I.U.T. « A » Bordeaux Département : G.E.I.I.

LE TRANSISTOR JFET CANAL N

Structure et caractéristiques

Zone ohmique et de coude

Zone de saturation

Polarisation

Schéma aux petites variations et aux fréquences moyennes

JFET canal P

JFET canal N : montages fondamentaux

Philippe ROUX roux@elec.iuta.u-bordeaux.fr

tél. : 05 56845758
 TRANSISTOR JFET CANAL N

1) STRUCTURE ET CARACTERISTIQUES

Grille Drain
10 10 ID( ma)
Source VGS (V)
9 9 zone ohmique
et de coude 0
8 IDSS 8
L Z zone de
7 7 saturation
- 0.25
6 6
Si P
5 5
G - 0.5
Canal N 4 4
Si N
S D 3 3
Si N++
Si P D 2 2 -1
ID G
1 1
VP -2
G 0 0
VDS 2 1.5 1 0.5 00 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS Positif VDSAT = VGS-VP
VGS ( V) VDS ( V)
Négatif S
Figure 1 : transistor JFET canal N. Caractéristiques de sortie et de transfert
Dans un barreau de silicium P, on a diffusé deux zones de silicium de type N reliées par un canal
de même nature (figure 1). Les deux zones N constituent le Drain et la Source du dispositif alors que
la zone P est appelée Grille.En fonctionnement normal, la tension VDS doit être positive alors que la
grille doit être absolument polarisée négativement par rapport à la source.

Sous l’influence de la tension VDS positive, les électrons, porteurs majoritaires du silicium N,
circulent de la source S vers le drain D. Ils traversent alors sous la grille G, le canal N dont l’épais-
seur est liée à l’extension de la zone de charge d'espace de la diode bloquée Grille Source. Cette zone
de charge d’espace dépend à la fois de la tension VGS négative et de la tension VDS positive.

Les caractéristiques de sortie ID = f (VDS) à VGS constante présentent trois régions (figure 1) :

• Ohmique et de “coude” pour VDS < VDS saturation = VGS - VPincement

• Saturation ou de “plateau” (VDS > VDS sat)
• Claquage ou avalanche ( non indiquée en figure 1).

2) ZONE OHMIQUE ET DE COUDE : V DS < V DS sat = V GS - V P i n c e m e n t

2.1) ZONE OHMIQUE

Lorsque la tension V DS est faible, la zone de charge d'espace de la diode bloquée grille source ne
dépend pratiquement que de la tension VGS. L'épaisseur e = f (VGS) du canal est alors uniforme
(figure 2) et d’autant plus faible que la tension VGS est négative.

Lorsque V GS est égale à VP tension de pincement, le canal a une épaisseur nulle, le JFET est
bloqué c'est à dire : ID = 0 mA.
La tension de pincement du canal V P est une donnée fondamentale de ce dispositif.
Dans la zone purement ohmique, la résistance drain-source RDS du dispositif est telle que :
R DS0 • RDS0 résistance pour VGS = 0V
R DS =
1 − K VGS • K (V -1 ) facteur caractéristique du JFET

1
 VDS faible
Région ohmique
G +
4 VGS (V)
VGS I D mA
0V
e (VGS) D
+ 3
S
-0.5 V
G 2
VDS faible
-1 V
+
G 1
-1.5 V

D VP = -2 V
+ 0
S 0 0.15 0.3 0.45 0.6
VDS (V)
VP incement
G
Figure 2 : zone ohmique du JFET canal N

2.2) ZONE DE COUDE

Lorsque la tension VDS augmente, l’épaisseur e du canal dépend à la fois des tensions :
• VGS (création d'un champ électrique vertical)
• VDS qui se développe longitudinalement dans le canal (champ électrique horizontal).

Découpons le canal et la grille en une infinité de diodes PN d’épaisseur très faible (voir annexe).
Les diodes qui sont situées près du drain sont plus fortement bloquées que les diodes situées du côté
de la source car soumises à une tension inverse plus importante. Le canal a donc tendance à se rétrécir
du côté du drain (voir figure 3 construite avec une tension VGS nulle)

Le courant de drain dans la zone de coude : ID = f(VGS, VDS ) est tel que :
I DSS
ID = 2 (V GS − V P )V DS − V DS
2

V 2P
Région de coude et de saturation
VGS (V)
+ VDS
G 10
I D mA

8 I DSS 0V
D
S
6
VGS nulle G
-0.5 V
4

2 -1 V
P1
-1.5 V
0
0 1 2 3 4 5 VP = -2 V
VDS (V)
VDS saturation = VGS - VP
P2

Figure 3

2
3) ZONE DE SATURATION OU DE PLATEAU : V DS VDS sat = V GS - V P

3.1) Supposons une tension VGS nulle (figure 3)

a) Lorsque la tension VDS atteint la valeur de saturation VDS sat = VGS -VP, il se produit à nou-
veau un pincement du canal en P1 .Cependant, contrairement à la zone ohmique, ce pincement
local du canal, ne provoque pas l’ annulation de courant ID. En effet, les électrons circulant de
la source vers le drain, possèdent en P1 , une énergie cinétique suffisante pour rejoignent le
drain.
On a alors atteint le courant de saturation de drain IDSS , deuxième donnée
fondamentale.

b) Lorsque la tension VDS est supérieure à VDS sat, le courant ID reste sensiblement constant car
on assiste à deux effets antagonistes :
Si VDS ↑, la résistance RDS ↑ (P1 se déplace en P2 ) et le rapport VDS /RDS est invariable.

3.2) Pour les tensions VGS négatives, les mêmes phénomènes se reproduisent. Mais l' association des
effets des tensions VGS et VDS conduit à un courant de saturation de drain inférieur au courant
maximal IDSS .

3.3) Dans la zone de plateau, le JFET est une source de courant imparfaite dépendante des tensions
VGS et VDS :
VGS 2
I D = I DSS (1 − ) (1 + λ VDS )
VP

• ID SS : courant maximal de saturation pour VGS = 0 V

• VP : tension de pincement du canal
• λ (V -1 ) : paramètre lié à la résistance interne de la source de courant (1/λ correspond à un
effet Early )

4) POLARISATION

On considère en figure 4 un montage à transistor JFET canal N.

ID( ma)
10 VCC
RD + RS VGS (V)
9
+ VCC
0
8 IDSS
RD ID 7
- R S ID - 0.25
6
0V
0 µA D
5
G VDS - 0.5
S 4
ID repos P0
VGS
3
R GG ID
RS
2 -1

1
M (0 V) -2
0
2 1.5 1 0.5 VCC
VP
VDS repos VDS ( V)
VGS ( V) VGS repos

Figure 4

3
On définit la droite de charge VDS = VCC - (RS +RD) ID sur laquelle on se fixe un point de repos en
choisissant par exemple une tension VDS repos . On en déduit de manière habituelle sur les caractéristi-
ques : le courant ID repos et la tension VGS repos.

Polariser le JFET revient à définir la tension négative V GS repos . La jonction grille-source étant
bloquée, le courant de grille IG est très faible. Dans ces conditions, si on connecte entre grille et masse
une résistance RGG (peu importe sa valeur), sa tension aux bornes sera nulle. On déduit :
VGSrepos = 0 - RS IDrepos

La polarisation est donc assurée par une résistance de source RS , de valeur convenable, associée
au courant de drain qui la traverse. Cette polarisation est dite "automatique". En effet si pour une
raison quelconque, le courant ID augmente, VGS diminuant, entraîne une diminution de ID. La position
du point de repos est sensiblement stable.

5) SCHEMA AUX PETITES VARIATIONS ET FREQUENCES MOYENNES

Pour de petites variations de fréquences moyennes, autour d'un point de repos, le transistor JFET
canal N est simulé par le schéma équivalent de la figure 5 comportant :

rds • Entre grille et source, une résistance rgs de

G valeur élevée ( résistance dynamique d'une
vgs id jonction bloquée) habituellement négligée.
S D
gm vgs • Un générateur de courant g m v g s , circu-
lant toujours de D vers S et dépendant
Figure 5 : schéma aux petites variations de la tension instantanée vgs . L' imperfection
JFET canal N (ou P) du générateur de courant est représentée par la
résistance interne rds

Connaissant les caractéristiques essentielles du composant : IDSS , VP et λ, la transconductance gm et

la résistance interne rds données par :

2 1+ V DS repos
gm = − I DSS I D repos rds =
Vp I D repos

6) JFET CANAL P
+
Grille VDS ID

N D
ID

G VDS négative
VGS
Drain
+ VGS positive
IS = ID
canal P
Z.C.E.
Source

P S
Si N
Grille Si P

Remarque : le schéma aux petites variations et fréquences moyennes du JFET canal P est identique à
celui du JFET canal N.

4
 TRANSISTOR JFET CANAL N :
EVOLUTION DE L’EPAISSEUR DU CANAL EN FONCTION DE VDS ET VGS

VDS = 2 V et grille en l’air : répartition linéaire du potentiel dans le canal

Grille

Source Drain

0V 0.5 V 1V 1.5 V 2V

VDS
Si N Si P 2V
Grille

VDS = 2 V et VGS = -2 V : découpage du dispositif selon n diodes bloquées

Grille
Source

2V Drain
+

VGS VDS
+
Si N Si P 2V
Grille

Représentation sous forme de schéma électrique

Grille -2V

-2V - 2.5 V -3V - 3.5 V -4V

Source 0V 0.5V 1V 1.5V 2V Drain

Grille -2V

L’épaisseur de la zone de charge d’espace des diodes est plus importante au fur et à mesure
que l’on se déplace de la source vers le drain

Grille
Source

2V
Drain
+

VGS VDS
+
Si N Si P 2V
Grille

5
 JFET CANAL N : MONTAGES FONDAMENTAUX

+ VCC + VCC + VCC

Id repos Id repos Id repos

Rd Rd Rd
VP VP VP
CL CL2
IDSS IDSS IDSS
D D D
Rg Rg
G G G
CL Rg
S S
+ S vs Ru + vs
+ Ru
eg ve eg ve
RGM RS RGM RS RGM Rs ve CL1 eg
vs Ru
- -
-

Amplificateur Source commune Amplificateur Drain commun Amplificateur Grille commune

gm vgs
gm vgs
Rg G S D Rg G S
vgs vgs S D

+ + Rg G vgs
eg ve RGM RS Rd Ru vs eg ve RS Ru vs +
eg ve RS Rd Ru vs
- -
RGM D gm vgs - RGM
Req = Rd // Ru Req = RS // Ru v gs = −ve Req = Rd // Ru

gm Req
g R AV = AV = gm Req
AV = − m eq 1 + gm Req
1 + gm Rs 1
Re = RGM Re = RS //
Re = RGM gm
RS
Rs = Rd Rs = Rs = Rd
1 + gm RS

2
gm = − I I rds infinie
VP DSS D repos
 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION :
JFET CANAL N

Drain

interconnexions en Grille
aluminium oxyde de silicium SiO2
Source

P P
mur d’isolement P+

Courant ID Courant ID
Canal N
N épitaxié

substrat P

N++
N

P+
Al