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Filière SMP/S4
Faculté des Sciences Semlalia Contrôle Blanc
Electronique de base
Département de Physique Durée 2h
Exercice 1
Un FET à jonction canal N dont la tension de pincement VP = -3 volts et
pour lequel le courant drain source IDSS= 12 mA, est polarisé selon le
montage ci-contre. R1= 10 KΩ , R2= 6.55 KΩ , Rs= 1.2 KΩ, RD= 240.5
Ω, VDD = 24V.
1- Déterminer la droite d’attaque et la droite de charge.
2- Calculer les coordonnées du point de fonctionnement.
3- En déduire la transconductance gm du transistor en ce point de
fonctionnement.
Exercice 2
VD1 VD2
i2
On donne le circuit à diodes alimenté par une tension i1 A
sinusoïdale ve(t). Les deux diodes sont supposées quasi- D1 R D2 R
idéales identiques de tension seuil 𝑉0 = 0.6 𝑉. VD1 et ve(t) vs(t)
E1 E2
VD2 sont les tensions aux bornes des deux diodes. On
veut déterminer la caractéristiques de transfert vs = f(ve) et
la tension vs(t). ve(t) = Vmsin(𝜔t) ; Vm = 20V; E1 = 5V et E2 =3E1=15V.
8- Tracer, sur papier semilog, les asymptotes de et les courbes du gain et de la phase.