Module AT 13

Composants semi-conducteurs
Alimentations à découpage
Composants magnétiques
7 séances de cours-TD de 2h
4 TP de 3h (mini-projet)

1 DS coeff. 1
Rapport final du projet coeff. 1

1
 Composants semi-conducteurs
Généralités
Composants de puissance :
- Forts courants : surface importante de silicium
- Haute tension : zone épaisse, peu dopée
Composants à jonction bipolaire (diodes, transistors IGBT) :
- Faible chute de tension
- Charges stockées, ralentissement de la commutation
Composants à effet de champ (MOSFET, HEMT) :
- Chute de tension plus importantes
- Composants rapides
Différents types de matériaux : Silicium, SiC (Carbure de Silicium,
GaN (Nitrure de Gallium), AsGa (Arsenure de Galium), Diamant

2
 Diodes (bipolaires ou PiN)
iD

P+ iD
1

N- vD

-IRM VDO
N+

K 3

En conduction : PDcond = VDO IDmoy + RDO IDeff²

En inverse : faible courant de fuite, pertes négligeables

3
 Diodes (bipolaires ou PiN)

Commutation
-Fermeture :
Surtension dépendante du
di/dt
Pertes négligeables

Ouverture :
Recouvrement inverse
Pertes # F.E.QRR
Surtension

4
 Diodes (bipolaires ou PiN)
Ordre de grandeur
VRRM VF tRR IRR QRR

200V 0,8V 45ns 7,5A 175nC

600V 1,1V 125ns 12,5A 1µC

1200V 1,35V 320ns 25A 4µC

Diodes Schottky
Exemple : 45V – 10A => VF = 0,5V
Courant de fuite = 0,5 mA (25°C) à 170 mA (125°C)

5
 Diodes Schottky
Diodes Schottky A
Exemple : 45V – 10A METAL iD

=> VF = 0,5V N- vD
Courant de fuite = 0,5 mA N+
(25°C) à 170 mA (125°C)
K

Diodes Schottky en Carbure de Silicium (SiC)

Schottky Bipolaire
PiN
Pas de Important
recouvrement recouvrement

6
 MOSFET
Composant à structure verticale :
- Création d’un canal conducteur pour VGS > VGSth
- Mise en parallèle d’un grand nombre de cellules
(qq millions/cm²)
S

D
Métallisation
iD de source
Grille

G Oxyde Anneau
VDS N+
Anneau P+
N+
Zone tenue N- iD Canal
en tension
VGS
N+
S

7
 MOSFET
iD
Caractéristiques statiques

Conduction assurée par un seul type de porteur

vDS
- les électrons (type N utilisés généralement
en puissance)
- les trous (type P peu utilisés en puissance
car moins bonne conduction).

A l’état passant :
- Résistance : RDSon = f(T°, dopage N-,VDSM)

En inverse :
- Caractéristique d’une diode « Body »
- Faible chute de tension
- Recouvrement important
8
 MOSFET
Commutation
CGD
D

Commutations rapides < 100 ns

CDS
Les capacités parasites ralentissent G
CGS
l’évolution des tensions
S
Un courant de grille est nécessaire
pendant les commutations I
V iD
vDS

Effet Miller : la capacité CGD entraîne vGS

une rétroaction du drain sur la grille
vGSTH

9
 MOSFET
Ordre de grandeur

MOS 30V 17 A RDSon = 38 mW

MOS 200V 18 A RDSon = 0,1 W

MOS 600V 20 A RDSon = 0,26 W

MOS 1200V 2,5 A RDSon = 6 W

-------------------------------------------------
MOS 1200V 60 A RDSon = 25 mW Carbure de Silicium

10
 MOSFET SiC
MOSFET SiC 1700V 70A 45mW
1200 120

Vds (400V) Id(400V)

Drain to Source Voltage - Vds (V)
100
1000 Id(500V)
Vds (500V)
80
Id(600V)

Drain Current - Id (A)

Vds (600V)
Id(700V)
800
Vds (700V) 60 Id(800V)
Vds (800V) Id(900V)
600 40
Vds (900V) Id(1000V)
Vds (1000V) 20
400

0
200
-20

0 -40
2.13 2.15 2.17 2.19 2.21 2.23 2.25 2.14 2.16 2.18 2.2 2.22 2.24 2.26
Time (µs) Time (µs)
a) b)
3500
120
0Ω Esw_ON (25A)
3000 Esw_OFF (25A)
100 Esw_ON (50A)
1Ω
2500 Esw_OFF (50A)

Switching Energy (µJ)

dVds/dt (kV/µs)

80 0Ω Esw_ON (100A)
dv/dt limit dVds/dt_ON (kV/µs)
0.5 Ω 2.2 Ω 2000 Esw_OFF (100A)
1.1 Ω dVds/dt_OFF (kV/µs) Esw_ON (150A)
60 1.65 Ω 3.3 Ω
2.35 Ω 1500 Esw_OFF (150A)
3.4 Ω 4.7 Ω
4.1 Ω
40 6.8 Ω
5Ω
6Ω 8.2 Ω 1000
7.5 Ω 10 Ω
20 11 Ω 12 Ω
15 Ω 500
16.5 Ω 22 Ω
23.5 Ω 33 Ω 47 Ω
34 Ω
68 Ω
0 0
0 5000 10000 15000 20000 0 200 400 600 800 1000 1200
Switching Energy (µJ) Drain to Source Voltage - Vds (V)
c) d)

11
 IGBT

IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor

Association des transistors MOS et Bipolaire

iD
Drain

Grille
vDS

Source

12
 IGBT
Caractéristiques statiques

Conduction assurée par les deux porteurs

- les électrons;
- les trous.

A l’état passant, le composant se comporte

comme une résistance + une source de tension
(présence des deux porteurs et de la jonction).

Vo
R0

Essentiellement des composants « haute tension » (>600V) et plus

forte puissance.
Pas de tenue en tension inverse
13
 IGBT
Commutation
Principes similaires à ceux du MOSFET
Commutation à l’ouverture plus lente, phénomène de traînage
45 55

40 50

45
35
40
Courant (A) et Tension/30 (V)

COURANT (A) et TENSION/20 (V)

30
35
25
30

20 25

15 20

15
10
10
5
5
0
0

5 5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 0 1 2 3 4 5 6 7
Temps (µs) TEMPS (µs)

20, 30, 40A – 900V, sans CALC 40A – 900V, avec CALC (100nF)
Deux IGBT différents
14
 IGBT
Ordre de grandeur
Courant : de 10 à 500 A
Tension : 600, 1200, 1700, 3300, 6500 V
VDSon : de 1,6 V à 5,3 V Gamme EUPEC
400 A
Eon+Eoff : de 20 mJ à 6000 mJ
Chute de tension Energies de commutation

6 5000
5 4000
4
3000
Eon
3
2000
2
1000
Eoff
1
0 0
600 1200 1700 3300 6500 600 1200 1700 3300 6500
Tenue en tension Tenue en tension

15
 IGCT
IGCTs (Insulated Gate Controled Thyristor)
Thyristor contrôlé par une grille isolée
Gamme de tension : jusqu'à 6500V
Gamme de courant : jusqu'à 4000A
Boîtiers : pressés
Fréquence de commutation : quelques 100Hz (6500V) à
quelques kHz

IGCT
Objectif : Capacité en courant d'un
thyristor GTO avec la facilité
de pilotage d'un MOSFET

Driver
16
 IGBT / IGCT
Comparaison IGBT / IGCT
Chute de tension à l'état passant
3,5

2,5

2
Tension (V)

1,5
VCEsat IGBT VCE IGCT
1

0,5

0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000

Tenue en tension (V)

17
 IGBT
Comparaison IGBT / IGCT
Energie de commutation On et Off
4000

3500
Eon IGBT
3000 Eoff IGBT
2500 Eon IGCT
Eoff IGCT
Energie (mJ)

2000

1500

1000

500

0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
Tenue en tension (V)

18
 Composants semi-conducteurs
En résumés

En fonction de l’application En fonction du prix

Haut de
gamme

(Thyristors) Milieu de
gamme

Entrée de
gamme

19
 Technologie

Constitution interne d’un boîtier

Grille
Brasure “chaude” (95Pb-5Sn)
Drain
Puce

Diffuseur
Isolant

Semelle
Fils de
Source Bonding

Accrochages

Vue en coupe Vue de dessus

(1/2 boîtier)

20
 Technologie

Constitution interne d’un boîtier

21
 Packaging
Module IGBT Montage brasé double face
Semikron
400 A – 1200 V

IGBT
Fil de
Diode bonding

Montage pressé

Bride de serrage
« Clamp »
Dissipateur thermique

Composant en Boîtier
Press-Pack
Montage à plat

22
 Technologie

Boîtiers

Transistors 20 A Modules de puissance

23
 Refroidissement
Résistance thermique
Pertes RthJC RthRAD

TJ TRAD TAMBIANT

TJ = TAMBIANT  Rth JC  Rth RAD .Pertes

avec Rth exprimée en °C/W

Exemple de refroidissement
double-face

24
 Refroidissement
Impédance thermique
Pertes RthPUCE RthDIFFUSEUR

TJ TCASE

CthPUCE CthDIFFUSEUR

Avec une impulsion de puissance

P, la température aura varié de :

Tt P  = Zth.P
au bout du temps tP.

Zth exprimée en °C/W

25
26
 Commutations-Pertes
Généralités
Deux types de pertes :
- Lors du passage du courant
- Dépend du type de composants
- Unipolaires (généralement les électrons)
(Diodes Shottky, MOSFET, HEMT)
- Bipolaires (électrons plus trous)
(Diodes PIN, transistor bipolaires, IGBT, IGCTs)

- Lors des commutation

- Passage de l’état passant à bloqué

- Passage de l’état bloqué à passant

27
 Pertes en conduction
Composants unipolaires
(Diodes Shottky, MOSFET, HEMT)

A l’état passant, le composant se comporte comme une résistance. Plus la tenue en

tension est grande (zone épaisse et peu dopée), plus la résistance est importante.

S RDS
R DS   *
puce

L zone _ tenue _ tension

ρ dépend du dopage, température, tension de grille

Pertes : Pcond = RDSON IDeff²

Essentiellement des composants « basse tension » (<600V)

28
 Pertes en conduction
Composants bipolaires
(Diodes PIN, IGBT, IGCT)

A l’état passant, le composant se comporte

comme une résistance + une source de tension
(présence des deux porteurs et de la jonction).

Vo
R0

A l’état passant :
Pcond = VO.IDmoy + RO IDeff²

29
 Pertes en commutation
Principe de la commutation
Règle d’association des sources :
Un convertisseur relie toujours une source de courant à une
source de tension et vis versa
Nota : Il y a des exceptions, mais à manier avec prudence.

iK1 Loi des nœuds :

VK1
K1 iK1 – iK2= I
I
E
Loi des mailles :
K2 VK2
VK1 + VK2= E
iK2

Le fonctionnement de K1 et K2 sont complémentaires

Si K1 ouvert, K2 fermé;
Si K1 fermé, K2 ouvert 30
 Pertes en commutation
Principe de la commutation
Loi des nœuds : iK1 – iK2= I

Loi des mailles : VK1 + VK2= E

Fonctionnement de K1 Fonctionnement de K2
K1 fermé : iK1 = I, VK1 = 0 K2 fermé : iK2 = -I, VK2 = 0
K1 ouvert : iK1 = 0, VK1 = E Zone impossible K2 ouvert : iK2 = 0, VK2 = E
car l’interrupteur
est un récepteur
iK2
I (vk. ik >0)
iK1
E E
VK1 VK2

-I

K1 est un transistor commandable K2 est une diode

à l’amorçage et au blocage

Contraintes maximales dans K1 (produit vk. ik maximum)

31
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Hypothèse : K1 ouvert (transistor) et K2 passant (diode)

Donc: Fermeture de T1 => Ouverture de D2

 On prend en compte :
- le recouvrement inverse de la diode (c’est un composant bipolaire);
- l’inductance parasite (pistes de circuit imprimé, câbles,…)

l : inductance parasite
iT1
VT1
T1
I
E
D2 VD2
iD2

32
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Fermeture de T1 et ouverture de D2
Règle : Tant que le courant dans la diode n’atteint pas –IRM
la diode ne peut pas tenir la tension. La tension sera
donc aux bornes du transistor

l diT1/dt Transistor
E
Plusieurs phases pendant la commutation:
I+IRM
- De 0 à ton:VD2=0 => VT1=E – l dIT1/dt
Le transistor a à la fois de la tension et du courant
tON
 Pertes en commutation
I Diode
- De ton à ton+ t2 VT1=0 => VD2= -E + l dIT1/dt t1 t2

Avec dIT1/dt <0 -IRM

Q 1 Q2 E
l diT1/dt
33
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Pertes en commutation
Dans T
- Essentiellement entre 0 et ton (VT1 et IT1 ≠0)

T : période de découpage

𝑑𝐼 𝑑𝐼 𝐼+𝐼
- 𝑉 =𝐸−𝑙 avec =
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑡

- 𝐼 = *t

Si on remplace, on a :

Et donc :

34
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Pertes en commutation 𝑃 =𝐹 ∗ 𝐸∗
𝐼+𝐼
∗𝑡 −𝑙∗
(𝐼 + 𝐼 )²
2 2
Dans T

Pour réduire les pertes, 2 solutions :

- Réduire ton
 On accélère les commutations mais IRM augmente car dIT/dt augmente
 Solution : utiliser des diodes Schottky qui elles ne recouvrent pas
(Attention aux tensions d’utilisation et au prix)

PiN Si
+6600V
Schottky Si Schottky SiC
1700V

0 100 600 1200

35
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Réduction des pertes 𝑃 =𝐹 ∗ 𝐸∗
𝐼+𝐼
∗𝑡 −𝑙∗
(𝐼 + 𝐼 )²
2 2
Dans T
- Augmenter l artificiellement
 Circuit d’aide à la commutation (CALC)
𝑑𝐼
𝑉 =𝐸−𝑙
𝑑𝑡
Si 𝑙 𝑑𝐼 >𝐸 , alors l limite le 𝑑𝐼 =
𝐸
on a VT1 = 0 et donc Pton=0.
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑙

Attention, il faut prévoir un circuit de décharge de l’inductance lCALC

CALC avec
LCALC LCALC CALC sans
pertes pertes

1
𝑃 = ∗𝐿 ∗ 𝐼+𝐼 ∗𝐹
2
36
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Pertes en commutation
Dans D
- Durant la dernière phase (t2)

𝑑𝐼 𝑑𝐼 𝐼
𝑉 = −(𝐸 + 𝑙 ) = 𝐼 =− *t
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑡

37
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Pertes en commutation 𝐼 𝐼 ²
𝑃 =𝐹 ∗ 𝐸∗ ∗𝑡 +𝑙∗
2 2
Dans D
- Si l faible
𝐼
𝑃 ≈𝐹∗ ∗𝑡 =𝐹∗𝐸∗𝑄
2
Attention, dID2/dt sera grand et donc Q2 aussi.

𝑑𝐼 𝐸 𝐼
- Si l grand tel que = =
𝑑𝑡 𝑙 𝑡
𝐼 𝐼
𝑃 =𝐹 ∗ 𝐸∗ ∗𝑡 +𝐸∗ ∗𝑡 =𝐹 ∗𝐸∗𝑄
2 2

Comme est limité par , QRR sera faible.

38
 Pertes en commutation
Commutation à la fermeture
Pertes supplémentaires dans le transistor

- A l’état bloqué, les semiconducteurs se comportent comme des condensateurs.

2 électrodes (drain-source ou Anode-cathode) séparés par une zone isolante (la puce).

A la fermeture, l’énergie stockée est perdue dans le composant à t=ton quand la

tension chute à 0.
Anode

P+
Pour un MOS : COSS

N-

N+

Cathode

39
 Pertes en commutation
Commutation à l’ouverture
Ouverture de T1 et fermeture de D2
Règle : Tant que la tension de la diode n’est pas nulle la diode
ne peut pas conduire. Le courant sera donc nul.

Plusieurs phases pendant la commutation:

- De 0 à toff:VD2=0 => VT1=E – l dIT1/dt avec dIT1/dt<0 l diT1/dt Transistor
E
Pour D : PD2on = 0
I
1 𝑑𝐼
Pour T : 𝑃 =𝐹 ∗
2
∗ 𝐸+𝑙
𝑑𝑡
∗𝐼 ∗𝑡
tOFF

𝑑𝐼 𝐼 Diode
avec = I
𝑑𝑡 𝑡

1 1
Soit 𝑃 =𝐹 ∗ ∗𝐸∗𝐼∗𝑡 + ∗ 𝑙 ∗ 𝐼²
2 2 -E
40
 Pertes en commutation
Commutation à l’ouverture
Réduction des pertes 𝑃 =𝐹 ∗
1
∗𝐸∗𝐼∗𝑡
1
+ ∗ 𝑙 ∗ 𝐼²
2 2
Dans T
Pour réduire les pertes, 2 solutions :
- Réduire toff
 On accélère les commutations mais l*dIT/dt augmente
 Risque de surtenion
- Diminuer la tension aux bornes du composant à l’aide d’un condensateur
 Circuit d’aide à la commutation (CALC)
 Pertes résiduelles jusqu’à ce que VT1=Vo CCALC
𝐼²
𝑃 =𝐹 ∗
24
∗𝑡 Transistor
I E
L’énergie de C doit être dissipée ou récupérée
avant la fermeture suivante. Vo

tOFF 41
 Pertes en commutation
Commutation à l’ouverture
Phénomène résonnant parasite
A l’ouverture, une fois le transistor ouvert (VT1=E), le transistor se comporte comme
un condensateur qui peut résonner avec l’inductance parasite l.

=>On a un circuit l – Coss résonnant amorti il(0)=I l : inductance parasite

Coss
surtension T1 vC(0)=E
E
I
D2

 
*I

42