Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
MESFET
Hautes frquences
JFET Canal N
N++ N+ N.I.D.
N++
Canal Substrat
JFET Canal P
P++ P N.I.D.
N+
P++
Canal Substrat
JFET
Fonctionnement
N++ N
P+
N++
Canal
Zone dpeuple (ZCE) N.I.D.
JFET
Fonctionnement
VGS
D
N++
N++ N
P+
Canal
Zone dpeuple (ZCE) N.I.D.
JFET
VDS S VGS G D
N++
Fonctionnement
N++ ZCE en labsence de polarisation Modification de la ZCE sous VGS Modification de la ZCE sous VGS et VDS N.I.D. N
P+
Canal
JFET
VDS S VGS G D
N++
Fonctionnement
N++ N
P+
Canal
Modle du JFET
Vds>0
div E =
= q. N D
= 0 . r
Source 0
Vgs <0
Intgration suivant
y pour 0 y w
Grille L w(x) H
Drain x
E(y) =
q. N D
( y w)
y pour 0 y w.
E = gradV
Intgration suivant
VB =
q.N D
q.N D .w2 ( y w) dy VB = 2 0
9
Modle du JFET
q. N D .H 2 tension de pincement Posons: VP = 2
VB w = H V P
1 2
(VP > 0 )
(V
gs
< 0)
VB Vgs w = H V P
1 2
0 V ( x ) Vds
pour 0 x L
VB Vgs + V ( x ) w( x) = H V P
Electronique Analogique 1A & 1B
1 2
10
Modle du JFET
I D = q. N D .v ( x ).[H w( x )].Z
v ( x ) = 0 .E ( x )
dV ( x ) Ex = dx
w( x ) u(x ) = H
uL
I D . dx = q. N D . 0 .Z .H . [1 u ( x )].2.VP .u ( x ).du ( x )
0 u0
11
Modle du JFET
w(0) VB Vgs = u0 = H VP
1 2
Bornes de lintgrale:
1 2
Posons:
G0 =
q. N D . 0 .Z . H L
2 2 3 3 q.N D .0 .Z .H uL u0 uL u0 I D = 2.VP . . L 2 3
2 I D = G0 .Vds 1 3.VP 2
12
Modle du JFET
En rgion sature Le courant I D ne crot plus avec Vds
1 2 + V V V B gs dssat =0 G0 . 1 VP
dI D =0 dVds
Vdssat = Vgs VT
VT
avec
VT = VB VP < 0
ID
13
Modle du JFET
En rgion sature
3 2 V V V V B B G .V gs gs 2. = 0 P . 1 3. + V V 3 P P 3 2 V V V V B B gs gs 2. = I DS 0 . 1 3. + V V P P
I Dsat
I Dsat
Posons
I Dss
La valeur de
I Dsat
lorsque
Vgs = 0V
I Dss
VB = I DS 0 . 1 3. V P
VB V + 2. P
3 2
14
Modle du JFET
En rgion sature Approximation quadratique
I Dsat
VB I DS 0 . 1 V P
2
VB Vgs I DS 0 . 1 V P
I Dss
I D I Dsat
Vgs I DSS . 1 V T
2.I DSS Vgs . 1 VT VT
VT = VB VP < 0
gm =
dI Dsat dVgs
15
Modle simplifi
VT < 0 Caractristiques
Idss
Idsat
Id(mA) Id(mA) Vgs=0V
1 0 8 6 4
1 0 8 6 4
Vgs=-1V Vgs=-0,5V
VT
2
Vgs=-1,5V
2 1 . 7 5 1 . 5 1 . 2 5 1 0 . 7 5 0 . 5 0 . 2 5
Vgs(V)
5
Vds(V)
Zone sature
16
17
18
Reprsentation schmatique
19
VT = VP si VB = 0
ID=f(VGS) ID I DSS VGS
ID
Polarisation Amplification
VDS > 0 ID > 0 VT < 0 VT VGS 0 VDS < 0 ID < 0 VT < 0 0 VGS VT
ID=f(VDS)
VGS=0 VGS<0 VDS - VT
VT
ID - VT VGS
VGS>0
JFET P D G S
VT
ID VDS
VGS=0
20
Structure
VGS
G S
N+ Oxyde Canal N N+
21
Modle simplifi
QN+ N+
Vg s -V
V (x)
Vo x
Charge dans le canal: Tension aux bornes de loxyde: Charge la surface de loxyde Egalit des charges:
Q = q.n.w( x ).L.Z
Vox = V gs VT V ( x )
ox .L.Z
H ox
. Vgs VT V ( x )
ox
H ox
.[ Vgs + VT + V ( x )]
22
I D = q.n.w ( x ) .Z .0 .E ( x )
I D = 0 .Z .
ox
H ox
.[ Vgs + VT + V ( x )]. E ( x )
dV ( x ) .[ Vgs + VT + V ( x )]. I D = 0 .Z . H ox dx
ox
Intgration
I D dx = 0 .Z .
0
ox
H ox
. [Vgs VT V ( x )].dV ( x )
0
Vds
I D = 0 .
Electronique Analogique 1A & 1B
Z ox . L H ox
V .Vgs VT ds .Vds 2
23
I D = 0 .
Z ox . L H ox
V .Vgs VT ds .Vds 2
Vds
sat
Vdssat = Vgs VT
I Dsat
2 Z ox = 0 . . . (Vgs VT ) 2.L H ox
24
Z ox g m = 0 . . . (Vgs VT ) L H ox
ox
H ox
25
Reprsentation schmatique
26
VT = VP si VB = 0
ID=f(VGS) ID VGS -V T
VT ID VGS VGS < VT VDS ID VDS ID VGS >-VT
Polarisation Amplification
VDS > 0 ID > 0 VT < 0 VGS > VT
ID=f(VDS)
MOSFET P Enrichi D G S
VT = VP si VB = 0
ID=f(VGS)
ID
ID
Polarisation Amplification
VDS > 0 ID > 0 VT < 0 VGS VT VDS < 0 ID < 0 VT < 0 VGS VT
ID=f(VDS)
VT ID -VT
MOSFET P Appauvri D G S
VT
ID VDS
e s
0 1
1 0
29
MOS enrichissement
NMOS PMOS
-ID1
-V T2
Vgs2
VT1
Vgs1
s = VDD
Niveau logique 1
s=0
Niveau logique 0
30
Source
N+
N+
P+
P+
N P Substrat
31