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AMPLIFICATEUR SELECTIF JFET EN GRILLE COMMUNE

On rappelle ci-dessous les équations qui permettent de passer de la forme impédance à la


forme admittance et réciproquement à condition que le coefficient de qualité associé soit assez
important.

Gp Rs j Xs
Rs = Xs
Bp2 Qs =
1 Z = Rs + j Xs Rs
Xs = −
Bp résistance réactance

Pour Qp >> 1 Pour Qs >> 1

Rs
Gp =
Xs2
Bp Gp j Bp
Qp = 1
Gp Bp = −
Xs
Y = Gp + j Bp

conductance suceptance

1) On dispose d’une self L = 10 mH dont le fil du bobinage possède une résistance série Rs = 10 Ω.
Calculer le coefficient de qualité Q L de cette self à la fréquence f0 de 10 KHz et en déduire la valeur
de sa résistance parallèle Rp (image de Rs ).

2) On place en parallèle sur la self une capacité C de manière à réaliser un circuit oscillant
parallèle. Calculer la valeur à donner à la capacité C pour que la fréquence de résonance f 0 du
circuit soit égale à 10 KHz. Déterminer la valeur du coefficient de qualité Q du circuit.

Le circuit oscillant parallèle est maintenant placé dans le drain d’un transistor JFET canal N
monté en grille commune comme indiqué en figure 1.
Ce montage constitue alors un amplificateur sélectif dont le maximum de gain en tension va se
produire à la fréquence f0. Les condensateurs de liaisons ont une impédance négligeable à la
fréquence de travail du circuit oscillant.
+ VCC = +15 V

L C
Rs ou Rp
C L2
D
rds
ID repos
vgs
Rg C L1 G S D
S G gm vgs
v s1
+
eg R1 RGG
ve 250 Ω 470 KΩ
-

Figure 1 : montage amplificateur sélectif et schéma aux petites


variations du JFET

1
2
ä V GS ëì
Le transistor JFET canal N est utilisé dans sa zone de plateau où : I D = I DSS ååå 1 − ìì
ã Vp í
Les caractéristiques du transistor sont les suivantes :

IDSS VP rds ou gds = rds-1

4,5 mA - 1,5 V 30 KΩ ou 33.3 µS

3) Sachant que la tension V GS repos est égale à -0.5 V, calculer la valeur du courant de repos du JFET.
Déterminer l’expression de sa transconductance gm . Faire l’application numérique.

4) Afin de déterminer les performances du montage, dessiner son schéma équivalent aux petites
variations imposées par le générateur d’excitation (eg, Rg). Choisir pour la self, la représentation
Rp, L. On remarquera que la résistance RGG n’a pas d’influence, expliquer pourquoi.

5 ) On nomme Y l’admittance du circuit oscillant placé entre le drain et la masse. Déterminer


l’expression du gain en tension du montage A(ω) = [vs1 / v e] en fonction uniquement de Y, g m et
gds.

6) Donner l’expression de l’admittance Y en fonction de L, C, ω et Gp = RP -1.

7) En déduire, à la fréquence f0, l’expression du gain en tension maximal du montage Amax .


Faire l’application numérique.

8) On se place maintenant à une fréquence f différente de f 0. Montrer que l’expression du gain A(ω)
peut se mettre sous la forme : A(ω) = A 1 . Donner l’expression de la fonction f(ω).
max 1 + j f (ω)

9) On désire évaluer la bande passante ∆ω = 2π ∆f du montage. Déterminer l’expression des deux


équations du 2° degré qui permettent cette évaluation.

10) Déterminer les solutions numériques des relations de la question 9. Donner uniquement les
résultats dans le tableau suivant. En déduire la valeur de la bande passante ∆f.

ω1 ω2 ω3 ω4

2
Le gain en tension maximal Amax calculé précédemment est trop important. Le montage est donc
modifié comme indiqué en figure 2 pour obtenir : A2max= [vs2 / ve] = 10.

+ VCC = +15 V

C1
L C3
Rs
C2

Rg C L1
S G
v s1 v s2
+
eg R1 RGG
ve 250 Ω 470 KΩ
-

Figure 2
111)Question indépendante. On donne C3 = 10 nF. Calculer la valeur à donner aux capacités C1 et C2
afin de satisfaire à la fréquence de résonance f0 de 10 kHz et la condition de gain maximum
souhaitée (écrire A2max en fonction de Amax, C1 et C2). Il est conseillé d’analyser la modification
du schéma de la question 4.

1 © Ph. Roux 2005 http://rouxphi3.perso.cegetel.net

3
1
CORRECTION

Lω 0
Q1 : QL = = 62, 8 R p = QL2 .RS = 39, 5 kΩ
RS

1
Q2 : f 0 = C = 25,3 nF
2π LC

2
Q3 : VGS (repos)= -R1.ID (repos) ID (repos) = 2 mA gm = − IDSS .ID = 4 mS
VP

Q4 :
rds
S

Rg v gs D

+ G C
eg ve R1 Rp L v s1
- 0V RGG

Q5 : Equation au nœud D : −gm v gs + (v e − v s ) gds − yv s1 = 0


v g + gds
A= s = m
ve y + gds

1
Q6 : y = Gp + j (Cω − )

vs g + gds
Q7 : A la fréquence de résonance f0 : y = G p Amax = ( )f 0 = m = 68, 8
ve G p + gds

vs gm + gds vs 1
Q8 : A(ω ) = = A(ω ) = = Amax
v e G + g + j (Cω − 1 ) ve Cω −
1
Lω Lω
p ds
1+ j
G p + gds
1
Cω −
D’où la fonction : f (ω ) = Lω
G p + gds

1
2005© Ph. Roux http://rouxphi3.perso.cegetel.net
A max
Q9 : Pour obtenir la bande passante ∆f, il faut satisfaire à la relation : A( f ) =
2
1
Cω −
Soit : Lω = ±1
G p + gds
On en déduit l’équation : LCω 2 ± ( gd s + G p ) Lω − 1 = 0

Q10 :
ω1 ω2 ω3 ω4
61,69.10 -64.10 64.10 -61,69.10 3
3 3 3

∆f = 368 kHz

C1C2
Q11 : La fréquence de résonance fait intervenir maintenant la capacité : Ceq = C3 +
C1 + C2
Le nouveau gain en tension est tel que :
v s2 v s2 v S1 v C1 v
= avec : s2 = diviseur capacitif et s1 = Amax = 68, 8
v e v S1 v e v S1 C1 + C2 ve

On en déduit : C1 = 105 nF et C2 = 17,9 nF