Université MED IER E.S.T.

O 2020/2021

TD D'ÉLECTRONIQUE
(Série 3)

EXERCICE 1 (Polarisation par résistance de base)

Soit le montage de la figure 1. Pour simplifier, la caractéristique de la jonction base-émetteur du transistor est
linéarisée, avec une tension de seuil V0  0,6 V et une résistance dynamique en direct, R d  10  . Le gain en
courant statique est   100 .

Figure 1. Figure 2.

1- Donner les équations des droites d'attaque et de charge statiques.

2- Donner les coordonnées des points de repos en entrée et en sortie.
3- Que doit être la valeur de R B si l'on veut un point de repos au milieu de la droite de charge statique.

EXERCICE 2 (Polarisation par pont et résistance d'émetteur)

La caractéristique directe de la jonction base émetteur du transistor du montage de la figure 2 est idéalisée, avec un
seuil V0  0,6 V . On désire des valeurs au repos telles que : VC E  6 V et I B  30 A .
1- Donner l'expression de la droite d'attaque statique.
2- Sachant que R 1  100 K , R C  1 K et   180 , calculer les valeurs de R E et R 2 .
3- Pour quelle valeur de R 2 le transistor se bloque-t-il ?

EXERCICE 3
On considère le montage de la figure 3 pour lequel on a : V B E  0,6 V , I B  20 A ,   200 et VC E  6 V .
RE .
1- Calculer la valeur de
2- On donne R 1  90 K , calculer R 2 .
3- Donner les valeurs de R 2 qui provoquent le blocage du transistor.

Figure 3. Figure 4.

1
 Université MED IER E.S.T.O 2020/2021

EXERCICE 4
Les transistors du montage à deux étages de la figure 4 sont identiques et ont une tension base-émetteur de 0,6 V et
un   75 . Le courant de base de base de T2 pourra être négligé devant le courant collecteur de T1 dans les calculs.
1- On donne R 1  R 2  100 K , R C  R E  1 K .Déterminer les courants et tensions du montage.

EXERCICE 5 (Polarisation par résistance entre collecteur et base)

Le transistor de la figure 5 a un   65 et une tension V B E  0,6 V . Les valeurs des résistances sont :
R B  17 K ; R C  1 K ; R E  100  .
1- Donner l'équation de la droite d'attaque statique. En déduire le point de repos en entrée.
2- Donner l'équation de la droite de charge statique ainsi que les coordonnées du point de repos en sortie.
3- Que doit être la valeur de R B pour avoir un point de repos au milieu de la droite de charge statique ?

Figure 5. Figure 6.

EXERCICE 6
On considère le montage de la figure 6 avec un transistor ayant un  de 100 , V B E  0,6 V et une tension de
déchet V C E sat négligeable.
1- Calculer le courant I C sat à la saturation
2- Quelle tension V E faut-il appliquer pour avoir un coefficient de sursaturation k S  5 ?
3- Le transistor utilisé est caractérisé par des temps de commutation t on et t off de 4 s (supposés égaux pour
simplifier). On considérera que le transistor est saturé si son courant I C est compris entre 0,9 I C Mex et I C Max et
qu'il est bloqué si le courant collecteur est compris entre 0 et 0,1 I C Max . L'entrée est attaquée par un signal VE
carré entre  1V et une valeur  E suffisante pour atteindre la saturation. Quelle la fréquence minimale du signal
carré au-delà de laquelle on n'a plus un fonctionnement en commutation correct ?