Année Universitaire 2021-2022

Université Mohammed V Ecole Supérieure de Technologie

de Rabat de Sale

Département Maintenance Industrielle

Filière : GIM & GEII

Semestre 2

Chapitre 1

Jonction PN : diodes à jonction

 Jonction PN
N P

S.C. de type N S.C. de type P

 Les porteurs de charges mobiles (libres)  Les porteurs de charges mobiles (libres)

- Les électrons sont majoritaires, - Les électrons sont minoritaires,

o Les trous sont minoritaires, o Les trous sont majoritaires,

 Les porteurs de charges immobiles (fixes)  Les porteurs de charges immobiles (fixes)

ion d’atome donneur fixe. ion d’atome accepteur fixe.

 Jonction PN non polarisée à l’équilibre

P N

Au niveau de la jonction :
 On a un gradient de la concentration des porteurs de charges mobiles,
 Les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N
 il y a diffusion des charges
 Jonction PN à l’équilibre non polarisée

P N E0 : champ électrique créé par les atomes donneurs

et accepteurs

contrarier le mouvement des charges mobiles

Idif Iinv kT : énergie thermique (permet de “franchir” la barrière)

Barrière de potentiel pour les porteurs majoritaires.
Par contre, favorise le passage des porteurs
minoritaires (conduction électrique)

Le courant de diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires s'équilibrent et leur

somme est nulle en régime permanent et en l'absence de champ électrique extérieur.

−𝐞𝐕𝟎 I0 : courant correspond à V0 = 0

Idif = Iinv = I0. 𝐞𝐊𝐓 = Is Is : courant de saturation
kT : énergie thermique (permet de “franchir” la barrière)
 Jonction PN polarisée
1. Jonction PN polarisée en directe (dans le sens passant)

id
U

P N Polarisation “directe” : U > 0

Idif Iinv

V0 U
V0-U La nouvelle barrière de potentiel
 Jonction PN polarisée
2. Jonction PN polarisée en inverse(dans le sens bloqué)

U ii
Polarisation “inverse” : U < 0

P N

Idif Iinv
U
V0 V0+U La nouvelle barrière de potentiel
 3. Caractéristique de la diode

id

140

100
Vd 60

20
Is
Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
VT est la tension thermique , à T=300 °K , VT = 26 mV. tension seuil Vo

 Vd < Vo, la diode se comporte comme un bon isolant, diode bloquée (interrupteur ouvert)

 Vd > Vo, la diode se comporte comme un bon conducteur, diode passante (interrupteur fermé)
 Limitations :
Id
 Zone de claquage inverse
VdId=Pmax
Vmax
 Vmax (quelques dizaines de Volts ) = c'est la tension Vd
inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche). Vo

 peut conduire à la destruction pour une diode non

conçue pour fonctionner dans cette zone.
claquage par effet Zener
ou Avalanche
 Limitation en puissance

Il faut que VdId < Pmax

 Influence de T :
 diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

 diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

 Diode dans un circuit et droite de charge

Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le courant qui la traverse?

Id
Val Vd VR Id , V d , ?
R

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

 Droite de charge
Val  Vd
 Loi de Kirchoff :   Id  = Droite de charge de la diode dans le circuit
R
Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

 Modèle électrique de la diode : Schéma équivalent

Diode « idéale » (ou “première” approximation)

 Tension seuil Vo nulle Id Id

 Résistance directe nulle Vd
 Courant inverse Is nul Ri Vd

 Schémas équivalents : Val

diode “bloquée” diode “passante”

 Vd  0  Id  0
Ri Id Ri

Id  0, Vd  Val V
Val<0 Val>0 I d  al , Vd  0
Ri

Rd   Rd  0

Vd
Seconde approximation
Id
 Tension seuil Vo non nulle Id
 Résistance directe nulle Vd
 Courant inverse Is nul Vd
Ri Vo

 Schémas équivalents : Val

diode “bloquée” diode “passante”

 Vd  V0  Id  0
Id Ri
Ri
Val>V0 V  V0
Id  0, Vd  Val Val<V0 Vo I d  al
Ri
, Vd  V0

Rd   Rd  0

Vo Vd
3ième Approximation Mesure

Id
 Tension seuil Vo non nulle
Vd Modélisation
 Résistance directe Rd non nulle
 Courant inverse Is nul Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo Vo
Ri

 Schémas équivalents : Val

diode “passante”
diode “bloquée”
Ri Vo
Ri Id  Id  0 et Vd  Vo
Vd Id
Val> V0
Id  0, Vd  Val Val<V0  Vd  Vo  RdId
Rd

Rd   Rd  0
Vd
Vo
Redressement non commandé
Redressement mono-alternance
 Redressement non commandé
Paramètres descriptifs d’un circuit de redressement
Vmax
VRmoy 
1 T0 1 T0 
 Valeur moyenne VRmoy  0 VR (t )dt  0 2 Vmax sin(0t )dt
T0 T0 Vmax
I Rmoy 
R
Vmax
2 T0
VRe ff 
1 T0 2 Vmax 2
 Valeur efficace VRe ff  
T0 0
VR (t )dt 
T0 0 2
sin2 ( 0 t )dt
Vmax
I Re ff 
2R
VRe ff I
 Facteur de forme : F F  Re ff
VRmoy I Rmoy

 Taux ondulation ou coefficient de ronflement : 

Vond I 2 2 2
  ond I eff  I ond  I moy F  1  2
VRmoy I Rmoy
Redressement non commandé
Redressement double alternance : avec transformateur à point milieu
Redressement non commandé
Redressement double alternance : avec transformateur à point milieu

Vmax
VRe ff 
2V 2
VRmoy  max
  Valeur efficace Vmax
 Valeur moyenne
2Vmax I Re ff 
I Rmoy  2R
R
Redressement non commandé
Redressement double alternance : Avec pont de Greatz
Filtrage par condensateur
Cas mono-alternance
Filtrage par condensateur
Cas double alternance
 diodes spéciales
La diode Zener est une diode pour laquelle on a utilisé des semi-conducteurs N et P très fortement
Diodes Zener
dopés ce qui a comme effet de réduire la tension de claquage VB qui sera appelée tension Zener VZ.

Symbole

Id

Vz Vz0 Vd
IZ min
Zone Zener

IZ max
 diodes spéciales
Diodes Zener

 schémas équivalents
hyp : Q  partie verticale inverse Id

 Modèle statique : Vz0 Vd

Vz
-IZ min
IZ Rz Q


pente
VZ + 1/rz
V
- Z0
-IZ max

Iz
 diodes spéciales
Diodes Zener dans un circuit

IZ R

U VZ
 diodes spéciales

+ -
Diodes électroluminescentes LED LED = source de lumière colorée Symbole

 La LED présente une architecture électronique standard de diode avec :

• d’un côté : un dopage type N donnant lieu à des électrons libres
• de l’autre côté : un dopage P avec des absences d’électrons (appelés trous).

 La différence essentielle entre une diode standard et une LED est le choix du matériau qui permet d’avoir
une émission radiative (quasi monochromatique) lors de cette recombinaison. Par exemple :
• Arséniure de gallium AsGa
• Nitrure de gallium GaN Rayonnement dans le domaine des visibles
• Nitrure de gallium-indium InGaN
 diodes spéciales
Diodes électroluminescentes LED Couleur de la lumière des LEDs
Couleur Longueur d’onde (nm) Tension de seuil (V)
Infrarouge λ > 760 V0 < 1,63
Domaine des visibles

Rouge 610 < λ < 760 1,63 < V0 < 2,03

Orange 590 < λ < 610 2,03 < V0 < 2,10
Jaune 570 < λ < 590 2,10 < V0 < 2,18
Vert 500 < λ < 570 2,18 < V0 < 2,48
Bleu 450 < λ < 500 2,48 < V0 < 2,76
Violet 400 < λ < 450 2,76 < V0 < 3,1
Ultraviolet λ < 400 V0 > 3,1
 diodes spéciales
Diodes électroluminescentes LED Exemple d’utilisation des LEDs : Afficheur 7 segments
 diodes spéciales
Diodes électroluminescentes LED Matrice des LEDs

Tableau d’affichage
ou publicitaire

Lampe d’éclairage

Feu de circulation
rétro-éclairage à LED des écrans TV LCD
 rendre l'image lumineuse et visible
 diodes spéciales
Photodiodes

Caractéristiques optiques

Une photodiode peut être représentée par une source de courant Iph (dépendant de l’intensité de l’éclairement)
 diodes spéciales
+ -
Diodes Tunnel Symbole

Zone où la diode possède une

résistance négative

sur une faible zone de tension directe, la diode présente

une résistance négative. Cette caractéristique est
exploitée pour réaliser des oscillateurs.
Exercice
Pour les montages à diode ci-après, tracer l’allure de l’entrée Ve et la sotie Vs
Ve = 10.sin(t)
Pour les montages à diode ci-après, tracer l’allure de l’entrée Ve et la sotie Vs
Ve = 10.sin(t)
Pour les montages à diode ci-après, tracer l’allure de l’entrée Ve et la sotie Vs
Ve = 10.sin(t)
Pour les montages à diode ci-après, tracer l’allure de l’entrée Ve et la sotie Vs
Ve = 30.sin(t)
Pour les montages à diode ci-après, tracer l’allure de l’entrée Ve et la sotie Vs
Ve = 30.sin(t)

Ve = 10.sin(t)

Ve Vs