TRAVAUX PRATIQUES DES CIRCUITS

MICRO-ONDES ACTIFS
MASTER ETC
FACULTÉ DES SCIENCES, TÉTOUAN

TP0: INITIATION À LA MODÉLISATION Prof. Taj-eddin Elhamadi

tajeddinelhamadi@gmail.com

DES TRANSISTORS SOUS ADS telhamadi@uae.ac.ma

 I. Modélisation électrique: Schéma électrique équivalent pour un transistor
RF/mico-onde pour un fonctionnement faible signal (modèle linéaire)

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um)

Fig 1-a: Topologie d’un MESFET

 I. Modélisation électrique: Schéma électrique équivalent pour un transistor
RF/mico-onde pour un fonctionnement faible signal (modèle linéaire)

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um)

❑ Schéma équivalent

Fig 1-b: Modèle petit signal d’un MESFET en GaAs (Réf N°:1)
 I. Modélisation électrique: Schéma électrique équivalent pour un transistor
RF/mico-onde pour un fonctionnement faible signal (modèle linéaire)

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um)

❑ Schéma équivalent

Fig 1-c: Origine des éléments du modèle petit signal d’un MESFET en GaAs (Réf N°:1)
Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Valeurs des éléments extrinsèques et intrinsèques

▪ Les tableaux suivants représentent les valeurs des éléments du modèle petit signal de MESFET 2x150 um en GaAs.
▪ Les valeurs sont obtenues par la méthode d’extraction dite de Dambrine’s, qui est basée sur des mesures S-paramètres.

Table 1: les valeurs des éléments extrinsèques du transistor (Réf N°1)

Table 2: les valeurs des éléments intrinsèques du transistor pour Vgs=0 V et Vds= 5V(Réf N°1)
 Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Implémentation sous ADS
▪ La source du courant qui apparait dans le schéma équivalent du transistor, est une source linéaire du courant
commandée par une tension. C’est la tension Vgs aux bornes de la capacité grille-source Cgs.
▪ Sous ADS on trouve cette source sous le nom VCCS (Voltage Controlled Current Source).

▪ R1 est réglée sur une valeur infinie (circuit ouvert)

▪ G c’est la transconductance du transistor gm
▪ T c’est le paramètre tau (le décalage temporel entre l’entrée et la
sortie)
▪ R2 représente la résistance de sortie: R2=Rds=1/gds (gds étant la
conductance de sortie)

Fig 2: Voltage Controlled Current Source

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Implémentation sous ADS

Fig 3: la partie intrinsèque

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Implémentation sous ADS

Fig 4-a: le schéma complet

Fig 4-b: symbole générer pour

le transistor
Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Simulation sous ADS
▪ Une Simulation de type S-paramètre est lancée sous ADS, pour voir la réponse du transistor en régime petit signal sur
une bande de fréquence allant de 500 MHz à 30 GHz.,
▪ Cette réponse n’est valable que lorsque le transistor est polarisé autour du point de repos pour lequel l’extraction des
paramètres intrinsèques à été faite.

Fig 5: simulation S-parameters

Exemple1: cas d’un MESFET en GaAs (2x150 um) (suite)
❑ Simulation sous ADS

Fig 6: Résultats de la simulation (présentation sur l’abaque de Smith)

 II. Modèle linéaire basé sur les paramètres S (concept d’une boite noire)

Exemple2: cas de pHEMT ATF 36163 (1.5-18 GHz pHEMT) (voir datasheet (Réf N°2))

▪ À partir du datasheet fournie par le fabricant, on peut créer un fichier de type .s2p qui contient les paramètres S
(S11,S21,S12,S22), En se basant sur le syntaxe d’un tel fichier (voir réf N°3)
▪ Remarque: dans le fichier s2p, on peut ajouter aussi les paramètres du bruit (Fmin, Gamma_opt (mag et arg),Rn/Z0)
 Exemple2: cas de pHEMT ATF 36163 (1.5-18 GHz pHEMT) (voir datasheet (Réf N°2))
❑ Implémentation sur ADS:
▪ Sur ADS on peut utiliser les composant SnP qu’on trouve dans le catégorie Data items
▪ Veuillez donc d’importer le fichier s2p (veuillez utiliser le fichier 5.s2p qui contient les paramètres S pour une
polarisation Vds=2V et Ids=15mA.
▪ Et de configurer le nombre de ports sur 2.
Exemple2: cas de pHEMT ATF 36163 (1.5-18 GHz pHEMT) (voir datasheet (Réf N°2))
❑ Simulation sur ADS:
Fig 7:
simulation S-
parameters

Table 3: Résultats obtenu pour les

paramètres S

Veuillez les comparer avec ceux que

vous trouvez sur le datasheet pour la
même polarisation (Vds=2V et
Ids=15mA)
 Exemple2: cas de pHEMT ATF 36163 (1.5-18 GHz pHEMT) (voir datasheet (Réf N°2))
❑ utilisation des transistors de la bibliothèque S-paramètre d’ADS
▪ Une autre méthode consiste à utiliser les modèles basés sur les paramètres S disponible sur la bibliothèque de ADS,
Mais ceci nécessite en premier (pour les version >2011) d’ajouter d’abord ces bibliothèques. Veuillez suivre alors le
tutoriel suivant: https://www.youtube.com/watch?v=zsjrSuQKZnQ
▪ Veuillez donc choisir le transistor indiquer dans l’image ci-dessous (ATF36163 pour la polarisation Vds=2V et Ids=15
mA).

Fig 8: Insertion d’un transistor à partir de la bibliothèque d‘ADS

Fig 9: Résultats obtenus par les deux
méthodes.
Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque (Microwave
transistors)
Caractéristique I/V-point de fonctionnement:

Pour tracer la caractéristique

Ids=f(Vgs)
On fixe Vds dans la zone de
saturation: par exemple:
Vds= 3V.
On fait varier Vgs entre -1V et
0V avec un pas de 0.1V

Pour tracer la caractéristique de

sortie Ids=f(Vds) pour les
différentes valeur de Vgs
On fixe
On fait varier Vgs entre -1V et
0V avec un pas de 0.1V
Et Vds entre 0 et 5V avec un
pas de 0,1V
Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque (Microwave
transistors)
Caractéristique I/V-point de fonctionnement:

La tension de pincement vaut: Vp=-0,95V

La tension de saturation max pour Vgs=0 V vaut : Idss=154 mA
Ici on va choisir le point de fonctionnement repéré par les coordonnées:
Vgs=-0,5V ; Vds=3V, Ids=45mA
Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque (Microwave
transistors)
Choix du circuit de polarisation:

V gg<0 V dd

RD
RG
I DS
D
G
V DS
S
V GS

❑ On ajoute les blocs DC-feed et DC-block pour assurer l’isolation entre la

𝑰𝑮𝑺 ≈ 𝟎 polarisation DC et le signal RF.
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝒈𝒈 ❑ Ces blocs peuvent être replacés par des bobines et des capacités dont les
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝒅𝒅 − 𝑹𝑫 𝑰𝑫𝑺 valeurs sont calculées pour la fréquence d’opération pour que :
• les DC-feeds se comportent comme des CC en DC et CO pour le RF,
Si 𝑹𝑫 = 𝟎 alors: 𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝒅𝒅 • Alors que les DC-blocks se comportent comme des CO en DC et de CC en RF.
Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque
Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque

• La transmission directe S21>0 , Le transistors

fonctionne bien dans sa zone active de saturation.
• le transistor possède une bonne adaptation en
sortie, principalement dans la bande3-6 GHz
• Le transistor n’est pas bien adapté en entrée.
• La transmission inverse S12 est faible pour les
bases fréquences, le transistor peut être considéré
comme unilatéral pour les fréquences <<3 GHz.

Résultats des la simulation S-parameters

Résultats des la DC (point de fonctionnement)

Exemple3: Utilisation d’un transistors à modèle non-linéaire/Circuit de polarisation
❑ Cas du transistor ATF34143 (ou équivalent) de la bibliothèque
• On peut remplacer les replacés les DC-feeds et les DC-blocks par des bobines et des capacités
• Ici des bobines de valeurs 100 nH permet bien de bloquer le signal RF sans perturbation du point de
fonctionnement. la bobine présente une impédance nulle en DC, et une haute impédance de 628 ohm en
RF (réflexion quasi-totale)
• Pour la capacité, une capacité de valeur 1 nF permet bien de bloquer le signal DC sans le moindre
atténuation du signal RF. la capacité présente une impédance infinie en DC, et une impédance de 0.3
ohm qui demeure négligeable devant les impédances des ports d’entrée et de sortie (50 ohm).
Références:
Réf N°1: https://drive.google.com/open?id=0ByozO2-WETFMdVVOZXc5X3NKVDQ

Réf N°2: https://drive.google.com/open?id=1GS3xoTF6DkwGMsKkvFCKJ1n6xmqeLcrb

Réf N°3: https://drive.google.com/open?id=1bYRGaVCURocn9EzJps0Risr_XhgFYrr5