Préparation du TP d’Electronique

AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS
DJEH KETSANG PAULE ERICIE SERENA: 20P330

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Contents
1 Introduction 4

2 Partie 1: Préparation 4
2.1 AMPLIFICATEUR DE CLASSE A . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1 Etude statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.2 Etude dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1.3 Simulation classe A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B . . . . . . . . . . . . 12
2.2.1 Etude statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.2 Simulation du montage classe B . . . . . . . . . . . . . 15

3 PARTIE 2 :MANIPULATION 17

4 Conclusion 18

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List of Figures

3
1 Introduction
Les amplificateurs à transistor sont des circuits électriques utilisés pour am-
plifier un signal électrique. Ils sont largement utilisés dans les systèmes
audio tels que les amplificateurs de puissance, de casque et les amplifica-
teurs de préampli. Les amplificateurs à transistor peuvent être de différentes
classes: A, B, AB ou D. Chaque classe a ses propres caractéristiques en termes
d’efficacité sonore, d’efficacité énergétique et de distorsion. Les transistors
de notre étude seront des transistors bipolaires.

But de la manipulation: le but de ce TP est d’étudier des am-

plificateurs de tension de faible puissance en modes statique, dynamique et
fréquentiel.

2 Partie 1: Préparation
2.1 AMPLIFICATEUR DE CLASSE A
Un amplificateur est dit de classe A lorsqu’il fonctionne en permanence dans
la région active. Le courant collecteur circule donc durant les 360° d’un
cycle alternatif. Ils sont polarisés en continu à un courant élevé même en
l’absence d’un signal d’entrée. Ces transistors ont l’avantage de présenter
un taux de distorsion harmonique très faible, même en l’absence de réaction
négative et l’inconvénient de produire beaucoup de chaleur car ils consomme
constamment un courant élevé.
Considérons le schéma suivant:

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 Le transistor de notre étude est le 2N222A, de type npn. Son data sheet
nous fourni les caractéristiques suivantes :

V ce = 5V
Ie = 5mA
β = 100
V e = 1V

Nous nous servirons de ces grandeurs pour dimensionner le transistor et

déterminer les grandeurs nécessaires à la polarisation. L’étude d’un circuit
amplificateur se fait en deux parties:
L’étude statique qui permet l’obtention la droite de charge et le point
de fonctionnement et
L’étude dynamique qui permet l’obtention des différents gains.
Cette fois par contre,nous allons utiliser les équations des droites de
charges et d’attaques pour avoir les valeurs des différentes résistances et
utiliser le logiciel proteus pour vérifier qu’elles correspondent par simulation.

2.1.1 Etude statique

En régime statique, les sources de tension alternatives sont court-circuitées
tant dis que les condensateurs sont remplacés par des circuits ouverts.Le
schéma équivalent en régime statique est le suivant:

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 1. Point de fonctionnement
Sachant que Q correspond au point de fonctionnement, ses coordonnées
sont: Q(VCEQ , ICQ )

C’est en tenant compte des données du datasheet que l’on obtient:

VCEQ = E2 et ICQ = E−V ce
Rc+Re
Ce qui nous donne:
E E − V ce
Q( , )
2 Rc + Re
2. Détermination des expressions et des valeurs des résistances
RE , R1 et R2

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 Pour trouver les expressions et valeurs de ces résistances, nous nous servi-
rons du circuit équivalent en statique en se concentrant sur la maille ex-
terne. Par la suite on se servira de la loi d’ohm pour dimensionner les autres
éléments du circuit amplificateur:
De prime abord, RC = V cc−VIc
c
6
AN:RC = 0.005

RC = 1200Ω
Par suite, on sait que: VB = VBE + VE
AN: VB = 0, 6 + 1
VB = 1.6V
De plus, VE = IE ∗ RE
VE
⇒ RE =
IE
1
AN: RE = 0.05
RE = 200Ω
Vb IC β.V b
On a également: R2 = 10Ib
, or IB = β
donc R2 = 10Ic
1.7
AN: R2 = 10∗0.05 ∗ 100
R2 = 3, 4kΩ

(V cc−VB )β
Enfin, R1 = V 10I
cc−V b
B
donc R1 = 10Ic
830
AN: R1 = 10∗0.05

R1 = 16, 6kΩ

Les coordonnées de Q seraient donc: Q(5V, 3.57mA)

2.1.2 Etude dynamique

Ayant les valeurs des résistances de polarisation, nous pouvons retrouver les
expressions des gains en tension et en courant à la charge et à vide.
Le schéma à considérer est celui du montage en régime dynamique qui suit:

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Avec rbe = R1 //R2
0,026 Ic
Calcul des caractéristiques : h11 = ib
or IB = β
donc h11 = 0.026β
Ic

AN: h11 = 520Ω

rb e = 2.822kΩ
1. A vide
a) gain en tension:
−β.Rc
Av= VV es = h11

Av = −230.77
b)Gain en courant:
is −β.rb
Ai= ie = h11+rb

Ai = −84.44
2. En charge
a) Gain en tension:

On a Rth=Rc//Rs et tout calcul fait, Rth=967.74Ω et Rs=5kΩ Av= VV es =

−β.Rth
h11

Av = −230.77

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 b) Gain en courant:
is −β.rb
Ai= ie = h11+rb

Ai = −84.44

2.1.3 Simulation classe A

La simulation avait pour objectif de vérifier que les valeurs des résistances cal-
culées pour polariser le transistor était corrects. Nous avons donc simuler le
circuit en utilisant les valeurs de R1 , R2 , RC etRE obtenu plus haut et mesuré
les valeurs de différentes tensions et courants en fixant E à 10V et e(t) à
0.5V, f=1kHz.

Nous avons obtenu;

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 Grandeur Valeur
IR1 0.5mA
IR2 0.49mA
IC 4.80mA
IB 0.023mA
VRC 4.92V
VCE 4.08V
VB 1.67V

On ressort les coordonnées du point de fonctionnement:

Q(4.08V, 4.92mA)

Interprétation: Les valeurs obtenues sont acceptables car elles

correspondent à celles attendues en théories pour un transistor
effectivement polarisé au milieu de sa droite de charge. la petite différence
observée dans les valeurs de VCE et IC est du aux erreurs de parallax dans
les calculs(VCEQ theo = 5V etICQ theo = 3.57mA
Le gain en courant est obtenu comme suit:
IC
Ai =
IB
IC
⇒ Ai =
IR1 + IR2
AN:
4.80
Ai =
0.49 + 0.5
Ai = 4.85
Interprétation: la valeur du gain en courant obtenues en simulation

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Les courbes du signal d’entrée et de sortie permettent d’obtenir le gain en
tension

courbe verte: Signal d’entré

courbe bleue: Signal de sortie
Le gain en tension est donc:
1.19V
Av =
503.75mV
AV = 2.36

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2.2 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B
Durant le fonctionnement en classe B d’un transistor, on attend de lui que
le courant collecteur ne circule que durant 180° du cycle alternatif. Donc, le
point Q est voisin du point de blocage de la droite de charge statique et du
point de blocage de la droite de charge dynamique. Les avantages du
fonctionnement en classe B sont une puissance dissipée par le transistor
plus petite et une consommation moindre de courant. étant donné qu’une
alternance est supprimée, deux transistors sont montés en push-pull pour
éviter la déformation du signal du à la suppression de l’alternance. ceci est
fait de sorte qu’un transistor conduise durant une alternance et l’autre
durant l’autre alternance. Le montage push-pull ou symétrique donne un
amplificateur classe B de faible distorsion, de grande puissance de charge et
de rendement élevé. Le circuit d’étude est le suivant:

2.2.1 Etude statique

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 1. Circuit équivalent en statique

2. Equation de la droite de charge statique

La loi des mailles nous permet d’écrire:

−V cb1 + R1Ip = 0.......(1)

−V be2 + R2Ip = 0........(2)

on a donc: −V be1 − V cb2 + (R3 + R4)Ip = 0

Ce qui nous permet d’avoir:

R1Ip = V cb1......(3)
R2Ip = V be2.....(4)
donc (R1 + R2 + R3 + R4)Ip = V ce1 + V ce2
or Ip = 10∗Ic
β

On obtient tout calcul fait

(V ce1 + V ce2) ∗ β
Ic =
10 ∗ (R1 + R2 + R3 + R4)

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 3. Détermination des valeurs de VCE1 , VCE2 et VE

La loi des mailles dans le circuit de droite nous donne:

VCE1 + VCE2 = 12
or les deux transistors sont complémentaires on en déduit que

VCE1 = VCE2 = 6V

Par ailleurs, VE = VCE2 soit

VE = 6V
4. Calcul des valeurs des tensions de bases et des résistances
Nous avons : VB1 = R2 ∗ Ip de ce qui précède, Ip = 0.57mA ce qui nous
permet d’obtenir
VB1 = 5.7V
De même, on a: VB2 = E − R1 ∗ Ip
soit
VB2 = 6.3V
Il suit que VB2 − VB1 = 0.6V et comme R4 = R3 , on a:

V R3 = V R4 = 0.3V

5. Roles des condensateurs C1 et C2

Les condensateurs C1 et C2 servent à bloquer la composante continu et de
transmettre la composante alternative des signaux. Ce sont des
condensateurs de couplage. Ils agissent essentiellement comme des filtres
passe-haut pour éliminer la polarisation en courant continu véhiculé sur le
signal alternatif.

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 2.2.2 Simulation du montage classe B
E est fixée à 12V et e(t) à 0.5V, 1kHz

Les valeurs de tension suivantes ont été obtenues:

VCE1 5.96V
VCE2 6.04V
VB1 6.57V
VB2 6.01V
VR3 6.01V
VR4 6.57V

-Valeur de VE : VE = 6.04V
-Valeur de VB2 − VB1 : VB2 − VB1 = 0.56V

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Les courbes du signal d’entrée et de sortie permettent d’obtenir le gain en
tension

courbe jaune: Signal d’entré

courbe verte: Signal de sortie

Le gain en tension est donc:

135mV
Av =
5mV
AV = 27

Interprétation: on constate que le gain en tension pour un amplificateur

de classe B est de loin supérieur à celui d’un amplificateur de classe A. Ceci
est du au fait que le montage en push-pull du transistor de classe B lui
confère la capacité de réduire les distortions apportées au signal et de ce
fait contribue à croitre son rendement par rapport à celui de classe A.

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3 PARTIE 2 :MANIPULATION

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4 Conclusion

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