Cours d’Electronique Analogique

BENBRAHIM MOHAMMED REDA

mail: r_benbrahim@yahoo.fr

Année universitaire : 2020/2021

1
 Contenu du cours d ’électronique analogique
1. Les circuits électriques
2. La Diode à jonction
3. La Diode zener
4. Applications des diodes
5. Le Transistor bipolaire (Etude statique - dynamique)
6. Le Transistor à effet de champs (Etude statique - dynamique)
7. Amplificateur de puissance
8. Amplificateur différentiel
9. Amplificateur opérationnel (caractéristiques – applications)
10. Rétroaction et amplificateur opérationnel

Bibliographie
Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
2
Notion sur la Physique des semi-
conducteurs

3
 Notion sur la Physique des semi-
conducteurs

 SC INTRINSEQUE

4
• DOPAGE DE TYPE N

5
• DOPAGE DE TYPE P

6
• Bande d’Energie

7
8
9
10
11
2. Les Diodes

2.1 Définition Id Id

Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs

(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
électrique 2A)
12
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant Id
indépendants du
140
temps) comportement linéaire
100

60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5
Vo1
Vd

◼ Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 la diode est dite “bloquée”
 dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

◼ Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

13
 Id
140

100

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5

Vo1
Vd

◼ Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

  V   avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)
I d  I s exp d  − 1
   VT   VT = k • T/e
-23
k = 1,38 10 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linéaire

forte variation avec la température

VT (300K) = 26 mV

14
Limites de fonctionnement :

◼ Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.

Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
◼ Limitation en puissance

Il faut que VdId=Pmax

◼ Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

15
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

◼ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

16
2.3.2 Droite de charge
Val − Vd
◼ Loi de Kirchoff :  → I d = = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

17
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires  hyp: Id, Vd constants

2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

Id
⚫ pas de tension seuil Id
⚫ conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
⚫ Vd <0: circuit ouvert

◼ Schémas équivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
Val  Id  0
Val >0 Vd V
Ri Val I d = al , Vd = 0
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val  Vd  0

Val I d = 0, Vd = Val

18
2.4.2 Seconde approximation

⚫ tension seuil Vo non nulle Id

Id
⚫ caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”)
⚫ Vd <V0: circuit ouvert
Vd
Vo
Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
◼ Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val
V  Id  0
o
Val >Vo Vd
V − Vo
Ri Vo Val I d = al , Vd = Vo
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  Vo
Val<Vo Vd
Val I d = 0, Vd = Val

19
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
⚫ tension seuil Vo non nulle Id
⚫ résistance directe Rf non nulle
Vd
⚫ Vd <V0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation

 Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
10W, Rr >> MW, Vo

◼ Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id  I d  0 et Vd  Vo
Vo Val Rf → Vd = Vo + R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val  Vd  Vo
Val Rr
20
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.

Démarche (pour débutant...):

a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge

b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.

Recommencer le calcul avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants confirmés...

Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

21
 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1kW
Vo Rf V − Vo
Id  → I d = al = 4,33mA
Informations sur la diode: > R f + RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1kW et Vd = Vo + R f I d = 0,66V
Rf = 15W
Rr =1MW

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée: → Vd  5V  Vo 

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = )  → I d = 4,4mA et Vd = 0,6V

La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit

22
 Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30W, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50W Calcul de Id et Vd

pour :
Val 1MW a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs

2) R1 = 1kW Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :

• à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant)

ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode pas
d’effet “capacitif” ou )

23
3) D1 D2

Diodes au Si
2V
100 W

50W
4)

1V

Diodes au Si

24
2.5 Comportement dynamique d ’une diode

2.5.1 Préambule : Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques

(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

= Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’ Analyse dynamique

… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )

 n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

25
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
ve VE = source statique
R2 V(t)=V+v(t)
VE

Calcul complet

V (t ) =
R2
VE + ve (t ) = R2 VE + R2 ve (t )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2

V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v

26
 R1
Analyse statique :
R2
ve = 0 VE V V = VE
R2 R1 + R2

“schéma statique” du circuit

 En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-circuit

R1
Analyse dynamique : DVE = 0
R2
ve v(t ) = ve (t )
R2 v R1 + R2

“schéma dynamique”

 Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

27
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

R1 R2
Schéma statique
R1R3
V= Io
V R1 + R2 + R3
Io R3

Schéma dynamique
R1 R2
R3ve (t )
v(t ) =
ve R3 v R1 + R2 + R3

 Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]

28
2) C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)
w

Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
R1 →V = Val
R1 + R2

R2 V

29
 Schéma dynamique :
1
Zc =
iCw

R2 // R1
→v = vg avec Z g = Rg + 1
ZC
R1 R2 // R1 + Z g iCw

vg Rg
w R2 v

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour w suffisamment élevée : Z g  Rg et v= vg
R2 // R1 + Rg

 A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par
un court-circuit.

30
 Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !

Extrapolations possibles:

le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non-

linéaire

l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant

reste approximativement linéaire.

➔ “modèle linéaire petits signaux” de la diode

31
2.5.2 Modèle petits signaux (basses fréquences)

hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.

◼ Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

➔ la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q

pente : dI d
 id   vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :

I dQ 2|id| Q
−1
Vd dI d
 = “résistance dynamique”
dVd Q
Vo de la diode
2| v|

VdQ

Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !

32
◼ Notation : −1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V  0
d

−1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V  0
d

Pour Vd >> Vo, rf  Rf

−1
−1   Vd 
 VT 

dI d d VT
Pour Vd  [0, ~Vo] , r f =  s
I e − I s  =
dVd  dVd   Id
Vd   
Pour Vd < 0 , rr  Rr

25
à température ambiante : r f  W ( = 1)
I d (mA)

proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle

rf ne devient jamais inférieure à Rf (voir courbe expérimentale, p27)

33
Exemple :
diode: Si, Rf = 10W , Vo = 0,6V ,
Rb Température : 300K
1kW C 2kW

5V Ve
Ra 10µF D (
ve = 0,1  sin 103  2  t )
ve Vd(t)

5 − 0,6
Analyse statique : ID  = 2,2mA, VD  0,62V
2000

26
Analyse dynamique : rf  = 12W, Z c = 16W  Ra
2,2

Schéma dynamique :

2kW
(
→ vd  1,2  10−3 sin 103  2  t )
1kW
Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12W

34
2.5.3 Réponse fréquentielle des diodes

◼ Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.

➔ apparition d’un déphasage entre Id et Vd

➔ le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable

◼ Le temps de réponse de la diode dépend :

 du sens de variation (passant →bloqué, bloqué →passant) (signaux de grande amplitude)

 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

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 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode

A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre
les variations de Vd)

~ Comportement d’un condensateur, dont la valeur augmente avec Id

(cf physique des dispositifs semiconducteurs)

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd >0) :

rc

 I dQ  Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.

rsc Cd 
T
= “capacité de diffusion”

à basse fréquence : rc + rs = rf

la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.

36
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à
5V influencer la tension vd ?
Rb
1kW C 2kW Id = 2,2mA ➔ Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)

Schéma dynamique en tenant compte de Cdiff : (hyp simplificatrice: rc ~0)

1kW rth ~11W

v v
~ 12W
ve Cdiff vth Cdiff = « filtre » passe-bas

 v 
log 
-3dB
 vth 
log f
f = 1  130kHz
2rthCdiff
37
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son
tour déplace les charges électriques.

à haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieur à Is.

Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique :

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd < 0) :

rr 1
Ct  = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd − Vo

 Ordre de grandeur : ~pF

38
2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener

Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

39
◼ schémas équivalents
 Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd 
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q  Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
−1
 dI 
-Imax rz =  d   Rz pour |Id| >Imin
 d Q
dV
 

40
◼ schémas équivalents
hyp : Q  domaine Zener

 Passante en direct  bloquée en direct

Vd >V0 Vd <V0

Rd C.O
Vd  Vd 
Id Id
+
V0 V0

 Passante en Inverse  Bloquée en Inverse

VI >Vz VI <Vz

Iz Rz Iz C.O

VI

VI

+ +
Vz Vz

41
 ◼ Régulation de tension.

De par leurs caractéristiques de générateur de tension, ces diodes sont idéales pour réguler des
tensions continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas des tensions redressées filtrées).

Il est nécessaire d'intercaler une résistance (ou un générateur de courant) entre le générateur de
tension filtrée et la zéner de régulation : ces deux éléments ayant des caractéristiques de générateurs de
tension à faible résitance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un sur l'autre sans les détruire.

Pour que la zéner fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant I z non nul circule en
permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension d'entrée V c et de la
charge Ru.

La résistance R assure donc le rôle de polarisation de la zéner, et

elle sera calculée pour que la condition énoncée ci-dessus soit
remplie. Il faudra aussi veiller à ce que le courant Iz ne dépasse pas
le courant Izm, sous peine de détruire le régulateur.

42
 ◼ Régulation de tension.

On peut définir deux coefficients de stabilisation pour

caractériser ce montage.
En effet, loin d'être dans un cas parfait, la tension de sortie va
varier lorsque la tension d'entrée et / ou la charge vont varier. On
distingue deux coefficients :

Stabilisation amont : ce coefficient est représentatif de la sensibilité du montage aux variations

de la tension non régulée, et ceci à charge constante . C'est le rapport (DVz/DVc)Iu = cte.

Stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la tension de sortie quand le

courant dans la charge varie (Ru varie de ±DRu), et ceci à tension d'entrée constante.

C'est le rapport (DVz/DIu)Vc = cte, soit en fait, l'impédance de sortie du montage . Ce paramètre
est très important dans tous les régulateurs de tension.

43
◼ Régulation de tension.

Il est plus simple pour calculer ces coefficients

d'utiliser le schéma équivalent alternatif petits signaux. On retire
alors toutes les sources de tension continues.

44
2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)

◼ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

 Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

 L’intensité lumineuse  courant électriqueId

 Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

 Vo  0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

45
3. Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.

3.1 Limiteur de crête (clipping)

◼ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge
Id
Rg Vg
circuit à Rg // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger

46
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)

+20V ◼ ouverture de l’interrupteur : +20V ◼ Protection par diode :

dI
 V =L → −  Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
 VA → +  VA  ~20,7V
I
I
A risque de décharge électrique à  la conduction de la
travers l’interrupteur ouvert diode engendre un courant
transitoire et diminue la
 L’interrupteur pourrait être tension inductive.
un transistor...

47
3.2 Alimentation
◼ Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Les fonctions effectuée par une alimentation :

Redressement Filtrage passe-bas Régulation

V>0

V<0

48
Redressement simple alternance
Vs  Vm − 0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2

Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi  1.4V

49
avec filtrage : 50 W
R
D1 D2

Rc=10kW
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
➔ RC << RcC

sans condensateur
avec condensateur

Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors)
50
Autres configurations possibles :

◼ Utilisation d’un transformateur à point milieu :

 mauvais rendement, puisqu’à

secteur
chaque instant seule la moitié du
~
bobinage secondaire est utilisé

transformateur à
point milieu

◼ Alimentation symétrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val

51
Autre exemples : Doubleur de tension

source
AC
charge

 l’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

 source “flottante”  nécessité du transformateur

52