TRAVAUX DIRIGES No2 DE L’UE ELECTRONIQUE DE BASE :

RESISTORS, TRANSISTORS BIPOLAIRES ET TRANSISTORS A EFFET DE

CHAMP

Exercice 1 :

On donne R1 = 6kΩ, R2 =3KΩ, R3 =6kΩ, E1 = 6 V et E2 = 12 V.

a) Calculer la tension V en utilisant le théorème de Millmann

b) Recalculer la tension V en utilisant le théorème de Thévenin

Exercice 2 :

Calculer la résistance équivalente du dipôle entre A et B

Exercice 3:

Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN au silicium dans
chacun des deux montages suivants. On donne β=100, Vcc = 10V et on désire que le point de
repos soit fixé à VCE0 =5V, IC0 = 1mA VBE0 = 0.7V

Exercice 4:

Un transistor NPN au silicium est polarisé par pont de base selon les schémas ci-dessous. On
donne β=100, VCC = 10V, VCE0 =5V, IC0 = 1mA VBE0 = 0.7V

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- Calculer les éléments de polarisation.

- Déterminer les droites d’attaque et de charge.

Exercice 5 : Polarisation automatique d’un FET par résistance de source

Soit le montage de la figure ci-dessous .On donne le courant :IDSS =12 mA, la pente :gm0=8 mS,
la résistance : RG=1M𝜴 et RD =3k𝜴.

Figure : Polarisation par résistance de grille et par résistance de source.

1. On désire polariser le transistor à la valeur UGS = UP/2. Donner la valeur de la résistance RS

qui permet d’avoir cette polarisation.

2. Pour la valeur trouvée de RS, déterminer la valeur du courant ID qui circule dans le drain ainsi
que la tension UDS.

3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.

Exercice 6 : Polarisation d’un FET par pont résistif

Soit le montage de la figure ci-dessous. On donne : VP = −4V, IDSS =10 mA, VDD=10 V et
RG1=100 k𝜴.

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 Figure : Polarisation d’un JFET à canal N par deux résistances de grilles

1.Écrire l’équation de la droite de charge du transistor ID = f(VGS), tracer la droite de charge et

choisir un point au milieu de cette droite.

2 .En déduire la valeur de VGS et calculer la valeur de RG2.

M. TOUKEA ONDOUA NOE