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EXERCICE 1
EXERCICE 2
a) Pour R =10 kW, calculer la tension Vout pour les deux valeurs de la tension d’entrée Vin = 0 V et Vin =
5 V.
b) Déterminer la valeur minimum de R pour que Vout soit inférieur à 1 V lorsque Vin = 5 V.
EXERCICE 3
Soit un transistor MOS à canal N avec une tension de seuil VT = 2 V et une polarisation VS = 0, VD = VG
= 3 V. Dans ces conditions, on mesure un courant de drain ID = 1 mA.
Répondre aux questions suivantes en utilisant le modèle simplifié du MOS (sans effet de substrat).
a) Le point de fonctionnement est-il dans la zone de conduction (non saturée) ou dans la zone
saturée des caractéristiques ?
EXERCICE 5
Un inverseur CMOS est un circuit utilisé pour inverser le signal logique. Il est composé de deux
transistors complémentaires : un transistor à effet de champ de type P et un transistor à effet de
champ de type N
Quand vin= 1, le transistor TN conduit imposant un ‘0’ en sortie. De même si Vin=’0’ le transistor TP
conduit imposant un ‘1’ en sortie
La capacité CL doit se charger et se décharger à chaque commutation. Cette charge se fait selon la
constante de temps : t= RDSon *CL
SOLUTION 2
Vout=VDS*RID=5V
Une résolution par méthode numérique donne Vout=VDS=0.59V et l’on peut vérifier que
VDS<VDSsat=VGS-VT=4V
VDS<VDSsat=VGS-VT=4V=>régime linéaire
SOLUTION 3
a- Caractéristiques
b- Que devient ID
c- Déterminons Ron
Pour des petits écarts autour de VDS=0 , on peut approximer la caractéristique ID=f(VDS)(mode de
1
conduction) par une droite passant par l’origine et de pente 𝑅𝑜𝑛= β ((VGS-VT)=>Ron>>250W pour
VGS=4V
SOLUTION 4
Examinons le fonctionnement
- Si la tension Uin est nulle, le transistor ne conduit pas et la sortie vaut +Vcc
- Si la tension Uin= Vcc le transistor conduit et la sortie vaut 0V
On a bien un circuit inverseur et en fonctionnement logique on voit qu’on exploite que les 2 points
extrêmes de la droite de charge
SOLUTION 5
En effet : si la tension Uout augmente au-dessus de la tension Vcc+0.7V, la diode du haut se met à
conduire. De même si Uout diminue au-dessous de -0.7V la diode du bas entre en conduction
limitant ainsi la surtension
Les transistors d’un étage de sortie sont dimensionnés de manière à pouvoir fournir un courant plus
important que les transistor internes. Ceci permet par exemple d’attaquer directement une LED ce
qui serait impossible avec un transistor logique standard