Chapitre 3 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) INTRODUCTION 1. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION PN (JFET) 1.1 Structure et symbole 1.

2 Principe de fonctionnement 1.3 Caractristiques lectriques 1.4 Polarisation du JFET 1.5 Schma quivalent en petits signaux. 2. UTILISATIONS DES JFETs 2.1 Amplificateur JFETs: Montage Source Commune 2.2 Utilisation en rsistance commande 2.3 Source de courant 3. LE TRANSISTOR MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 3.1 MOSFET canal induit 3.1.1 Structure et fonctionnement 3.1.2 Caractristiques 3.2 MOSFET canal diffus ( dpltion) 3.2.1 Structure et fonctionnement 3.2.2 Caractristiques 4. UTILISATION DES MOSFETs. INTRODUCTION Ce chapitre est consacr aux transistors effet de champ, ou FET ( Field Effect Transistor ), dont ltat de conduction et lintensit du courant sont contrls par la tension applique une lectrode de grille. Ce sont des transistors unipolaires (par opposition aux transistors bipolaires), car le courant nest transport que par un seul type de porteurs de charge (lectrons ou trous). Il en existe une grande varit : les JFET (Jonction Field Effect Transistors), dans lesquels la tension de grille contrle lextension de la rgion de dpltion dune jonction PN, les MESFET (Metal semiconductor FET), dans lesquels la jonction PN est remplace par une jonction mtalsemiconducteur, et enfin les MOSFET (Metal Oxide FET), dans lesquels la grille est spare du semiconducteur par un oxyde, jouant le rle dun isolant. Le fonctionnement des FET est fondamentalement plus simple que celui des transistors bipolaires. Historiquement, le principe des transistors effet de champ a t propos trs tt dans le dveloppement des dispositifs lectroniques (1930, Lilienfeld), mais son implmentation pratique a t freine lpoque par le manque de comprhension du rle jou par les effets de surface. Ce retard a permis aux transistors bipolaires de se dvelopper considrablement. Le problme des tats de surface na t rsolu quen 1960, avec le premier prototype de MOSFET de Kahn et Attala. Les transistors MOSFET au silicium ont ensuite petit petit supplant les transistors bipolaires dans bon nombre dapplications. En effet, par leur principe du contrle de ltat de conduction par une tension, les transistors effet de champ sont idals pour fonctionner en commutation dans les applications dlectronique numrique. Ils se prtent galement facilement la miniaturisation. Actuellement, les mmoires et les processeurs au silicium peuvent contenir plusieurs millions de transistors MOSFET.

1. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION PN (JFET) 1.1 Structure et symbole De mme qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET jonction (ou JFET) est dclin en deux versions: le canal N et le canal P. Les deux types de transistors sont reprsents dans les figures 1 et 2.
Drain Grille Source D (Drain)

P Canal N Substrat P

G (Grille) S (Source)

Figure 1: JFET canal N

Drain Grille Source D (Drain)

N Canal P Substrat N

G (Grille) S (Source)

Figure 2: JFET canal P On distingue 3 contacts: la Source S est l'lectrode par o les porteurs majoritaires entrent dans le barreau. (Source d'lectrons) le drain D est l'lectrode par o les porteurs majoritaires quittent le barreau. (lectrode charge de drainer les lectrons) la grille G permet de commander le courant IDS La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant si la jonction tait passante. 1.2. Principe de fonctionnement Prenons le cas d'un transistor canal N.
VGS VDS S S G
Canal N

D Zone dpeuple

Figure 2: Principe de fonctionnement d'un JFET En fonctionnement normal, le drain sera polaris positivement par rapport la source (V DS > 0), la grille sera polarise ngativement par rapport la source (V GS <0) ce qui polarisera en inverse les jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi deux zones de charge d'espace (zone de dpltion ou zones dpeuple) autour des jonctions. Ces zones ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur paisseur augmente avec V GS et aussi avec VDS. Les lectrons, qui sont les porteurs mobiles de charges, circulent dans le canal dont la largeur est contrle par la tension VGS<0. Remarques:

Si VDS=0, quelque soit la valeur de VGS, on aura toujours VGS=VGD, donc la zone de dpltion aura la mme largeur tout le long du canal. Pour VDS > 0, la tension inverse de la jonction est V GS du cot source et VGD=-VDS+VGS du cot du drain soit |VGD|=|VDS|+|VGS|, donc la zone de dpltion sera plus large de ce cot et de ce fait le canal sera plus troit (Figure 2). 1.3 Caractristiques lectriques La figure 3 reprsente les caractristiques de transfert I DS = f (VGS) gauche, et de sortie IDS=f(VDS,VGS) droite.

Figure 3: Caractristiques du FET jonction. 1. Regardons ce qui se passe si on prend VGS=0 et on fait augmenter VDS progressivement. On observe (Figure3) que pour les valeurs faibles de VDS, un courant ID proportionnel VDS circule dans le canal qui se comporte donc comme une rsistance R DS. Au fur et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car V DS=VDG, il arrive un moment o la largeur du canal devient tellement troite qu'il se produit un phnomne de saturation du courant ID, qui n'augmente quasiment plus mme si on continue d'augmenter V DS. La tension VDS qui provoque ce phnomne est dite tension de pincement Vp . Le courant ID correspondant est not IDSS. 2. Si on refait la mme chose mais cette fois ci avec une tension V GS non nulle, au dbut, pour VDS=0, on a VGD=VGS, ce qui donne une zone de dpltion rgulire le long de tout le canal qui, ainsi, voit sa largeur rduite. Ds que V DS commence augmenter, ID augmente proportionnellement mais avec, cette fois, une pente plus faible car la rsistance du canal est plus leve. Au fur et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDG=VDS+|VGS|. Au moment o VDG=Vp, le canal est pinc et il y a saturation du courant I D. Remarquons que le pincement se fait pour une valeur de V'p de V DS infrieure Vp : V'p = Vp - |VGS| = Vp + VGS 3. Si maintenant on applique une tension V GS=-V'p, mme pour VDS nulle, le canal est pinc sur toute sa longueur. Il ne peut y avoir de courant I D mme si on fait augmenter VDS, on dit que le transistor est bloqu. Pour viter toute confusion on notera V GSoff la valeur de VGS qui bloque le transistor et Vp la valeur de VDS qui provoque la saturation de courant ID pour VGS=0. En rsum, La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones: la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui servira l'amplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor bipolaire. la zone ohmique (en gris sur la figure 3): dans cette zone, le FET est assimilable une rsistance dont la valeur est pilote en tension. La caractristique de transfert est assez bien approxime par une parabole d'quation:

1.4 Polarisation du JFET Comme pour les transistors bipolaires, la polarisation d'un JFET peut s'obtenir l'aide d'une seule alimentation et des rsistances dont le rle est de fixer le point de repos du transistor. Le montage le plus utilis dite polarisation automatique est le suivant:

Figure 4: Polarisation dite automatique d'un JFET La grille est relie la masse par une rsistance R G de forte valeur. Comme le courant grille est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la rsistance de source une chute de tension gale RS.ID . La tension grille-source vaut donc : V GS = VGM VSM = RS.ID . La grille est bien ngative par rapport la source. Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la rsistance de source augmente ce qui diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-raction qui stabilise le point de fonctionnement. V GS Lquation de la droite dattaque est : I D = Rs 1 E V DS + et celle de la droite de charge est : I D = RS +R D R S +R D 1.5 Schma quivalent en petits signaux. Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement polaris: le fonctionnement se fera dans la zone de pincement. On construit le de la mme manire que pour le transistor bipolaire.

Figure 5: Schma quivalent alternatif petits signaux. Le schma de la figure 7 est celui relatif au FET canal N. En entre, on applique une tension V GS et le courant consomm est nul. En sortie, on retrouve les mmes lments que pour le transistor bipolaire: une source de courant (commande par la tension V GS, et non par un courant), et sa rsistance parallle . Comme pour le transistor bipolaire, cette rsistance est trs leve (plusieurs centaines de k ), et on la ngligera dans toutes les applications courantes. g = ID/VGS VDS=Cte est la transconductance ou la pente du FET. En drivant l'expression de IDS par rapport VGS on obtient:

2. UTILISATIONS DES JFETs De par sa constitution, le FET jonction n'est pas adapt du tout aux forts courants. Il va rester cantonn aux applications d'amplification et de traitement des petits signaux. Il est utilis dans des montages haute impdance d'entre et faible bruit: pramplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple. Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est l'intgration dans des composants tels les amplificateurs oprationnels: la trs forte impdance d'entre des JFET leur donne un avantage dcisif par rapport aux bipolaires, et aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualit possdent au minimum un tage d'entre en JFET. 2.1 Amplificateur JFETs: Montage Source Commune Ce montage est lquivalent du montage metteur commun pour le bipolaire. Le fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire; ce montage n'a toutefois que peu d'intrt, car le FET est un composant trs forte impdance d'entre, et ce, on va le voir, mme lorsqu'il est utilis en source commune. Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage canal P s'en dduit aisment.

Figure 12: Montage source commune. On veillera polariser le composant pour que la tension de repos V DS0 ne soit pas trop faible, de manire ce qu'il fonctionne dans la zone gnrateur de courant. On rajoute un condensateur de dcouplage CD sur RS pour que la source soit effectivement la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de contre raction qui affaiblirait beaucoup le gain en tension. Vu que la grille est au mme potentiel que la masse, le gnrateur d'entre, s'il dlivre uniquement un signal alternatif, peut tre coupl directement la grille, sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le drain, en revanche ncessite un condensateur de liaison pour ne pas perturber les tages avals. A. Fonctionnement en petits signaux. Nous avons vu que la caractristique de transfert du FET n'est pas linaire: nous allons donc tre obligs de travailler en petits signaux pour pouvoir linariser le montage et utiliser les lois fondamentales de l'lectricit. Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages transistors bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET, et on obtient:

Figure 13: Schma quivalent en alternatif petits signaux. B. Gain en tension. Les quations sont quasiment triviales. En entre, on a: En sortie, si on nglige , dont la valeur est trs leve vis vis de RD , on a : On en tire aisment le gain en tension vide:

C. Impdance d'entre. La solution est triviale: On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute de tension occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable. On choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques M . D. Impdance de sortie. On se retrouve exactement dans le mme cas pour le montage metteur commun du bipolaire. En oprant la mme transformation norton-thvenin que pour ce dernier montage, on trouve: Cette valeur est moyenne, RD valant typiquement quelques k . On ne pourra gnralement pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur d'impdance en aval. 2.2 Utilisation en rsistance commande Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la rsistance du canal en modifiant la tension VGS . Le FET est utilis dans un montage potentiomtrique (diviseur de tension) mettant en jeu la rsistance RDS du canal et une rsistance additionnelle R. Sur le schma figure 14, on remarque un rseau r-r-C reliant le drain la grille et la commande. On pourrait appliquer directement la tension VC sur la grille, mais en rajoutant ce rseau, on amliore la linarit, notamment pour des tensions VE , donc VS ngatives: en effet, on a dj vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarise en direct, et le FET ne travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moiti de la tension alternative prsente sur le drain, on amliore sensiblement la linarit et la tension maximale d'utilisation du FET en rsistance commande. Cette tension maximale demeure faible.

Figure 14: Utilisation en rsistance commande.

Cette fonction est utilise en particulier dans des amplificateurs commande automatique de gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau d'entre fluctuant (exemple: rglage automatique du niveau d'enregistrement des magntophones cassette audio bon marchs). Une autre application dduite de la fonction rsistance commande est le commutateur analogique: si on applique une tension suprieure ou gale en valeur absolue la tension de pincement V P sur la commande, la rsistance de drain va devenir trs grande (quelques M ). Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k ), la tension VS sera quasiment gale la tension VE : tout le signal passe. Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la rsistance du FET sera minimum (quelques centaines d'ohms), et la tension VS sera quasiment nulle. On a ainsi ralis un commutateur analogique. Cette fonction est trs utilise sous forme de circuits intgrs et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction indispensable pour les dispositifs d'acquisition de donnes. 2.3 Source de courant

Figure 15: Source de courant deux bornes. On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procder pour obtenir un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la rsistance de source dfinit le courant de drain. Si on retire du montage source commune la rsistance de drain, on se retrouve avec un dispositif deux bornes susceptible de garantir un courant constant dans le circuit sur lequel il sera branch. Des circuits intgrs existent, qui comprennent le FET et sa rsistance de polarisation (la rsistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant prrgles. Des restrictions limitent toutefois leur usage: le composant est polaris: le courant ne peut circuler que dans un seul sens. ce dispositif ne gnre pas de courant, il le rgule (comme la zner rgule une tension). la tension applique entre les deux bornes du composant doit tre au moins suprieure la tension VGS de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de pincement. 3. LE TRANSISTOR MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Le fonctionnement de ce genre de transistor est un peut similaire celui du JFET par le fait qu'ici aussi on va moduler le courant ID par la modulation de la largeur d'un canal conducteur. Ici, on ne se servira pas d'une jonction PN pour y arriver. La grille mtallique est isole du canal par une fine couche d'oxyde de silicium fortement isolant. La grille, la couche de silice ( SiO 2 ) et le canal constituent un condensateur dont la polarisation peut modifier la conductivit du canal. Le changement peut se produire soit: dune modification de la concentration en porteurs majoritaires et lon a des MOS canal diffus ou dpltion, dune modification de la concentration en porteurs minoritaires et lon a alors des MOS canal induit ou enrichissement.

3.1 MOSFET canal induit 3.1.1 Structure et fonctionnement Sur un substrat dop P sont diffuses deux zones trs dopes N formant le drain et la source du MOSFET. Il existe galement des MOS avec un canal P et qui fonctionnent avec des tensions et des courants opposs ceux ayant un canal N. Sur le symbole utilis pour la reprsentation des MOS canal diffus, le canal est reprsent par un trait continu. Une flche figure la jonction substrat-canal, elle est oriente dans le sens passant de la diode. Les quatre lectrodes peuvent tre accessibles mais le substrat et la source peuvent tre relis en interne.

Figure 6: Phnomne d'inversion. Si VGS < 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est compos de deux jonctions en srie, l'une PN, l'autre NP: il y en aura toujours une en inverse. Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P forment un condensateur. Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille. Pour une tension VGS suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en lectrons dans le substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de la grille; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et source si une tension VDS non nulle est applique. La tension V GS partir de laquelle il y a inversion du canal est dite tension de seuil VTH. Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement, car une tension V GS positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant. 3.1.2 Caractristiques Les caractristiques de sortie de ce type de transistor ont laspect habituel de celles des transistors effet de champ.

Figure 7: Caractristique de sortie du MOS canal N. Pour les valeurs faibles de VDS, le canal se comporte comme une rsistance RDS. D'une faon similaire au JFET, le fait d'augmenter VDS, provoque la diminution de la largeur du canal du cot drain et il arrive un moment (|VDS| = |VGS-VTH|) o il y a pincement du canal. Le courant de

drain tend alors vers une valeur constante, de la mme manire que pour le JFET. La caractristique de transfert est parabolique et son quation est de la forme : ID = K(VGS VTH).

Figure 8: Caractristique de transfert du MOS canal N. La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typique). Ce seuil varie avec la temprature. 3.2 MOSFET canal diffus ( dpltion) 3.2.1 Structure et fonctionnement Le MOSFET canal diffus a la mme structure que le MOS canal induit, avec en plus, un canal faiblement dop N entre la source et le drain.

Figure 9: MOSFET N canal diffus Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET: un courant de drain pourra circuler; quand VDS augmente, un phnomne de pincement se produit, qui obstrue le canal: le courant de drain devient constant. Si VGS est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de cette zone N): on fonctionne en rgime d'appauvrissement. Au contraire, pour VGS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS enrichissement, et le courant de drain va crotre. 3.2.2 Caractristiques Pour les tensions VGS positives, il y a un accroissement du nombre de porteurs libres dans le canal (enrichissement) et pour les tensions VGS ngatives, on a un appauvrissement.

Figure 10: Caractristique de sortie du MOSFET N canal diffus

Figure 11: Caractristique de transfert d'un MOSFET canal initial Lexpression du courant drain est comme pour un JFET donne par:

mais cette fois VGS peut tre positif ou ngatif. La polarisation de ce type de transistor est particulirement simple car on peut le polariser avec la grille la masse (VGS = 0). On peut galement utiliser les mmes mthodes de polarisation que pour les JFET. 4. UTILISATION DES MOSFETs. De par leur constitution, les transistors MOS sont trs fragiles, notamment au niveau de la grille. Les dcharges lectrostatiques sont proscrire, car elles peuvent casser le composant, ou pis, l'endommager sans que ses caractristiques ne changent: c'est la fiabilit qui est compromise. MOSFET de puissance. Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont trs rapides et commandables en tension. On notera toutefois qu' frquence leve, la grille formant un condensateur avec le substrat, elle ne prsente plus une impdance infinie, comme en statique. Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur caractristique essentielle est, avec la tension VDS maxi, la rsistance RDS , qui peut tre aussi basse qu'une dizaine de m. Intgration dans les composants numriques. La technologie MOS se prte trs bien l'intgration grande chelle: elle permet de raliser des composants logiques consommant trs peu de courant, et permet ainsi un trs grand niveau d'intgration (exemple: mmoires, microprocesseurs, circuits logiques divers ) Les transistors MOS sont utiliss ici en commutation.