Solution d’Exercices de la Série No 1

Ahmad boussoufa1

École Nationale Supérieure de Technologie (ENST)

2ème année - Électronique Générale
Département de la Formation Préparatoire (DFP)
April 13, 2020

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 Exercice 06:
On considère le circuit de la figure ci-dessous où la diode est polarisée en
directe (E = 3V ):
R ID La diode est caractérisée par les
paramètres suivants:
+
Is = 10−11 A , n = 1 et
+ VD
E − VT = 26mV à T = 300K ,
VD
− ID = Is (e nVT − 1)

On souhaite limiter le courant qui traverse la diode à IDQ = 3mA.

1- Calculer la chute de tension aux bornes de la diode VDQ et la
résistance nécessaire R pour fixer le courant IDQ .
2- Calculer la résistance dynamique de la diode rd au point de
fonctionnement.
3- Si la tension d’entrée E varie entre −2.90V et 3.10V (∆E = 200mV )
, calculer les variations ∆vd et ∆id .

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1-Calculer la chute de tension aux bornes de la diode VDQ et la
résistance nécessaire R pour fixer le courant IDQ = 3mA.
VD VD VD
ID = Is (e nVT − 1)' Is e nVT e nVT  1 pour une polarisation
car
directe
I   3 × 10−3 
DQ
=⇒ VDQ = nVT ln = 1 × 26mV × ln = 0.507V
Is 10−11
E − VDQ 3V − 0.507V
E = RIDQ + VDQ =⇒ R = = = 830.83Ω
IDQ 3mA
2- Calculer la résistance dynamique de la diode rd au point de
fonctionnement.
VD 
 VD
1 ∂ID  ∂ Is e nVT  1 Q ID
= = = Is e nVT
= Q
rd ∂VD (ID ,VD )
 ∂VD (ID ,VD )
 nVT | {z } nVT
Q Q Q Q IDQ

nVT 1 × 26mV
=⇒ rd = = = 8.66Ω
IDQ 3mA
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3- Si la tension d’entrée E varie entre −2.90V et 3.10V
(∆E = 200mV ), calculer les variations ∆vd et ∆id .
∆E
Si on considère une variation sinusoı̈dale: E = 3 + sin(ωt)
2
La variation de la source de tension E génère des variations dans les
courants et les tensions du circuit. =⇒ vD (t) = VDQ + vd (t) où vd
est la variation de la tension de diode.
De même: iD (t) = IDQ + id (t) I + i (t)
D d

∆E + R +
sin(ωt)
2 −
VD + vd (t)
3 +
− −

∆E  
3+ sin(ωt) = R IDQ + id (t) + VDQ + vd (t)
2
∆E
de Q.01 : 3 = RIDQ + VDQ =⇒ sin(ωt) = Rid (t) + vd (t)
2
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Pour trouver la relation entre id (t) et vd (t), on utilise l’équation de
la diode:
VD VD +vd VD vd vd
Q Q
ID = Is e nVT =⇒ IDQ + id = Is e nVT
= Is e nVT e nVT = IDQ e nVT
| {z }
IDQ
vd
vd
Si vd  nVT =⇒ e nVT
≈1+ (D.L du 1er ordre.
nVT
e x ≈ 1 + x)
 vd  ID
IDQ + id = IDQ 1 + = IDQ + Q vd
nVT nV
| {zT}
1
rd

vd
=⇒ id = C’est une relation linéaire entre id et vd
rd
En régime dynamique (variation des courants et tensions autour de
points de fonctionnement), la diode se comporte comme un
résistance linéaire à conditon que vd  nVT

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Le circuit équivalent en régime dynamique:
R id (t)
+
∆E +
sin(ωt) rd vd (t)
2 −
−
rd ∆E 8.66
vd = sin(ωt)= × 100 sin(ωt) mV
rd + R 2 8.66 + 830.83
vd = 1 sin(ωt) mV =⇒ ∆vd = 2 mV
vdmax = 1mV  nVT = 26mV
vd
vd
=⇒ l’approximation e nVT ≈ 1 + est valable.
nVT
∆E
sin(ωt)
id = 2 = 0.12 sin(ωt) mA=⇒ ∆id = 0.24 mA
R + rd

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Exercice 07:
Conseil: Utiliser théorème de Thévenin aux bornes de la diode pour
simplifier le circuit.
Exercice 08:
Pour le circuit ci-dessous, calculer les coordonnées des point de
fonctionnement des diodes D1 et D2 . E = 10V
D2
1kΩ

D1
+ 1kΩ
E −
5

On doit supposer les états des diodes (passante ou bloquée), on

calcule après on vérifie.

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1er cas: D1 : passante, D2 : passante
0.7
1kΩ ID2
ID1
0.7
+ 1kΩ
E −
I1 I2
5

E − 1kΩ × I1 − 0.7 − 5 = 0
5 + 0.7 − 0.7 − 1kΩ × I2 = 0
=⇒ I1 = 4.3mA , I2 = 5mA
Vérification:
ID1 = I1 − I2 = −0.7mA 7
Contradiction avec la supposition

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2ème cas: D1 : bloquée, D2 : passante

1kΩ ID2

I +
VD1 0.7
−
+ 1kΩ
E −
5

E − 1kΩ × I − 0.7 − 1kΩ × I = 0 =⇒ I = 4.65mA

Vérification:
D1 : VD1 = E − 5 − 1kΩ × I = 0.35 < 0.7V X
D2 : ID2 = I = 4.65mA X
les coordonnées des points de fonctionnements:
(ID1 , VD1 ) = (0mA, 0.35V )
(ID2 , VD2 ) = (4.65mA, 0.7V )

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