méthode de calcul: Déterminet V+, V- puis = V+-V-=0
L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)
MODE NON LINEAIRE
Boucle ouverte :
Il n’existe pas de contre réaction de la sortie sur les entrées.
_
+
+
Boucle fermée ( contre réaction positive) :
Propriété :
Dans ces cas .on peut avoir 0V
Si >0 alors Vs = +Vsat
Si <0 alors Vs = - Vsat
Au cas où = 0V on un basculement de la sortie de +Vsat à –Vsat ou vice versa.
Méthode de calcul: Déterminet V+, V- puis au basculement = V+-V-=0
L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)
Applications montages linéaires:
Amplificateur inverseur Amplificateur non inverseur Convertisseur I/U