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Une étude expérimentale en régime continu a permis de relever les caractéristiques statiques
du transistor NMOS : IDS = f(VDS) pour VGS = 2,2V et IDS = f(VGS) pour VDS = 5V. Elles sont
données respectivement figures 2 et 3.
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Electronique analogique 1A - Examen
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Electronique analogique 1A - Examen
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Electronique analogique 1A - Examen
• Rail-to-Rail Input/Output
• gain–bandwidth product (designated as GBWP): 1 MHz (typ.)
• Low Offset Voltage:- Industrial Temperature: ±500 µV (max.)
• Low Supply Current: 1 mA (typ.)
• Maximum Output Voltage Swing VOL=VSS+15mV , VOH =VDD-20 mV
• Power Supply Range: 2.5V to 5.5V
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Electronique analogique 1A - Examen
Vs=-Ve(R2/R1)+VDD(R1+R2)/R1
Correction
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Electronique analogique 1A - Examen
22
20
18
16
14
12
10
8
6 F(Hz)
4
2
0
-2
100 1K 10K 100K 1M 10M
-4
-6
On rappelle que le GBWP de l’amplificateur = 1 MHz (G=0dB pour f=1MHz)
-8 Renseigner précisément les échelles dB et fréquences 3pt
-10
-12
-14
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Electronique analogique 1A - Examen
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Electronique analogique 1A - Examen
La fonction de transfert harmonique du filtre (en fonction de la pulsation) peu se mettre sous
la forme :
𝑉𝑠𝑉𝑒=𝐴𝑣11+𝑗𝜔𝜔𝑐
l) Proposer et justifier par rapport au diagramme de Bode une valeur pour C2 permettant
d’obtenir la fréquence de coupure de ce filtre 2p
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