Solution d’Exercices de la Série No 3

ahmad boussoufa

École Nationale Supérieure de Technologie (ENST)

2ème année - Électronique Générale
Département de la Formation Préparatoire (DFP)
June 30, 2020

ahmad boussoufa Solutions d’Exercices de la Série No 3

Exercice 06: Pour le circuit ci-dessous: VDD = 12V ,
Transistor Q: IDSS = 12mA, Vp = −6V, λ = 0.01V −1
+VDD

R1 ID
CG
Q
CS
+
ve (t) +
− R2
RS RL (2k) vs (t)
−

Régime statique:
1- Calculer les valeurs des résistances RS , R1 et R2 pour fixer le
point de repos à (IDQ , VDSQ ) = (4mA, 6V).
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En régime statique:
1- Les condensateurs se comportent comme des circuits-ouverts.
+VDD

R1 ID

+
ve (t) +
− R2
RS RL (2k) vs (t)
−

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 Pour le circuit ci-dessous: VDD = 12V ,
Transistor Q: IDSS = 12mA, Vp = −6V, λ = 0.01V −1
Régime statique:
1- Calculer les valeurs des résistances RS , R1 et R2 pour fixer le
point de repos à (IDQ , VDSQ ) = (4mA, 6V).

VDD − VDS − RS × ID = 0
VDD − VDS 12V − 6V
=⇒ RS = = = 1.5k
R1 +
ID 4mA
ID +
VDD
 VGS 2
G Q VDS − ID = IDSS 1 −
VP
+
−
r
+  ID 
− =⇒ VGS = Vp 1 − = -2.53 V
S
G

IDSS
V

R2 VG
RS
− VG = VGS + RS × ID = 3.46V
R2
VG = VR2 = VDD =3.46V
R1 + R 2

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 R1
VR1 = VDD = VDD − VR2 =12 - 3.46 = 8.54V
R 1 + R2
VR1 R1 8.54
=⇒ = = = 2.49
VR2 R2 3.46
=⇒ R1 = 2.49 × R2
On choisit R2 =100k et R1 = 249k

∂iD  2IDSS  VGS 
gm = = 1 − = 2.3 mS
∂vGS (ID ,VDS ) −Vp VP
Q Q

1 1
ro = = −1
= 25k
λ × IDQ 0.01V × 4mA

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 En régime dynamique:
1- Les condensateurs se comportent comme des court-circuits pour
les fréquences d’entrée.
2- On considère seulement les sources de tension variables. Une
source de tension constante est remplacée par une masse (0V)
(VDD −→ 0)
3- Le circuit équivalent en régime dynamique d’une transistor FET:

∂iD 
G D
gm =
∂vGS (ID ,VDS )
+ Q Q

vgs 1
gm vgs rds (ro ) rds '
λ × IDQ
− S
λ : paramètre de modulation de
longueur de canal (∼ 0.01V −1 )

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 Le circuit équivalent en régime dynamique:
id
R1
470k Q

+ id
R2
ve (t) 150k +
− RS RL ( 4k) vs (t)
2k
−

id

+ id
ve (t) R1 R2 +
−
RS RL vs (t)
−

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 Drain commun: régime dynamique:
Le circuit équivalent en régime dynamique d’une transistor JFET:
vgs
G D G + − S
+
vgs gm vgs ro gm vgs ro

− S D

Le circuit équivalent en régime dynamique:

vgs
G + − S

+
+
ve (t) R1 ||R2 gm vgs ro RS RL vs (t)
−
D
−

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 vs
1- Calculer le gain en tension Av = .
ve
vgs
G + − S

+
+
ve (t) R1 ||R2 gm vgs ro RS RL vs (t)
−
D
−

ve = vgs + (ro ||Rs ||RL ) × gm vgs

ve ' vgs + (Rs ||RL ) × gm vgs si ro  Rs ||RL
vs = (Rs ||RL ) × gm vgs si ro  Rs ||RL
vs gm (Rs ||RL ) 2.3 × (1.5k||2k)
=⇒ Av = = = = 0.66
ve 1 + gm (Rs ||RL ) 1 + 2.3 × (1.5k||2k)

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 ve
2- Calculer la résistance d’entrée Re = .
ie
vgs
G + − S

+
+
ve (t) R1 ||R2 gm vgs ro RS RL vs (t)
−
D
−

ve
Re = = R1 ||R2 = 71.34k
ie

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 vs
2- Calculer la résistance de sortie Ro = .
is
La résistance de sortie Ro est la résistance du Thévenin (Rth ):
vgs
G + − S is
+

gm vgs ro Rs vs (t)
D −

la résistance R1 ||R2 est court-circuitée =⇒ on la supprime

vgs 6= 0 =⇒ gm vgs 6= 0 : la source du courant (gm vgs ) reste dans le
circuit.
vs = (Rs ||ro )(is + gm vgs )
vs + vgs = 0=⇒ vgs = −vs
 
=⇒ vs = (Rs ||ro ) is + gm (−vs )
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vs 1 + gm (Rs ||ro ) = (Rs ||ro ) × is

vs Rs ||ro
=⇒ Ro = =
is 1 + gm (Rs ||ro )
Une autre écriture de la résistance de sortie:
1
Ro = Rs ||ro ||
gm
1 Rs 1.5k
≈ Rs || = = = 288Ω
gm 1 + gm Rs 1 + 2.3mS × 1.5k

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 is
Calculer le gain du courant Ai = .
ie
vgs
G + − S
ie is +
+
ve (t) R1 ||R2 gm vgs ro RS RL vs (t)
−
D
−

Pour calculer le gain du courant, on trouve

)
ie = f (vgs ) is
=⇒ Ai =
is = g (vgs ) ie

ve
ie =
R1 ||R2
ve = vgs + (Rs ||RL ) × gm vgs si ro  Rs ||RL
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 1 + g
mRs ||RL 
=⇒ ie = × vgs
R1 ||R2
ro ||Rs
is = × gm vgs (diviseur du courant)
ro ||Rs + RL
ro ||Rs
gm
is ro ||Rs + RL
Le gain Ai = = = 11.3
ie 1 + gm Rs ||RL
R1 ||R2

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Exercice :
Pour le circuit ci-dessous:
+Vcc

RC ( 2k) CC
R1
56k
IC
CB +
Q
RL ( 2k) vs (t)
+ R2
ve (t) 22k RE (1k) −
−

vs is
1- Calculer le gain en tension Av = et le gain en courant Ai = .
ve ie
ve
2- Calculer la résistance d’entrée Re = et la résistance de sortie
ie
vs
Rs = .
is
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 Le circuit équivalent en régime dynamique si on a laissé la même
configuration du transistor:
B C
ib +
rbe βib RC RL vs (t)
+ E −
ve (t) R1 ||R2
−
RE

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