RAPPEL SUR LES COMPOSANTS

ELECTRONIQUES DE BASE

02/05/2019 OUBA 1
 LES DIODES

Caractéristique réelle
 LES DIODES

2. Diodes Zéner
En direct même comportement qu'une diode simple.
Passante en sens inverse si Vz=Ez

3. Diodes à effet Tunnel

4. Diode Varicap:

La diode varicap est comme son nom le laisse deviner une

diode à capacité variable, elle est utilisée comme
condensateur variable dans les circuits oscillants

5. Thyristor
 LES DIODES

6 : composants optoélectroniques

Polarisation

test1
 TRANSISTOR

1. Transistor bipolaire

Configuration EC : Transistor NPN

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC I c   .I B

Mode bloqué : I B  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé : VBE  0.8V VCE  0.2V I c   .I B

C B IB C B C B C

B ~0.7V  IB ~0.2V
~0.8V

E
Mode actif E E E
Mode bloqué Mode saturé

 Amplification : le transistor fonctionne en régime linéaire.

 Commutation : le transistor est alternativement bloqué - saturé 5
 TRANSISTOR

1. Transistor bipolaire

Transistor en petits signaux

  VBE   V   VT
I E  I s exp  I B  I s exp BE   re 
  VT  IE
  VT 
 Transistor

2. Transistor à effet de champ

Il existe deux types de TEC : Canal N et Canal P

 Transistor

2. Transistor à effet de champ

Entrée Sortie Transfert

R Source de courant
Le transistor à l’entrée ’
JFET est un C.O.

Mode actif : IG  0 ; 0  VGS  VGS off ;

I D  I D ss
Mode bloqué : IG  0 ; VGS  0 ;

Mode saturé : IG  0 ; VGS  VGS off ; ID  0

 Transistor
2. Transistor à effet de champ
 Régime linéaire : ID

VDS
G D

RDS
= S
résistance fonction de VGS

JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS  0

ordre de grandeur: RDSon  0.05  10k

9
 Transistor

2. Transistor à effet de champ

Schémas équivalents petits signaux

Modèle linéaire
=

Modèle actif
schéma linéaire équivalent:
G id D

vgs g mvgs vds

• 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0(1 −VGS/Vp) avec gm0=-2IDSS/Vp

10
 Transistor
3. Transistor MOSFET
Le NMOS ( Mosfet canal N) à enrichissement
Principe: VGB > VT( seuil), il y a accumulation de charge à l’interface SiO2 , apparition de canal. On
a un champ électrique entre D et S. Déplacement d’électrons dans le canal d’où un courant ID.

Les charges positives attirées

sous la grille se combinent
avec les charges négatives
du canal et diminuent ainsi la
conductivité du canal. Pour
une valeur suffisamment faible
de VGS le courant IDS est nul.
 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET

Symboles:

Appauvrissement

Enrichissement

NB 1: Substrat non représenté si au même potentiel que la source

NB 2:
- Sur la source, le sens de la flèche indique le sens réel du courant.
- Pour la plupart des transistors, le substrat est connecté à la source.
 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET
Modelisation du NMOS à enrichissement en statique
Sortie
Entrée:

IG=0

Modelisation du NMOS à appauvrissement en statique:

Lorsque le substrat est relié à la source, on obtient les caractéristiques suivantes :

Pour les tensions VGS positives, il y a un accroissement du nombre de porteurs libres dans le
canal (enrichissement) et pour les tensions VGS négatives, on a un appauvrissement.
Ici VGS peut être positif ou négatif.
 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET

MOSFET DE PUISSANCE
 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET

PRECAUTION D’USAGE
 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET

Résumé des TECs

 TRANSISTOR
3. Transistor MOSFET

Comparaison Transistors BJT et TEC

 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC)
4. Autres types de transistor bipolaire:
Le phototransistor:

Exemple

Phototransistor Optocoupleur

Le Transistor IGBT:
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à porte
isolée. Il associe les avantages des transistors bipolaires (tensions et courants
élevés) et ceux des transistors MOSFET (rapidité des commutations, énergie de
commande faible).
 L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)

1. PRESENTATION
Modèle électrique idéal
Un gain très élevé , des valeurs de Ze très élevée et de Zs faible nous
amène à adopter le modèle idéal suivant :

Caractéristique idéale
Vs
Mode linéaire
+VC = 0V i+=i-=0 et –Vsat<
C
Vs<+Vsat

 Mode non linéaire ou saturé

-
  0V Vs=Vcc
VC
C
 L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)

Il sera très difficile voire impossible en boucle ouverte de rester en zone linéaire.
Pour faire un montage linéaire il faut alors une contre réaction sur la borne négative.

MODE LINEAIRE
Condition de câblage :
Il existe obligatoirement une liaison électrique entre la sortie et l’entrée inverseurse e -.
On parle alors de contre réaction négative ou de rétroaction négative.
Cette liaison peut-être un fil, une résistance, ...
 Exemple :
R2

R1 _ 
+
+

 Propriété :
Dans ces cas on considère pour effectuer les calculs que  est négligeable.
 = 0V et –Vsat< Vs<+Vsat
Méthode de calcul: Déterminet V+, V- puis  = V+-V-=0
 L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (A.O)
MODE NON LINEAIRE
Boucle ouverte :
Il n’existe pas de contre réaction de la sortie sur les entrées.
_ 
+
+
Boucle fermée ( contre réaction positive) :

La sortie est bouclée sur l’entrée positive.

.

Propriété :
Dans ces cas .on peut avoir   0V
Si  >0 alors Vs = +Vsat
Si  <0 alors Vs = - Vsat
Au cas où  = 0V on un basculement de la sortie de +Vsat à –Vsat ou vice versa.
Méthode de calcul: Déterminet V+, V- puis au basculement  = V+-V-=0
 TIMER NE 555

Multiplieur analogique en CI