Compte rendu de TP N°3

du module Electronique Analogique

Circuits électriques et analogique linéaire

Réalisé par :
Pr. K. Zared

Encadré par :
ESSRHIR LOUBNA
M’houh hajar
Liste du matériels utilise :

Un oscilloscope

Un gbf

Deux voltmètres

Deux alimentation stabilisées

Un milliampèremètre

Une maquette de branchement format A3

Un transistor a effet de champ BF245c

Trois résistances Rd=1kΩ , Rs=270Ω , Rg=500kΩ

Deux condensateurs Cl=47nF , Cs=10µF

Le but :

Etudier le transistor a effet de champ a jonction en régime

statique ,dynamique linéaire et en tant amplificateur il s’agit
de déterminer les principales caractéristiques et les différents
paramètres de ce transistor

transistor à effet de champ definition :

Un MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou HEMT
(High Electron Mobility Transistor) est un transistor à haute mobilité
d'électrons connu aussi sous le nom de transistor à effet de champ
à hétérostructure.
1.Regime statique :

 a.Polarisation par la grille :

on réalise le montage de la figure 5

et on détermine Idss, Idss=Id=VDs/Rd a Vgg=VGS=0V on

trouve :
Id=2µA
On détermine la tension de pincement Vp en augmentant la
valeur de VGG (ou VGS) jusqu’à avoir Id=0A (Vp=VGS pour
laquelle ID=0) on obtient :
Vp=2,1
On relève la caractéristique ID=f (VGS)Vds=10V pour VGS
Egale successivement à 0V,-0.2Vp,-0.4Vp,-0.6Vp,-0.8Vp.

VGG 0 -0,21 -0,42 -0,84 -1,26 -1,68

ID(mA) 4,5 4 3 2 1 1
b. Polarisation automatique de grille :
on réalise le montage de la figure 6

on mesure les tensions VDS0 , VGS0 et le courant ID0 on obtient :

VDS=5,47 V
ID0=4,5 mA

VGS0=52,6 mV