CHAPITRE III :

TRANSISTORS JFET EN
RÉGIME CONTINU
ET ETAGES AMPLIFICATEURS
JFET

AU:2023/2024

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PLAN
1. Constitution

2. Principe de fonctionnement:

 Paramètres et étude statique.

 Schémas équivalents statiques

3. Circuits de polarisation.

4. Fonctionnement en régime petit signaux,

 Modèle dynamique équivalent du JFET,

5. Etude d’étages amplificateurs à un transistor (SC, DC, GC),

 Grandeurs caractéristiques et performances, stabilisation du gain…
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1.CONSTITUTION (1/2)
Un transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur (qui conduit sur
commande) comme c’est le cas pour un transistor bipolaire.
Un transistor à effet de champ à jonction, se nomme TEC en français et JFET en anglais
[Junction Field Effect Transistor]).
Principe : Contrôler à l’aide d’une tension (champ électrique) la forme et donc la
conductivité d’un canal dans le matériau semi-conducteur.

Le transistor est composé :

- une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source (Source).
- une électrode qui recueille les porteurs : le drain (Drain).
- une électrode où est appliqué la tension de commande : la grille (Gate).
Il est constitué d'un barreau semi-conducteur uniformément dopé (de type P ou N),
constituant le canal.

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 1.CONSTITUTION (2/2)
 sens du courant : drain ---> source, donc le
drain est à un potentiel positif par rapport à la
source => VDS > 0 V
la jonction grille canal est polarisée en inverse
donc la grille doit être à un potentiel négatif
par rapport à la source => VGS < 0 V
JFET à canal N
 sens du courant : source ---> drain, donc le
drain est à un potentiel négatif par rapport à
la source => VDS < 0 V
 la jonction grille canal est polarisée en
inverse donc la grille doit être à un potentiel
positif par rapport à la source => VGS > 0 V
JFET à canal P
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PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE
étude de cas: JFET à canal N

L'espace drain-source reçoit une tension de polarisation (tension VDS).

En fonctionnement normal, la jonction Grille-Canal est polarisée en inverse : Le
courant d’entrée IG est donc négligeable. Le courant de Drain et de Grille sont donc
identiques (ID = IS = Courant du canal).

Polarisation du JFET à canal N

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 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE
Supposons que VDS est constante.

1- Pour VGS=0:

 la largeur des jonctions est minimale

la hauteur H du canal est maximale

et le courant ID est aussi maximal

2- Quand la tension IVGS(<0)I s’accroit:

la largeur des jonctions devient plus grande,

le canal se rétrécit

A une tension VGS=VP les deux jonctions se joignent et le courant ID s’annule.
C'est
et la tension
le courant de pincement ou Vp
ID diminue.
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 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE

Supposons maintenant que VGS est

constante et IVGSI<VP:

Le canal n’est pas pincé.

1- Quand VDS augmente

un courant ID croit

2- VDS et que VD les parties des jonctions se trouvant à proximité du drain

s’élargissent ce qui tend à ralentir le courant ID

En résultat :
L’accroissement du courant ID est ralenti et quand VG- VD= VP le transistor se sature:
VDS= VDG+VGS=VGS-VP 7
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE

Exemple : fixons VGS =0:

1- Le canal drain-source conduit proportionnellement

avec l’augmentation de la tension VDS ( Le transistor

se comporte comme une résistance)  Zone

Ohmique (1)

☛ résistance variable

2- Pour une certaine valeur de VDS, le courant de drain ID cesse de croître et devient

constant.

C'est la tension de pincement ou Vp (tension de pinch-off) qui correspond au courant de

saturation ID que l’on appelle IDSS  Zone de saturation (2)

☛ source de courant commandée par VGS (= mode actif) 8
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE
En présence d’une tension VGS :

Si maintenant on applique une tension VGS à

l'espace grille-source (polarisation de la

jonction en inverse) et que l'on relève, comme

précédemment, la valeur de ID en fonction de

VDS, on constate pour ce courant, des valeurs

plus faibles.

La tension Vp est atteinte plutôt et correspond à

un courant ID moins élevé que IDSS.

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 PRINCIPE DE
FONCTIONNEMENT: ÉTUDE
STATIQUE
Le point limite entre la zone ohmique et la zone de saturation de la caractéristique

ID= f(VDS) est déterminé par VDS= VGS-VP

À droite de ce point le courant ID s’accroit un peu avec la tension VDS parce que la

longueur effective du canal diminue

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PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT:
ÉTUDE STATIQUE

Note sur le phénomène d’avalanche : Le phénomène d’avalanche est destructeur pour le

transistor.

Il s’agit en fait de la destruction de la jonction Drain-Grille. Zone d’avalanche (3)

Il est caractérisé par une tension d’avalanche notée BVDG [Break-Down Voltage Drain Grille]

. Cette tension est donnée pour la relation suivante : BVDG = VDS + VGS

Ordre de grandeur :

Selon les types de transistors, Vp s'échelonne entre 0,5 et 15 volts.

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PRINCIPE DE
FONCTIONNEMENT: ÉTUDE
STATIQUE

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PRINCIPE DE
FONCTIONNEMENT: ÉTUDE
STATIQUE

En régime ohmique: VDS< VDSsat= VGS-VP

I DSS

I D  2 2VGS  VP VDS  VDS
VP
2

En régime de saturation: VDS> VDSsat= VGS-VP

VGS 2
I D  I DSS (1  ) (1   .VDS )
VP
•IDSS: courant de saturation quand VGS=0
•VP: tension de pincement
• λ: coefficient de modulation de canal lié à l’effet early

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 MODÈLE ÉQUIVALENT EN
MODE RÉSISTIF
Diode bloquée et résistance variable

RDS 0
RDS 
VGS
1
VP

avec :
 VP
RDS 0  RDS VGS  0 
2 I DSS

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 MODÈLE ÉQUIVALENT EN
MODE DE SATURATION
Diode bloquée et générateur de
courant commandé

VGS 2
I D  I DSS (1  )
VP

V DS V P2
R DS 
I DSS V GS  V P 
2

R GS  R GD    10 9 

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USAGES POSSIBLES DU JFET
• Interrupteur
– Si VGS > VP, le JFET est assimilable à un interrupteur entre D et S
VGS = 0 => Saturation, ID = IDSS => court-circuit entre D et S <=> fermé
VGS = VP => Blocage, ID = 0 => circuit ouvert entre D et S <=> ouvert
Peu utilisé, en raison des signes opposés de VGS et VDS
• Résistance commandée
– De nombreux circuits réclament une résistance qui dépend d'une
tension.
Par exemple, la régulation du gain d'un amplificateur, pour l’empêcher de saturer.
• Amplificateur
– Essentiellement le montage "source commune", qui permet d'obtenir
un grand gain et surtout une énorme impédance d'entrée.

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 CIRCUITS DE POLARISATION
Le circuit de polarisation le plus utilisé est celui de la polarisation automatique
On polarise le JFET de manière à supposer ses équations linéaires aux alentours d’un
point de fonctionnement P0.
On a :
IG≈0.
VGS0=-RS.ID0
VDS0= VDD-(RD+RS)ID0

Le rôle de RS est de créer la tension

négative VGS0 .
Le rôle de la résistance RG est de lier
la grille à la masse, si non son potentiel
reste flottant.
La résistance RD modifie les
coordonnées du point de
fonctionnement.

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CIRCUITS DE POLARISATION

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 FONCTIONNEMENT EN RÉGIME
PETIT SIGNAUX
Le courant ID du JFET est une fonction de VGS et de VDS:

I D I D
dI D  dV GS  dV DS
 V GS  V DS
mais :
I D  I D 0  iD
V GS  V GS 0  v GS
V DS  V DS 0  v DS
où I D0 , VGS0 et V DS0 sont les coordonnée s du point de fonctionne ment
et i D , v GS et v DS sont les composante s variables AC
1
 iD  g m v GS  v DS
r ds
 iD
g m  : c' est la pente du JFET
 v GS P 0

 v DS
r ds  : c' est la résistance de sortie du JFET
 iD P0
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FONCTIONNEMENT EN RÉGIME
PETIT SIGNAUX

Schéma aux petites variations et fréquences moyennes

En régime de saturation:

I DSS
g m  2 2
V GS 0  V P 
V p
V  V 1   V
r ds  EA DS 0
 DS 0
I D 0  I D 0

V EA c' est la tension d' early

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 ETUDE D’ÉTAGES AMPLIFICATEURS À
UN TRANSISTOR (SC, DC, GC)

Nous prendrons : rds infinie

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ETUDE D’ÉTAGES AMPLIFICATEURS À
UN TRANSISTOR (SC, DC, GC)

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ETUDE D’ÉTAGES AMPLIFICATEURS À
UN TRANSISTOR (SC, DC, GC)

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