Physique des composants Structure MOS

- 1 -
Structure MOS
Mtal Oxyde Semi-conducteur
Introduction
Considrons une structure MOS idale compose dun semi-conducteur dop (P ou N) sur
lequel on a fait crotre un oxyde. Cet oxyde est ensuite recouvert dune lectrode mtallique.
Hypothses dtude :
- Il ne circule aucun courant travers la couche doxyde.
- Les proprits du semi-conducteur en volume restent valables la surface en x=0.
- Les bandes dnergie du semi-conducteur sont plates en l'absence de toute polarisation
applique la structure.
- Etude d'une structure Mtal-Oxyde-Semi-conducteur de type P.
1. Complter la figure ci-dessous pour les trois situations dquilibre lectrostatique
correspondant diffrentes valeurs de la polarisation V
g
applique la structure entre mtal
et semi-conducteur. Reprsenter les courbures des bandes dnergie et indiquer en
particulier : la nature des porteurs prsents linterface oxyde-semi-conducteur, la valeur du
potentiel de surface
s
dfinit comme tant la diffrence de potentiel entre le volume et la
surface du semi-conducteur. Donner lexpression du dcalage du niveau de Fermi q
b
rsultant du dopage du substrat en fonction du dopage N
A
et de la concentration intrinsque
n
i
.
E
Fm
E
i
E
c
E
Fs
E
v
nergie
x: pronfondeur dans le SC
Mtal
Oxyde
Semiconducteur
Physique des composants Structure MOS

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Dfinitions: Pour viter toutes ambiguts nous dfinirons les paramtres n
i
et E
i
de la faon
suivante:
Ayant prcdemment tablit les relations n = N
c
exp
E
c
E
F
kT





et p = N
v
exp
E
v
E
F
kT





, nous
dfinissons n
i
et E
i
Par les deux relations suivantes n = n
i
exp
E
i
E
F
kT





et
p = n
i
exp
E
i
E
F
kT





. On voit facilement que: n
i
= N
v
N
c
exp(E
G
/ 2kT)et E
i
est une
grandeur bien fixe par rapport aux nergies E
c
, E
v
. On note aussi que dans un semi-
conducteur uniforme non-dop (intrinsque), du fait de lgalit entre le nombre dlectrons de
la bande de conduction n et de trous de la bande de valence p, ce nombre vaut n
i
et le niveau de
Fermi E
F
se trouve la valeur E
i
.
Diagramme nergtique de la structure MOS idale polarise
Si nous appliquons une diffrence de potentiel entre le mtal et le semi-conducteur, l'absence de
toute migration de charges travers la couche d'oxyde entrane dans le semi-conducteur la
formation d'une charge Q
sc
au voisinage de l'interface oxyde-semi-conducteur. Lorsque
l'quilibre lectrostatique est ralis, cette charge Q
sc
est compense par une charge Q
g
de valeur
oppose induite l'interface oxyde-mtal. Lorsque la diffrence de potentiel volue, nous
distinguons trois rgimes traduisant la courbure des bandes du semi-conducteur et
correspondant des positions relatives diffrentes, l'interface, du niveau intrinsque
Ei
et du
niveau de Fermi Fs du semi-conducteur.
(i) Situation d'accumulation de porteurs majoritaires (trous)
Lorsque la tension Vg est ngative, les niveaux de Fermi du mtal et du semi-conducteur sont
dcals. Des trous (porteurs majoritaires) sont attirs vers la surface du semi-conducteur. Il y a
ACCUMULATION de ces trous la surface du semi-conducteur provoquant une courbure des
E
Fm
E
i
E
c
E
Fs
E
v
E
i
E
c
E
Fs
E
v
E
Fm
E
i
E
c
E
Fs
E
v
E
Fm
nergie
x: pronfondeur dans le SC
q
s
Physique des composants Structure MOS

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bandes d'nergie, l'interface oxyde-semi-conducteur. Il apparat la surface du semi-
conducteur une charge Q
sc
positive et un champ lectrique E
s
. Le systme restant
lectriquement neutre, il apparat la surface du mtal une charge Q
g
gale en valeur absolue
Q
s
et de signe oppos.
(ii) Situation de dsertion
Lorsque V
g
est positive, les trous sont repousss vers l'intrieur du semi-conducteur alors que les
lectrons sont attirs vers la surface. Il y a dpeuplement en trous majoritaires dans le volume du
semi-conducteur au voisinage de linterface SC/Oxyde. Lloignement des trous laissent
apparatre dans le volume du semi-conducteur une charge despace de densit volumique qN
A
sur une profondeur x
s
. La densit des lectrons en surface reste ngligeable dans la
concentration des charges linterface du semi-conducteur: Q
sc
=-qN
A
.
(iii) Situation d'inversion
Lorsque la tension V
g
augmente encore, les lectrons minoritaires qui se concentrent la surface
du semi-conducteur commencent constituer une charge globale non-ngligeable par rapport
la charge despace due la dsertion des trous. Cette charge lectronique croit beaucoup plus
rapidement avec V
g
(exponentiellement) que la charge despace. Nous dfinirons un seuil entre
les deux rgimes (dsertion et inversion) lorsque
s
> 2
b
. Cette valeur correspond au point o
la densit volumique dlectrons la surface devient gale la densit de trous de SC dop P
lquilibre.
- Valeur du "potentiel de substrat"
b
Dans le volume du semi-conducteur, la neutralit lectrique impose p = N
A
, ce qui permet
d'crire :
p = N
A
= ni exp
E
i
- E
Fs
k T





= ni exp

b
V
th

b
= V
th
ln
N
A
n
i
Physique des composants Structure MOS

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2. On donne lexpression de la densit surfacique de charge dans le semi-conducteur Qsc en
fonction de s. En dduire les expressions simplifies de Qsc pour les trois situations
dquilibre dfinies prcdemment. On notera Qacc pour laccumulation, Qd pour la dsertion
et Qn pour linversion. Reprsenter qualitativement lallure de Qsc = f(s). Complter la figure
prcdente en ajoutant la rpartition de la densit volumique de charge (x) pour chaque cas, on
considrera un profil de dopage abrupte dans le semi-conducteur.
- Expression de Qsc

Qsc = m C
ox

s
+ V
th
exp

s
- 2
b
V
th
(
\
|
|
\
!
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ V
th
exp

s
V
th
(
\
|
|
\
!
|
|

avec :
=
2 q N
A

s
C
ox
et C
ox
=

ox
T
ox
: capacit surfacique

s
et
ox
sont respectivement les permittivits dilectriques du semi-conducteur et de l'oxyde.
On note l'expression ci-dessus dlimite trois rgimes la tension de surface s pour lesquelles un
des termes sous la racine est trs grand devant les duex autres. Ces trois rgions correspondent
clairement aux trois situations dcrites prcdemment. Dans chaque zone nous pouvons
exprim la charge Qsc en ngligent deux des contributions :
- Situation d'accumulation telle que Q
acc
>> Q
d
et Q
n
correspondant l'accumulation de
porteurs majoritaires l'interface :
Q
acc
C
ox
V
th
exp

s
V
th








C
ox
V
th
exp

s
2V
th








- Situation de dsertion telle que Q
n
>> Q
acc
et Q
n
correspondant l'apparition d'une zone
de charge d'espace due aux atomes accepteurs ioniss :
Q
d
C
ox

s
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- Situation d'inversion telle que Q
n
>> Q
acc
et Q
n
correspondant l'apparition des porteurs
minoritaires l'interface :
Q
acc
C
ox
V
th
exp

s
2
b
V
th








C
ox
V
th
exp

s
2
b
2V
th








La variation de la concentration des lectrons dans la couche d'inversion est une fonction
exponentielle du potentiel de surface
s
, alors que la variation de Q
d
volue comme la racine
carre de s, ce qui nous permet d'admettre que lorsque le seuil de l'inversion forte est atteint,
l'augmentation de la charge Q
sc
ct semi-conducteur est principalement due l'augmentation de
la concentration lectronique Q
n
. Il faut noter que contrairement Q
d
, due principalement des
charges ioniques fixes, Q
n
est constitue de charges mobiles (lectrons) qui permettront dans
certains dispositifs une conduction lectrique paralllement la surface.
- Allure de Q
sc
= f(
s
)
0
0.5
1.0
s en V
10
- 7
10
- 5
10
- 9
Accumulation
Dsertion
Inversion faible
s = 2 b
Forte inversion
| Qsc | en Cb cm
-2
- Rpartition de la densit volumique de charge (x)
(x)
x
Q
m
Q
sc
= Q
acc
(trous en surface)
Q
sc
= Q
acc
(trous en surface)
(x)
x
(x)
x
qN
A
x
s
Q
sc
= Q
d
= qN
A
x
s
(dopants ioniss
sur une profondeur x
s
)
Q
n
(lectrons en surface )
Q
sc
= Q
acc
(trous en surface)
Physique des composants Structure MOS

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3. En rgime de dsertion, reprsenter les profils du champ lectrique et du potentiel dans la
structure. Calculer la largeur de la zone de charge despace xs en fonction de s et de Na. En
dduire lexpression de s. Retrouver ce rsultat en utilisant la rsolution de lquation de
Poisson.
- Profil du champ lectrique et du potentiel en rgime de dsertion
La continuit du vecteur induction lectrique impose :

ox
E
ox
=
s
E
s
avec

ox

s
=
3.9
11.9
0
x
Tox
(x)
- q Na
xs
Qg
Qd
0
x
Tox
xs
E(x)
Eox
Es
0
x
Tox
xs
V(x)
Vox
Vg
s
- Calculer la largeur de la zone de charge d'espace x
s
En rgime de dsertion Q
n
< Q
d
, on peut donc admettre qu'entre les abscisses (0, x
s
) la charge
d'espace est due principalement aux impurets ionises N
A
:
Q
sc
= Q
d
+ Q
n
Q
d
= qN
A
x
s
soit en remplaant Q
d
par son expression :
x
s
=
2
s

s
qN
A








1
2
- Expression de
s
Physique des composants Structure MOS

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De la relation prcdente, il est facile d'extraire la valeur de
s
:

s
=
q N
A
2
s

x
s
2
2
Ce dernier rsultat peut se retrouver en utilisant l'quation de Poisson telle que :
d
2

dx
2
=
qN
A

s
pour 0 < x < x
s
avec comme conditions aux limites (x=0) =
s
et (x=x
s
) = 0, ce qui nous donne :
(x) =
s
1
x
x
s








2
avec
s
=
q N
A
2
s

x
s
2
2
4. La tension de seuil est dfinie comme tant la valeur particulire de V
g
pour laquelle le rgime
d'inversion forte est atteint et correspond pratiquement l'apparition du caractre conducteur de
la couche d'inversion. A partir de la relation V
g
= f(
s
), en dduire lexpression de V
T
en fonction
de et
b
.
- Relation entre V
g
et
s
Nous pouvons dterminer l'expression de cette tension de seuil de la manire suivante :
V
g
= V
ox
+
s
o Vox est la chute de potentiel aux bornes de la couche d'oxyde et s la chute de potentiel dans
le semi-conducteur. A l'amorce du rgime de forte inversion, nous avons respectivement :
V
ox
=
Q
dT
C
ox
et
s
= 2
b
o Q
dT
= Q
d
au seuil (reste pratiquement inchang ensuite quand la tension augmente)
donc
V
T
= 2
b
+ 2
b
Physique des composants Structure MOS

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5. Dterminer le modle capacitif de la structure MOS. On notera C
ox
la capacit de la couche
doxyde et C
sc
la capacit du semi-conducteur. Donner les expressions de ces deux capacits
ainsi que de la capacit totale C de la structure.
La capacit totale de la structure MOS idale est un groupement en srie de la capacit C
sc
et de
C
ox
comme indiqu sur la figure ci-dessous.
C =
C
ox
C
SC
C
ox
+ C
SC
Cox
Csc
6. La mesure de la capacit C de la structure est ralise par le montage ci-dessous. En dduire
qualitativement lallure de C en fonction de la polarisation V
g
en haute frquence et en basse
frquence.
La tension Vg applique la structure est compose d'un signal variable (sinusodal de faible
amplitude) superpos une polarisation continue telle que :
M
O
S
e
Vg
La capacit diffrentielle de la zone de charge d'espace du semi-conducteur est donne par :
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Csc =
dQsc
ds
Seule la capacit Csc dpend de la polarisation applique la structure MOS, nous allons donc
distinguer les diffrents cas de polarisation en prenant comme exemple un semi-conducteur de
type P pour lequel N
A
>> N
D
et p = N
A
.
(i) rgime d'accumulation pour
s
< 0
Les charges saccumulent aux bornes de loxyde et il ny a pas de champ
lintrieur du SC. Donc C=C
ox
(ii) rgimes de dsertion et d'inversion
Tant que 0 <
s
< 2
b
C
sc
=
q
2

s
N
A
2
S








1
2
Cette expression de C
sc
a t obtenue pour l'approximation "semi-conducteur compltement
dpeupl". La capacit totale va diminuer.
L'inversion forte se produit pour
s
> 2
b
. Ceci entrane une importante concentration de
porteurs minoritaires l'interface oxyde-semi-conducteur. La rponse de la structure MOS va
dpendre de l'aptitude des porteurs minoritaires suivre les variations de potentiel imposes par
le signal variable. Ils doivent en effet traverser la zone de charge despace pour venir se
coller linterface. Si la modulation est lente cette transition peut avoir lieu et la capacit
totale rejoint la valeur de Cox (car lexcdent de charge se place aux borne de loxyde). Mais si
la modulation est trop rapide alors les lectrons ninterviennent plus et lexcdent de charge
correspond une variation en profondeur. La figure ci-dessous prsente la caractristique
capacit-tension pour lesquelles nous avons considr deux cas limites (H.F. : hautes frquences
et B.F. : basses frquences).
Physique des composants Structure MOS

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C. accumulation C. inversion BF
C. inversion HF
C
V
0
Physique des composants Structure MOS

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En complment:
Calcul de la densit surfacique de charge Qsc en fonction de s
La figure ci-dessous reprsente le diagramme nergtique de la structure MOS idale polarise
par une tension Vg positive ainsi que la rpartition de la densit volumique de charge, les
notations utilises sont :
q (x) = Ei(x) - EFs
q b = Ei - EFs
- q s = Eis - Ei
o (x) est le potentiel l'abscisse x, s est le potentiel de surface et qb est l'cart nergtique
entre le niveau d'nergie intrinsque Wi dans le volume du semi-conducteur et le niveau de
Fermi EFs. Le calcul du champ lectrique est effectu partir de la rsolution de lquation de
Poisson aprs avoir exprim la densit volumique de charge (x) sous la forme :
(x) = q ( p(x) - n(x) + Nd - Na )
o n(x) est la concentration des lectrons dans la bande de conduction du semi-conducteur
l'abscisse x et p(x) la concentration des trous dans la bande de valence du semi-conducteur
l'abscisse x, dont les expressions sont les suivantes :
n(x) = ni exp
s - Wi(x)
kT
= ni exp u(x)
p(x) = ni exp
Wi(x) - s
kT
= ni exp -u(x)
en posant u(x) = EFs - Wi(x), ce qui nous permet d'crire la densit volumique de charge de la
manire suivante :
(x) = - 2 q ni shu(x) -
Nd - Na
2 ni

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Energie
Wc
Wv
EFs
EFm
mtal oxyde semi-conducteur
Wi
- qVg
- qs
x
Wvs
Wis
Wcs
0
qb
0
x
Qd
Qn
Qm
(x)
xs
xs
Dans le volume du semi-conducteur et l'quilibre thermodynamique () = 0, de sorte que :
shu() =
Nd - Na
2 ni
= shu

(x) = - 2 ni q shu(x) - shu

Le potentiel V(x) est reli la densit volumique de charge (x) par l'quation de Poisson (dans
un repre orthonorm) :
V(x) +
(x)

s
= 0
Physique des composants Structure MOS

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en effectuant un changement de variable et en posant :
L
D
2
=

s
k T
2 ni q
2
nous obtenons :

2
u(x)
x
2
=
1
L
D
2
shu(x) - shu

La rsolution de cette quation peut s'effectuer de la manire suivante, en posant :

2
u(x)
x
2
u =
1
2

u
x
2
u
x
2
=
2
L
D
2
chu(x) - u(x) shu

+ Cste
La valeur de la constante Cste est dtermine pour x -> et la condition d'quilibre :
u
x
=
1
L
D
G(u(x), u

)
avec :
G(u(x), u

) = 2 chu(x) - chu

- (u(x) - u

) shu

1
2
L'expression du champ lectrique dans le semi-conducteur est :
E(x) = -
k T
q

u
x
=
- k T
q L
D
G(u(x), u

)
de laquelle nous pouvons en dduire le champ Es la surface du semi-conducteur :
Es =
- k T
q L
D
G(u
s
, u

)
- Densit surfacique de charge Qsc
Physique des composants Structure MOS

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Nous utilisons le thorme de Gauss pour obtenir la densit surfacique de charge Qsc :
Qsc = (x) dx
0

= D() - D(0) = - s E(0) = - s Es

Qsc =
- k T s
q L
D
G(u
s
, u

)
De cette dernire relation, nous en dduisons l'expression approche suivante :

Qsc = m C' ox s + Vth exp
s - 2 b
Vth
(
\
\
!
|
|
|
|
|
|
+ Vth exp
s
Vth
(
\
\
!

L'tude analytique de cette dernire relation permet de distinguer les comportements suivants (le
signe signifie proportionnel ) :
(i) rgime d'accumulation pour s < 0
Qsc exp
q s
2 k T
(ii) rgimes de dsertion et d'inversion faible pour 0 < s < 2 b
Qsc s
(iii) rgime de forte inversion pour s > 2 b
Qsc exp
q s
2 k T