ENSAM MEKNES TD3 Electronique

Exercice 1: Amplificateur à Transistor à effet de champ

On considère le montage à TEC suivante :

ie

Les paramètres du transistor à effet de champ sont : 𝑔𝑚 = 1.5𝑚𝐴/𝑉 et 𝑔𝑑𝑠 = 0.1 Ω−1. On
donne : 𝑅1 = 7KΩ, 𝑅2 = 1KΩ, 𝑅𝑠 = 0.5KΩ, 𝑅𝐷 = 0.9KΩ, 𝑉𝐷𝑆 = 5V et 𝑉𝑐𝑐 = 12V.

1.1. Etude statique :

1.1. Calculer la valeur statique du courant 𝐼𝐷 et la valeur statique de la tension 𝑉𝐺𝑆

1.2. Etude dynamique :

a. Donner le modèle équivalent en régime dynamique petits signaux.

b. Exprimer l’amplification en tension 𝐴𝑣 = 𝑉𝑠 /𝑉𝑒 du montage

c. Calculer la résistance d’entrée du montage 𝑅𝑒 = 𝑉𝑒 /𝑖𝑒

d. Calculer la résistance d’entrée du montage 𝑅𝑠 = 𝑉𝑠 /𝑖𝑠

Exercice 2 :

Soit le montage, ci-dessous, à un transistor transistors à effet de champ utilisé en régime

petits signaux. Le TEC est auto-polarisé (polarisation automatique).

E : est source de tension constante. Ve : est une source de tension sinusoïdale.

Ie

1
 2.1. Etude statique :
2.1.a. Exprimer l’équation de la droite d’attaque I D = f (VGS ) .
2.1.b. Donner l’expression de l’équation de la droite de charge.
2.2. Etude dynamique :
2.2.a. Dessiner le schéma équivalent du montage en régime dynamique en considérant que les
condensateurs se comportent comme des impédances nulles (en prenant g ds = 0 ).

2.2.b. On pose : R = Rs / / Rch . Exprimer l’amplification en tension Av = Vs / Ve en fonction de

R et g m .

2.2.c. Donner l’expression de la résistance d'entrée du montage Re = Ve / I e .

Exercice 3 :

1. Ecrire l’équation de la droite de charge du transistor ID = f(VDS).

2. La droite de charge passe par le point ID = 4 mA, VDS = 0 V. Choisir le point de
fonctionnement correspondant à VDS = 11,8V. En déduire la valeur de la tension VGS.
3. En déduire la valeur de RL.
4. Calculer R1 en sachant que R2 = 120 kΩ.